Semicondutores Junopn 130801064127 Phpapp01

Semicondutores: Juno P-N
Semicondutores
Parei na pagina15
+ + +
+ + +
+ + +
13/08/2017 1
tomo Quntico
Os eltrons da nuvem eletrnica dos tomos no tm todos a mesma energia. Os eltrons
distribuem-se por nveis de energia
Um orbital uma regio, dentro de um nvel de energia, em que existe maior probabilidade de
encontrar um eltron.
En 2 eV
13.6
Ncleo Orbitais
n
No centro do tomo, Prtons e
Nutrons formam o pequeno mas
pesado ncleo.
n=1 Prtrons tm carga positiva;
Nutrons no tm carga, isto , so
n=2 s s p s p s d pd f neutros;
Prtons e nutrons tm a mesma
massa;
n=3 Eltrons so carregados
negativamente e quase que no
n=4 tm massa;
Eltrons ocupam muito do espao
vazio do tomo.
Nveis de Energia
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Movimento de Eltrons
O nmero de eltrons disponveis depende dos nveis eletrnicos de um dado material e

de como estes nveis so ocupados. (Princpio de Excluso de Pauli)
Corrente eltrica todo o movimento ordenado de partculas eletrizadas (eltrons). Para
que esse movimento ocorra necessrio haver tais partculas ions ou eltrons livres no
interior dos corpos
A condutividade :Capacidade dos materiais de conduzirem ou

transmitirem corrente eltrica. Quanto condutividade, os
materiais podem ser classificados em condutores (os metais so
os melhores condutores), semicondutores e isolantes (ou
dieltricos).
A condutividade depende do nmero de eltrons disponveis.
Resistividade eltrica (tambm resistncia eltrica especfica) uma medida da oposio

de um material ao fluxo de corrente eltrica. Quanto mais baixa for a resistividade mais
facilmente o material permite a passagem de uma carga eltrica. A unidade da
resistividade o ohm metro (m).
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Condutividade Eltrica
Capacidade dos materiais de conduzirem ou transmitirem corrente eltrica. Quanto
condutividade, os materiais podem ser classificados em condutores (os metais so os
melhores condutores), semicondutores e isolantes (ou dieltricos).
Ela simplesmente o recproco da resistividade, ou seja, inversamente proporcionais e

indicativa da facilidade com a qual um material capaz de conduzir uma corrente eltrica.
1 Metais 107 (m)-1

n q Isolantes 10-10 10-20 (m)-1
Semicondutores 10-6 104 (m)-1
= resistividade. (ohm.cm).
= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1).
q = carga carregada pelo portador (coulombs) [q do eltron= 1,6x10-19 coulombs].
= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s).
n = nmero de portadores de carga por cm3.
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Resistividade Eltrica
Resistividade eltrica - Como varia a resistividade com a temperatura?
A concentrao de portadores de carga (n), aumenta

m
2 rapidamente com a temperatura (eltrons e lacunas).
ne O tempo de relaxao tem uma variao pequena

comparada com o aumento de (n).
CONCLUSO: a resistividade (), diminui com a temperatura.

1 d
Coeficiente de temperatura da Resistividade () a
NEGATIVO dT
L A
= resistividade. RA
A = rea da seo.
L = comprimento. L
R = a resistncia eltrica do material( ohms, ).
13/08/2017 5
Resistividade Eltrica
Resistividade dos semicondutores:

A concentrao de portadores, e portanto a condutividade, exponencialmente
dominada pela sua dependncia da temperatura. = Condutividade eltrica
e 2 n =Resistividade eltrica
n n
1
e = Carga do eltrons
m*
p = Mobilidade das lacunas
n = Mobilidade dos eltrons
Para semicondutores intrnsecos: p = Concentrao de lacunas
n = Concentrao de eltrons
e 2 n Eg K=constante de Boltzmann
1
n n *
constant exp[- ] E = Intensidade do campo elctrico
m 2kT Eg= Energia da banda proibida
Ef= Nvel de Fermi
Para semicondutores dopados: = Emisso espontnea
e 2
n (E g EF ) T- Temperatura Kelvin
n n * constant exp[ -
1
] m* =massa efetiva
2kT- energia Trmica do eletron, na BC
m 2kT
EF inicialmente entre o nvel de impureza e o limite de banda, e ento com a
temperatura aproxima-se de Eg / 2, aps a maior parte das impurezas estarem ionizadas.
13/08/2017 6
Semicondutores
Teoria - Slidos:- Cristalografia elementar
Materiais
Slidos
Amorfos
Cristalino Policristalino
(Non-cristalino
Cristal
simples
Cristal simples, policristalinos e amorfos, so os trs tipos gerais de slidos.
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Semicondutores
Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a

distribuio e disposio desses tomos pode ser ordenada e organizada e designa-se por
estrutura cristalina.
Slido cristalino a forma de uma substncia slida em que os tomos ou molculas so
dispostas num padro definido, com repetio em trs dimenses. tomo de silcio
O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina

cbica como mostrado na seguinte figura
13/08/2017 8
Semicondutores
Policristal um material constitudo por um agregado de muitos pequenos cristais

simples (tambm chamados de cristalitos ou gros). Material policristalino tem um
elevado grau de ordem ao longo de muitas dimenses atmicas ou moleculares.
Policristalino
forma de pirite
(Gros)
Estrutura cristal
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Semicondutores
Teoria -Slidos:- Cristalografia elementar: Amorfo (no-cristalino)
Amorfo-Slido (no cristalino) constitudo por tomos orientados

aleatoriamente, ions, ou molculas que no formam padres definidos ou
estruturas reticulares. Os materiais amorfos tm ordem apenas em poucas
dimenses atmicas ou moleculares. Os materiais amorfos no tm qualquer
ordem de longo alcance, mas eles tm diferentes graus de ordem de curto
alcance. Exemplos para os materiais amorfos incluem silcio amorfo, plsticos e
vidros. O silcio amorfo pode ser usado em clulas solares e nos transistores de
pelcula fina.
13/08/2017 10
Semicondutores
Teoria -Slidos:- Condutores, isoladores e semicondutores
A estabilidade dos eltrons no nvel externo, determina se um material feito de um elemento, um

condutor, isolante ou semicondutor.
Elementos cujos eltrons so instveis e podem facilmente passar de um tomo para outro fazer bons
condutores.
Elementos cujos eltrons so estveis e no podem facilmente passar de um tomo para outro fazer
bons isolantes.
Todos os elementos que no so considerados condutores ou isolantes so categorizados como
semicondutores.
Condutores
Quando a camada externa de um tomo de um elemento est incompleta ou no completa de
eltrons, os seus eltrons podem se mover mais livremente de um tomo para outro tomo. Elementos
cujos eltrons podem se mover mais livremente fazem bons condutores. Em geral, a maioria dos
metais so bons condutores porque eles s tm um ou dois eltrons na sua faixa exterior.
Prata e ouro so os melhores condutores. O cobre o segundo melhor condutor. O maior uso vai para
o fio de cobre, porque um bom condutor e menos dispendioso do que os outros metais.
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Semicondutores
Teoria - Condutores Condutor
Nos condutores, os eltrons tm ligao

fraca, com a camada mais externa.
Estes
eltrons requerem uma pequena quantidade de energia para se libertarem para a
conduo.
Ao aplicarmos uma diferena de potencial entre o condutor acima ...
A fora em cada eltrons suficiente para livr-lo de sua rbita e poder saltar de um
tomo para outro - o condutor conduz!
por isso que se diz que os condutores tm uma baixa resistividade / resistncia
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Semicondutores
Teoria Condutores ligaes Metlicas
Os eltrons de valncia (os da ltima camada) esto

fracamente ligados ao ncleo e, por conseguinte, que + + +
se movem livremente atravs do metal e esto
espalhados entre os tomos na forma de uma nuvem
de electres de baixa densidade. + + +
A ligao metlica resulta da partilha de um nmero

varivel de electres por um nmero varivel de + + +
tomos. O metal pode ser descrito como uma nuvem
de electres livres.
Portanto, os metais tem elevada condutividade eltrica e trmica.
13/08/2017 13
Semicondutores
Teoria -Metais:- Exemplo de Condutores Prata e Cobre
Prata Porque a camada mais externa da banda est

(Ag) Cobre
incompleta, o nico eltrons instvel e (Cu)
fracamente ligado ao tomo. Assim, pode
facilmente mover-se para o exterior da camada,
para um outro tomo adjacente
2 8 18 18 1 1 18 8 2
Este fluxo de eltrons livres o que faz da

prata e do cobre, bons condutores.
Nmero de Eltrons
em rbita
Ncleo
14
13/08/2017 14
Semicondutores
Teoria - Exemplo de Isoladores Non e rgon
A rbita mais externa do Non e do rgon, pode ter no mximo 8

