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MALVINO & BATES

PRINCIPIOS
DE ELECTRNICA

SPTIMA EDICIN
Captulo
2
Semiconductores

10/7/2017
Temas cubiertos en el Captulo 2

Conductores
Semiconductores
Cristales de silicio
Semiconductores intrnsecos
Dos tipos de flujo
Dopaje de un semiconductor
Dos tipos de semiconductores extrnsecos
El diodo no polarizado

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Temas cubiertos en el Captulo 2
(Continuacin)
Polarizacin directa
Polarizacin inversa
Disrupcin
Niveles de energa
La barrera de energa
Barrera de potencial y temperatura
El diodo polarizado en inversa

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Conductor
Material que permite que la corriente
fluya.
Ejemplos: cobre, plata, oro.
Los mejores conductores tienen un
electrn de valencia.

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Estructura atmica del cobre

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Parte interna
Ncleo y orbitales internos.
El orbital exterior o de valencia controla las
propiedades elctricas.
La parte interna del tomo de cobre tiene una
carga neta de + 1.

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Parte interna del cobre

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Electrn libre
La atraccin entre la parte interna del
tomo y el electrn de valencia es dbil.
Una fuerza externa puede fcilmente
arrancar un electrn libre de un tomo.

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Semiconductor
Un elemento con propiedades elctricas
entre las de un conductor y las de un
aislante.

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Ejemplos de semiconductores
Los semiconductores tienen normalmente
4 electrones de valencia.
Germanio.
Silicio.

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Diagramas de la parte interna del
cobre y el silicio:

Un electrn de valencia Cuatro electrones de valencia

Cobre Silicio

+1 +4

El ncleo ms los orbitales de electrones internos.

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Los tomos de silicio en un cristal comparten los electrones.

Saturacin de valencia: n = 8

Puesto que los electrones de valencia estn enlazados, un cristal de


silicio a temperatura ambiente es casi un aislante perfecto.

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En el interior de un
cristal de silicio
La energa trmica crea algunos electrones
libres y huecos.
Otros electrones libres y huecos se recombinan.
La recombinacin puede durar desde unos
pocos nanosegundos hasta varios
microsegundos.
El tiempo entre la creacin y la recombinacin
de un electrn libre y un hueco es el tiempo de
vida.
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Los cristales de silicio se dopan para
proporcionar portadores permanentes.

Electrn libre Hueco


(tipo n) (tipo p)

Dopante pentavalente Dopante trivalente

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Semiconductor intrnseco
Es un semiconductor puro.
Un cristal de silicio es intrnseco si todo
tomo del cristal es un tomo de silicio.
Existen dos tipos de flujo de corriente:
electrones y huecos.

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Dopaje
Adicin de impurezas a un cristal
intrnseco para alterar sus propiedades
conductividad elctrica.
Un semiconductor dopado es un
semiconductor extrnseco.

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Este cristal ha sido dopado con una impureza pentavalente.

Los electrones libres en el silicio de tipo n


soportan el flujo de corriente.
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Este cristal ha sido dopado con una impureza trivalente.

Los huecos en el silicio de tipo p soportan el flujo de la corriente.


Observe que la corriente de huecos es opuesta a la corriente de electrones.
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Resumen sobre semiconductores
El material ms popular es el silicio.
Los cristales puros son semiconductores intrnsecos.
Los cristales dopados son semiconductores
extrnsecos.
Los cristales se dopan para ser de tipo n o de tipo p.
Un semiconductor de tipo n tendr pocos portadores
minoritarios (huecos).
Un semiconductor de tipo p tendr pocos portadores
minoritarios (electrones).

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Un semiconductor puede doparse para
tener un exceso de electrones libres o de
huecos.
Los dos tipos de semiconductores
dopados son el tipo n y el tipo p.

