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DIODOS Y TRANSISTORES DE

POTENCIA
PRINCIPIOS BASICOS DE
FUNCIONAMIENTO
CONTENIDO
Caractersticas de los semiconductores de
potencia.
Definicin del Diodo de potencia.
Caractersticas principales del diodo.
Estudio del diodo:
Caractersticas estticas.
Caractersticas dinmicas.
Caractersticas de potencia.
Conexiones de los diodos de potencia.
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los semiconductores utilizados en la electrnica
de potencia trabajan como llaves o interruptores.

Nuestro inters en ellos radica en conocer:


Sus caractersticas de conduccin.
Sus caractersticas de conmutacin.
Los mtodos de control sobre ellos.
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Simbologa empleada para describir los
parmetros elctricos de un semiconductor de
potencia
DIODO DE POTENCIA
Es el elemento rectificador de potencia ms comn.

Caractersticas:

Presenta dos estados bien diferenciados: corte y conduccin.


El paso de uno a otro no es instantneo y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a frecuencia, es muy importante el tiempo de
paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de trabajo.

Mrgenes de funcionamiento:

En conduccin pueden soportar una corriente media de 3000A llegando


hasta tensiones inversas de 5000V.

El Silicio, Si, es el elemento semiconductor ms empleado.


DIODO DE POTENCIA
Caractersticas:

En conduccin es capaz de soportar intensidades


con cadas de tensin.

En inverso soportan tensiones negativas entre


nodo y ctodo con corriente de fugas.

Inconvenientes:
Dispositivo unidireccional.
nico procedimiento de control: Inversin del voltaje.
Ecuacin caracterstica del diodo:
V
VT
i = IS(e -1)
donde: VT = kT/q

Operacin con polarizacin directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensin
interna de equilibrio de la unin:
V
i ISe VT (dependencia exponencial)

Operacin con polarizacin directa con V > V O >> VT:

i (V-VD)/rd donde VD es la tensin de codo del diodo y rd su resistencia


dinmica

Polarizacin inversa con V << -VT

i -IS (corriente inversa de saturacin que es muy pequea y casi


independiente de la tensin)
Curva caracterstica (recta)

i [mA] pendiente = 1/rd


i 1
+ P
ESTADO DE CONDUCCION:
POLARIZACION DIRECTA (exponencial)
V N

-
0
-1 1 V [V]
VD

i [A]
ESTADO DE BLOQUEO:
POLARIZACION INVERSA
0
-1 V [V]

-0,8
(constante)
Zona de Avalancha

- +
+- ++
P
- N
- +
-
- +
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si se
producen pares electrn-hueco adicionales 0
por choque con la red cristalina de
electrones y huecos suficientemente
acelerados por el campo elctrico de la zona
de transicin -2
DIODO IDEAL
En polarizacin directa, la cada de
tensin es nula, sea cual sea el valor de i
la corriente directa conducida
i
nodo
+
V curva caracterstica

Ctodo
- V

En polarizacin inversa, la corriente conducida


es nula, sea cual sea el valor de la tensin
inversa aplicada
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de conduccin:
DIODO IDEAL
V e

V e R L V S V e R L V S V S

DIODO REAL V d rd
V e

V e R L V S V e R L V S V S

V-V d -r d i d
CARACTERISTICAS ESTATICAS

Estado de conduccin. Parmetros:


Intensidad media nominal (IFAV):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula
mantenida a determinada temperatura (110 C normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM):


Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por
tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a determinada
temperatura de la cpsula.

Intensidad de pico nico (IFSM):


Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10
minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.
CARACTERISTICAS ESTATICAS
El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz mxima IF(RMS)
- Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM
CARACTERISTICAS ESTATICAS
La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la
ideal
corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente.
rd
V

ID

V
VD
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo:

V e R L V S V e R L V S

V e

V
V S
CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM):


Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de 1ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensin inversa de pico nico (VRSM):


Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una sola vez
cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms.

