UNIVERSIDAD

UNIVERSIDAD
NACIONALDE
NACIONAL DE
INGENIERIA
INGENIERIA
FACULTAD:
FACULTAD: INGENIERA
INGENIERA ELCTRICA
ELCTRICA Y
Y
ELECTRNICA
ELECTRNICA
CURSO:
CURSO: DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
ELECTRNICOS
(EE411-N)
(EE411-N)
PROFESOR:
PROFESOR: Juan
Juan Carlos
Carlos lvarez
lvarez
Salazar
Salazar
ALUMNO:
ALUMNO: Abimael
Abimael Hinostroza
Hinostroza
Villahuamn
Villahuamn
CDIGO:
CDIGO: 20080063I
20080063I
 MATERIALES
SEMICONDUCTORES
Son
Son materiales
materiales de de conductividad
conductividad intermedia
intermedia entre
entre la
la
de
de los
los metales
metales yy la
la de
de los
los aislantes,
aislantes, que
que se
se modifica
modifica en
en
gran
gran medida
medida por
por lala temperatura,
temperatura, la la excitacin
excitacin ptica
ptica yy
las
lasimpurezas.
impurezas.
Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)
Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe
 Materiales semiconductores

Estructura atmica del Silicio (14 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Estructura atmica del Germanio (32 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

44 electrones
electrones en
en la
la ltima
ltima capa
capa
 Diagramas de bandas
Banda de Banda de Banda de
conduccin conduccin conduccin
Eg Eg

Banda de Banda de Banda de

valencia valencia valencia
Aislante Semiconductor Conductor
Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No hay Eg

AA 0K,
0K, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los los semiconductores
semiconductores no no
conducen,
conducen, ya
ya que
que ningn
ningn electrn
electrn tiene
tiene energa
energasuficiente
suficientepara
para
pasar
pasar de
de la
la banda
banda de de valencia
valencia aa la
la de
de conduccin.
conduccin. AA 300K,
300K,
algunos
algunoselectrones
electronesde delos
lossemiconductores
semiconductoresalcanzan
alcanzaneste
estenivel.
nivel.
Al
Al aumentar
aumentar la la temperatura
temperatura aumenta
aumenta la la conduccin
conduccin enen los
los
semiconductores (al contrario que en los metales).
 Diagrama de bandas del Ge

4 estados/tomo
Energa

Banda de conduccin

Eg=0,67eV Banda prohibida

- - 4 electrones/tomo Banda de valencia

- -

Si
Si un
un electrn
electrn dede lala banda
banda dede valencia
valencia alcanza
alcanza la
la energa
energa
necesaria
necesaria para
para saltar
saltar aa la
la banda
banda de
de conduccin,
conduccin, puede
puede moverse
moverse
al
al estado
estado vaco
vaco de
de la la banda
banda dede conduccin
conduccin de de otro
otro tomo
tomo
vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente elctrica.
elctrica. AA temperatura
temperatura ambiente
ambiente
algunos
algunoselectrones
electronestienen
tienenestaestaenerga.
energa. EsEsununsemiconductor.
semiconductor.
Representacin plana del Germanio a 0 K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - -

No
No hay
hay enlaces
enlaces covalentes
covalentes rotos.
rotos. Esto
Esto equivale
equivale aa que
que los
los
electrones
electrones de
de la
la banda
banda de
de valencia
valencia no
no pueden
pueden saltar
saltar aa la
la
banda
bandadedeconduccin.
conduccin.
 Situacin del Ge a 300 K -
- - - -
Muy
- importante
- - - +
-
Ge - Ge - Ge - Ge
Recombinacin
- -
Generacin - - -
- - + - -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
+
-
- - - -
Siempre
Siempre se se estn
estn rompiendo
rompiendo (generacin)
(generacin) yy reconstruyendo
reconstruyendo
(recombinacin)
(recombinacin) enlaces.
enlaces. La
La vida
vida media
media de
de un
un electrn
electrn puede
puede ser
ser del
del
orden
ordende
demilisegundos
milisegundosoomicrosegundos.
microsegundos.
Hay
Hay11enlace
enlaceroto
rotopor
porcada
cada1,710
1,7109tomos.
9
tomos.
Un
Unelectrn
electrnlibre
libreyyuna
unacarga
carga+
+por
porcada
cadaenlace
enlaceroto.
roto.
 ++++++
Aplicacin de un campo externo
- - - - -

-- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- - - - -

-
-
+
- - -
- - - - -
Ge Ge Ge Ge

- -
- - -

+
- - -
-
-
El
Elelectrn
electrnlibre
librese
semueve
muevepor
poraccin
accindel
delcampo.
campo.
La
Lacarga
carga+
+se
semueve
muevetambin.
tambin.Es
Esun
unnuevo
nuevoportador
portador
de
decarga,
carga,llamado
llamadohueco.
hueco.
 Movimiento de cargas por un
campo elctrico exterior

E

+
++++
- - - - - -
- + + + + +

- - - - - -

- +

+ + +

+

-
Existe
jp jn
Existecorriente
corrienteelctrica
elctricadebida
debidaaalos
losdos
dosportadores
portadoresde
de

carga:
carga:
j
j =qpppE
p=q
p pE es
esla
ladensidad
densidadde
decorriente
corrientede
dehuecos.
huecos.
jnj =q nnE es la densidad de corriente de electrones.
n=qnnE es la densidad de corriente de electrones.
Movimiento de cargas por un campo
elctrico exterior

j p=q ppE j n=q nnE
q = carga del electrn
p = movilidad de los huecos
n = movilidad de los electrones
p = concentracin de huecos
n = concentracin de electrones
E = intensidad del campo elctrico
 Semiconductores Intrnsecos
Todo lo comentado hasta ahora se refiere a los llamados Semiconductores
Intrnsecos, en los que:
No hay ninguna impureza en la red cristalina.
Hay igual nmero de electrones que de huecos n = p = ni

Ge: ni = 21013 portadores/cm3

Si: ni = 1010 portadores/cm3
AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
(a temperatura ambiente)

Puede
Puededesequilibrarse
desequilibrarseel
elnmero
nmerode
deelectrones
electronesyy
de
dehuecos?
huecos?
La
Larespuesta
respuestaaaesta
estainterrogante
interroganteson
sonlos
los
Semiconductores
SemiconductoresExtrnsecos
Extrnsecos
 Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo V
- -
- -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge

- 5
-
- - -
- -1 300K
- - -
2
- -
- - -
Ge - + Ge Ge
Sb
Sb
- -
- - 4
3
- -
Tiene
Tiene 5
5 electrones
electrones en
en la
la AA0K,
0K,habra
habraununelectrn
electrnadicional
adicional
ltima
ltima capa
capa ligado al tomo de
ligado al tomo de Sb Sb
AA 300K,
300K, todos
todos los
los electrones
electrones adicionales
adicionales dede los
los tomos
tomos de
de Sb
Sb estn
estn
desligados
desligados de de susu tomo
tomo (pueden
(pueden desplazarse
desplazarse yy originar
originar corriente
corriente
elctrica).
elctrica). El
El Sb
Sb es
es un
un donador
donador yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay msms electrones
electrones que
que
huecos. Es un semiconductor tipo N.
 Semiconductores Extrnsecos
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor extrnseco Tipo N

4 est./atm.
3 est./atm.
0 electr./atm.
1 electr./atm.
0K
300K
-
Energa

+
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.