(oito) electres. exactamente o que estes elementos tm. Isso
faz com que os electres da camada mais exterior, e na maioria
Argon
Neon das outras, sejam estveis.
(Ar)
(Ne)
2 8 8 8 2
Esta estrutura electrnica estvel, o que faz do Non e do

rgon, bons isolantes.
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Semicondutores
Isolador
Teoria - Isoladores
Os Isoladores tm os eltrons da sua

camada externa, fortemente ligados ao
ncleo.
Estes
eltrons exigem uma quantidade muito grande de energia para se libertarem para a
conduo
Ao aplicarmos uma diferena de potencial entre o condutor acima ...
A fora em cada eltron no suficiente para livr-lo da sua rbita, e poder saltar de um
tomo para outro Por isso, o isolador no conduz!
por isso que se diz que os isoladores tm uma alta resistividade / resistncia
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Semicondutores
Teoria - Semicondutores
Quando a camada exterior de um elemento no est completa nem incompleta, o
elemento considerado um semicondutor. Os exemplos de bons materiais semicondutores
so. Por exemplo o Carbono (utilizado para fazer resistncias) o Silcio e o Germnio
(usados para fazer transistores).
Silcio - 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Carbono - 1s2 2s2 2p2
(Si)
(C)
A rbita mais externa de carbono e silcio cada uma pode conter
no mximo 8 (oito) electres. Porque ambos contm quatro (4),
estes electres no so nem estvel nem instvel.
2 4
Germnio - 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2
(Ge) 4 8 2
Esta estrutura de electres o que faz do Carbono, do Silcio e
do Germnio, bons semicondutores4 electres na ltima
camada. (valncia)
So materiais de condutividade intermdia, entre a dos metais e a dos
isoladores, que se modificam, em grande medida pela temperatura, pela
excitao ptica e com a adio das impurezas
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Semicondutores Teoria Semicondutores Bandas de Energia

Elemento que se comporta como condutor ou como isolante, dependendo do campo
elctrico em que se encontre. Os elementos qumicos semicondutores da tabela
peridica se indicam na tabela seguinte.
Elemento Grupo Electres na
ltima camada
Cd 12 (II A) 2 e-
Al, Ga, B, In 13 (III A) 3 e-
Si, Ge 14 (IV A) 4 e-
P, As, Sb 15 (V A) 5 e-
Se, Te, (S) 16 (VI A) 6 e-
6eV
Orbitais
SEMICONDUTOR ISOLANTE CONDUTOR

SEMICONDUTOR
Distncia interatmica Banda de Conduo Banda de Valncia
Banda de Conduo
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Electres VS Buracos (Lacunas)
Embora os electres sejam utilizados na banda de valncia em que "quase todos os estados de
energia da banda de valncia so preenchidos com electres", devemos supor que o termo
geralmente significa electres da banda de conduo. Lacunas ou Buracos so os vazios de electres
na banda de valncia. Electres e buracos transportam carga negativa e positiva ( q),
respectivamente. O mnimo de energia de electres da Banda de conduo Ec. Qualquer energia
acima de Ec a energia cintica de electres.
Os Electres podem ganhar energia por acelerao atravs de um campo eltrico e perder energia
atravs de colises com as imperfeies no cristal. Na localizao inferior no diagrama de energia
encontra-se o nvel mais elevado de energia para as lacunas ou buracos chamada banda de valncia e,
requerida energia para mover um buraco "para baixo", porque que equivalente a mover um
electro para cima. Ev a energia mnima buraco.
Banda de valncia
-
Buracos
Electres
Ambos os electres e buracos tendem a ocupar posies de mais baixa de energia.
Banda de valncia
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Electres VS Buracos (Lacunas) Massa Efectiva
Quando lhes aplicado um campo elctrico, um electro ou um buraco vo acelerar
segundo: Acelerao -qE Electres -qE
Acelerao Buracos
mn mp
Massas efectivas para electres e Buracos ou lacunas
SI Ge As Ga InAs AlAs
mn/m0 0.26 0.12 0.068 0.023 2.0
mp/m0 0.39 0.30 0.50 0.30 0.30
Num cristal, os electres e as lacunas interagem com um campo coulmbico peridico do
cristal. Eles surfam sobre o potencial peridico do cristal e, por conseguinte, mn e mp
no so a mesma coisa que a massa do electro livre.
Uma descrio completa dos electres num cristal deve ser baseada nas suas
caractersticas de onda, e no apenas nas caractersticas de partculas. A funo de onda
dos electres a soluo da equao de onda de Schrdinger tridimensional.
Onde =h/2 a constante reduzida de Planck, m0 a massa dum electro
livre, V(r) o potencial de energia do campo que o cristal apresenta num
espao tridimensional, e E a energia do electro.
13/08/2017 20

Electres VS Buracos (Lacunas) Massa Efectiva
A soluo da forma: exp(k.r), que representa uma onda do electro k, chamada de
vector onda, que igual a 2/comprimento de onda, e uma funo de E.
Assumindo que Ek , como uma relao esfrica simtrica, um campo elctrico, aceleraria
um electro como uma onda, numa relao: qE d 2 E
Acelerao - 2
dK 2
Para interpretar a acelerao na forma de F / m, conveniente introduzir o conceito da
massa efectiva: 2
Massa efectiva - 2
d E / dK 2
Cada material semicondutor tem uma relao E-k nica (devido ao nico V(r)) para a sua
banda de conduo e um outro relacionamento E-k exclusivo para a sua banda de valncia.
Portanto, cada material semicondutor tem a sua nica mn e mp. Os valores listados na
Tabela anterior so os valores medidos experimentalmente. Estes valores concordam bem
com as massas efetivas obtidas, resolvendo a equao de onda de Schrdinger com
computadores. Os valores tambm podem ser medidos com o uso de Ciclotron ressonncia
.
13/08/2017 21
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Carbono
tomo de Carbono Ncleo

Nmero
Atmico
Massa
Atmica
Proto
Neutro Estados de
Oxidao
Smbolo
Qumico
Nome
Distribuio Electrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
1 Nvel
(N1- 1s2)
2 Nvel (N2- 2s2, 2p2)
1s2 2s2 2p2 -Electro de valncia
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Semicondutores
Carbono: gasoso (6 electres) 1s2, 2s2, 2p2 - ltima camada, nvel 2, tem 4 electres,
pode ir at 8, logo tem 4 estados vazios 4 estados vazios
4 Electres de valncia
- - 2p2
- - 2s2
_ _
1s2
Distncia interatmica
Estados discretos
Banda de estados (tomos isolados)
13/08/2017 23
Semicondutores
Reduo da distncia interatmica do Carbono.
- -
Energia
- -
- - - -
- - - -
- -
Distncia interatmica
Diamante: Grafite:
Cbico, transparente, duro e isolante Hexagonal, negro, brando e condutor
13/08/2017 24
Semicondutores
Diagrama de Bandas do Carbono: - Diamante
Banda de conduo
4 estados/tomo
Energia
Banda proibida
Eg=6eV
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria para saltar
para a banda de conduo, poderia mover-se para um estado vazio da banda de
conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica. temperatura
ambiente quase nenhum electro tem essa energia. um isolante
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Semicondutores
Diagrama de Bandas do Carbono: - Grafite
4 estados/tomo Banda de conduo

Energia
Nvel de Fermi
- -
- - Banda de
valncia
4 electres/tomo
No h banda proibida. Os electres da banda de valncia tm a mesma energia

que os estados vazios da banda de conduo, pelo que podem mover-se gerando
corrente elctrica. temperatura ambiente um bom condutor.
13/08/2017 26
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Germnio
tomo do Germnio Nmero

Atmico
Massa
Atmica
1 Nvel
(N1)
Estados de
Oxidao
2 Nvel
(N2)
3 Nvel Smbolo
Qumico
(N3) Nome
Distribuio Eletrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
4 Nvel
(N4)
-Eltrons de valncia
1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2
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Semicondutores
Teoria Semicondutores - Germnio
Diagrama de Bandas do Germnio:
4 estados/tomo
Energia
Banda de conduo
Eg=0,67eV Banda proibida
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria para saltar
para a banda de conduo, pode mover-se para um estado vazio da banda de
conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica. temperatura
ambiente alguns electres tm essa energia. um semicondutor.
13/08/2017 28
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Silcio Nmero
Atmico
Massa
Atmica
tomo de Silcio Ncleo Estados de

Oxidao
Proto
Smbolo
Neutro
Qumico
Nome
Distribuio Eletrnica por
nveis de Energia
Configurao
Cerne
1 Nvel
(N1)
2 Nvel
(N2)
3 Nvel
(N3)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 -Eltrons de valncia
13/08/2017 29
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Silcio
Diagrama de Bandas do Silcio:
4 estados/tomo
Energia
Banda de conduo
Eg=1,09eV Banda proibida
- - 4 electres/tomo
Banda de valncia
- -
Tal como no Germnio, se um electro da banda de valncia alcanar a energia necessria
para saltar para a banda de conduo, (maior do que no germnio) pode mover-se para um
estado vazio da banda de conduo de outro tomo vizinho, gerando corrente elctrica.
temperatura ambiente alguns electres tm essa energia. um semicondutor.
13/08/2017 30
Semicondutores
Teoria Semicondutores - Materiais
Diagrama de Bandas:
Banda de Banda de Banda de

conduo conduo conduo
Nvel de Fermi
Eg Nvel de Fermi Eg Nvel de Fermi
Banda de valncia Banda de valncia Banda de valncia
Isolante Semicondutor Condutor

