Fontes de alimentao c.c.-c.

Transistores MosFet de Potncia

1. O controle do transistor MosFet feito aplicando-se uma tenso VGS > VTH
para conduo e VGS < VTH para bloqueio;
2. A tenso de threshold VTH da ordem de uns 3V a 4V;
3. A impedncia de entrada de um transistor MosFet muito elevada;
4. O MosFet de Potncia constituido de muitas clulas conectadas em
paralelo;
5. A conduo feita por portadores majoritrios;
6. A mxima tenso VGS de +20V e a mnima de -20V;
7. Em conduo, o MosFet se comporta como um resistor com coeficiente de
temperatura positivo ( rdson) e o valor deste resistor depende da amplitude
de VGS;
8. Quanto maior a tenso de ruptura do MosFet, maior o valor do resistor rdson;
9. No processo de fabricao aparece um diodo em anti-paralelo com o
transistor que apresenta um tempo de recuperao elevado;
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Transistor Mosfet Caractersticas principais

O parmetro mais importante do MosFet a resistencia do canal

RDSon. Este parmetro esta relacionado com a tenso de ruptura e a
capacidade de corrente do transistor.

VDS RDSon
Quanto menor a resistncia,
melhor o transistor
ID RDSon

D
O diodo intrnseco lento.
Ele pode ser eliminado com
G dois diodos externos

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Transistor Mosfet Caractersticas principais

D
Os catlogos dos fabricantes
Cgd fornecem os valores de Ciss, Crss
Cds VDS e Coss.
G

VGS S

Ao carregar o capacitor de Gate ocorre uma alterao

Efeito Miller
da impedncia do capacitor Ciss, devido a Crss.
VGS

Forma de onda da tenso VGS

QGD
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Transistor Mosfet Caractersticas principais

O transistor MosFet conduz se for aplicada uma tenso VGS > VTH e cessa
a conduo se VGS < VTH

Threshold voltage: VTH Valores tpicos de VTH : 3 a 5 V

Existe um valor mximo de tenso VGS que pode ser aplicada ao MosFet
acima da qual ocorre destruio do transistor. O circuito equivalente
entre o Gate e o Source pode ser modelado como um capacitor.

Valores tpicos: 20 V D

G
Ordem de grandeza: nF (Ciss) S

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Transistores IGBT
1. O controle do transistor IGBT feito aplicando-se uma tenso VGE > VTH
para conduo e VGE < VTH para bloqueio;
2. A tenso de threshold VTH da ordem de uns 3V a 5V;
3. A impedncia de entrada de um transistor IGBT muito elevada;
4. A conduo feita por portadores minoritrios;
5. A mxima tenso VGE de +20V e a mnima de -20V;
6. Geralmente, o transistor IGBT comandado com uma tenso de +15V para
conduo e uma tenso negativa menor que -5V para o bloqueio.
7. No processo de fabricao no aparece o diodo em anti-paralelo com o
transistor. Quando presente, trata-se de um diodo com caractersticas
compatveis com os tempos de chaveamento do IGBT;
8. H dois tipos construtivos de IGBT: PT (Punch Through) e NPT (Non
Punch Through). Nos transistores do tipo NPT, o coeficiente de
temperatura da queda de tenso VCE positivo o que simplifica o
paralelismo destes IGBTs;
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Transistor IGBT Caractersticas principais

C
Possui caractersticas de
transistor MosFet na entrada e
de transistor Bipolar na sada
G VCE
O comando de um transistor
IGBT similar ao de um
VGE transistor Mosfet
E
Os transistores NPN e PNP
formam um tiristor parasita

O diodo em anti-paralelo incorporado no encapsulamento e

compatvel com os tempos de comutao do IGBT.

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Transistor IGBT Caractersticas principais

Como a conduo feita por portadores minoritrios, aparece uma

cauda de corrente no momento do bloqueio do transistor IGBT

Current tail

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MosFet x IGBT
MOSFET
1. Conduo portadores majoritrios
Menor queda de tenso
Nenhum atraso devido ao
tempo de vida dos portadores
Conduz em ambas direes
Comportamento resistivo na
conduo
2. Diodo Intrinseco
Elevado tempo de recuperao
3. Boa capacidade de Avalanche
4. No a prova de curto-circuito
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IGBT
1. Conduo portadores minoritrios
Maior queda de tenso
Saturao dinamica e cauda de
corrente
Conduz apenas em um sentido
Comportamento no linear na
conduo
2. Ausncia de diodo intrnseco
3. No suporta Avalanche
4. Geralmente a prova de curto-circuito
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MosFet x IGBT