El
El Sb
Sb genera
genera un
un estado
estado permitido
permitido en
en la
la banda
banda prohibida,
prohibida,
muy
muy cerca
cerca dede lala banda
banda dede conduccin.
conduccin. La La energa
energa
necesaria
necesaria para
para alcanzar
alcanzar la
la banda
banda de de conduccin
conduccin se se
consigue
consigueaalalatemperatura
temperaturaambiente.
ambiente.
 Semiconductores Extrnsecos
Introducimos pequeas cantidades de impurezas del grupo
- -
III
- -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - 300K -
- -1 - -
2
- -
- - -
Ge Ge Ge
Al-
-
Al
- -
- - 4 (extra)
-
3 -
Tiene 3 electrones en la AA0K,
0K,habra
habraunaunafalta
faltade
deelectrn
electrn
ltima capa adicional
adicionalligado
ligadoal altomo
tomodedeAl.
Al.
AA 300K,
300K, todas
todas las
las faltas
faltas dede electrn
electrn de de los
los tomos
tomos dede Al
Al estn
estn
cubiertas
cubiertas con
con un
un electrn
electrn procedente
procedente de de un
un tomo
tomo dede Ge,
Ge, en
en el
el que
que se
se
genera
genera un
un hueco.
hueco. El
El Al
Al es
es un
un Aceptor
Aceptor yy en
en el
el Ge
Ge hay
hay ms
ms huecos
huecos que
que
electrones. Es un semiconductor Tipo P.
 Semiconductores Extrnsecos
Interpretacin en diagrama de bandas de un semiconductor
extrnseco Tipo P

4 est./atom. 0K
300K
Energa

EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
- -
+ 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 hueco/atom.

El
ElAl
Algenera
generaun
unestado
estadopermitido
permitidoen
enlalabanda
bandaprohibida,
prohibida,muy
muycerca
cerca
de
dela
labanda
bandade
devalencia.
valencia.La
Laenerga
energanecesaria
necesariapara
paraque
queununelectrn
electrn
alcance
alcance este
este estado
estado permitido
permitido se
se consigue
consigue aa la
la temperatura
temperatura
ambiente, generando un hueco en la banda de valencia.
ambiente, generando un hueco en la banda de valencia.
 Breves conclusiones
Semiconductores intrnsecos:
Igual nmero de huecos y de electrones

Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Ms huecos (mayoritarios) que electrones (minoritarios)
Impurezas del grupo III (aceptador)
Todos los tomos de aceptador ionizados -.

Tipo N:
Ms electrones (mayoritarios) que huecos (minoritarios)
Impurezas del grupo V (donador)
Todos los tomos de donador ionizados +.
 Densidad de estados en las bandas de
conduccin y valencia
E gc(E) = Densidad de estados en los que puede haber
gc(E) electrones en la banda de conduccin
Ec

Banda prohibida Eg=0,67eV (Ge)

Ev

E1 dE
gv(E)= densidad de estados en los que puede haber
gv(E) electrones en la banda de valencia

SIGNIFICADO: g v(E 1 ).dE = n de estados con energa E1 en los que puede haber
electrones en la banda de valencia, por unidad de volumen. Lo mismo para la otra
banda.
 Funcin de Fermi f(E)
f(E) es la probabilidad de que un estado de energa E est ocupado por un
electrn, en equilibrio

1
f(E) f(E) = (E-EF)/kT
1 1+e
T=0K

EF=nivel de Fermi
0,5 k=constante de Boltzmann
T=temperatura absoluta
T=500K
T=300K

0 EF E
 Calculamos la concentracin de electrones
en la banda de conduccin n
Estados vacos completamente
En general:
E

n= gc(E)f(E)dE
Ec
Ec
EF A 0K:
Ev f(E)b. cond.=0,
luego n = 0

f(E)
Estados completamente llenos de electrones 0 0,5 1
 Semiconductor intrnseco a alta
temperatura
N electrones/vol.
Estados (para que se puedan ver los electrones)
posibles

E
gc(E)
n=
gc(E)f(E)dE 0
Ec
Ec

EF
Ev

huecos
gv(E)
f(E)
0 0,5 1
Electrones
Calculamos la concentracin de huecos en la
banda de valencia p
Electrones Ev

E
p = gv(E)(1-f(E))dE = n
-
gc(E) 1-f(E)
Ec
ElElnivel
nivelde
deFermi
Fermitiene
tieneque
que
EF ser
sertal
talque
quelas
lasreas
reasqueque
representan huecos
representan huecos y y
Ev electrones
electronesseanseanidnticas
idnticas
(sem.
(sem.intrnseco)
intrnseco)
gv(E)
f(E)

