Universidade Metodista de Angola

Faculdade de engenharia

ELETRNICA I

2 Ano do Curso de Engenharia Mecatrnica

Ano lectivo 2016
Professor Anselmo Toms
ELETRNICA 1 2
 Sumrio

1. Diodos Semicondutores

2. Transistor de Juno Bipolar (TJB)

3. Transistor de Efeito de Campo (FET)

4. Anlise AC do TBJ

5. Amplificadores Operacionais (Ampop)

6. Circuitos Integrado analgico

Eletrnica 1 3
1. Diodos Semicondutores
1.1. Semicondutores

1.2. Diodo de Juno P-N

1.3. Diodos especiais

1.4. Aplicao dos diodos

Eletrnica 1 4
 1.1. Semicondutores
1.1.1. Classificao dos materiais
A classificao dos materiais em relao a seu comportamento
eltrico feita dividindo-os em isolantes e condutores.

Os condutores so materiais que permitem a passagem da corrente

eltrica em seu interior quando submetidos a uma diferena de potencial,
pois possuem cargas eltricas livres.
Exemplos: alumnio, cobre, ferro etc.

Os isolantes so materiais que, em condies normais, no

permitem a passagem da corrente eltrica em seu interior, pois no
possuem cargas eltricas livres.
Exemplos: madeira, plsticos, porcelana, fenolite etc.

Eletrnica 1 5
 Existe outro tipo de material que apresenta caractersticas eltricas
intermediarias entre os isolantes e os condutores, os semicondutores
(que tambm poderiam ser chamados de semi-isolantes).
Os principais semicondutores so o Silcio e o Germnio, apesar de
existir grande variedade de outros materiais.

A classificao dos materiais quanto a capacidade de conduzir ou

no a corrente eltrica pode ser feita de acordo com sua condutividade ou
resistividade.

Fig.1.1 Classificao dos materiais segundo sua condutividade.

Eletrnica 1 6
1.1.2. Semicondutores Intrnsecos

O semicondutor em seu estado puro chamado de intrnseco,

tendo pouca ou nenhuma utilidade quando est nessas condies.
Usaremos o conceito de ligaes covalentes para fazer o estudo
dos semicondutores:
Representamos, na figura 1.2b, o tomo de silcio somente com o ncleo e
a camada de valncia, Como o numero de eletres igual ao numero de
protes, o tomo dito neutro.

Fig. 1.2 Estrutura simplificada do tomo de Si (a) com todas as camadas e (b) com o ncleo
e camada de valncia.
Eletrnica 1 7
 Um tomo de Si se liga a quatro tomos vizinhos (tbm de Si) por
ligaes covalentes, em que cada tomo fornece um eletro, formando, na
ultima camada, oito eletres, o que configura uma situao estvel.

Fig.1.3 Estrutura
cristalina
do Si temperatura
de
0 K (273 C)
comportamento
de isolantes.

Nas condies indicadas na figura 1.3, o silcio se comporta

como isolante, pois no existem cargas livres. No entanto, com o aumento
da temperatura, a energia trmica fornecida ao cristal provoca a quebra de
algumas ligaes covalentes, liberando, assim, eletres de valncia.

Eletrnica 1 8
 A figura 1.4 representa a mesma estrutura da figura 1.3, mas com
algumas das ligaes covalentes rompidas. A quantidade de energia
necessria para quebrar uma ligao depende do tipo do semicondutor; no
caso do Ge, 0,72 eV e, no do Si, 1,1 eV.

A aplicao de uma diferena de potencial na estrutura do silcio

possibilita o movimento dessas cargas eltricas (eletres livre e lacuna):
os eletres se dirigem para o polo positivo da fonte externa e as lacunas,
para o polo negativo.

Para entendermos o mecanismo de conduo de eltrons e lacunas,

consideremos as figuras 1.5, 1.6 e 1.7.
Eletrnica 1 9
 Fig.1.5 Cristal de Si
submetido a um campo
eltrico em um instante
t1

Fig.1.6 Cristal de Si
submetido a um campo
eltrico em um instante
t2>t1

Fig.1.7 Cristal de Si
submetido a um campo
eltrico em um instante
t3>t2

Eletrnica 1 10
1.1.3. Semicondutor extrnseco

Na prtica, no usamos o semicondutor intrnseco, e sim o

extrnseco.

