Alfredo Xavier Mazive

Edymarfi Marcelino Lissamo

Francisco Jos Tembe
Isaas Bartolomeu Sambga

Transistor e Amplificador operacional

Laboratrio de Electrnica II

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 2.Objetivos
2.1. Objetivo geral 2.3. Objetivos especficos
Estudar os transstores e suas principais Falar da configurao dos transstores;
estruturas relacionais Verificar os tipos de transstores;

Falar do principio de funcionamentos dos

transstores;

Analisar as curvas caractersticas dos

transstores;

Ver as aplicaes dos transstores;

Falar das caractersticas dos amplificadores

2

operacionais.
1. Introduo
A inveno do transstor foi um marco para a engenharia eltrica e eletrnica, assim como para toda
humanidade. O transstor um dispositivo ativo, portanto ele capaz de amplificar a potncia do sinal
de entrada necessitando de uma fonte de alimentao.

O presente trabalho surgiu com finalidade de fazer uma introduo ao Transstor e ao Amplificador
Operacional, na qual iremos abordar sobre as principais caractersticas, assim com o princpio de
funcionamento entre outras aplicaes do transstor. Os transstores bipolares se baseiam em dois tipos de
cargas: lacunas e electres, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos
quais os transstores unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de
transstor depende de um s tipo de carga, da o surge o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transstores de
efeito de campo de juno (JFET-Junction Field Effect transstor) e os transstores de efeito de campo de xido
metlico (MOSFET).
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3. Transstor
O transstor um dispositivo semicondutor que consiste em duas camadas de material do tipo e
uma camada do tipo ou em duas camadas do tipo e uma camada do tipo . O primeiro
denominado transstor e o outro, transstor (Boylestad and Nashelsky 2004).

Figura 1: Transistor real 4

3.1. Os dodos emissor e coletor
O transstor tem duas junes; uma entre o emissor e a base e o outro entre o coletor e base. Por isso o
transstor similar a dois dodos virados costa com costa. O dodo de baixo chamado de dodo_base
emissor ou simplesmente dodo emissor. O dodo de cima chamado de dodo_base coletor ou dodo
coletor.
C C

B B

E E
Figura 2: caractersticas dos transstores Figura 3: Smbolos
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dos transstores
bipolares bipolares
 E- emissor que fortemente dopado;

B- base que fracamente dopada.;

C-coletor o nvel de dopagem intermedirio.

3.2. Transstor BJT

O transstor BJT, transstor bipolar de junco (em ingls, BJT bipolar junction transstor). O termo
bipolar vem do facto de que lacunas e elctron participam no processo de injeo no material com
polarizao oposta. Se apenas um portador empregado (elctrons ou lacunas), o dispositivo
considerado unipolar.

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3.2.1. Funcionamento

Considere uma situao em que as duas junes foram polarizadas diretamente, assim as correntes

que circulam sero altas (da ordem de ). Se as duas junes estiverem polarizadas reversamente

e, todas as correntes sero praticamente nulas.

Na juno base-emissor est polarizada diretamente, os elctrons so emitidos no emissor (que

possui alta dopagem), isto , passa a existir uma corrente de (elctrons) indo do emissor para a base.

Os electrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase todos atingem a regio

de carga espacial (regio de depleo) da juno base-coletor, onde so acelerados pelo campo

elctrico e direcionados para coletor. Dos electrons emitidos no emissor, apenas pequenas parcelas

(1% ou menos) consegue se recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os
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outros (99% ou mais) atingem a juno do coletor .
3.2.2. Junes com polarizao directa

Figura 4: Circuito de juno em polarizao directa

A bateria B1 polariza diretamente o dodo emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o dodo coletor.
O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes
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3.2.3. Configuraes bsicas
Existem trs configuraes bsicas utilizadas para conectar um transstor.

Base comum (BC), Coletor comum (CC) ou Emissor comum (EC).