Huecos
Estados posibles 0 0,5 1
 Relaciones entre n, p y ni

(EF-Ec)/kT
Nc es una constante que
n = gc(E)f(E)dE Nc e depende de T3/2
Ec

Ev

(Ev-EF)/kT Nv es otra constante que
p = gv(E)(1-f(E))dE Nv e depende de T3/2
-

Particularizamos para el caso (Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT

intrnseco: ni = pi = Nve = Nce
(EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT
Eliminamos Nc y Nv: n = nie p = nie

Finalmente obtenemos: pn =n 22
pn =ni i
Ecuaciones en los semiconductores extrnsecos
ND= concentr. donador NA= concentr. aceptador

Neutralidad elctrica (el semiconductor intrnseco era neutro y la sustancia dopante

tambin, por lo que tambin lo ser el semiconductor extrnseco):

Dopado
Dopadotipo
tipoN:
N: nn=
=
pp+
+NND D
Dopado
Dopadotipo
tipoP:
P: nn+
+
NNA =
=pp
A
Ambos
Producto
Ambos dopados:
np: pn
dopados: nn+
+pn =n
=ni22 i
NNA = p + ND
A = p + ND

Simplificaciones si ND >> ni Simplificaciones si NA >> ni

n=ND NDp = ni2 p=NA NAn = ni2
 Equilibrio difusin-campo para electrones
y huecos
se obtiene: p1/p2 = n2/n1 Dp/p = Dn/n
(EF-EFi1)/kT (EF-EFi2)/kT
Partimos de: n1 = nie n2 = nie
EFi2-EFi1 =q(V1-V2)
q(V2-V1)/kT
se obtiene: n2/n1 = e y, por tanto:

V2-V1 = (Dn/n)ln(n2/n1) = (Dn/n) q(V2-V1)/kT

DDnn/
/nn=
= kT/q
kT/q == VVTT (Relacin
(Relacin
de
de Einstein)
Einstein)
tambin:
tambin: D Dnn/
/nn=
=D Dpp/
/pp =
=
kT/q
kT/q = = VVT
 Ecuacin de continuidad
Objetivo: Relacionar la variacin temporal y espacial de la concentracin
de los portadores.
El clculo se realizar con los huecos

Por
Por qu
qu razones
razones puede
puede cambiar
cambiar en
en el
el
tiempo
tiempo la
la concentracin
concentracin
de
de1huecos
huecos en
en este
este recinto?
recinto?
Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de
corriente

jp1 jp2

1 2
2 Recombinacin de los huecos o electrones que pueda haber en exceso

+
-
1 2

3 Generacin de un exceso de concentracin de huecos y electrones por luz

Luz

-
- + +
1 2
 Ecuacin de continuidad
1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente
A
A
jp(x)

dx
jp(x+dx)
Carga elctrica que entra por unidad de tiempo: jp(x)A
Carga elctrica que sale por unidad de tiempo: jp(x+dx)A
Variacin de la concentracin de huecos en el volumen Adx por unidad de tiempo:

jp(x)A-jp(x+dx)A
qAdx
 Ecuacin de continuidad
1 Acumulacin de huecos al entrar y salir distinta densidad de corriente

Si la corriente vara en 3 dimensiones, la variacin de la concentracin de huecos por

unidad de tiempo en el volumen Adx, ser :

jp/q
-
2 Recombinacin de los huecos que pueda haber en exceso

La variacin de la concentracin de huecos por unidad de tiempo en el volumen Adx, ser :

-[p(t)- p]/p
3 Generacin de un exceso de concentracin de huecos por luz
La variacin de la concentracin de huecos por unidad de tiempo en el volumen Adx debida a luz:
GL
 Ecuacin de continuidad
Ecuacin de continuidad para los huecos:

p/t = GL- [p(t)-p]/p jp/q
-

Igualmente para los electrones:

n/t = GL- [n(t)-n]/n jn/q
+
 BIBLIOGRAFIA

es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
www.monografias.com/trabajos11/semi/semi.shtml
www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
ocw.usal.es/ensenanzastecnicas/electronica/contenido/
electronica/tema1_SemiConduct.pdf
www.electronicafacil.net/tutoriales/Principios-Basicos-
materiales-semiconductores.php