1. Para barramentos de baixa tenso (10 a 150V) MosFet so a

melhor opo
As perdas de conduo dos transistores IGBTs so muito
maiores
2. Para barramentos de tenso intermediria (170 a 400V):
MosFet so a melhor opo para potncias menores que 250W
IGBT so a melhor opo para potncias maiores que 250W
3. Para barramentos de tenso superiores a 400V IGBT so a melhor
opo

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Regras para comando de transistores

1. A impedncia de sada do driver deve ser baixa o suficiente para

permitir um pico de corrente de modo a carregar a descarregar a
capacitncia de entrada do transistor;
2. Adaptar a impedncia de sada do driver de modo a limitar o dV ce/dt
no bloqueio, i.e. fornecendo um controle da corrente de efeito Miller;
3. A resistencia total do circuito de gate deve ser menor que 5 de
modo a amortecer e evitar oscilaes entre o driver e a capacitncia
de entrada do transistor no momento do bloqueio;
4. As conexes entre o driver e o transistor devem ser curtas e no
indutivas. Usar o terminal Kelvin do emissor (source) para evitar os
efeitos devidos ao di/dt no terminal do emissor (source) de
potncia;
5. A impedncia de sada do driver deve ser muito baixa durante o
bloqueio para absorver a corrente de efeito Miller induzida pelo dV/dt
aplicado a outros dispositivos.

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Disparo do transistor

Formas de onda mais significativas no disparo

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Disparo do transistor

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Bloqueio do transistor

Formas de onda mais significativas no bloqueio

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Bloqueio do transistor

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Dimensionamento do circuito de comando

Transistor MosFet

vGS(t)
VDRV

A potncia da fonte do
circuito de comando dada
pela expresso:

Pg VDRV * QG * f

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Dimensionamento do circuito de comando

Transistor IGBT
VGEon vGE(t)

VGEoff

A potncia da fonte do circuito de

comando dada pela expresso:

Pg ( VGE )* ( Q )* f
VGE VGE ( on ) VGE ( off )
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Comando de transistores MosFet e IGBT

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Isolamento do Gate Drive

1. Atravs de acopladores ticos ou fibra tica
Problema: Fonte de alimentao para o lado isolado;
Limite da frequncia de chaveamento

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Isolamento do Gate Drive

2. Atravs de transformadores de pulso
Problema: Desmagnetizao do transformador

Limita o tempo de conduo O comando e a energia para o lado isolado

dos transistores a no mximo
50% do perodo. Interessante
quando os transistores
comutam em alta frequncia
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so fornecidos pelo transformador, permitindo
os transistores conduzirem mais de 50% do
perodo. Interessante em aplicaes com
baixa frequncia de chaveamento.
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Gate Drive sem isolamento

Emprego da tcnica de Level Shift
Problema: Limite dos tempos mximo e mnimo de conduo do transistor

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Gate Drive sem isolamento

Alimentao do circuito de comando empregando a tcnica de Bootstrap

A carga do capacitor
que alimenta o circuito
de comando do
transistor superior,
feita atravs do
interruptor inferior e do
diodo de Bootstrap.

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Gate Drive sem isolamento

Circuito auxiliar para carga inicial do capacitor de Bootstrap atravs de

Dstart. Rstart e Dz

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Gate Drive dos transistores MosFet e IGBT

1. Configurao Totem-pole com transistor bipolar ou Mosfet

Configurao com BJT Configurao com Mosfet

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Gate Drive dos transistores MosFet e IGBT

2. Configurao com desligamento automtico

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Gate Drive dos transistores MosFet e IGBT

Quanto menor o resistor de gate, menor o tempo de chaveamento da tenso,

mas o valor do resistor no afeta a cauda da corrente no transistor IGBT

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Proteo de curto-circuito

No h como proteger os transistores Mosfet e IGBT contra

curto-circuito empregando fusveis. A energia nessria para
queimar um transistor muito menor que a energia necessria
para a abertura do fusvel.

Proteo ativa:
1. Medio da corrente atravessando o transistor atravs de um
sensor de corrente ou shunt;
2. Medio da queda de tenso nos terminais do transistor,
verificando a desaturao do transistor.

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Proteo de curto-circuito
Proteo por desaturao

A grande maioria dos circuitos integrados de acionamento de

transistores Mosfet e IGBT utiliza a deteo de desaturao como
mecanismo de proteo contra curto-circuito.