Base comum (BC)

Baixa impedncia (Z) de entrada.

Alta impedncia (Z) de sada.

No h desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada.

Amplificao de corrente igual a um.

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Coletor comum (CC)
Alta impedncia (Z) de entrada.
Baixa impedncia (Z) de sada.
No h desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada.
Amplificao de tenso igual a um.

Emissor comum (EC)

Mdia impedncia (Z) de entrada.
Alta impedncia (Z) de sada.
Desfasagem entre o sinal de sada e o de entrada de 180.
Pode amplificar tenso e corrente, at centenas de vezes.

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3.2.4. Regio de operao
Regio activa

Nessa regio, o dodo, emissor est diretamente polarizado e o dodo coletor est reversamente
polarizado. Alem disso, o coletor est capturando quase todos os electrons que o emissor est injetando
na base. por isso, que a variao na tenso do coletor no afeta a corrente do coletor.

Regio de ruptura
O transstor nunca de operar nessa regio porque ele ser danificado. Ao contrrio do dodo zener, que
foi otimizado para funcionar na regio de ruptura, um transstor no foi projetado para operar na regio
de ruptura.

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3.2.5. Regio de saturao

Existe a parte onde a curva comea a aumentar onde VEC est entre, 0V e alguns dcimos de um volt.
Nessa regio, o dodo coletor tem uma tenso positiva insuficiente para que o coletor possa capturar
todos os electrons livres injetados na base. Nessa regio a corrente na base IB maior que a normal e o
ganho de corrente menor que o normal.

Relaes entre corrente no transstor

= + =

I
= = ou =
( 1+) ( 1+)

(ganho em corrente continua). 12

 Figura 5: grfico da curva do coletor.

Consideraes:
IE = Corrente de Emissor
VBE = Tenso Base-Emissor
VBC = Tenso Base-Coletor
IB = Corrente de Base IC = Corrente de Coletor
VCB = Tenso Coletor-Base VEB = Tenso Emissor-Base
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VCE = Tenso Coletor-Emissor VEC = Tenso Emissor-Coletor
3.3. Transstor JFET

JFET significa Junction Field Efect Transistor (Transstor de Juno com efeito de campo) o
transstor que usa um campo elctrico para controlar a condutividade de um canal de um tipo de
portador de carga no material semicondutor.

Smbolo dos transstores de efeito de campo de unio

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Figura 6: Smbolos do JFET do tipo n smbolo(a) e tipo p smbolo (b).

3.3.1. Composio do JEFT
O JFET um tipo de transstor. Esse nome deriva do facto de que a maioria dos portadores de cargas
fluindo atravs do transstor somente de electres como o caso do JFET com canal N de fraca
dopagem e em cujas extremidades so fixados dois terminais: fonte(S) e dreno(D), ou apenas lacunas
como no caso do JFET de canal P em que fixada o terminal denominado de porta(G).

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Figura 7: Estrutura do JFET do tipo n e tipo p.

3.3.2. Caractersticas do JFET
Controle por Tenso: a corrente entre o dreno e a fonte controlada pela tenso aplicada na porta,
em contraste com o transstor BJT, cuja corrente de coletor controlada pela corrente de base.
Alta Impedncia de Entrada: para que seja possvel o controle de corrente do canal n necessrio
que se produza uma polarizao reversa das junes da porta, provocando desta forma um aumento
na regio de depleo destas junes e em decorrncia disto um estreitamento do canal; com isto,
tem-se baixas correntes de porta, e consequentemente, alta impedncia.
Curvas Caractersticas: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e
de transcondutncia.
Outras Caractersticas: os transstores JFET apresentam menores ganhos em relao aos transstores
BJT e em decorrncia disto tm maior estabilidade trmica; geometricamente, os JFET tm
dimenses menores quando comparados com os transstores BJT.
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3.3.3. Principio de funcionamento
O termo de efeito de campo (efeito de um campo elctrico) derivado a partir do princpio de
funcionamento destes transstores no que diz respeito camada de depleo (camada de
depleo). Esta camada formada entre o semicondutor do tipo n e do tipo p, devido fuso de
electres e as lacunas nas imediaes da borda. Da mesma forma que o campo elctrico, esta camada
de depleo pode aumentar ou diminuir dependendo da tenso entre a porta para a fonte. Na Figura
acima, a camada de depleo mostrada a amarelo sobre a esquerda e para a direita.
Os transstores JFET esto divididos em 2 tipos das quais temos:

