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SLIDOS
SLIDOS
INTRODUCCIN
Estado de la materia que se caracteriza, a
diferencia de los lquidos y gases por tener una
dureza.
Cuando un lquido se enfra, las molculas se
mueven ms lentamente hasta que alcanzan un
punto donde ya no hay movimiento y las
molculas se agrupan en disposicin definida.
En este punto el lquido pasa a slido.
PROPIEDADES GENERALES
SLIDO CRISTALINO
Presenta un ordenamiento
geomtrico regular. Sus
propiedades son funcin de
la direccin.
Se llaman sustancias
anisotrpicas porque sus
propiedades varan con la
direccin.
Presentan puntos de fusin
definidos.Ejemplo: hielo,
NaCl.
SLIDO AMORFO
No presenta un
ordenamiento geomtrico
regular. Se le considera
como un estado intermedio
entre los lquidos y cristales.
Sus propiedades no son
funcin de la direccin.
Se llaman sustancias
istropas porque sus
propiedades fsicas son las
mismas en todas las
direcciones.
No presentan puntos de
fusin definidos. Ejemplo:
goma, algunos plsticos y el
vidrio.
Ejemplos: Formas de la Slice
a) SiO2 cristalino
Cuarzo
b) SiO2 amorfo
Vidrio
SLIDOS CRISTALINOS
-ESTRUCTURA CRISTALINA
Localizacin completa de todas las partculas del
cristal en el espacio.
-RED CRISTALINA
Patrn tridimensional repetitivo o peridico de
partculas que forman el cristal. Se podra decir
que es un arreglo tridimensional de celdas
unitarias.
Celda Translaci Translaci Translaci
n n n
unidad eje Y eje X eje Z
-CELDA UNITARIA O ELEMENTAL
Parte ms pequea que permite reproducir toda
la red por traslacin.
El tamao y la forma de la celda unitaria estn
representados por las distancias a, b y c y por
los tres ngulos entre pares de lados que se
designan por , y .
-PARMETRO DE RED (CONSTANTE
RETICULAR)
Son las longitudes de los lados de las celdas
unitarias.
CS CBC CFC
(CCuC) (CCaC)
SISTEMAS CRISTALINOS
Existen siete clases de celdas unitarias que se
denominan sistemas cristalinos.
REDES CRISTALINAS
Puede haber 14 modos de ordenar la partcula
en el espacio que se llaman las 14 redes de
Bravais.
SISTEMA EJES NGULOS ENTRE
CRISTALINO EJES
Cbico a=b=c = = = 90
Tetragonal a=bc = = = 90
Ortorrmbico abca = = = 90
Trigonal (o a = b = c = = 90
Rombodrica)
Monoclnico abca = = 90; 90
NC = 6 NC = NC = 8
12
HCP
NC =
12
FACTOR DE ACOMODAMIENTO (F.A.)
