Trminos y Definiciones

Presin P:
En Tecnologa de vaco se refiere a la ejercida sobre un recipiente por las
molculas del gas contenido en su interior.

1 atmsfera = 760 Torr = 1013 mBar = 1.013 x 10 Pascal.

En SI es el Pascal (1 Pa = 1 N/m2 )
(1 mBar = Torr)
1 mBar = 100 Pa
 Electrodo
Electrones
secundarios
Ctodo
Potencial
de
Ionizacin
nodo

Trminos y In
definiciones Substrato
Portadores
de carga

Blanco
Plasma Gas
Inerte
 Descripcin General de la tcnica de
deposicin catdica
La pulverizacin catdica o sputtering, es un proceso de deposicin fsica mediante plasma
luminiscente mantenido a baja presin (10-3-1 mbar). Una instalacin de pulverizacin catdica consta
fundamentalmente de los siguientes elementos:

Figura. C, cmara de procesos; PB, pletina de blancos; PC,

Figura. Cmara de pulverizacin. [1]
pletina de cierre; BP, bombeo primario; BS, bombeo
secundario. [1]
Descripcin General de la tcnica de
deposicin catdica

El ctodo tiene forma de disco plano y est hecho

del material conductor a ser depositado; el mismo
est conectado a una fuente del voltaje DC.

El blanco tiene forma de placa de unos milmetros de

espesor y superficie similar a la zona a recubrir. ste se
fija sobre un electrodo refrigerado (ctodo.

Otro electrodo (nodo), se sita paralelo al blanco y

a unos pocos centmetros.

El rango ptimo de separacin es generalmente de

unos pocos cm (5 a 7 cm).
Proceso de Pulverizacin Catdica

Se genera el vaco y se llena la cmara

con el gas de trabajo (Argn).

Alto voltaje negativo al ctodo para

formar el plasma.

Se eyectan tomo neutros que se

condensan sobre el substrato para
formar la pelcula.

Estado de descarga normal: es un estado

estable donde el numero de electrones
secundarios, iones producidos y el plasma
se hace autosustentable.
 Proceso de Pulverizacin Catdica

Estado Auto sostenido: se alcanza solo cuando el voltaje de descarga es lo suficientemente alto
para acelerar los iones y as producir electrones secundarios debido al impacto con el ctodo.

Datos:

La seccin ecaz de ionizacin disminuye cuando aumenta la energa del electrn para energas
mayores a 100 eV.

Si la presin aumenta substancialmente ocurrir una disminucin de la tasa de deposicin

debido a que los iones reducen su velocidad por las colisiones inelsticas con los tomos del gas
y a que los tomos eyectados son dispersados por el gas, sin llegar a alcanzar el substrato.
 Mecanismo Fsico de la Pulverizacin

Este mecanismo confiere a la pulverizacin tres caractersticas

diferenciadoras respecto a otros procesos de deposicin:

En la prctica, el blanco se calienta ligeramente debido al

bombardeo inico, y necesita refrigeracin.

El carcter mecnico del proceso hace que el blanco

compuesto por varios elementos se pulverice igual que un
elemento puro, y que la aleacin se deposite en la misma
proporcin que la del blanco.

La energa de las partculas pulverizadas es mucho mayor

que la de las evaporadas. La energa media es de 1 a 10 eV,
lo que correspondera a temperaturas de evaporacin
superiores a 10.000C.
[1]
 Caracterstica del flujo de partculas
pulverizadas
En sistemas convencionales, el bombardeo inico es normal al plano del blanco, y la
eyeccin de material se realiza preferentemente en la diseccin perpendicular.

Los tomos pulverizados llegan al sustrato con energas 50 100 veces superiores a las de
los evaporados.

La rugosidad del sustrato, los efectos de sombra y la distribucin de los islotes de

crecimiento conducen a un crecimiento preferencial del depsito segn la direccin
normal al sustrato.

Tcnicas de pulverizacin:

La fabricacin de una pelcula delgada mediante la tcnica de pulverizacin catdica

supone dos condiciones iniciales:

Realizacin de vaco en el interior de la cmara.

Ionizar el gas de la cmara (en general argn) para conseguir un flujo importante de iones
mediante la polarizacin del blanco.
 Vaco

La naturaleza del gas de descarga durante la pulverizacin interviene en tres aspectos:

La presin del gas de descarga determina el recorrido libre medio de las molculas
pulverizadas y en la cantidad de molculas gaseosas que llegan al sustrato por
unidad de tiempo.

El flujo gaseoso Q, se define como el producto de la velocidad de bombeo, S, medida

en litros por segundo, y la presin en la cmara P.