JFET do tipo n
Para explicar o princpio de funcionamento do JFET do tipo n revista estrutura do JFET do tipo n. O
dreno e fonte deste transstor so feitos com o semicondutor do tipo n e a porta
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com o tipo p. A figura
seguinte mostra como o transstor dado a uma tenso de polarizao.
A tenso de polarizao entre a porta e a fonte chamado de polarizao de voltagem inversa ou
polarizao negativa.

Figura 8: tenso de polarizao de um JFET do tipo n

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JFET do tipo P
Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais utilizados
um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de direo oposta, se comparado
com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo p o mesmo, apenas com diferentes setas
direcionais.

Figura 9: tenso de polarizao de um JFET do tipo p 19

3.3.4. Curva caracterstica do dreno
A figura abaixo mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A curva sempre
para VGS=0, a condio de porta em curto-circuito. Neste exemplo, a tenso de estrangulamento de 4
volts e a tenso de ruptura de 30 volts. A curva imediatamente abaixo para VGS=-1 volt, a prxima
para VGS=-2 volts e assim sucessivamente. Quanto mais negativa a tenso porta-fonte, menor a corrente
de dreno

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Figura 10: curva de dreno

Lembra:
ID =corrente do dreno;
IDSS =corrente de dreno para fonte com porta de curto-circuito;
VGS=tenso entre a porta e fonte;
VGS corte= tenso de constrio.

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Curva de transcondutncia

A curva de transcondutncia de um JFET um grfico de ID versus VGS. Fazendo a leitura dos valores
de ID e VGS para cada curva de dreno pode-se traar a curva. A curva no linear porque a corrente
aumenta mais rpido quando VGS aproxima de zero.

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Figura 11: Curva de transcondutncia

3.3.5. Qual seria a diferena entre BJT e JFET?
O TBJ controlado por corrente enquanto o JFET controlado por tenso;
O JFET possui dimenses menores em relao ao BJT, sendo mais adequado para a construo de
circuitos integrados;
Usa-se o TBJ para obter grandes ganhos de tenso e os JFETS para altas impedncias de entrada.

3.3.6. Aplicaes e vantagens de JFET

A tabela seguir indica as aplicaes, vantagens e utilizao dos JFET.

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 Aplicao Vantagem principal Utilizao
Reforador Alta Zin, baixa Zout Uso geral em equipamentos de medicao,
receptores
Amplificador de RF Baixo rudo Sintonizadores de FM, equipamentos de
comunicao
Misturador de RF Baixa distoro Receptores de FM e televiso e
equipamentos de comunicao
Amplificador AGC Facilidade no controle do ganho Receptors e geradores de sinais

Amplificador cascode Baixa capacitncia de entrada Instrumentos de medicao e

equipamentos de teste
Amplificador recortador Sem derivao (drift) Amplificadores CC, sistemas de controle
de orientao
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 Resistor varivel Tenso controlada
Amplificador de udio Capacitores de acoplamentos de
baixos valores
Oscilador RF Frequncia mnima de deriva
Amplificador operacional e controle
de tons para rgos
Auxlio na medio e transdutores
indutivos
Frequncias padronizadas e receptores
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3.4. MOSFET
O nome Transstor de Efeito de Campo, ou MOS-FET, vem da sua denominao em ingls Metal
Oxide Semicondutor Field-Effect Transistor, ou traduzindo, transstor de efeito de campo de xido de
metal semicondutor (Oliveira, 1999). O MOSFET possui normalmente trs terminais: Porta,
Fonte e Dreno.