Eg=5-10eV Eg=0,5-2eV No h Eg
A 0K, tanto os isolantes como os semicondutores no conduzem, j que nenhum
electro tem energia suficiente para passar da banda de valncia para a banda de
conduo. A 300K, alguns electres dos semiconductores alcanam esse nvel. Ao
aumento da temperatura, aumenta a conduo nos semicondutores (ao contrrio
que nos metais).
13/08/2017 31
Semicondutores
Teoria Semicondutores Silcio Intrnseco
Os Semicondutores tm uma resistividade/resistncia entre a dos condutores e os
isoladores.
Os seus electres da ltima camada ( electres de valncia), no so livres para se mover,
mas um pouco de energia vai libert-los para a conduo
Os dois semicondutores mais comuns so os de silcio e de germnio
O silcio tem uma valncia de quatro ou seja,

quatro electres na sua camada externa.
Cada tomo de silcio, partilha os seus quatro

electres externos, com os quatro tomos
vizinhos!...
Estes electres compartilhados de ligao - so

mostrados como linhas horizontais e verticais entre os
tomos
13/08/2017 32
Semicondutores
O conceito de semicondutor intrnseco est relacionado ao cristal que, no-intencionalmente, no

possui mais de um tomo de elemento qumico estranho, para cada um bilio de tomos do material
escolhido. Ou seja, um semicondutor no estado puro
O teor de impureza, neste caso, chamado 1 ppb, ou uma parte por bilho. A
interferncia da impureza no suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo
o cristal, portanto, estvel.
Por outro lado, um semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um tomo de

elemento qumico desejado (ao contrrio do estranho) para cada um milho de tomos do
material escolhido. O teor da impureza , no semicondutor dopado, 1 ppm, ou uma parte
por milho.
Os semicondutores dopados (Extrnsecos) possuem, aproximadamente, mil vezes mais
impurezas do que os semicondutores intrnsecos.
Trs elementos comuns na dopagem electrnica so o Carbono, o Silcio e o Germnio.
Todos possuem quatro electres na camada de valncia, o que possibilita que formem
cristais j que compartilham seus electres com os tomos vizinhos, formando estruturas
reticuladas ou cristalinas.
13/08/2017 33
Semicondutores
Si: silcio Efeitos da temperatura

0K
Si Si Si
Na prtica, a estrutura cristalina
ilustrada, s conseguida quando o
cristal de silcio submetido
temperatura de zero graus Kelvin
Si Si Si (ou -273C). A essa temperatura,
todas as ligaes covalentes esto
completas, e os tomos tm oito
eltrons de valncia o que faz com
que o tomo tenha estabilidade
Si Si Si qumica e molecular, logo no h
eltrons livres e, consequentemente
o material comporta-se como um
isolante
Nesta estrutura cristalina, cada tomo (representado por Si) une-se a outros quatro
tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de
valncia de um tomo compartilhado com um eltron do tomo vizinho, de modo que
dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons.
13/08/2017 34
Semicondutores
Si: silcio Efeitos da temperatura

0oK
Si Si Si
+
Si Si Si 300K
(27oC)
Eltron Lacuna
Si Si Si
temperatura de zero graus absolutos (Kelvin) (-273oC) comporta-se como um isolante,

mas temperatura ambiente (25oC) j se torna um condutor porque o calor fornece a
energia trmica necessria para que alguns dos eltrons de valncia deixem a ligao
covalente (deixando no seu lugar uma lacuna) passando a existir alguns eltrons livres no
semicondutor.
13/08/2017 35
Semicondutores
Aco de um campo eltrico
- +
Si Si Si
- +
- + + +
Si Si Si
- +
- +
Si Si Si
- +
Concluses: A corrente num semicondutor devida a dois tipos de portadores de carga:
Lacunas (ou buracos) e Eltrons. A temperatura afeta fortemente as propriedades eltricas
dos semicondutores:
Maior temperatura mais portadores de carga menor resistncia
13/08/2017 36
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco
Efeitos da temperatura
Ge: Germnio - - - - 0K
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
No h ligaes covalentes abertas a 0oK. Isto equivale a que os electres da
banda de valncia no podem saltar para a banda de conduo.
13/08/2017 37
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco
Ge: Germnio - - - 0K K
300
-
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - - -
- - - -
-
Ge -
-
Ge
+
-
-
Ge -
-
Ge
-
- - - -
H 1 ligao em aberto por cada 1,7109 tomos.
1 electro livre e uma carga + por cada ligao em aberto.
13/08/2017 38
Semicondutores
Teoria Semicondutores Germnio Intrnseco 300 K
-
Ge: Germnio - - - Gerao
-
- - - - +
Recombinao
-
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - - - -
- Gerao - -
+ Recombinao Gerao
-
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge -
-
Ge
+ -
- - - -
H sempre ligaes que se esto abrindo (gerao) e reconstruindo (recombinao). A
vida mdia de um electro pode ser da ordem de milissegundos ou microssegundos.
g- Taxa de gerao de pares electro buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1). Equilibrado
g=r
r- Taxa de recombinao de pares electro buraco (ou lacuna) e-b (cm-3s-1).
13/08/2017 39
Semicondutores
Ge: Germnio - -
- -
+++++
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
-
-
-
- --
-
- -
-
-
- -
Ge -
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - -
- +
O electro livre, move-se por aco do campo. E a carga + (lacuna)?.
13/08/2017 40
Semicondutores
Ge: Germnio - -
- -
+++++
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - -
-
-
-
- --
-
- -
-
-
- -
Ge
+
-
-
Ge
+ -
-
Ge -
-
Ge
-
- - - - -
-+
E a carga move-se tambm. o novo portador de carga, chamado Lacuna ou +
buraco.
13/08/2017 41
Semicondutores
Teoria Semicondutores Intrnsecos 300 K
Efeitos do Campo Elctrico
Movimento de Cargas , num campo elctrico

E
-
+++++
- -- - - -
- + ++ ++ ++ ++
- - -- - - -
-
+ ++ ++ ++ ++

jp jn

-
Existe corrente elctrica devida aos dois portadores de carga:

jp=eppE a densidade de corrente de lacunas.

Jn=ennE a densidade da corrente de electres.
Considerando que os electres se movem numa direco oposta ao campo eltrico aplicado, as lacunas movem-se na
direco do campo elctrico..
13/08/2017 42
Semicondutores
Teoria Semicondutores Intrnsecos
Movimento de Cargas num campo elctrico

jp=e pp E
jn=e nn E
e = Carga do electro
p = Mobilidade das lacunas
n = Mobilidade dos electres
p = Concentrao de lacunas
n = Concentrao de electres
E = Intensidade do campo elctrico
Ge Si As Ga Ge: ni = 21013 portadores/cm3

(cm2/Vs) (cm2/Vs) (cm2/Vs) Si: ni = 1010 portadores/cm3
n 3900 1350 8500 AsGa: ni = 2106 portadores/cm3
( temperatura ambiente)
p 1900 480 400
13/08/2017 43
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos
H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres no

interior de um cristal semicondutor. Um deles atravs da energia trmica (ou calor).
Outra maneira, consiste em fazer com que um feixe de luz incida sobre o material
semicondutor.
Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de

electres livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou de um cristal onde o nmero
de lacunas seja bem superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se
um cristal semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de
tcnicas especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais
chamamos de impurezas.
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a

denominar-se por semicondutor extrnseco.
13/08/2017 44
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos - Dopagem
Na prtica, contudo, necessitamos de um semicondutor em que o nmero de electres

livres seja bem superior ao nmero de lacunas, ou onde o nmero de lacunas seja bem
superior ao nmero de electres livres. Isto conseguido tomando-se um cristal
semicondutor puro (intrnseco) e adicionando-se a ele (dopagem), por meio de tcnicas
especiais, uma determinada quantidade de outros tipos de tomos, aos quais chamamos
de impurezas.
Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a
denominar-se por semicondutor extrnseco.
As impurezas usadas na dopagem de um semicondutor intrnseco podem ser de dois tipos:
impurezas ou tomos dadores (Pentavalentes - Arsnio (AS), Fsforo (P) ou Antimnio (Sb),
e impurezas ou tomos aceitadores (Trivalentes - ndio (In), Glio (Ga), Boro (B) ou
Alumnio (Al).
Sb Al
A finalidade dotar os semicondutores de propriedades de semiconduo controlada

especfica (presena maioritria de portadores de carga do tipo P, as lacunas, ou do tipo
N, os electres, para aplicao em circuitos de dispositivos electrnicos..
13/08/2017 45
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Silcio
TIPO N Impurezas do grupo V da tabela peridica: Sb

Antimnio
Si Si Si necessria muito pouca
energia para ionizar o tomo de
Sb.
Si Si
Sb Si temperatura ambiente todos
+ os tomos de impurezas se
+ encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos pentavalentes (como o Arsnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com
que apaream electres livres no seu interior. Como esses tomos fornecem (doam) electres ao
cristal semicondutor eles recebem o nome de impurezas dadoras ou tomos dadores. Todo o cristal
de Silcio ou Germnio, dopado com impurezas dadoras designado por semicondutor do tipo N (N
de negativo, referindo-se carga do electro).
13/08/2017 46
Semicondutores
TIPO N
Impurezas grupo V
+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb
Lacunas livres +
Sb +
Sb
Carga mvel +
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb 300K
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
Electres livres
Carga mvel tomos de impurezas
Ionizados Carga esttica
Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo N so os electres livres. Actuam
como portadores de carga negativa.
Os portadores minoritrios de carga num semicondutor tipo N so as Lacunas ou buracos.
Actuam como portadores de carga positiva.
4
A energia necessria para ionizar um tomo doador (isto , para libertar o electro E m0 q
8 02 h 2
ion
adicional e deixar para trs um io positivo), pode ser estimada atravs da
modificao da teoria de energia de ionizao de um tomo de hidrognio.
A modificao consiste em substituir 0 com 120 (onde 12 o permissividade relativa de silcio) e recolocar m0 com a massa efectiva do electro, mn
13/08/2017 47
Semicondutores
TIPO N
Interpretao no diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo N
34 est./atm.
est./atm.
300K
10 electr./atm.
electr./atm. 0K
Energia
-
+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
O Sb gera um estado permitido na banda proibida, muito perto da banda de conduo.
A energia necessria para alcanar a banda de conduo consegue-se temperatura
ambiente.
13/08/2017 48
Semicondutores
TIPO P Impurezas do grupo III da tabela peridica: Al