Tensin de ruptura (VR):


Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o
al menos degradar sus caractersticas elctricas.
CARACTERISTICAS ESTATICAS
El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensin inversa mxima de pico repetitivo VRRM
- Tensin inversa mxima de pico no repetitivo V RSM

La tensin mxima es crtica. Superarla suele ser determinante


del deterioro irreversible del componente
CORRIENTE INVERSA EN ESTADO DE BLOQUEO:
Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin inversa (poco) y Crece con IF(AV)
de la temperatura (mucho)
Algunos ejemplos de diodos PN Crece con Tj
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V


MODELO ESTATICO DEL DIODO

Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos


escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que
necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando
modelos ms complejos para programas de simulacin.
CARACTERISTICAS DINAMICAS
R
i
a b + Transicin de a a b, es
V2 V decir, de conduccin a
V1 bloqueo (apagado)
-
i
V1/R
t
Comportamiento ideal de un
diodo en conmutacin
V t

-V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr
V t
V1
-
Transicin de a a b, es decir, de
ts
-V2/R tf (i= -0,1V2/R)
conduccin a bloqueo (apagado)
ts = tiempo de almacenamiento (storage
V
time ) t
tf = tiempo de cada (fall time )
trr = tiempo de recuperacin inversa
(reverse recovery time ) -V2
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperacin inverso:

Tiempo de recuperacin
inverso (trr): Instante en que
el diodo permite la
conduccin en el sentido
contrario al normal.

Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
Tiempo de almacenamiento (ts) t =t +t
rr s f
Tiempo de cada (tf)
Carga elctrica desplazada (Qrr):
tf
di/dt SF
IRR ts
Factor de suavizado SF: Se define como:
CARACTERISTICAS DINAMICAS

Para el clculo de los parmetros IRM y Qrr podemos suponer los


siguientes casos:
a ) t f 0 t s t rr d
I RM t s id
dt
trr
b ) ts tf 1
2 Q rr t rr I RM
2
* 1er caso:
Q rr
t rr 2 I RM 2 Q rr ( diD dt
diD dt

Q rr I RM Q rr (diD dt )
* 2 caso: t rr 4
diD dt
CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R i
i 0,9V1/R
a b +
V2 V
0,1V1/R
V1 td
Transicin de b a a, es decir, de - tr
bloqueo conduccin (encendido) tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperacin directa genera menos


problemas reales que el de recuperacin inversa
Informacin suministrada por los
fabricantes
Corresponde a conmutaciones
con cargas con comportamiento
inductivo

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V


CARACTERISTICAS DINAMICAS
VRRM IF trr

Standard 100 V - 600 V 1 A 50 A > 1 s


Fast 100 V - 1000 V 1 A 50 A 100 ns 500 ns
Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A 50 A 20 ns 100 ns
Schottky 15 V - 150 V 1 A 150 A < 2 ns

La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a clasificar los diodos

Las caractersticas de todos los semiconductores (por supuesto, tambin de los


diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
CARACTERISTICAS DE POTENCIA
Durante el ciclo de trabajo del diodo, ste
disipa potencia de dos tipos:
Estticas: es decir en sus estados de conduccin y
bloqueo. Las prdidas en estado de bloqueo son
despreciables frente a las de conduccin.
Dinmicas: durante el paso de conduccin a
bloqueo y el paso de bloqueo a conduccin. La
prdida ms apreciable se produce en la
conmutacin de conduccin a bloqueo.
PERDIDAS ESTATICAS
Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal

rd Potencia instantnea perdida en conduccin:


pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)
VD
Potencia media en un periodo:
T
1
PDcond
T
p Dcond (t )dt PDcond = VDIM + rd Ief2
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
PERDIDAS EN CONMUTACION

10 A iD Las conmutaciones no son perfectas


trr Hay instantes en los que conviven tensin
y corriente
La mayor parte de las prdidas se
t producen en la salida de conduccin

3A
Potencia instantnea perdida en la
0,8 V VD salida de conduccin:
t pDsc (t) = vD (t)iD (t) =

Potencia media en un periodo:


trr
1
PD
T
p Dsc (t )dt
-200 V 0
TIPOS DE DIODOS
Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
I ::1A
1A6000
6000AA
FAV

VVRRM::400 3600 V
RRM 400 3600 V

VVFmax::1,2V (a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)

rr 10s
ttrr::10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
RectificadoresdedeRed.
Red.
--Baja frecuencia (50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).
TIPOS DE DIODOS
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):

IFAV
I ::30A
30A200
200AA
FAV

VVRRM::400 1500 V
RRM 400 1500 V

VVFmax::1,2V (a IFAVmax)
Fmax 1,2V (a IFAVmax)

ttrr::0,1 - 10 s
rr 0,1 - 10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutacin
Conmutacinaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.
TIPOS DE DIODOS
Diodos Schotkky:

IFAV
I ::1A
1A120
120AA
FAV

VVRRM::15 150 V
RRM 15 150 V

VVFmax::0,7V (a IFAVmax)
Fmax 0,7V (a IFAVmax)

trrt ::55ns
ns
rr

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosdedelibre
librecirculacin.
circulacin.
--Cargadores
Cargadoresde debateras.
bateras.
TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):