O semicondutor extrnseco obtido pela adio de elementos

(dopagem) chamados de impurezas cuja principal finalidade alterar
algumas propriedades eltricas, principalmente a resistividade em relao
ao fluxo de eletres.

Existem dois tipos de semicondutores extrnsecos:

o material N e o material P.

Eletrnica 1 11
Semicondutor tipo N

obtido adicionando ao cristal puro (de silcio ou germnio) um

material pentavalente, isto , que tem em sua ltima camada cinco eltrons
de valncia. Em geral, o material mais utilizado o fsforo (P).

Fig.1.8(a) tomo de fsforo ligado a quatro tomos de silcio;

(b) o quinto eltron livre gera um on positivo preso estrutura cristalina.

Neste semicondutor os portadores majoritrio so aos eletres e os

portadores minoritrios so as lacunas.

Eletrnica 1 12
Semicondutor tipo P
obtido adicionando quantidades controladas de impureza
trivalente ao material puro (semicondutor intrnseco). Um exemplo desse tipo
de impureza o boro (B). E como isso acontece?

Fig. 1.9 (a) tomo de boro ligado a quatro tomos de Si da temperatura abaixo de ionizao;
(b) a vaga (lacuna) preenchida por um electro de valncia de um tomo prximo,
gerando um on negativo preso estrutura cristalina acima da temperatura de ionizao.

Neste semicondutor os portadores majoritrio so as lacunas e os

portadores minoritrios so os eletres.
Eletrnica 1 13
 1.2. Diodo de Juno P-N
1.2.1. Juno PN

Juno PN a unio metalurgicamente entre um material do tipo P e outro N.

Difuso: deslocamento (corrente eletrica) de lacunas do lado P para o N e de
eletres livres do lado N para o P.
A difusoo no um processo continuo, pois o deslocamento de eletres e
lacunas faz surgir uma regio de cargas negativas e positivas fixas,
denominada regio de cargas espaciais (RCE) ou regio de depleo,nesta
zona no existem cargas livres

Fig. 1.10 Juno PN em

aberto
mostrando as duas
correntes: de difuso
e de deriva.

Eletrnica 1 14
1.2.2. Juno PN com polarizacao reversa

A polarizao inversa causar um aumento da regio de depleo,

elevando a barreira de potencial e dificultando a passagem dos portadores
majoritarios de um lado da junco para o outro.
Atraves da junco existir uma corrente reversa de saturacao (IS) e sua
intensidade da ordem de nA (Si) ou A (Ge).

Fig. 1.11
Juno PN com
polarizao direta.
Material P ligado no (-)
da fonte e N no (+) da
fonte.

Eletrnica 1 15
1.2.3. Juncao PN com polarizacao direta

A polarizao direta causar uma reduo da regio de depleo, e

tornando desprezivel a queda de tensao no material N e no P.
Nesse instante a corrente comeca a ser controlada pela resistencia direta
do material, passando a ter comportamento aproximadamente linear com
a tenso.
A corrente total (I) constituida de duas correntes: a de saturao e a de
difuso. A corrente de difuso muito maior que a de saturaco.

Fig. 1.12
Juno PN com
polarizao direta.
Material P ligado no (+)
da fonte e N no () da
fonte.

Eletrnica 1 16
Da figura 1.12, podemos concluir que: I = ID Is (1.1)
em que ID a corrente de difuso e Is a corrente de saturao.

A equao da corrente atravs da juno dada por:

I = Is ( kVD Tk 1) (1.2)
em que:
I a corrente no diodo.
VD a tensao aplicada na juno,
k=11.600/com =1 para Ge e =2 para Si.
Tk =Tc +273

Com a juno polarizada diretamente (VD > 0), I positiva; com a

juno polarizada reversamente (VD < 0), I negativa.

Eletrnica 1 17
1.2.3. Diodo de juno

O Diodo de juno um componente constituido de uma juno

PN, tendo todas as suas caracteristicas, ou seja, permite a passagem da
corrente em um nico sentido quando polarizado diretamente e bloqueia a
corrente quando a polarizado reversamente.

Fig.1.13
(a) Diodo de juno com
terminais hmicos,
(b) smbolo do diodo
de juno e
(c) diodos de uso geral.