Alumnio
Si Si Si necessria muito pouca
energia para ionizar o tomo de
Al.
Si Si
Al Si temperatura ambiente todos
+ - os tomos de impurezas se
encontram ionizados.
Si Si Si
A introduo de tomos trivalentes (como o Alumnio) num semicondutor puro (intrnseco) faz com
que apaream lacunas livres no seu interior. Como esses tomos recebem (ou aceitam) eltrons eles
so denominados impurezas aceitadoras ou tomos aceitadores. Todo o cristal puro de Silcio ou
Germnio, dopado com impurezas aceitadoras designado por semicondutor do tipo P (P de positivo,
referindo-se falta da carga negativa do eltron).
13/08/2017 49
Semicondutores
TIPO P
Impurezas grupo III

-
Al -
Al -
Al
-
Al
Electres livres -
Al -
Al
Carga mvel -
Al -
Al 300K
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al -
Al -
Al -
Al
Lacunas livres tomos de impurezas

Carga mvel ionizados Carga esttica
Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo P so as Lacunas livres.
Actuam como portadores de carga positiva.
Os portadores minoritrios de carga num semicondutor tipo P so os electres.
Actuam como portadores de carga negativa.
13/08/2017 50
Semicondutores
TIPO P
Interpretao no diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo P
4 est./atom. 300K
0K
Energia
EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 lacuna/atom.
O Al gera um estado permitido na banda proibida, muito perto da banda de valncia. A

energia necessria para que um electro alcance este estado permitido, consegue-se
temperatura ambiente, gerando uma lacuna na banda de valncia.
13/08/2017 51
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Germnio
TIPO N 0K
Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo V
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb
- -
- 4
3
- - -
Tem 5 electres de valncia na ltima camada.
A 0oK, h um electro adicional ligado ao tomo de Sb.
13/08/2017 52
Semicondutores
TIPO N 300K
0K
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - 5
- - -
- 1 5
- - - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Sb+
- -
- Sb 4
3
- - -
A 300K, todos os electres adicionais dos tomos de Sb esto desligados do
seu tomo (podem deslocar-se e originar corrente elctrica). O Sb um dador
e no Ge h mais electres que lacunas. um semicondutor tipo N.
13/08/2017 53
Semicondutores
TIPO N
Germnio dopado com Arsnio
300K
Electres livres
+
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb
+
Sb +
Sb +
Sb
tomos de impurezas ionizados
Os portadores maioritrios de carga

num semicondutor tipo N so electres
livres.
Crista\l.swf
13/08/2017 54
Semicondutores
TIPO N
Interpretao em diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo N
43 est./atm.
est./atm.
01 electr./atm. 0oKoK
300
Energia
electr./atm.
-
+-
ESb=0,039eV Eg=0,67eV
- -
- - 4 electr./atm.
O Sb gera um estado permitido na banda proibida, muito perto da banda de

conduo. A energia necessria para alcanar a banda de conduo, consegue se
temperatura ambiente.
13/08/2017 55
Semicondutores
TIPO P
Introduzimos pequenas quantidades de impurezas do grupo III
- - - -
0 oK
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al -
- 3
- - -
Tem 3 eltrons de valncia na ltima camada.
A 0oK, h uma falta de eltrons ligado ao tomo de Al.
13/08/2017 56
Semicondutores
TIPO P 0oK
300
- - - -
- - - - -
Ge - Ge - Ge - Ge
+
- - - -
- - 1 - -
2
-
- - - -
Ge - Ge Ge
Al
Al - - -
- - 4 (extra) -
3 -
A 300K, todos a faltas eltrons (lacunas) dos tomos de Al esto cobertas por
eltrons procedentes de tomos de Ge, nos quais geraram lacunas. O Al um
aceitador e no Ge h mais lacunas que eltrons. um semicondutor tipo P.
13/08/2017 57
Semicondutores
TIPO P
Interpretao em diagrama de bandas de um semicondutor extrnseco Tipo N
0oKoK
300
4 est./atom.
Energia
EAl=0,067eV
- Eg=0,67eV
+- - 4 electr./atom.
3 electr./atom.
- - 0 huecos/atom.
1 lacuna/atom.
O Al gera um estado permitido na banda proibida, muito perto da banda de valncia. A

energia necessria para que um electro alcance este estado permitido, consegue se
temperatura ambiente, gerando uma lacuna na banda de valncia.
13/08/2017 58
Semicondutores
Teoria Semicondutores Extrnsecos Resumo
Semicondutores intrnsecos:
Igual nmero de lacunas e de eltrons
Semiconductores extrnsecos:
Tipo P:
Mais lacunas (maioritrios) que eltrons (minoritrios).
Impurezas do grupo III (aceitadores).
Todos os tomos de aceitador ionizados -.
Tipo N:
Mais eltrons (maioritrios) que lacunas (minoritrios)
Impurezas do grupo V (dadores).
Todos os tomos de dador ionizados +.
13/08/2017 59
Semicondutores
Teoria Semicondutores
Diagramas de bandas do cristal
Cristal de Ge com m tomos
4m estados 0ooKK
300
Banda de
Energia
Conduo
- -
Banda de
- - +- - - -
- - - +- - - valncia
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - - Como que a distribuio dos
- - - - - -
- - - - - - electres, das lacunas e dos estados,
4m electres na realidade?
13/08/2017 60
Semicondutores
Funo de Fermi:
O Nvel de Fermi" o termo utilizado para descrever a parte superior do conjunto de nveis de
energia dos electres temperatura do zero absoluto. Este conceito vem da estatstica de Fermi-Dirac.
Os electres, pelo princpio de excluso de Pauli, no podem ter estados de energia idnticos. Assim, a
zero absoluto, ficam empilhados nos estados mais baixos de energia disponveis, e criar um "mar de
Fermi" de estados de energia. O nvel de Fermi a superfcie desse mar temperatura
Banda de Conduo E de zero absoluto, onde nenhum electro ter energia
suficiente para elevar-se acima dessa superfcie. O
conceito de energia de Fermi um conceito
Dc(E) extremamente importante para a compreenso das
Ec propriedades elctricas e trmicas de slidos.
Zona EF Intrnseco 0oKoK

proibida Altas temperaturas
300
No
h electres acima
Alguns
temperatura podem da
ambiente banda
algunsadeBanda
alcanar valncia
electres
de
Ev
o
atm
0 K,energia
umaevez que nenhum tem energia
conduo originarem
acima do nvelde
corrente elctrica.acima
Fermi
do nvel de Fermi e no h estados vazios na
Dv(E) zona proibida (Bandgap)
Banda de Valncia
0
f(E)
0,5 1
13/08/2017 61
Semicondutores
Funo de Fermi:
A funo de Fermi f(E) d a probabilidade de um determinado estado de energia
disponvel, ser ocupado por um electro a determinada temperatura. A funo de Fermi
vem de estatsticas de Fermi-Dirac e tem a forma
temperatura de zero absoluto, os fermies ocuparo os estados de energia abaixo do
nvel EF , chamado de nvel de Fermi, com uma (e s uma) partcula (electres), estando
limitados pelo principio de excluso de Pauli. A altas temperaturas, algumas partculas
podem elevar-se acima do nvel de Fermi.
Probabilidade de
1 A diferena
quntica que surge
que uma partcula
ter o nvel de f(E) = (E-EF)/kT
do fato de que as
partculas so
energia E. Fermi - Dirac
e +1 indistinguveis.
Ver a distribuio Maxwell-
Boltzmann, para discusso do termo
exponencial Para baixas temperaturas, os estados de energia
1 abaixo do nvel de Fermi EF, tero a probabilidade 1 e
Para E > EF : f ( E EF ) 0 os acima a probabilidade de zero.
1 exp ( )
1
Para E < EF : f ( E EF ) 1
1 exp ( )
13/08/2017 62
Semicondutores
Funo de Fermi:
f(E) a probabilidade de um estado de energia E, seja ocupado por um electro, em
condio de equilbrio.
EF= Nvel de Fermi
1
f(E) = (E-EF)/kT
k= Constante de Boltzmann
f(E) = 1.38 1023 J/K = 8.6 105 eV/K
1+e T= Temperatura absoluta
1
T=0oK
0,5
T=500oK
0 T=300oK
EF E
0
13/08/2017 63
Semicondutores
Funo de Fermi: temperatura de T= 0oK
A esta temperatura, na natureza, as partculas

procuram ocupar o estado de energia menor
possvel. Portanto, os electres num slido, tendem
a preencher os estados mais baixos de energia,
em primeiro lugar. Os electres preenchem os
estados disponveis, como a gua enche uma
panela de ferver gua, de baixo para cima.
temperatura de 0oK, todos os estados de baixa

energia esto ocupados, at o nvel de Fermi, mas
nenhum estado de energia maior que o nvel de
Fermi (EF) est ocupado.
13/08/2017 64
Semicondutores
Funo de Fermi: temperatura de T 0oK
Para T> 0, alguns electres podem ser excitados em