Pureza del gas residual. Si el gas introducido fuera absolutamente puro, la presin de
vapor de los materiales que ponemos en vaco fuese nula y las superficies de la
cmara no desgasificaran, el flujo gaseoso Q, estara constituido nicamente por
argn y se obtendran pelculas de excelente calidad.

Por todo lo anterior, la mejora de la pureza del gas residual pasa por la disminucin del flujo de desgasificacin de las
paredes, y el aumento de la velocidad de bombeo del gas considerado a la presin de trabajo.
 Ionizacin de los Gases

Segn su evolucin con la corriente y el voltaje en el ctodo, se

distinguen tres etapas en la descarga:

Descarga de Townsend no luminiscente, esta es la regin en la que

trabajan los tubos de tonizaclon.

Descarga luminiscente, en este tipo de descarga si no se refrigera

el blanco, se producen electrones trmicos que se unen a los
secundarios, lo que da lugar a una posterior avalancha o arco.

Descarga en rgimen de arco; Se manifiesta como fenmeno

parasitario en las cmaras de pulverizacin al perturbar la
alimentacin elctrica. Se caracteriza por una fuerte luminosidad,
y una densidad inica muy elevada (ms del 10% de los tomos
estn ionizados).
[1]
PULVERIZACIN
CATDICA CON
MAGNETRN DC
Proceso de Pulverizacin

Aplicacin de un campo magntico intenso, perpendicular al

campo elctrico.

Los electrones describen trayectorias helicoidales alrededor de

las lneas del campo magntico, y aumentan
considerablemente las posibilidades de ionizar molculas de gas
en las proximidades del ctodo

[1] [1]
Proceso de Pulverizacin

Mejoras en el proceso de pulverizacin: Los materiales magnticos

ms utilizados en los ctodos
Posibilidad de ionizar molculas de gas en magnetrn son:
proximidades del ctodo. ferritas de bario.
Mayor corriente de bombardeo inico. Alnico.
Aumenta la velocidad de deposito. Imanes de tierra rara.
Aumenta la eficiencia de eyeccin.
Posibilidad de disminuir la presin de trabajo. Los cuales son capaces de
mantener un campo
suficientemente alto delante
La disminucin de la presin mnima de trabajo,
del blanco
hace que sea posible realizar pulverizaciones
magnetrn en DC a presiones de 10~ mbar. Se
Dada la inhomogeneidad en
distinguen dos tipos de ctodos magnetrn, en
la distribucin del campo
funcin de su forma geomtrica:
magntico, el bombardeo
inico y la produccin de
1. magnetrones planos (circulares y rectangulares)
calor se concentra en ciertas
2. magnetrones cilndricos (en barras o
zonas del blanco.
magnetrones cilndricos huecos, tambien
llamados postmagnetrones).
 Proceso de Pulverizacin

Para una deposicin optima se requiere de:

Una cmara de alto vaco. En el rgimen de vaco alto la presin se mide con
un medidor tipo Penning y en la regin de vaco medio con un medidor tipo
termocupla.

Para encender el plasma se aplica al magnetrn un voltaje de unos

500 V aproximadamente, el cual se disminuye hasta el voltaje de
operacin deseado, dndose inicio a la deposicin.
El ctodo se conecta elctricamente a travs de un pasa muro al
terminal negativo de la fuente de voltaje DC, mientras que el
terminal positivo de dicha fuente se conecta tanto a tierra como a
las paredes de la cmara.
La estructura exterior de un Magnetrn Plano Circular comercial se
observa en la figura 5:
[2]
Proceso de Pulverizacin

El desgaste de la supercie del ctodo no es uniforme debido a

que la regin donde se genera la mayor cantidad de iones se
concentra en una regin limitada y por tal razn el ctodo se
va consumiendo de tal manera que queda en el una huella
anular de erosin.

El calentamiento que sufre el ctodo debido a la corriente de

bombardeo hace necesario su enfriamiento mediante un
sistema de circulacin de agua.

El tipo de interacciones que ocurren en el ctodo y en el

substrato est dada por la figura 6.

(a) Interaccin Ion- Supercie.

(b) Procesos que ocurren en el substrato.

[1]
GRACIAS!
Bibliografa
[1]: C. P. Espasandin. Tesis Doctoral: Sistemas Magnticos Artificiales obtenidos
mediante Pulverizacin Catdica: Pelculas Delgadas Amorfas de TbFe y Multicapas
de Ni/Co. Universidad Complutense de Madrid, 1995.
[2]: L. N. Joszaira. Tesis Doctoral: Elaboracion y Caracterizacion de Materiales
Compuestos Fe/PCL, FeNi/PCL, Au/PVP, Ag/PVP y Au-Ag/PVP. Universidad Central de
Venezuela. 2015.