Eletrnica 1 18
1.2.4. Aspeto fisico do Diodo de juno

Eletrnica 1 19
1.2.5. Aspeto e Identificao dos pinos dos
diodos

Anodo abreviado A
Catodo abreviado K
(chamado assim devido o simbolo parecer um K invertido)

Eletrnica 1 20
1.2.6. Curva Caracterstica do Diodo
A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada
valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que
atravessa o diodo.

Onde: a corrente do diodo ID = Is kVDTk 1 , e VD =0.7 para diodo de

silicio e 0.3 para diodo de germnio.

Eletrnica 1 21
Regio Zener

Um outro detalhe sobre o diodo o uso da regio Zener.

O diodo est na regio de polarizao reversa.

Em um determinado ponto a tenso reversa to grande que h uma
quebra no diodo.
A corrente reversa aumenta drasticamente.
Essa tenso reversa mxima chamada tenso de avalanche de quebra e a
corrente chamada de corrente de avalanche.
Eletrnica 1 22
1.2.7. Potncia de um diodo

Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada

multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo:

PD = ID VD (1.3)

No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante,

pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a
potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo.
Ex.: 1N914 - PMAX = 250mW
1N4001 - IMAX = 1A

Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para

pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores
( PMAX > 0,5W).

Eletrnica 1 23
1.2.8. Folha de especificao dos diodos de juno

Os dados sobre o dispositivos semicondutores especificos so

normalmente fornecidos pelo fabricante de duas formas: por uma breve
descrio, limitada talvez por uma folha. O outro modo uma anlise
completa das caractaristicas usando-se grficos, desenhos, tabela, etc.
contudos existem dados especificos que devem se incluidos para a utilizao
correta do dispositivo. So eles:
1. A tenso direta VF (para temperaturas e correntes e especificas).
2. A corrente direta mxima IF (para temperatura especifica).
3. A corrente de saturao reversa IR (para temperaturas e correntes e
especificas).
4. A tenso reversa nominal [IPI ou TPR ou T(BR), onde BR vem do
termo breakdown (a uma temperatura especifica)].
5. O nivel mximo de dessipao de potncia para uma temperatura
em particular.
6. Niveis de capacitncia.
7. Tempo de recuperao reversa, R .
8. Faixa de operao de temperatura.
Eletrnica 1 24
1.2.9. Diodo ideal

Eletrnica 1 25
1.2.10. Aproximaes dos diodos e suas curvas caracteristicas

1 Aproximao: modelo ideal

Considera o diodo como um diodo ideal:

2 Aproximao: modelo simplificado

Considera o diodo como um diodo ideal em srie com uma
fonte de tenso. Vt=Vd.

Eletrnica 1 26
3 Aproximao: modelo linear
Considera o diodo como um diodo ideal em srie com uma
resistncia (normalmente igual a 10) e uma fonte de tenso
Vt.

Eletrnica 1 27
 Exercicios de aplicao
Exerccio 1. Considerando o circuito abaixo, determine:
a) , e , usando o modulo ideal;
b) , e , usando o modulo 2;
c) , e , usando o modulo linear (supondo que r=10);

Eletrnica 1 28
Exerccio 2. Considerando o circuito abaixo. Usando o modelo ideal,
determine: , 0

Exerccio 3. Considerando o circuito abaixo. Usando o modelo ideal,

determine: 0 1 , 1 e , 2

Eletrnica 1 29
Exerccio 4. Considerando o circuito abaixo. Diga quais lmpadas iro
acender.

Eletrnica 1 30
 1.2.11. Anlise por reta de carga

A linha de carga mostra todas as possveis condies da corrente (ID) para

todas as tenses aplicadas ao diodo (VD) em um dado circuito. E/R o
mximo ID e E o mximo VD.
Onde a linha de carga e a curva caracterstica se cruzam o ponto Q
(Quiescente), o qual especifica uma ID e VD particular para um dado
circuito.
Eletrnica 1 31
Aplicando a lei das tenses de kirchhoff no circuito em srie da figura (a),
resulta em:
E VD VR = 0 ou = + . (1.4)
As duas variaveis da eq. (1.4) (VD e ID ) so as mesmas representadas pelos
eixos coordenados da fig (b), que mostra a curva caracteristica do diodo.
Esta semelhana permite traar graficamente a eq. 1.4

Eletrnica 1 32
 Se atribuirmos = 0 e solucionarmos , e depois atribuirmos
= 0 e solucionarmos , teremos:

Uma linha recta entre dois pontos definir a recta de carga desenhada na
figura abaixo. Modifique o valor de R (carga) e a interseo com o eixo
vertical modificar-se-. Desenhamos uma linha vertical sobre o eixo e a
tenso pode ser determinada, enquanto que uma linhha horizontal
do ponto de interseo at o eixo vertical fornecer o valor de .