IFAV
I ::0,45A
0,45A22AA
FAV

VVR::7,5kV 18kV
R 7,5kV 18kV

VVRRM::20V 100V
RRM 20V 100V

trrt ::150
150ns
ns
rr

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensin.
tensin.
TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV
I ::50A
50A7000
7000AA
FAV

VVRRM::400V 2500V
RRM 400V 2500V

VVF::2V
F 2V

rr :10s
trrt :10 s

Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
nodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Ctodo
Encapsulado (roscado)
cermico Schottky
600V/6000A 120A 150V

Alta Tensin Fast


40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
AXIALES

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
TRANSISTORES DE POTENCIA
En electrnica de potencia, los transistores
son usados como interruptores.
Los circuitos de disparo se disean para que
stos trabajen en la zona de saturacin
(conduccin) o en la zona de corte (bloqueo).
Son totalmente controlables.
Transistores BJT y los MOSFET.
Los hay hbridos: IGBT, GTO, COOLMOS.
TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA
Ms conocido como BJT (Bipolar Junction Transistor).
Son interruptores de potencia controlados por
corriente.
Existen dos tipos NPN y PNP, a pesar que en electrnica
de potencia se usan ms los NPN.
Se controlan por el terminal de base.
Son utilizados fundamentalmente para frecuencias por
debajo de 10KHz y son muy efectivos hasta en
aplicaciones que requieran 1200V y 400A como
mximo.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
Trabaja en 3 zonas bien diferenciadas en funcin de la tensin
que soporta y la corriente de base inyectada:
Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta
como un interruptor abierto, que no permite la circulacin de
corriente entre colector y emisor.
Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una
determinada tensin entre colector y emisor. La corriente de colector
es proporcional a la corriente de base, con una constante de
proporcionalidad denominada ganancia del transistor, tpicamente
representada por las siglas y hfe.
Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la
vCE y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi
ideal.
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
CARACTERISTICAS ESTATICAS DEL BJT
En Electrnica de Potencia interesa trabajar en la zona de corte
y en la zona de saturacin.
Las diferencias bsicas entre los transistores bipolares de seal
y los de potencia son bastante significativas:
La tensin colector-emisor en saturacin suele estar entre 1 y 2
Volts, a diferencia de los 0,2 - 0,3 Volts de cada en un transistor de
seal.
La ganancia de un transistor de potencia suele ser bastante pequea.
Para evitar esta problemtica se suelen utilizar transistores de
potencia en configuraciones tipo Darlington, para obtener
ganancias de corriente bastante grandes.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Tiempos de conmutacin:

tiempo de excitacin o encendido (ton) tiempo de apagado (toff).


TIEMPOS DE CONMUTACION
* Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el que transcurre desde que se aplica la
seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el
10% de su valor.

* Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.

* Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que
se quita la excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de
su valor final.

* Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar
entre el 90% y el 10% de su valor final.
SIMULACION DE LA CONMUTACION
PD Pon Ton (Woff Won ) f
VCEsat = 0 IE0 = 0

t2 - t1 = tA=tON = tr t3 - t 2 = t B t4 - t3 = Tc = tOFF = tf
La energa perdida en el pulso tambin la podemos
descomponer como la suma de las energas perdidas
en tA, tB y tC:
W(t) = WA(t) + WB(t) + WC(t)
t2 t3

WA ic (t ) vce (t ) dt WB ic (t ) vce (t ) dt
t1 t2
t4

WC ic (t ) vce (t ) dt
t3

I C(sat) VCC t A I C(sat) VCC t C


WA ; WC
6 6

WB I C(sat) VC(sat) t B

WA WB WC Disipacin total de Potencia del BJT


PTOT(AV)
T en conmutacin.
PROTECCION DEL TRANSISTOR
Sobreintensidades:

Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin del


transistor. Cuando Ic, si la tensin VCE es , la disipacin de potencia
y se puede llegar a alcanzar la mxima temperatura de la unin.

Los fusibles no son utilizables en este caso, ya que, la accin del transistor es
mucho ms rpida que la del fusible !!!

Sobretensiones:
Las sobretensiones estn asociadas al periodo de corte del transistor.
Debemos prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del
dispositivo, tambin llamada ruptura por avalancha (cuando se sobrepasa la
tensin mxima permitida)
TRANSITORIOS
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados mediante inductancias y
condensadores. Las primeras limitan el tiempo de variacin de corriente y los
segundos limitan el tiempo de variacin de tensin.

Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para
limitar el tiempo de subida de la corriente del transistor dIc/dt en el paso a conduccin.
Si la corriente Ic crece muy rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse
el fenmeno de ruptura secundaria.
dic I C Vcc

Vcc tr
LS
dt tr LS IL

La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc.


Para carga inductiva:
Durante el paso a corte la tensin VCE no debe crecer rpidamente, a medida que la
corriente de colector cae, ya que podra darse el fenmeno de ruptura secundaria.
Una red snubber en paralelo soluciona este inconveniente.
al final del paso a corte VCE = Vcc y dVCE VCE i( t )
IL t f
dt tf CS
C S
que Vcc
Circuitos de proteccin del BJT:

Transitorio encendido -
apagado
TRANSITORIO ENCENDIDO
vd

Df I0 di
Ls
dt
iLs vCE
DLs
Ls
Cd vd
RLs
iC iC tri trr

- R LS t (b)
(a)
LS
Cuando el transistor pasa i LS (t) I o e haciendo i LS (t off ) 0.1 I o
a corte, la energa
almacenada en la
inductancia (1/2 LS) se R LS t off LS ln 10
disipa en la resistencia RLS ln 10 RLS
LS t off
a travs del diodo DLS con
una constante de tiempo
igual a LS/RLS.
Circuitos de proteccin del BJT: Transitorio apagado mediante red Snubber
para turn off ( paso a corte).
Se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, IC disminuya, para
evitar que el producto sea elevado. Para ello, colocamos un condensador en paralelo
con el transistor, como podemos apreciar en la figura. Este condensador debe absorber
ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer.

Io t I 0 I CS I C
i CS
tf
1 t Io t 2
VCS VCE
CS 0 i CSdt 2CS t f
Io t f
Vd VCS
2CS

ton Io t f
ton RsCs RS CS
5 Cs 2Vd
TIPOS DE TRANSISTORES BJT
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA D Drenador

El nombre viene dado por las iniciales de los elementos ID

que los componen; Metal - M, xido - O, Semiconductor - S. Puerta


G
IG IS

Las aplicaciones se encuentran en la conmutacin Vgs


S Surtidor

a altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para controlar


motores, generadores de altas frecuencia para induccin de calor,
generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores
de radiofrecuencia.

La principal diferencia entre los Transistores Bipolares y los


Mosfet consiste en que estos ltimos son controlados por tensin
aplicada en la puerta (G) y requieren slo una pequea corriente de
entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son
controlados por corriente aplicada a la base.
Es un dispositivo unipolar: La conduccin slo es debida a
un tipo de portador
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA
Uso como interruptores controlados por D D
tensin.
Impedancia de entrada elevada: Capacidad.
G G
Los MOSFET de canal p tienen propiedades S S
inferiores. ID Canal N Canal P
D

V DS
Surtidor xido Puerta
G
V GS S
n n n n
Un MOSFET de potencia se p p
compone de muchas clulas de n-
enriquecimiento conectadas en n
paralelo.
Drenador
La conduccin se hace con
portadores mayoritarios.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS
Ventajas de los Mosfet frente a los BJT:
La velocidad de conmutacin para los Mosfet est en el orden de los
nanosegundos, por esto son muy usados en convertidores de pequea
potencia y alta frecuencia.
Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura (coeficiente positivo
de temperatura).
Mayor rea de funcionamiento.
Mayores ganancias.
Circuito de mando ms simple.
Alta impedancia de entrada.

Inconvenientes de los Mosfet:


Son muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje
especial.
Es relativamente difcil su proteccin.
Son ms caros que sus equivalentes bipolares.
La resistencia esttica entre Drenador-Surtidor, es ms grande, lo que
provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacin.
TIPOS DE MOSFET
S G D
Mosfet de Deplexin o empobrecimiento. N+ N+
Existe un canal por el cual circula la corriente P-
aunque no se aplique tensin en la puerta. +

Mosfet de Acumulacin o enriquecimiento (enhancement).