CBICO 1 x 8 =1 a= 2 r 6 0,52
SIMPLE 8
HEXAGONAL 1 x 12 + 1 x 2 + 3 = 6 a = 2 r 12 0,74
COMPACTO 6 2 c2 = 8
a2 3
CBICA SIMPLE (CS)
Ejemplo: -Po, Hg
r
F.A.=
a
CBICA DE CARA CENTRADA (CFC)
Ejemplos: NaCl, Cu, Au, Al, Ag
Cbica centrada en las caras (F.C.C.):
N de coordinacin:12
tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 6caras*1/2=4
Relacin entre la longitud de arista y el
radio del tomo: (4r)2=a2+a2
4r
Eficacia del empaquetamiento: 74%
Vocupado 4 4 3 r 3 4 3 r 3
F.A.= 0.74
a Vcelda a 3 4r
21/ 2
CBICA DE CUERPO CENTRADO(CBC)
Ejemplos: Fe, Cr, Mo, W, Ta, Ba
Cbica centrada en el cuerpo
N de coordinacin:8
Cbica
tomos por celda: centrada
8 aristas*1/8 en el=2cuerpo
+ 1centro
Relacin entre la longitud de arista y el radio del tomo:
c N de coordinacin:8
3a
r tomos por celda: 8 aristas*1/8 + 1centro =2
4
Relacin entre la longitud de arista y el radio del t
Eficacia del empaquetamiento: 68%
b 3a
r
Vocupado 42 4 3 r 3 2 4 3 r 3 3
F.A.= 0.68
Vcelda
Eficacia del
3 4r
a empaquetamiento:
( ) 3 8
68%
a 3
2 2 2 Voc upado 2 4 3 r 3 2 4 3 r 3 3
b =a +a 0
( 4r )
el cuerpo (BCC): Fe, Cr,VMo, 3
Cbicac centrada
2
=a +b en
2 2
=3a 2 W, Ta, Ba. a
c elda
3 8
c= 4r =(3a2)1/2 3
xy + yz = 2xy = 2d Sen
As resulta que la ecuacin de BRAGG,
formulada en 1913, es la siguiente:
n = 2d Sen
Pantalla
Cristal
Haz de
rayos X Placa fotogrfica
Tubo de
rayos X
TIPOS DE SLIDOS CRISTALINOS
TIPO DE INICO
CRISTAL
EJEMPLO C(diamante,grafito),
SiO2(cuarzo)
TIPO DE MOLECULAR
CRISTAL
UNIDADES EN LOS Molculas o tomos
PUNTOS RETICULARES
FUERZA (S) QUE Fuerzas de dispersin,
MANTIENEN LAS fuerzas dipolo- dipolo,
UNIDADES JUNTAS enlaces de hidrgeno
Agua H2O
PROPIEDADES Suaves, bajos puntos
GENERALES de fusin, malos
conductores del calor y
de la electricidad.
cada elemento.
Los elementos deben tener la misma valencia.
Sustitucional grande
ALEACIN INTERSTICIAL
vacante catinica
e-
DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)
-Dislocacin de arista. Hay un plano parcial
adicional de tomos.
-Dislocacin de tornillo. Parte de un conjunto
de planos de la red se ha desplazado una o
ms unidades de red en relacin con los planos
vecinas.
DEFECTOS DE PLANO
Para romper uno de los enlaces covalentes hay que aplicar una
energa de 0,7 eV (Si) 1,1 eV (Ge) > Energa de ionizacin.
COBRE: = 10-6-cm
MICA: = 1012-cm
SILICIO: = 50x103-cm
GERMANIO: = 50 -cm
Enlaces covalentes
Para que la conduccin de la electricidad sea posible,
es necesario que haya electrones que no estn ligados
a un enlace determinado (banda de valencia), sino que
sean capaces de desplazarse por el cristal (banda de
conduccin). La separacin entre la banda de valencia y
la de conduccin se llama banda prohibida, porque en
ella no puede haber portadores de corriente (la
diferencia de energa entre ambas bandas es el gap de
energa semiconductor, Eg).
El nmero de electrones libres de un semiconductor
depende de los siguientes factores: calor, luz, campos
elctricos y magnticos.
El ms importante de los materiales electrnicos es el
silicio puro, al que se puede modificar para cambiar sus
caractersticas elctricas. Con estos materiales se han
podido crear, fabricar los circuitos integrados que han
revolucionado la industria electrnica y de ordenadores.
De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear
tambin el azufre. La caracterstica comn de todos
ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una
configuracin externa de 3s2 3p2.
SILICIO
eV. eV.
Ventaja: opera a mayores Opera a temperaturas no
temperaturas. mayores de 80C.