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Dopar un cristal con ambos tipos de
impurezas da lugar a un diodo de unin pn.
Unin
P N

Ion Ion
negativo positivo
Algunos electrones cruzarn la unin y rellenarn huecos.
Cada vez que esto ocurre se crea una pareja de iones.
A medida que esta carga de iones crece, evita una ulterior
migracin de la carga a travs de la unin.
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La Barrera de potencial pn
La difusin de electrones crea pares de iones
denominados dipolos.
Cada dipolo tiene asociado un campo elctrico.
La unin alcanza el equilibrio cuando la
barrera de potencial impide que se produzca
ms difusin.
A 25 grados C, la barrera de potencial para una
unin pn de silicio es aproximadamente 0,7
voltios.

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Cada electrn que atraviesa la unin
y rellena un hueco elimina de forma efectiva
ambos portadores de corriente.

P N

Zona de deplexin

Esto da lugar a una regin en la unin que se vaca


de portadores y acta como un aislante.
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Polarizacin directa

Los portadores se mueven hacia la unin


y colapsan la zona de deplexin.

Si la tension aplicada es mayor que la


barrera de potencial, el diodo conduce.
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Polarizacin inversa

Los portadores se mueven


alejndose de la unin.

La zona de deplexin se reestablece


y el diodo no conduce, se corta.
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Polarizacin de diodo
Los diodos de silicio conducen con una
polarizacin directa de aproximadamente
0,7 voltios.
Con polarizacin inversa, la zona de deplexin
se hace ms ancha y el diodo se corta.
Existe una pequea corriente de portadores
minoritarios con la polarizacin inversa.
El flujo inverso debido a las portadores
trminos se denomina corriente de saturacin.

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Disrupcin del diodo
Los diodos no pueden soportar los valores
extremos de la polarizacin inversa.
Cuando la polarizacin inversa es alta, se
produce una avalancha de portadores
debida al rpido movimiento de los
portadores minoritarios.
El rango tpico de los valores de disrupcin
va desde 50 voltios hasta 1000 voltios.

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Niveles de energa
Es necesaria energa extra para que un
electrn salte a un orbital de mayor energa
(ms alto).
Cuanto ms alejados estn los electrones del
ncleo, mayor es su energa potencial.
Cuando un electrn cae en un orbital ms
bajo, pierde energa en forma de calor, luz y
otras radiaciones.
Un LED es un ejemplo en el que parte de la
energa potencial se convierte en luz.
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Barrera de energa
Es la barrera de potencial de un diodo.
Los electrones necesitan energa
suficiente para atravesar la unin.
Una fuente de tensin externa que
polarice en directa al diodo proporciona
dicha energa.

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El lado p de una unin pn tiene tomos trivalentes
con una carga interna de +3. Esta parte interna atrae
menos electrones que una parte interna con una carga de +5.
Unin abrupta
Energa

Banda de conduccin

Banda de valencia
Lado-P Lado-N
En una unin abrupta, las bandas del lado p
tienen un nivel de energa ligeramente mayor.
Los diodos reales presentan un cambio gradual de un material
al otro. La nin abrupta es un concepto terico.
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Bandas de energa despus de haberse
formado la zona de deplexin.

Banda de conduccin
Energi
Barrera de
energa
Banda de valencia

Lado P Lado N

A un electrn que tratara de difundirse a travs de la unin,


el camino que debe recorrer le parecer una barrera de energa.
Debe recibir la energa extra de una fuente externa.
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Temperatura de la unin
La temperatura de la unin es la temperatura
interna del diodo, justo en la unin pn.
Cuando un diodo est en conduccin, su
temperatura de la unin es mayor que la
temperatura ambiente.
Para temperaturas de la unin elevadas existe
una barrera de potencial menor.
La barrera de potencial disminuye 2 mV por
cada grado Celsius de aumento.

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Corrientes del diodo en inversa

Se genera una corriente transietoria cuando la


tensin inversa vara.
IS, la corriente de saturacin o de los portadores
minoritarios, se duplica por cada incremento de
temperatura de 10 grados Celsius. No es
proporcional a la tensin inversa.
La superficie de un cristal no tiene enlaces
covalentes completos. Los huecos que resultan
producen una corriente superficial de fugas que es
directamente proporcional a la tensin inversa.

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