UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA MECATRNICA

ELECTRNICA ANALGICA

DIODO SEMICONDUCTOR
Ing. Omar Solano R.
 DIODO SEMICONDUCTOR
Sin Polarizacin (V = 0 V)
En la unin de los 2
materiales los electrones y
los huecos en la regin de
la unin se combinan y
provocan una carencia de
portadores libres en la
regin prxima a la
unin
Sin Polarizacin (V = 0 V)
Esta regin de iones
positivos y negativos
revelados se llama regin
de empobrecimiento,
debido a la disminucin
de portadores libres en
la regin
Sin ninguna polarizacin
aplicada a travs de un
diodo semiconductor, el
flujo neto de carga en
una direccin es cero.
 Polarizacin en Inversa (VD < 0 V)
Los iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento del material
tipo n se incrementar por la gran cantidad de electrones libres atrados
por el potencial positivo del voltaje aplicado.
El nmero de iones negativos no revelados se incrementar en el material
tipo p.
La corriente en condiciones de polarizacin
en inversa se llama corriente de saturacin
en inversa y est representada por Is.
 Polarizacin en Inversa (VD < 0 V)
El trmino saturacin se deriva
del hecho de que alcanza su
nivel mximo con rapidez y que
no cambia de manera
significativa con los incrementos
en el potencial de polarizacin
en inversa.

La corriente de saturacin en inversa rara vez es de ms de algunos

microamperios, excepto en el caso de dispositivos de alta potencia
 Polarizacin en Directa (VD > 0 V)
La aplicacin de un potencial de
polarizacin en directa VD presionar
a los electrones en el material tipo N y a
los huecos en el material tipo P para que
se recombinen con los iones prximos al
lmite y reducir el ancho de la regin de
empobrecimiento
En cuanto se incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, el ancho
de la regin de empobrecimiento continuar reducindose hasta que un
flujo de electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un
crecimiento exponencial de la corriente
Polarizacin en Directa (VD > 0 V)

Por fsica de estado slido

las caractersticas generales
de un diodo semiconductor
se pueden definir mediante
la ecuacin, conocida como
ecuacin de Shockley, para
las regiones de polarizacin Donde:
en directa y en inversa Is = Corriente de saturacin en inversa
VD = Voltaje de polarizacin en directa aplicado a
travs del diodo.
n = Factor de idealidad, vara entre 1 y 2 segn
una amplia diversidad de factores.
Polarizacin en Directa (VD > 0 V)
El voltaje VT en la ecuacin anterior se llama voltaje trmico y
est determinado por

A temperatura de ambiente 27 C
el voltaje trmico quedara:

=
Polarizacin en Directa (VD > 0 V)

De la ecuacin anterior, para trminos positivos de VD, el primer trmino de la

ecuacin crecer con rapidez y anular por completo el efecto del segundo
trmino, Quedando:

Con valores negativos de VD el trmino exponencial se reduce con rapidez por

debajo del nivel de I y la ecuacin resultante para ID es
 Regin Zener
Un voltaje demasiado negativo producir un cambio abrupto de las
caractersticas, la corriente se incrementa muy rpido en una direccin
opuesta a la de la regin de voltaje positivo, y dicho potencial se le
llama potencial Zener y su smbolo es VZ.
El mximo potencial de polarizacin en
inversa que se puede aplicar antes de
entrar a la regin Zener se llama voltaje
inverso pico (PIV) o voltaje de reversa
pico (PRV).
Comparacin de
diodos de Ge, Si y
GaAs
 Efectos de la temperatura
En la regin de polarizacin en directa las caractersticas de un diodo de
silicio se desplazan a la izquierda a razn de 2.5 mV por grado centgrado
de incremento de temperatura
Con polarizacin en inversa la corriente de saturacin en inversa de un
diodo de silicio se duplica por cada 10C de aumento de la temperatura.

El voltaje de saturacin en inversa de un diodo semiconductor se

incrementar o reducir con la temperatura segn el potencial Zener.
Efectos de la
temperatura Diodo de Si
 Diodo Ideal Diodo Prctico
El diodo es asimilado como un interruptor mecnico que acta como un
interruptor cerrado que permite un flujo abundante de carga en la
direccin indicada, y en sentido opuesto el nivel de corriente es tan
pequeo en la mayora de los casos que puede ser aproximado como 0A y
representado por un interruptor abierto.
Se comporta como un interruptor mecnico en el sentido de que puede
controlar el flujo de corriente entre sus dos terminales.
Es diferente del interruptor mecnico en el sentido de que cuando ste se
cierra slo permite que la corriente fluya en una direccin.
Diodo Ideal Diodo Prctico

A cualquier nivel de corriente

sobre la lnea vertical, el voltaje a
travs del diodo ideal es de 0 V y la
resistencia es de 0.

Como la corriente es de 0mA

en cualquier parte de la lnea
horizontal, la resistencia es de
en cualquier punto del eje
 NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de CD o esttica
La resistencia del diodo en el punto de operacin se halla determinando
los niveles de VD e ID.
La resistencia de cd en la rodilla y debajo
de ella, son mayores que los obtenidos
para la seccin de levantamiento
vertical.

Los niveles de resistencia en la regin de

polarizacin en inversa son bastante
altos
Resistencia de CD o esttica
Entonces, cuanto mayor sea la corriente a travs de un diodo, menor
ser el nivel de resistencia de cd.
Para un ID = 2mA y un de 20mA se tiene:
Resistencia de CD o esttica
Con polarizacin en inversa VD = -10v, se tiene:
 Resistencia de CA o Dinmica
La entrada variable mover el punto de
operacin instantneo hacia arriba y hacia
abajo de una regin de las caractersticas, y
por lo tanto define un cambio especfico de
la corriente y voltaje.
Sin ninguna seal variable aplicada, el
punto de operacin sera el punto Q de la
figura, determinado por los niveles de cd
aplicados. La designacin de punto Q se
deriva de la palabra quiescente, que
significa fijo o invariable.
 Resistencia de CA o Dinmica
Una lnea recta trazada tangente a la curva por el punto Q, definir un
cambio particular del voltaje y corriente que se puede utilizar para
determinar la resistencia de CA o Dinmica.

La resistencia de CA en la regin de
levantamiento vertical, es bastante pequea.

Entonces, cuanto ms bajo est el punto de

operacin (menor corriente o menor voltaje),
ms alta es la resistencia de CA.
 Resistencia de CA o Dinmica
Una definicin bsica en el clculo diferencial manifiesta que, la
derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea
tangente trazada en dicho punto, es decir tomando la ecuacin de la
corriente de ID tenemos: Invirtiendo el resultado Sustituyendo n = 1 y VT = 26 mV

ID es precisa slo con valores en la seccin de

levantamiento vertical de la curva, para valores
ID >> Is, en la seccin de pendiente vertical menores de ID, n=2(silicio) y el valor de rd
obtenido debe multiplicarse por un factor de 2.

rB= Resistencia de contacto

Resistencia de CA vs DC

Apliquemos el clculo
para ID = 2mA, Para
ambos casos y
verifiquemos.
 Resistencia de CA Promedio
Si la seal de entrada es
suficientemente grande para
producir una amplia variacin tal
como se indica en la figura, la
resistencia asociada con el
dispositivo en esta regin se llama
resistencia de CA promedio,
definida como, la resistencia
determinada por una lnea recta
trazada entre las dos intersecciones
establecidas por los valores mximo
y mnimo del voltaje de entrada.
Resumiendo
...