SEMICONDUTORES

Conduo Eletrnica

A corrente eltrica resultante do movimento de partculas

carregadas eletricamente como resposta a uma fora de
natureza eltrica, em funo do campo eltrico aplicado.

Partculas carregadas positivamente so deslocadas

(aceleradas) na direo do campo eltrico, enquanto as
partculas carregadas negativamente na direo oposta.

Na grande maioria dos materiais slidos a corrente eltrica

surge do fluxo de eltrons.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

Em todos condutores, semicondutores e em muitos

materiais isolantes somente a conduo eletrnica existe.

A magnitude da condutividade eltrica fortemente

dependente do nmero de eltrons disponveis para
participar do processo de conduo.

Vimos anteriormente a estrutura de um tomo isolado.

Para cada tomo individual existe nveis de energia

discretos que podem ser preenchidos pelos eltrons.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

As camadas so designadas pelos inteiros (1, 2, 3,etc.) e as

sub-camadas pelas letras (s, p, d, f).

Para cada uma das sub-camadas, existem respectivamente

um,trs, cinco e sete estados.

Os eltrons, na maior parte dos tomos tendem a ocupar os

estados com energia mais baixa.

Os conceitos discutidos anteriormente so vlidos para o

caso de um tomo isolado.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

Suponha agora que estes conceitos sero ampliados para

um material slido.

Um slido consiste de um grande nmero de tomos que

quando juntos, se ligam para formar um arranjo atmico
que define a sua estrutura cristalina.

Em grande distncias (separao entre os tomos), cada

tomo independente de todos os outros e ter nvel de
energia atmico e configurao eletrnica como se fosse
isolado.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

medida que os tomos ficam prximos, ocorre

perturbao dos nveis de energia de um determinado
tomo pelos eltrons e ncleo de tomos adjacentes.

Esta influncia se d de tal maneira que cada estado

atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados
prximos, para formar o que chamamos de banda de
energia eletrnica.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

No interior de cada banda, os estados de energia so

discretos sendo a diferena entre eles bastante pequena.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

O nmero de estados dentro de cada banda ser igual ao

total de todos os estados contribudos pelos N tomos.

Por exemplo, uma banda s consistir de N estados e a

banda p consistir de 3N estados.

Os eltrons que ocuparo determinada banda de energia

correspondem aos eltrons que fazem parte de um
determinado nvel de energia no tomo isolado.

Por exemplo, a banda de energia 4s no slido conter os

eltrons 4s dos tomos isolados.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

As propriedades eltricas de um material slido so

consequncia de sua estrutura de banda eletrnica, isto
do arranjo da estrutura de banda mais externa.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

As propriedades eltricas de um material slido so

consequncia de sua estrutura de banda eletrnica, isto
do arranjo da estrutura de banda mais externa.

Metais:
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

Semicondutores e isolantes:
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

Semicondutores e isolantes

No caso anterior, os eltrons precisam ter energia para

passar pela banda proibida band gap em direo aos
estados vazios na banda de conduo.

O nmero de eltrons excitados termicamente para o

interior da banda de conduo depende da largura da banda
proibida como tambm da temperatura.
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Reviso sobre estruturas de banda nos slidos

Semicondutores e isolantes

Quanto maior for a largura da banda proibida, menor

ser a condutividade eltrica numa dada temperatura.

Dessa maneira, a distino entre semicondutores e

isolantes est na largura da banda proibida. Para
semicondutores ela pequena, enquanto para isolantes
ela relativamente grande.
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SEMICONDUTIVIDADE

A condutividade eltrica dos materiais semicondutores no

to elevada quanto a dos metais, entretanto eles
apresentam caractersticas eltricas especiais destinadas a
certos propsitos.

As propriedades eltricas destes materiais so

extremamente sensveis a presena de impurezas.

Existem dois tipos de semicondutores:

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SEMICONDUTIVIDADE

Semicondutores intrnsecos: o comportamento eltrico

baseado na estrutura eletrnica relacionada com o material
puro (sem impurezas).

Semicondutores extrnsecos: nesse caso as caractersticas

eltricas so determinadas pelos tomos de impurezas.
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SEMICONDUO INTRNSECA

Os semicondutores intrnsecos so caracterizados por

terem a estrutura de banda mostrada na figura anterior.

A 0 K, eles apresentam a banda de valncia completamente

preenchida e separada da banda de conduo por uma
banda proibida.
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SEMICONDUO INTRNSECA

Os dois semicondutores mais importantes so o silcio (Si)

e o germnio (Ge) com gap de energia de 0,7 eV e 1,1 eV
respectivamente.

Ambos so encontrados na famlia 4 A da tabela peridica

e so ligados de maneira covalente.