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Figura 12: Constituio do MOSFET

O canal de superfcie formado na interface entre o corpo de semicondutor e o isolador de porta.

3.4.1. Processo de fabricao

O MOSFET fabricado com uma base chamada substrato. Duas regies fortemente dopadas tipo n so
criadas no substrato, originando o dreno e a fonte. Uma camada isolante de dixido de silcio puro com
espessura entre 3nm e 20nm depositada sobre a regio do substrato entre o dreno e a fonte (Pinto,
2011).

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 3.4.2. MOSFET no modo de depleo
Assim como em um JFET, o MOSFET no modo de depleo considerado um dispositivo
normalmente em conduo. Isto , os dois dispositivos apresentam uma corrente no dreno quando a
tenso porta-fonte VGS=0 V (Malvino & Bates, 2011).

Simbologia
D D

B B

G G

S S
Figura 13: MOSFET canal n e canal P no modo de depleo. Figura 14: canal N no modo de depleo.28
3.4.3. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de
depleo

Figura 15: MOSFET com negativa e positivamente polarizado no modo de depleo

Haver um estreitamento do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo segundo a formula abaixo

2
= 1

Este estreitamento do canal tanto maior quanto maior a polarizao negativa da porta. Se aplicar uma
tenso positiva porta, haver um alargamento no canal, aumentando a circulao da corrente ID
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(Oliveira, 1999).
 ID
VGS>0
Dss
VGS=0 Modo de intensificao
IDD Modo de depleo
VGS<0
VGS (desligado)
Vp VDS

Figura 16: Curvas de dreno do MOSFET no modo de depleo

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3.4.4. Princpio de funcionamento

Figura 17 a) MOSFET de canal N no modo de depleo com tenso VGS=0, b) a reduo dos
portadores livres no canal devido ao potencial negativo na porta.

A tenso VGS na figura b) negativa, o potencial negativo na porta tender a pressionar os electres em
direco ao substrato do tipo p e atrair lacunas do substrato do tipo n (Malvino & Bates, 2011). 31
3.4.5. MOSFET no modo de crescimento

Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o
dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando
a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos
dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo (Dorf, 2000).

Simbologia D D

B B
G G

S S 32

Figura 18: Transistor MOSFET de canal P e canal N de crescimento

3.4.6. Princpio de funcionamento do MOSFET no modo de crescimento
Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o
dreno. Quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado Quando a porta positiva,
ela atrai eltrons livres na regio p. Quando a tenso positiva, todas as lacunas encostadas ao dixido
de silcio so preenchidas e electres livres comeam a fluir da fonte para o dreno.

Figura 19: Formao de um canal em um MOSFET de canal N no modo de enriquecimento 33

3.4.7. Curvas caractersticas do MOSFET no modo de enriquecimento

Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste
estgio o MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma
fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica.
O incio da parbola est em VGS(th). = ( () )2

Figura 20: Caractersticas de transferncia de um MOSFET de canal N no modo de enriquecimento. 34

3.4.8. Aplicaes do MOSFET
O MOSFET possui dois tipos principais de aplicaes:
Chaveamento- Se a tenso de limiar for maior que a tenso de porta-fonte, ento o transstor
conduz corrente elctrica.
Amplificadores- como amplificador, destaca-se o uso para amplificadores de rdio frequncia
de alta frequncia e amplificador de potncia.
As aplicaes de MOSFET mais comuns so:
Misturadores de frequncia;
Circuitos de comutao de frequncia;
Amplificadores em corrente contnua.

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4. Amplificador operacional
Amplificador operacional o amplificador diferencial de com ganho muito alto com a impedncia de
entrada alta com a impedncia de sada baixa.