A tenso nos terminais do transistor, a

menos da queda de tenso em D1,
medida e comparada com Vref. Se esta
tenso ultrapassar o valor de Vref, o
transistor bloqueado.

No incio da conduo, a proteo

inibida, para permitir que a tenso nos
terminais do transistor atinja o valor de
saturao. Geralmente, o tempo de
inibio, um pouco superior ao
tempo de ligamento do transistor ton
270 A * ton
C
6 ,5V
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Proteo de curto-circuito
Proteo por medio de corrente

Medio da corrente atravs

de um resistor shunt e um
pequeno filtro para retirar o
rudo de medio

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Proteo de curto-circuito
Proteo por medio de corrente

O SenseFet possui um
terminal atravs do qual
possvel medir a corrente do
transistor.

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Proteo de curto-circuito

Durante o curto-circuito, a corrente no transistor pode

alcanar valores de 6 a 10 vezes a corrente nominal.
Se a indutncia do barramento c.c. for elevada, durante o
bloqueio do transistor aparece uma sobretenso VCE ou VDS
sobre o transistor que pode danifica-lo.

Existem dois tipos de curto-circuito:

1. O transistor ligado com a carga em curto-circuito;
2. O transistor ligado em condies normais e
depois acontece o curto-circuito da carga.

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Proteo de curto-circuito
Tipo 1

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Proteo de curto-circuito
Tipo 2

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Proteo de curto-circuito

Solues:
1. Na presena de um curto-
circuito, limitar a derivada da
corrente de gate no momento
de desligamento do transistor.
2. Na presena de um curto-
circuito, reduzir inicialmente a
tenso VGS ou VGE, de modo a
reduzir a corrente de curto-
circuito e depois bloqueiar
rapidamente o transistor.

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Proteo de curto-circuito

Aumento do resistor de Gate durante o bloqueio devido a atuao

da deteco de dessaturao do transistor

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dV/dt Coupled Shoot Through

dV
I DV / DT CGD
dt

Quanto maior a derivada

da tenso nos terminais do
transistor, maior a
corrente IDV/DT. Se a tenso
VGS atingir o valor de
threshold o transistor
pode entrar em conduo

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dV/dt Coupled Shoot Through

Solues:
1. Baixar a impedncia de sada
do driver dos transistores
(Rdriver);
2. Usar uma tenso negativa
para garantir o bloqueio do
transistor. A mxima tenso
devido ao dV/dt igual a
tenso negativa mais a
tenso de threshold.

Sobretenso devido ao dV/dt elevado nos terminais do transistor

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Aplicao de optoacopladores
Optoacopladores convencionais no possuem blindagem de Faraday e no
so adequados a aplicaes de comando de transistores MosFets e IGBTs.

Quando o transistor comuta,

VE muda bruscamente de
VE potencial

Capacitncias parasitas de acoplamento

Esta corrente subtraida da

corrente foto-induzida, causando
instabilidade e possibilidade de
oscilao

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Aplicao de optoacopladores
Blindagem de Faraday

Blindagem tica transparente e eletricamente condutiva

Esta blindagem forma um plano equipotencial para o fotodiodo,

forando toda a tenso de dv/dt de modo comum aparecer entre a
blindagem e o led. A corrente injetada no circula pelo fotodiodo.

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Referncias
1. Site do prof. Javier Sebastin Ziga, Universidade de Oviedo, Curso de
Sistemas de Alimentacin, http://www.uniovi.es/ate/sebas/
2. Site da Semikron, http://www.semikron.com
3. Design and Application Guide for High Speed MOSFET Gate Drive Circuits,
Lazlo Balogh, http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
4. CDV/DT Induced Turn-on in Synchronous Buck Regulators, Thomas Wu,
http://www.irf.com/technical-info/whitepaper/syncbuckturnon.pdf
5. Drive Circuits for Power MOSFET and IGBTs, B. Maurice & L. Wuidart,
http://www.st.com/stonline/books/pdf/docs/3703.pdf
6. MOSFET/IGBT Drivers Theory and Applications, Abhijit D. Pathak,
http://www.ixysrf.com/pdf/switch_mode/appnotes/5mosfet_driver_theory_and_a
pplications.pdf
7. Using Monolithic High Voltage Gate Drivers, A. Merello & A. Rugginenti & M.
Grasso, http://www.irf.com/technical-info/designtp/dt04-4.pdf
8. IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) Differences between MOSFET and
IGBT, http://paginas.fe.up.pt/~fff/Homepage/Ficheiros/Siemens_IGBT_caract.pdf

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