estados de maior energia. Isto semelhante a uma
panela de gua quente. A maioria das molculas de
gua ficam junto ao fundo da panela. O nvel de Fermi
como a linha de gua.
Uma frao de molculas de gua esto excitadas e
deslocam-se para cima da linha de gua, na forma de
vapor, assim como os electres podem, por vezes,
mover-se acima do nvel de Fermi.
A Funo de Fermi para temperaturas acima de zero.
Alguns electres flutuando acima do nvel de Fermi. A sua
densidade, a energias mais altas, proporcional funo
de Fermi.
13/08/2017 65
Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores
Lembre-se que um nvel da energia "pode conter vrios subnveis, todos com a
mesma energia. Cada subnvel chamado de "estado", e pode ser ocupado por um, e
s um electro.
Suponha que existem N estados permitidos na energia E.
Ento, a probabilidade de encontrar em estado na energia E,
ocupado, N xF(E).
Num semicondutor, nem todos os nveis de energia so
permitidos. Por exemplo, no h nenhum estado permitido
dentro da Zona Proibida (Bandgap). Para fazer-mos uso da
Zona Proibida funo de Fermi, ns precisamos de outra funo que tenha
unidades de estados, por nvel de energia, por volume.
Num slido com vrios tomos, um grande nmero de
estados aparecem em nveis de energia muito prximos uns
dos outros. Ns aproximados estados, como se fossem uma
banda contnua, e imaginar que um "nvel de energia" o
mais pequeno intervalo de energia de largura dE.
A densidade de electres num semicondutor, mostrando como a funo
de Fermi modulada pela densidade de estados permitidos (que
igual a zero no interior da Zona proibida).
13/08/2017 66
Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados
N (E) a fraco de todos os estados permitidos, dentro dos nveis de energia E, e E
+ dE. Esta uma funo de densidade, significando: 0N (E) =1.
Ento, a funo de Fermi diz-nos a probabilidade de um
estado estar ocupado. A densidade de estados
complementa a funo de Fermi, dizendo-nos quantos
estados existem realmente num material especfico.
Podemos multiplicar N (E) e F (E) em conjunto, resultando

em unidades de electres por nvel de energia, por unidade
de volume:
Zona Proibida
Pela integrao de todos os nveis de energia, obtemos o

nmero total de electres. Integrando somente sobre a
banda de conduo EC, obtemos o nmero total de
electres mveis (ou seja, os electres que podem
participar na corrente eltrica). Seja n a concentrao total
(por volume) de transportadores mveis na banda de
conduo. Ento n dado por:
n F E N E dE
E
0
EC
13/08/2017 67
Semicondutores
Funo de Fermi: Nos semicondutores Densidade de Estados (Cont.)
Onde E0 , o topo da banda de conduo, chamado de nvel
n F E N E dE
E0
de vcuo. Um electro com energia maior que E0, j no est
EC
confinado ao slido, e pode viajar pelo espao.
Em condies normais, para aproximaes das densidades de portadores de carga.
Na Banda de Conduo, a densidade de estados toma a frmula:
2 NC E EC
N E
- Sendo NC:

N C 2 mn kT / h
2 3/2
Para Si = 12 , para GaAs, = 2 .
kT 3/2
Aproximao Parablica
Dentro das bandas a energia, os estados de interesse podem ser expressos relativamente
mnima (B.C.)/mxima (B.V.) energia: 2k 2 2k 2
(E na BC ): E EC *
(E na BV ): EV E
3/2 2m C 2m*V
1 2m *C

1/2
(E-E ) , na B.C. m*C - a massa efetiva dos electres para efeitos de clculo da
2
2 2 C
densidade de estados (NC)prximo do mnimo da B.C. (m*C m*e).
D (E ) 3/2 m* V - a massa efetiva das lacunas para efeitos de clculo da
1 2m *V densidade de estados (NV)prximo do mximo da B.V. (m*V m*d).
2 (EV -E) , na B.V.
1/2
2 Si. mc* = 1,10m0 mv* = 0,56 m0 Ge: mc* = 0,55m0 mv* = 0,31 m0 GaAs: mc* = 0,068 m0 mv* = 0,5 m0
2
13/08/2017 68
Semicondutores
Electres vs lacunas (buracos).
Num semicondutor slido em equilbrio trmico, cada
electro mvel, deixa para trs, um buraco ou lacuna
na banda de valncia.
Uma vez que as lacunas tambm so mveis,

precisamos de explicar a densidade de "estados de
lacunas" que ficam na Banda de Valncia. Porque
uma lacuna um estado no ocupado, a
probabilidade de uma lacuna mvel, existir no nvel
de energia E, dada por:
1 F (E )
Se no for ocupado por um electro, logo uma lacuna
13/08/2017 69
Semicondutores
Electres vs lacunas (buracos).
Porque as lacunas tambm so mveis, devemos cont-las
quando se considera a concentrao total de cargas mveis.
Seja p a concentrao total de cargas mveis na banda de
valncia:
1 F E N E dE
EV
p

Na banda de conduo, a densidade de estados de

buracos :
NV EV E
N E
2

kT 3/2
- Sendo NV:
NV 2 2 mp kT / h2 3/2
A densidade de electres mveis na banda de conduo, e a

densidade correspondente de lacunas mveis na banda de valncia.
13/08/2017 70
Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Intrnseco em equilbrio
Electres
Estados possveis Ev
Dc(E)
E
1-f(E)

p = Dv (E)(1-f(E))dE = n
-
Ec
EF
Ev
O nvel de Fermi, tem que ser
Dv(E) tal, que as reas que
f(E) representam lacunas e
electres, sejam idnticas
(sem. intrnseco)
Lacunas
Estados possveis 0 0,5 1
13/08/2017 71
Semicondutores
Nos semicondutores intrnsecos o Nvel de Fermi situa-se prximo do meio da Banda
proibida (gap) e os estados considerados tm energias E muito distantes desse nvel de
energia.
NOTA: kBT 0,026 (eV), temperatura ambiente (T = 300o K). Portanto, nos materiais
semicondutores (Eg1 eV):
Densidade de Estados prximos do mnimo da Banda de Conduo/Mximo da Banda de

Valncia:
..
13/08/2017 72
Semicondutores
Independentemente de se tratar de um semicondutor puro (intrnseco) ou de um material dopado
(extrnseco), desde que se tenha [E EF] >> kBT de modo que a Distribuio de Fermi f(E), possa ser
aproximada da Distribuio de Boltzmann fB(E), as expresses obtidas para n e p sero vlidas como
excelentes aproximaes para o clculo das populaes de portadores-livres nas respectivas bandas de
energia.
Nvel de Fermi: Localizao no Semicondutor Intrnseco
EF = Ei
- Quando se trata especificamente de um semicondutor intrnseco:
n = p= ni
-Com isso, tem-se que:
- Note que:
(i.e, Ei no meio do gap)
- Para T = 3000 K, tem-se que kBT 0,026 eV << Eg e assim: Somente quando T =0o K, uma vez que mv* mc*.
Finalmente, observe que:
13/08/2017 73
Semicondutores
Funo de Fermi: Concentrao de lacunas e electres em sem. Intrnsecos, Extrnsecos N e P
nnn 1-f(E)
1-f(E)
Baixa o nvel de
Sobe o nvel de
Fermi
Fermi
p
p
p f(E)
f(E)
Semiconductor extrnseco tipo P

NumSemiconductor intrnseco
semicondutor tipo n, o nvel de Fermi acima do nvel intrnseco e num semicondutor
Semiconductor extrnseco
tipo p o nvel de Fermi abaixo do nvel intrnseco. tipo N
13/08/2017 74
Semicondutores
f(E) = Probabilidade de ocupao por um electro (banda de conduo).
1-f(E) = Probabilidade de ocupao por uma lacuna (banda de valncia).
Diagrama de
EBandas de Energia
E Densidade
estados
de
E Probabilidades de
ocupao
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
n NC exp EC EF / kT
Dc(E)
Banda de Conduo
f(E)
ni
n(E)
- - -
Ec -- - - - - - - - - - -
Eg
Zona
EF E
EF= (EC-EV)/2 proibida F T0 T=0
Ev
p(E)
Dv(E) 1-f(E)
p NV exp EF EV / kT
Banda de Valncia
Banda de Valncia ni
N(E) 0 0,5 1 f(E)

13/08/2017 75
Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo N
Diagrama de Densidade de
EBandas de Energia
E estados
E Probabilidades
ocupao
de
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
Dc(E)
- - - - - - - - - - n(E)
- - - - - - ---
Ec - - - - - - - - - -
ED
ED Nvel do dador
np ni
2
EF
Eg
Ev
Dv(E) p(E)
Banda de Valncia
N(E) 0 0,5 1 f(E)

13/08/2017 76
Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo P
Diagrama de Densidade de
EBandas de Energia
E estados
E Probabilidades
ocupao
de
E Distribuio de
portadores de carga
Banda de Conduo
Dc(E)
n(E)
Ec - - - - - - -
Eg
np ni
2
EF
EA Nvel do aceitador EA
Ev
p(E)
Dv(E)
Banda de Valncia
N(E) 0 0,5 1 f(E)

13/08/2017 77
Semicondutores
Funo de Fermi: Semicondutor Tipo N/P
Onde est localizado o nvel de Fermi EF, nas Banda de energia de Silcio, a 300oK , com n =
1017cm3?
Ec EF = kT ln(Nc n)
=0.026 ln2.8 x1019 / 1017
= 0.146 eV
E com p = 1014cm3?
EF Ev = kT ln(Nv p)
=0.026 ln1.04 x1019 / 1014
= 0.31eV
13/08/2017 78
Semicondutores
Diagrama de Bandas de um Semicondutor, na presena de um campo elctrico
Em equilbrio (sem campo externo )