A tabela a seguir fornece algumas informaes sobre os

elementos citados anteriormente e os principais compostos.
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SEMICONDUO INTRNSECA
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SEMICONDUO INTRNSECA

Conceito de lacuna

Nos semicondutores intrnsecos para cada eltron excitado

em direo a banda de conduo, existe um espao vazio
deixado por este em uma das ligaes covalentes.

A lacuna pode ser tratada como uma partcula carregada

positivamente que se move em direo oposta ao eltron.
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SEMICONDUO INTRNSECA

Sem a presena de campo eltrico

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SEMICONDUO INTRNSECA

Com a presena de campo eltrico

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SEMICONDUO INTRNSECA

Com a presena de campo eltrico

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SEMICONDUO EXTRNSECA

Praticamente todos semicondutores comerciais so extrnse

cos, isto , o comportamento eltrico determinado por
impurezas, que quando presentes at mesmo em pequenas
concentraes introduzem excesso de eltrons ou de
lacunas.

Semiconduo extrnseca tipo n

Um tomo de silcio tem quatro eltrons de valncia, sendo

cada um ligado de maneira covalente com um dos quatros
tomos de silcio adjacentes.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Se um tomo de impureza com cinco eltrons de valncia

for adicionado a estrutura constituda por tomos de silcio,
ento somente quatro dos cinco eltrons de valncia dos
tomos de impurezas podem participar no processo de
ligao.

Fica ento um eltron ao redor do tomo de impureza com

fraca atrao eletrosttica. Este eltron facilmente
removido do tomo de impureza tornando-se eltron livre
ou de conduo.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

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SEMICONDUO EXTRNSECA

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

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SEMICONDUO EXTRNSECA

Fsforo com cinco eltrons de valncia adicionado.

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SEMICONDUO EXTRNSECA

Como a impureza doa o eltron para a banda de conduo,

esta denominada de doadora.

Desde que o eltron originado do tomo de impureza,

nenhuma lacuna criada na camada de valncia.

Na temperatura ambiente, a energia trmica disponvel

suficiente para excitar grande quantidade de eltrons para a
banda de conduo.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Os eltrons oriundos da ligao covalente so em menor

quantidade, ou seja, existem poucas lacunas que so os
portadores de carga minoritrios.

Esse tipo de material denominado tipo n, e os eltrons

so os portadores de carga majoritrios em funo de sua
densidade ou concentrao.

As lacunas nesse tipo de material so os portadores de

carga minoritrios.
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SEMICONDUO EXTRNSECA
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Semiconduo extrnseca tipo p

Como situao oposta a definida anteriormente, um tomo

de impureza com trs eltrons de valncia adicionado a
estrutura do silcio ou do germnio.

Uma das ligaes covalentes ao redor deste tomo estar

faltando um eltron. Tal deficincia pode ser vista como
uma lacuna que est fracamente ligada ao tomo de
impureza.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Semiconduo extrnseca tipo p

Tal lacuna pode ser liberada do tomo de impureza pela

transferncia de um eltron de uma ligao adjacente.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Semiconduo extrnseca tipo p

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SEMICONDUO EXTRNSECA

Semiconduo extrnseca tipo p

Observe com base na figura anterior que cada tomo de

impureza introduz um nvel de energia na band gap.

Um lacuna pode ser imaginada como sendo criada na

banda de valncia pela energia trmica de um eltron da
banda de valncia para ocupar o estado energtico da
impureza.

Dessa forma, somente um portador produzido. Esse tipo

de impureza denominada de receptora.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Semiconduo extrnseca tipo p

Para este tipo de conduo extrnseca, as lacunas esto

presentes em maior quantidade do que os eltrons. Esse
tipo de material chamado do tipo p.

Isto ocorre porque partculas carregadas positivamente so

responsveis pela conduo eltrica.

Ento, as lacunas so os portadores majoritrios e os

eltrons so os portadores minoritrios.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Os semicondutores extrnsecos (tipo n e tipo-p) so

produzidos a partir de materiais que inicialmente
possuem elevada pureza.

Concentraes controladas de doadores e receptores

especficos so intencionalmente adicionadas. Esse
processo conhecido como dopagem.
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SEMICONDUO EXTRNSECA

Nos semicondutores extrnsecos um grande nmeros de

portadores de carga (eltrons ou lacunas) so criados na
temperatura ambiente.

Como consequncia, uma elevada condutividade eltrica

na temperatura ambiente obtida.
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DEPENDNCIA DA TEMPERATURA
DA CONCENTRAO DE PORTADORES
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DEPENDNCIA DA TEMPERATURA
DA CONCENTRAO DE PORTADORES

Para o semicondutor extrnseco a concentrao de

portadores em funo temperatura diferente do
semicondutor intrnseco.
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DEPENDNCIA DA TEMPERATURA
DA CONCENTRAO DE PORTADORES