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Figura 21: Diagrama de bloco de um amplificador

Smbolo esquemtico para um amplificador operacional

Figura 22: Esquema do amplificador operacional

4.1. Amplificador inversor
o circuito com amplificador operacional bsico. Ele usa realimentao negativa para estabilizar o
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ganho de tensao total.
4.2. Realimentao negativa um amplificador inversor

Uma tenso de entrada de acciona a entrada inversora por meio de resistor R1. isto resulta numa
tenso na entrada inversora de 2 tenso de entrada amplificada pelo ganho de tenso de malha
aberta produzido uma tenso de sada invertida. A tenso de sada alimentada de volta por meio de
um realimentao isso resulta em uma realimentao negative a sada de 180 graus para fora em
relao a entrada.

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Figura 23: Amplificador operacional em corrente alternada

4.3. Amplificador no inversora

Amplificador no inversora outro circuito bsico com amplificador operacional. Ele usa

realimentao negative para estabilizar o ganho de tenso total. Com esse tipo de amplificador a

realimentao negative tambm aumenta a impedncia de entrada e diminui a impedncia de sada.

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Figura 24: Amplificador no inversor

4.4. Caractersticas de amplificador operacional

Impedancia de entrada infinita;

Impedancia de saida nula;

O amplificador ideial representa um amplificador de tensao perfeito de tensao controlada por tensao
(vcsv voltage controlled voltage source).

Aplicaces de amplificador operacional

Amplificador somador
Seguidor de tenso
Amplificador diferencial
Amplificador de instrumentao
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5. Concluso
Com o trmino do presente trabalho grupo pode concluir que os transstores so dispositivos muito
importante visto que tiveram uma contribuio muito grande para o avano da electrnica. Quanto as
vantagens do JFET em relao aos BJTs os JFETs so reforadores, com alta impedncia de entrada e da
baixa impedncia de sada. Essa a razo de o JFET ser uma escolha natural no estgio inicial dos
multmetros, osciloscpio e outros equipamentos similares em que necessrio uma alta impedncia de
entrada de 10M ou mais visto que a resistncia de entrada na porta de um JFET deve ser acima de
100M. Os JFETs tm vrias aplicaes das quais podem ser um ser usadas como amplificadores de
pequeno sinal, sua tenso de sada tem uma relao linear com tenso de entrada porque usada apenas uma
pequena parte da curva de transcondutncia. Os JFETs so sempre usados em amplificadores de RF.

Os MOSFETs no modo de depleo se igualam aos BJTs e JFETs na construo das curvas
caractersticas.
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6. Referncias Bibliogrficas
Bertoli, A. R. (Setembro de 2006). APOSTILA ELETRNICA BASICA.
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2004). DISPOSITIVOS ELETRNICOS e teoria de circuitos 8 Edio. So
Paulo.
BOYLESTAD, R., & NASHELSKY, L. (2009). Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos.
Mxico: PEARSON EDUCACIN.
Dorf, R. (2000). The Electrical Engineering Handbook (2 ed.). (I. Woodall, Ed.) New York: CRC Press LLC.
Malvino, A., & Bates, D. (2011). Electronica (7 ed., Vol. I). (A. E. Ltda, Ed., & R. Abdo, Trad.) Porto Alegre.
Malvino, A., & David, J. B. (2011). Eletrnica Volume 1 Setima Edio. Porto Alegre: Mc Graw Hill.
Neto, E. d., & Robson, R. s. (s.d.). Instrumentao Eletrnica Geral. 1999.
Oliveira, J. (1999). Electrnica Bsica- Instrumentao. Esprito Santo: SENAI.
pinto, L. F., & Albuquerque, R. O. (2011). ELETRNICA Eletrnica Analgica. Sao Paulo.
Pinto, L. T. (2011). Electronica-Electronica Analogica (2 ed., Vol. II). (F. P. Anshieta, Ed.)
42 Sao Paulo.