EC
Todas as
energias so E Semicondutorpuro sem dopagem
horizontais
EV
Como que essas energias vo mudar quando lhe aplicarmos um campo elctrico?
+ -
EC
qV Ef
e-
Tipo - n E
Campo Elctrico Buraco (h)

Movimento dos Electres EV
Movimento dos buracos
13/08/2017 79
Semicondutores
Diagrama de Bandas de um Semicondutor, na presena de um campo elctrico
Com campo externo aplicado
Com um campo aplicado, as bandas de energia inclinam-se para baixo consoante o
semicondutor. Num semicondutor do tipo p, os electres fluem da esquerda para a direita
e os buracos da direita para a esquerda, para ocuparem os nveis mnimos de energia
e-
EC
- + qV
E
Ef
Tipo - p EV
Campo Elctrico
Movimento dos Electres Buraco (h)
Movimento dos buracos
13/08/2017 80
Semicondutores
Concentrao de portadores de carga
Nc - chamada de densidade efectiva de estados na Banda de conduo

como se todos os estados de energia da Banda de

3/2
Conduo, fossem comprimidos num nico nvel de Nc 2 2 m n kT

energia, Ec, que pode conter Nc electres (por centmetro h2
cbico).
A concentrao de electres simplesmente o produto de Nc com a probabilidade dos
EC E F ) / kT
estados de energia em Ec, de serem ocupados.
n NC e
A expresso para a concentrao de lacunas (ou buracos) pode ser derivada da
mesma maneira. A probabilidade de um estado de energia ser ocupado por um por
uma lacuna a probabilidade de no ser ocupado por um electro, isto , 1 - f (E).
Nv - chamada de densidade efectiva de estados, na Banda de Valncia

Diferem porque mn e mp so diferentes
2 m p kT
3/2
Valores de Nc e Nv para Ge, Si, e GaAs 300o K. Nc 2 2

Germnio Silcio GaAs h
p NV e EF EV ) / kT
Nc (cm3) 1.04 1019 2.8 1019 4.7 1017
Nv(cm3) 6.0 1018 1.04 1019 7.0 1018
13/08/2017 81
Semicondutores
n: Concentrao de electres (cm3).

p: Concentrao de Lacunas (ou buracos), (cm3).
ND: Concentrao do Dador (cm3).
NA: Concentrao do Aceitador (cm3).
Condio de carga neutra: ND + p = NA + n
No equilbrio trmico, np = ni2 "Lei da aco das massas":
N NA N NA
2
n D D ni
2
2 2
N ND N ND
2
p A A ni
2
2 2
13/08/2017 82
Semicondutores
ND= concentr. dador NA= concentr. aceitador
Neutralidade elctrica: (O semicondutor intrnseco era neutro, a sustncia dopante

tambm, pelo que tambm o ser o semicondutor extrnseco):
Dopado tipo N: n = p + ND
Dopado tipo P: n + NA = p
Ambos dopados: n + NA = p + ND
Eg
Produto np pn =ni2 ni exp
k BT
Simplificaes se ND >> ni Simplificaes se NA >> ni

n=ND NDp = ni2 p=NA NAn = ni2
13/08/2017 83
Semicondutores
Semicondutor Tipo P/N
Qual a concentrao de buracos, num semicondutor tipo N, com uma concentrao

dadores na ordem de 1015cm3 ?
Para cada dador ionizado, um criado um electro, portanto, n = 1015 cm-3.
Com um aumento modesto da temperatura de 60 C, n,
continua o mesmo em 1015 cm-3, enquanto que p aumenta por
um factor de cerca 2.300, porque ni2 aumenta de acordo
com:
Qual n, se p = 1017 cm-3 numa pastilha de silcio tipo P?
13/08/2017 84
Semicondutores
Relaes entre n, p e ni
(EF-Ec)/kT Ec EF = kT ln(Nc n)

n= Dc (E)f(E)dE Nc
Ec
e Nc uma constante que depende de T3/2.
Ev (Ev-EF)/kT Nv outra constante que depende de T3/2.

p = Dv (E)(1-f(E))dE Nv
-
e
(Ev-EFi)/kT (EFi-Ec)/kT
Particularizamos para o
caso intrnseco:
ni = pi = Nve = Nce
(EF-EFi)/kT (EFi-EF)/kT
Eliminamos Nc e Nv: n = nie p = nie
Finalmente obtemos:
pn =ni2
13/08/2017 85
Semicondutores
Movimento de portadores de carga
Fenmenos de difuso
A difuso ocorre devido no homogeneidade de concentrao os portadores difundem-se de
onde a concentrao mais elevada para onde a concentrao for menor.
Como so partculas carregadas, este movimento dN
resulta em correntes de difuso: Que obedecem F D
Lei de Fick: dx
D: Coeficiente de difuso.
N: concentrao de portadores.
As correntes de difuso de electres e buracos, pode ser calculada a partir do fluxo:
Dn: coeficiente de difuso de electres, Dp: coeficiente de difuso de buracos ou lacunas.

Os sinais indicam que a corrente de difuso de buracos oposta dos electres.
Correntes TOTAIS (arrasto+ difuso)
A corrente total num semicondutor em geral, (com ambos os tipos de portadores) obtida pela soma
das componentes durante o arrastamento e difuso dos dois tipos de portadores:
+ I In I p
13/08/2017 86
Semicondutores
Fenmenos de gerao-recombinao (g-r)

Em equilbrio trmico: Para uma dada temperatura, os portadores possuem uma energia trmica:
Alguns electres podem atingir a BC, deixando um buraco na BV,

gerado um par e-h (electro-Buraco) fenmeno da Gerao.: Gth =2
Este fenmeno caracterizado por um nmero: Gth (nmero de pares
gerados por unidade de volume e tempo.
Tambm um electro da BC pode passar o BV (desaparece um par electro-buraco)

fenmeno da recombinao
Este fenmeno caracterizado por um nmero: Rth (nmero de pares
recombinados por unidade de volume e tempo.
Rth =1
importante, salientar que em equilbrio, ambos os fenmenos se
compensam:
(de modo a manter a validade da lei da aco das massas). Sendo n0 e p0 as densidades de electres e buracos na
BC e BV em situao de equilbrio.
13/08/2017 87
Semicondutores

Sem equilbrio trmico: quando actuou uma causa externa no semicondutor: n.p ni2 sendo n e p as
novas concentraes de e- e h+.
Para que um semicondutor apresente comportamentos no-lineares, devemos estud-lo como um
sistema fora do equilbrio termodinmico. No equilbrio termodinmico, isto , na ausncia de
campos eltrico e magntico externos, ou excitaes pticas, o semicondutor caracteriza-se:
(a) pela uniformidade entre a distribuio de defeitos e cargas livres;
(b) pelo equilbrio trmico mesma temperatura entre os portadores de cargas (electres e
buracos) e a rede cristalogrfica (fones);
(c) pelo equilbrio qumico um potencial eletroqumico uniforme dos portadores, nvel de
Fermi EF.
Fora do equilbrio termodinmico, o semicondutor pode se apresentar as seguintes formas:
h uma distribuio espacial da temperatura no semicondutor;

h uma dependncia espacial para o nvel de Fermi;
a temperatura dos portadores livres e da rede diferente;
o nvel de Fermi se divide em quase nveis de Fermi distintos para electres e buracos.
Ou, numa combinao destas opes.
13/08/2017 88
Semicondutores
Existe uma variedade de mecanismos de Gerao/recombinao:
Ee Directo, Banda para Banda Emisso Auger
G R
Ee
EC
G R
hv hv
EC
EV
x
EV
Ee Indirecta via centros R-G
x
G R
EC
R-G Center Energy Level
EV
x
89
13/08/2017 89
Semicondutores
O movimento dos electres e lacunas (partculas carregadas) conduz uma corrente elctrica
Esta corrente o modo de funcionamento de dispositivos electrnicos que, por sua vez,
controlam a corrente na malha onde esto localizados. Vejamos os diferentes fenmenos que
esto expostos os portadores de carga:
Movimento aleatrio trmico, Arraste ou deslocamento, Difuso, Gerao-recombinao
Movimento aleatrio trmico:
Em equilbrio trmico, os transportadores no interior do semicondutor esto sempre em
movimento trmico aleatrio.
Mecnica estatstica diz-nos que um portador a uma temperatura T, tem uma energia trmica
mdia de 3KBT/2:
1 2
Essa energia trmica serve para mover-se (convertida em energia cintica):
m*: massa efectiva do portador, KB: Constante de Boltzmann
m * vth2 k BT
KBT (300K): 0.026 eV
2 3
Os transportadores movem-se rapidamente dentro do cristal, em todas as direes alternando

caminhos livres e colises com tomos da estrutura. Em equilbrio trmico e sem campo eltrico
aplicado (E = 0), o movimento de todos os transportadores cancela-se e a corrente mdia, em
qualquer direco zero.
13/08/2017 90
Semicondutores
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva
Quando aplicado o campo E: os transportadores sofrem uma fora de: F=-e.E, para
os electres, acelerados no sentido oposto ao campo, e F= e.E, para as lacunas,
aceleradas no sentido do campo elctrico aplicado.
Essas foras proporcionam uma acelerao (2 lei de Newton) em que a velocidade

mdia se pode escrever (estatisticamente):
e p e n mn*: Massa efectiva de electres.