Estructura atmica: red Estructura atmica: red
cristalina. cristalina
Enlaces entre tomos: Enlaces entre tomos:
covalentes. covalentes
Electrones de valencia: 4 Electrones de valencia: 4
ESTRUCTURA DE UN SEMICONDUCTOR
Banda de conduccin
Banda prohibida
Banda de valencia
1 eV = 1,6 x 10-19 J
Eg = 1,1 eV (Si)
Eg = 0,67 eV (Ge)
Eg = 1,41 eV (GaAs)
Banda de
Banda prohibida Electrones
valencia
de valencia
unidos a la
Banda de estructura
valencia atmica
A temperaturas ms
altas algunos de los
electrones de la banda
de valencia rompen sus
enlaces y saltan
espontneamente hacia
la banda de conduccin
Huecos formados
por los electrones
TIPOS DE SEMICONDUCTORES
Intrnsecos
Con propiedades semiconductoras, por su composicin
natural
Extrnsecos
Son semiconductores intrnsecos, a los que se aaden
impurezas (en un proceso llamado dopado), para mejorar sus
propiedades.
Tipo N
El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de
electrones portadores en el material (los electrones son
portadores de carga negativa).
Tipo P
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de
huecos (los huecos son portadores de carga positiva).
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS
Tienen estructura cristalina. Existen el mismo nmero de
portadores positivos (huecos que quedan en la banda de valencia)
que negativos (electrones que estn en la banda de conduccin).
Es un semiconductor puro (sin impurezas, sin dopado). Su
conductividad es debida a los electrones y a los huecos.
n : concentracin electrones n = p = ni
p : concentracin de huecos (concentracin intrnseca)
Electrones libres y zona de
conduccin (conductor)
En equilibrio (aislante)
Ge: ni = 21013 portadores/cm3
Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)
SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS
Se introducen en el material mediante un proceso de
dopado impurezas donadoras (tipo n, tomos del
grupo V) o aceptoras (tipo p, tomos del grupo III).
Aparecen las corrientes de difusin. Las partculas
tienden a dispersarse desde regiones de alta
concentracin a regiones de baja.
TIPO N:
TIPO P:
Portadores mayoritarios
Portadores mayoritarios
electrones (-)
huecos (+)
MATERIALES MODERNOS
POLMEROS
Son materiales orgnicos, livianos, dbiles y
con un bajo punto de fusin.
Termoplsticos
- Polietileno, PVC, Nylon
- Poliestireno expandido
Termoestables
- Bakelita, epxicos, polyester,
silicona
Elastomricos
- Goma, neopreno, silicona
MATERIALES CERMICOS
Vidrio: producto
inorgnico que se ha
enfriado a una
condicin cristalina
(SiO2).
Cermicas: slidos
inorgnicos
policristalinos. (Al2O3,
SiO2, Si3N4, SiC)
CRISTALES LQUIDOS
Un cristal es precisamente lo
opuesto a un lquido. Y sin
embargo existen sustancias
reales, los cristales lquidos,
que exhiben la dualidad
slido-lquido, es decir, que,
simultneamente, poseen
propiedades de los lquidos,
fluidez y viscosidad, y
propiedades pticas que se
parecen de modo asombroso
a las de los cristales como,
por ejemplo, poder reflejar
colores diferentes
dependiendo del ngulo bajo
el cual se les observe.
SUPERCONDUCTIVIDAD
Por superconductividad
entendemos una
propiedad de
determinados materiales
que por debajo de una
temperatura crtica no
ofrecen resistencia a la
corriente elctrica. En
estas condiciones son
capaces de transportar la
energa elctrica sin
perdidas... o generar
campos magnticos
inmensos.
MATERIALES COMPUESTOS
KEVLAR
FIBRA DE
VIDRIO
FIBRA DE
CARBONO
SELECCIN DE MATERIALES
-Bsqueda de informacin: Propiedades
(dureza, ductilidad, flexibilidad, limites de
resistencia, peso, costo).
-Matriz de comparacin y seleccin: Se
asignan ponderaciones a cada propiedad segn
la aplicacin.
-Seleccin: Se selecciona el material disponible
que cumpla con el mayor nmero de
requerimientos
Cristales de cloruro de
sodio
(NaCl)
Cristales de sulfato de
cobre (CuSO4)