El canal por el cual circula la corriente se crea cuando se le aplica


una tensin en la puerta.
Canal N D Canal P
Conduccin debida a
G electrones G
S S
Conduccin debida a
huecos
Los ms usados son los MOSFET de canal N
La conduccin es debida a los electrones y por tanto, son ms rpidos
REGIONES DE TRABAJO
VGS-VGS(th)>=VGS(th) PON i 2D R DS(ON)
RDSon
VGS-VGS(th)<VGS(th) Cuanto ms baja
es la resistencia,
mejor es el
transistor
Este parmetro est
directamente
relacionado con la
tensin de ruptura y con
la capacidad de manejar
corriente

VGS<VGS(th) VDS RDSon

ID RDSon
EJEMPLOS DE MOSFETS COMERCIALES
VDS ID RDSon

IRF 3205 55 V 110 A 8 m

IRF 1405 55 V 169 A 5.3 m

IRF 520 100 V 10 A 180 m

IRF 3710 100 V 75 A 25 m

IRF 540 500 V 8A 850 m


IRFP 460 500 V 20 A 270 m

IRFPG 30 1000 V 3A 5

IRFPG 50 1000 V 6A 2
MODELO ESTATICO DEL MOSFET

La transconductancia gm se define como:

La resistencia de salida, ro = RDS, se define como:


CARACTERISTICAS ESTATICAS
Cuando VGS es menor que el valor umbral, ID
VGS,TH, el MOSFET est abierto (en corte). Un D

valor tpico de VGS,TH es 3V.


P RON ID2
V DS
VGS suele tener un lmite de 20V. G

Cuando VGS es mayor de 7V el V GS S


dispositivo est cerrado. Suele I PMAX VGS=15 A
proporcionarse entre 12 y 15 V para v
minimizar la cada de tensin VDS. D
ID,MAX V a
VGS=12 l
Cuando conduce se comporta, V a
estticamente, como una resistencia: C VGS=7V n
RON. e c
r h
En un MOSFET de potencia suele r a
a SOAR
ser ms limitante RON que el mximo d
de corriente. o
VGSVGS,TH
Conociendo RON las prdidas se VD
VDS,MAX
pueden calcular con el valor eficaz Corte S
de la corriente al cuadrado.
CONMUTACION DEL MOSFET
CONMUTACION DEL MOSFET
1.- Entrada en
conduccin.

2.- Salida de conduccin.

Efecto Miller
Efecto Miller
VGG VGG
10% VGS
10% VGS
VDS ID VDS
90% ID
VDD 90%
IDMAX IDMAX VDD
10% 10%
t t
tD(on) tR tD(off) tF
tON tOFF
CONMUTACION DEL MOSFET
La potencia instantnea es mayor que en corte o
en zona hmica.
Interesa que el transitorio sea lo ms rpido
posible, para reducir prdidas.
La conmutacin consiste en la carga o descarga
de los condensadores de entrada.
La velocidad de conmutacin depende de la
velocidad de carga o de descarga de esas
capacidades (IG de pico de 2 a 3 A).
TIEMPOS DE CONMUTACION
El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para
cargar la capacitancia de entrada hasta el valor del voltaje
umbral.
El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la
compuerta, desde el nivel de umbral hasta el voltaje total de
compuerta VGSP, que se requiere para activar al transistor
hasta la regin lineal.
El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el necesario para
que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje
de sobresaturacin V1 hasta la regin de estrechamiento.
TIEMPOS DE CONMUTACION

El voltaje VGS debe disminuir en forma


apreciable antes de que V comience a subir.
El tiempo de cada tf es el necesario para que
la capacitancia de entrada se descargue desde
la regin de estrechamiento hasta el voltaje de
umbral.
Si VGS VT, el transistor se desactiva.
PARAMETROS DE SELECCIN DE MOSFETS

Tensin de ruptura
Corriente mxima
Tensin drenador - fuente

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

250 V 600 V
300 V 900 V
1200 V
(Poco usuales)
ENCAPSULADOS

Semitop 2 Semitrans 1 Semitrans 2

TO220 TO247 TO3


SKM180A
IRF540
CIRCUITOS DE EXCITACION
COMPARACION BJT - MOSFET
SIMULACION DEL TRANSISTOR BJT
MEDIR LOS TIEMPOS DE ENCENDIDO Y APAGADO DEL TRANSISTOR BJT TIP41C

CONDICIONES:
Voltaje de entrada, seal
cuadrada de valor 0/5V.
Frecuencia: 1 KHz.
Tensin de alimentacin: 10V.
Tiempo de simulacin: 2ms.
FORMAS DE ONDA
TIEMPO DE RETRASO

Td = 936 [nseg]
TIEMPO DE CRECIMIENTO

tr = 3.24 [s]
tON = td + tr = 0.936 + 3.24 = 4.176 [s]
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

tS = 11.1 [s]
TIEMPO DE APAGADO

tS = 11.3 [s]
tOFF = tS + tF = 11.1 + 11.3 = 22.4 [s]
VOLTAJES EN LA BASE Y C E
TIEMPO DE APAGADO

tON = 22.4 [s]