vdp E pE vdn E n E n: Tempo mdio entre choques.
m *p m *n n: Mobilidade dos electres.
Os valores de : m*, , e , so prprios de cada tipo de portador e do semiconductor.
Em geral mp*> mn*, e n=p vdn>vdp
13/08/2017 91
Semicondutores
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva
Electres e buracos iro movimentar-se sob a influncia de um campo elctrico
aplicado, uma vez que este campo vai exercer uma fora sobre os portadores de carga
(electres e lacunas).
F qE
Desse movimento resulta uma corrente de deriva: Id
I
d : Corrente de deriva. I d nqVd A
Vd : Velocidade de deriva de portadores de carga.
A: rea do semicondutor
n: Nmero de portadores de carga por unidade de volume.
q : Carga do electro.
13/08/2017 92
Semicondutores
Aplicao de um campo eltrico (E): arrasto ou deriva Externo
Clculo das correntes de arrasto

Considerando um pedao homogneo de
Vn n E A Vp p E
semicondutor de rea transversal A e de
comprimento L. L
Semicondutor tipo N homogneo:
A corrente eltrica (nmero de transportadores que atravessam uma superfcie por
unidade de tempo) :
I n eAvdn eAn E
O campo elctrico constante e depende da diferena de potencial aplicado externamente,
entre as extremidades: E=v/L
A resistncia da amostra, est relacionada com a sua condutividade / resistividade:
Substituindo na equao acima, obtm-se que, um semicondutor L 1 L
obedece lei de Ohm. R
n
n n
A A
V V V Sendo a Resistividade:
I n eAn A n
L L Rn n en
13/08/2017 93
Semicondutores
Clculo das correntes de arrasto, deriva, deslocamento

Semicondutor com ambos os tipos de portadores:
I In Ip A( n p )
V I
( n p )
V J ( n p ) E T E
L A L
13/08/2017 94
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga ().
Vd
Compreenso macroscpica:
E q
Entendimento microscpico? (o que os portadores fazem?) *
me* ; n type m
mh* ; p type No Geral : me mh
* *
Num cristal perfeito:

0
um supercondutor
Um cristal perfeito tem uma periodicidade perfeita e, portanto, o potencial visto por um
transportador num cristal perfeito, completamente peridico.
Portanto, os cristais no tem nenhuma resistncia ao fluxo de corrente e se comportam
como um supercondutor. O potencial peridico perfeito no impede o movimento dos
portadores de carga.
No entanto, num dispositivo real ou especimen, a presena de impurezas, a

temperatura, etc, criam uma resistncia ao fluxo de corrente.
13/08/2017 95
Semicondutores
A presena de impurezas e alteraes de temperatura perturbam a periodicidade do

potencial visto por um transportador de carga.
A mobilidade tem dois componentes: interao da sua estrutura, e a Componente de
interao da impureza.
Velocidade trmica:
Suponha que um cristal semicondutor est em equilbrio termodinmico (ou seja, no h
nenhum campo aplicado). Qual ser a energia do electro, a uma temperatura finita?
O electro ter uma energia trmica kT / 2 por grau de liberdade. Assim, em 3D, o
electro ter uma energia trmica de: 3kT 1 * 2 3kT 3kT
E m Vth Vth
2 2 2 m
Uma vez que no h nenhum campo aplicado, o movimento dos
Vth : Velocidade trmica do electro
transportadores de carga vai ser completamente aleatrio. Esta 1
aleatoriedade resulta sem nenhum fluxo de corrente lquida. Como Vth T 2
resultado da energia trmica h quase um igual nmero de

Vth m* 2
1
transportadores que se deslocam para a direita como para a esquerda,
como para fora ou para cima como para baixo.resultado zero.
13/08/2017 96
Semicondutores
Velocidade trmica: Clculo
Calcular a velocidade de um electro num pedao de silcio do tipo n, devido a sua
energia trmica na RT e, devido aplicao de um campo elctrico de 1000 V / m no
pedao de silcio.
Vth ? RT 300T me 1.18 m0
Vd ? E 1000V / m 0.15m2 /(V s)
3kT
Vth Vth 1.08 10 5 m / sec
m*
Vd E Vd 150m / sec
Quanto tempo dura o movimento de um portador, no tempo, antes da coliso?
O tempo mdio entre colises chamado de tempo de relaxamento (ou tempo mdio
livre)?
Qual a distncia percorrida no espao por um portador antes de uma coliso?
A distncia mdia entre colises, chamada de caminho livre mdio, l
13/08/2017 97
Semicondutores
Velocidade de deriva: Clculo F
Velocidade de deriva = acelerao x tempo mdio livre: Vd *
A fora devida ao campo aplicado, F = qE m
F qE q
Logo: Vd Vd E
m* m* m*
Calcule o tempo mdio livre e caminho livre mdio, para os electres num pedao de
silcio tipo N e para os buracos num pedao de silcio do tipo P.
? ? me* 1.18m0 mh* 0.59m0
e 0.15m 2 /(V s) h 0.0458m 2 /(V s)
eme* m *
e 10 12 sec h h h 1.54 10 13 sec
q q
vthe 1.08 10 5 m / s vthh 1.052 10 5 m / s
e vthe e (1.08 10 m / s)(10 12s) 10 m
5 7
h vthh h (1.052 10 m / s)(1.54 10 s) 2.34 10 m

5 13 8
13/08/2017 98
Semicondutores
Velocidade de deriva: Saturao da velocidade
Segundo a equao Vd
E pode-se fazer um portador ir to rpido quanto
ns gostamos, apenas aumentando o campo elctrico! Ser?
Vd
Vd para e-
Para buracos (h)
E E
(a) Linear? (b) Saturao da velocidade de deriva
Qualquer aumento de E aps o ponto de saturao, no aumenta Vd, e aquece o cristal.
13/08/2017 99
Semicondutores
Mobilidade de transportadores de carga (). Variaes com a Temperatura

T T
Alta temperatura
O pico depende da Baixa temperatura
densidade de L diminui quando a temperatura aumenta.
impurezas
3

3
ln ( ) C1= Constante L C1 T 2 T 2
1 1 1 Os portadores esto mais propensos a se
espalharem pelos tomos da estrutura..
T L I I diminui quando a temperatura diminui.
3
C2= Constante I C2 T
I L
2
Os portadores esto mais propensos a se

Esta equao chamada de espalharem pelas impurezas ionizadas
ln( T )
regra de Mattheisen.
13/08/2017 100
Semicondutores
(v) Velocidade.
n () Mobilidade.
(E) Campo Elctrico.
Densidade de corrente de Electres:
J n (q)nv q n n E
Densidade de corrente de Lacunas:
p
J p ( q) pv q p p E
A Mobilidade depende de ND+NA !!!!!

Relacionamento de Einstein
Uma vez que tanto a mobilidade como a difuso so fenmenos termodinmicos estatsticos, D e no so
independentes. A relao entre estes dada pela equao de Einstein: D p D
n
VT
onde VT o "equivalente volts de temperatura" definido pela: p n
kT T kT
VT V 25 mV at room temperature
q 11600 q
13/08/2017 101
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm).
1/ (qn n qp p )
1/qn p para tipo "p"

1/qnn para tipo "n"
Boro
Fsforo
Dopant density versus resistivity at 23C (296o K) silicon doped

with phosphorus and with boron. The curves can be used with little
error to represent conditions at 300o K.
13/08/2017 102
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm). Variaes com a Temperatura
Por que que a resistividade dum metal, aumenta com a temperatura e a resistividade dos
semicondutores diminui com o aumento de temperatura?
11

nq
Este propriedade utilizada num dispositivo semicondutor real, chamado um
termistor, que utilizado como um elemento sensor de temperatura.
O termistor uma resistncia sensvel temperatura, isto a sua resistncia, est

relacionada com a sua temperatura. Ele tem um coeficiente de temperatura negativo,
indicando que a sua resistncia vai diminuir com um aumento da sua temperatura.
13/08/2017 103
Semicondutores
Resistividade Elctrica () (em ohm/cm).
Exemplo 1- Boro com 1015/cm3 adicionado a Si puro

NA = 1015/cm3 , ND = 0 Si do tipo - p
Portanto p 1015/cm3 , n 2 x 105/cm3
Resistividade= 1/ (qnn + qp p) 1/ qp p = 1/ (1.6 E-19 x 1E15 x 470)= 13.3 -cm
Usando p = 470 cm2/volt-sec da tabela p vs concentrao total (curva)
Exemplo - Arsnio com 1017/cm3 adicionado produto anterior ( Si +B)

NA = 1015/cm3 , ND = 1017/cm3 Si do tipo - n
Portanto n 1017/cm3 , p 2 x 105/cm3
Resistividade= 1/ (qnn + qp p) 1/ qp p = 1/ (1.6 E-19 x 1E17 x 720)= 0,087 -cm
Usando n = 730 cm2/volt-sec da tabela p vs concentrao total (curva)
O Si tipo-p convertido em tipo-n pela adio de mais doadores do que receptores

originais "compensao dopante
13/08/2017 104
Semicondutores: Processamento
Silcio
A partir de 1954, passou-se a usar mais o Silcio do que Germnio, como semicondutor
base. Porqu?
4 Electres livres/Valncia
Foi por uma questo simples: o silcio muito barato. Ele o segundo elemento mais
abundante na Terra, perdendo apenas para o oxignio. Cerca de 28% de toda a crosta
terrestre formada de silcio. Mas ele no encontrado em estado puro
A sua Abundncia mais comum est sob a forma de xidos (silcio combinado com
oxignio - SiO2). Nesta combinao ele compe uma famlia de minerais chamada de
silicatos.
13/08/2017 105
Silcio
Quando purificado, o silcio cinza-escuro. Para a produo de transstores e

circuitos integrados em geral, o silcio no extrado de nenhum mineral. Ele
produzido artificialmente, em equipamentos de alta presso chamados
autoclaves. Ele produzido em lingotes circulares, que so posteriormente
"fatiados".
A fabricao de transstores exige uma pureza de 99,9999999%; isto significa um
tomo estranho presente em cada 1000 milhes de tomos de silcio. (Pureza de
1 em 109) ( Cadinho -Vaso para fundir metais)
13/08/2017 106
Silcio
Silcio : Si - Descobridor : Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (Sueco) Ano : 1823
No estado puro, tem propriedades Fsicas e Qumicas parecidas com as do Diamante.
Sob a forma de Dixido de silcio (slica) [SiO2] encontrado na natureza numa
variedade de formas: quartzo, gata, jaspe, nix, esqueletos de animais marinhos.
A sua estrutura cristalina d-lhe propriedades semicondutoras. No estado muito puro e

com pequenas quantidades (dopagem) de elementos tais como o boro, o fsforo e o
arsnio o material de base para a construo de chips da actual electrnica .
Silcio
13/08/2017 107
Silcio
13/08/2017 108
Semicondutores - Extrnseco
TIPO P
-
Al -
Al -
Al
-
Al
-
Al -
Al
-
Al
Impurezas grupo III
-
Al
-
Al -
Al
-
Al
-
Al
-
Al
300oK
-
Al -
Al -
Al
Lacunas livres tomos de impurezas ionizados

Os portadores maioritrios de carga num semicondutor tipo P so Lacunas. Atuam como portadores
de carga positiva.
Num semicondutor extrnseco do tipo P as lacunas esto em maioria designando-se por portadores
maioritrios da corrente elctrica. Os eltrons, por sua vez, esto em minoria e designam-se por
portadores minoritrios da corrente eltrica.
Num semicondutor extrnseco do tipo N os eltrons esto em maioria designando-se por portadores
maioritrios da corrente eltrica. As lacunas (que so a ausncia de um eltrons), por sua vez, esto
em minoria e designam-se por portadores minoritrios da corrente eltrica.
13/08/2017 109
A juno P-N
A Juno P-N em equilbrio
- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
Semicondutor tipo P Semicondutor tipo N
Ao unir um semicondutor tipo P com um de tipo N, aparece uma zona de carga espacial
denominada zona de transio.
13/08/2017 110
A juno P-N
A Juno P-N em equilbrio

Zona de transio
- - - + + + +
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
Semicondutor tipo P Semicondutor tipo N

Quando nenhuma voltagem est aplicada - juno + P-N, os eltrons do material tipo-N preenchem as
lacunas do material tipo-P ao longo da juno entre as camadas, formando uma zona carga
espacial. Que atua como uma barreira passagem dos portadores maioritrios de cada zona. O
material semicondutor volta ao seu estado isolante original - todas as lacunas esto preenchidas, de
modo que no h eltrons livres logo no flui corrente
Zona de
Tipo P Tipo N Carga
espacial
13/08/2017 111
A juno P-N
A Juno P-N , polarizada inversamente.
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
A zona de transio torna-se ainda maior. Com polarizao inversa no h circulao de

corrente.
13/08/2017 112
A juno P-N
A Juno P-N , polarizada diretamente.
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
A zona de transio torna-se mais pequena. A corrente comea a circular a partir de um

certo nvel de tenso direta.
13/08/2017 113
A juno P-N
A Juno P-N , polarizada diretamente.
P - - - + + + + N
- - +
- + +
- +
- +
- +
- - - +
- + +
- - - + + +
Concentrao de Lacunas Concentrao de eltrons

+
A recombinao eltron-lacuna faz com que a concentrao de eltrons na zona P e de

lacunas na zona N diminuam ao aproximarem-se da zona de unio.
13/08/2017 114
A juno P-N
Dadores
Ionizados
Juno
P N
- - + +
- - + +
- - + +
- - + +
Zona de Carga espacial
(OU)
Zona de Deplexo
Barreira Potencial (V0)
Largura da barreira de
Potencial
13/08/2017 115
A juno P-N
Diodo Semicondutor
Concluses:
Aplicando tenso inversa no h conduo de corrente.
Ao aplicar tenso directa na juno, possvel a circulao de corrente

elctrica.
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
13/08/2017 116
13/08/2017 117
13/08/2017 118
Bibliografias
Introduccin a la Electrnica de Dispositivos - Javier Sebastin Ziga - Universidad de Oviedo

http://www.williamson-labs.com/480_xtor.htm
http://www2.eng.cam.ac.uk/~dmh/ptialcd/
http://www.infoescola.com/quimica/dopagem-eletronica/
http://content.tutorvista.com/physics_12/content/media/pn_junct_diode.swf
http://www.prof2000.pt/users/lpa
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch1.pdf
chapter15 Photons in Semiconductors.pdf
http://cnx.org/content/m13458/1.1/
EE143 Lecture#4 -Professor Nathan Cheung, U.C Berkeley
Semicondutores_Intrinsecos_24052010.pdf
Electrnica C -Mara Jess Martn Martnez. pdf
13/08/2017 119

Semicondutores Junopn 130801064127 Phpapp01

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Semicondutores Junopn 130801064127 Phpapp01

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Semicondutores: Juno P-N

O nmero de eltrons disponveis depende dos nveis eletrnicos de um dado material e

A condutividade :Capacidade dos materiais de conduzirem ou

Resistividade eltrica (tambm resistncia eltrica especfica) uma medida da oposio

Ela simplesmente o recproco da resistividade, ou seja, inversamente proporcionais e

1 Metais 107 (m)-1

A concentrao de portadores de carga (n), aumenta

ne O tempo de relaxao tem uma variao pequena

CONCLUSO: a resistividade (), diminui com a temperatura.

Resistividade dos semicondutores:

Cristal simples, policristalinos e amorfos, so os trs tipos gerais de slidos.

Quando os tomos se unem para formarem as molculas de uma substncia, a

O Germnio e o Silcio possuem uma estrutura cristalina

Policristal um material constitudo por um agregado de muitos pequenos cristais

Amorfo-Slido (no cristalino) constitudo por tomos orientados

A estabilidade dos eltrons no nvel externo, determina se um material feito de um elemento, um

Nos condutores, os eltrons tm ligao

Ao aplicarmos uma diferena de potencial entre o condutor acima ...

Os eltrons de valncia (os da ltima camada) esto

A ligao metlica resulta da partilha de um nmero

Portanto, os metais tem elevada condutividade eltrica e trmica.

Prata Porque a camada mais externa da banda est

Este fluxo de eltrons livres o que faz da

A rbita mais externa do Non e do rgon, pode ter no mximo 8

Esta estrutura electrnica estvel, o que faz do Non e do

Os Isoladores tm os eltrons da sua

Ao aplicarmos uma diferena de potencial entre o condutor acima ...

Semicondutores Teoria Semicondutores Bandas de Energia

SEMICONDUTOR ISOLANTE CONDUTOR

Semicondutores Teoria Semicondutores Bandas de Energia

Semicondutores Teoria Semicondutores Bandas de Energia

Semicondutores Teoria Semicondutores Bandas de Energia

tomo de Carbono Ncleo

1s2 2s2 2p2 -Electro de valncia

Diagrama de Bandas do Carbono: - Diamante

Diagrama de Bandas do Carbono: - Grafite

4 estados/tomo Banda de conduo

No h banda proibida. Os electres da banda de valncia tm a mesma energia

tomo do Germnio Nmero

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s2 3d10 4p2

Diagrama de Bandas do Germnio:

Eg=0,67eV Banda proibida

tomo de Silcio Ncleo Estados de

Diagrama de Bandas do Silcio:

Eg=1,09eV Banda proibida

Banda de Banda de Banda de

Banda de valncia Banda de valncia Banda de valncia

Isolante Semicondutor Condutor

O silcio tem uma valncia de quatro ou seja,

Cada tomo de silcio, partilha os seus quatro

Estes electres compartilhados de ligao - so

O conceito de semicondutor intrnseco est relacionado ao cristal que, no-intencionalmente, no

Por outro lado, um semicondutor dopado possui, intencionalmente, cerca de um tomo de

Si: silcio Efeitos da temperatura

Si: silcio Efeitos da temperatura

temperatura de zero graus absolutos (Kelvin) (-273oC) comporta-se como um isolante,

Ge Si As Ga Ge: ni = 21013 portadores/cm3

H diversas formas de se provocar o aparecimento de pares electro-lacuna livres no

Na prtica, contudo, necessitamos de um cristal semicondutor em que o nmero de

Quando so adicionadas impurezas a um semicondutor puro (intrnseco) este passa a

Na prtica, contudo, necessitamos de um semicondutor em que o nmero de electres

A finalidade dotar os semicondutores de propriedades de semiconduo controlada

TIPO N Impurezas do grupo V da tabela peridica: Sb

TIPO P Impurezas do grupo III da tabela peridica: Al

Em geral mp> mn, e n=p vdn>vdp