Eletrnica 1 33
Exerccio 5. Considerando o circuito abaixo, determine: , e

Eletrnica 1 34
Soluo

Eletrnica 1 35
Exerccio 6. Considerando o circuito abaixo, determine: IDQ , VDQ e VR
(b) repita o item a utilizando o modelo aproximado do diodo e compare
os resultados
(c) repita o item a utilizando o modelo ideal do diodo e compare os
resultados.

Eletrnica 1 36
 1.3. Diodos especiais

1.3.1. Diodo zener

O Diodo zener - um diodo construdo especialmente para trabalhar na
tenso de ruptura.

Seu comportamento o de
um diodo comum quando
polarizado diretamente.

Quando polarizado
inversamente ao contrrio de
um diodo convencional, ele
suporta tenses reversas
prximas a tenso de ruptura.

Eletrnica 1 37
Simbolo e aspeto fsico

Eletrnica 1 38
Identificao dos terminais

Tenso de zener (UZ= 27 V)

K
K

A
A

Tenso de zener (UZ= 8,2 V)

Nota: A forma de identificar os terminais do diodo zener semelhante a

do diodo se juno.
O terminal proximo ao anel preto indica o nodo e o outro terminal o
ctodo.
Eletrnica 1 39
Curva caracteristica/ Reta de carga

Graficamente possvel obter a corrente eltrica sob o diodo

zener com o uso de reta de carga.

Eletrnica 1 40
Dodo zener ideal

Na primeira aproximao, podemos

considerar a regio de ruptura como uma
linha vertical. Isto quer dizer que a tenso
de sada (VZ) ser sempre constante,
embora haja uma grande variao de
corrente, o que equivale a ignorar a
I resistncia zener.

V
Isto significa que num circuito o dodo
zener pode ser substitudo por uma fonte
de tenso com resistncia interna nula.

Eletrnica 1 41
Dodo zener real

Na segunda aproximao deve ser levada

em considerao a resistncia zener (RZ)
em srie com uma bateria ideal. Isto
significa que quanto maior for a corrente,
esta resistncia produzir uma queda de
tenso maior.
Isto quer dizer que na regio de ruptura a
I linha ligeiramente inclinada, isto , ao
variar a corrente haver uma variao,
V
embora muito pequena, da tenso de
sada (VZ). Essa variao da tenso de
sada ser tanto menor quanto menor for
a resistncia de zener.

Eletrnica 1 42
Aplicao

Se desejarmos alimentar uma carga qualquer com uma tenso invarivel,

perfeitamente isenta de qualquer variao ou flutuao, nada mais h do
que montar o sistema constitudo pelo dodo zener (polarizado
inversamente) e a resistncia limitadora R, de tal modo que o dodo fique
em paralelo com a carga.

R Resistncia que
tem por funo limitar
a corrente no zener
+
(IZ).
_

Rc Resistncia de
carga (receptor)

Eletrnica 1 43
Caractersticas tcnicas

Variando-se o nvel de dopagem dos dodos de silcio, o fabricante pode

produzir dodos zener com diferentes tenses de zener.

A utilizao do dodo zener limitada pelos seguintes parmetros:

Vz Tenso de zener (este valor geralmente especificado para uma

determinada corrente de teste IZT)
Izmx Corrente de zener mxima
Izmin Corrente de zener mnima
Pzmax Potncia de dissipao (PZ = VZ x IZmax)
Desde que a potncia no seja ultrapassada, o dodo zener pode trabalhar
dentro da zona de ruptura sem ser destrudo.

Eletrnica 1 44
 1.3.2. Diodo Emissir de Luz (LED)

Esse diodo quando polarizado diretamente emite photons em um

espectro visvel

Constituio

Um led constitudo por uma juno PN de material semicondutor e por dois

terminais, o nodo (A) e o Ctodo (K).
A cor da luz emitida pelo led depende do material semicondutor que o
constitui.

Smbolo:

Eletrnica 1 45
Identificao visual dos terminais

A K

Eletrnica 1 46
Principio de funcionamento

Energia
Ao ser aplicada uma tenso que
polariza directamente o led ocorre
que muitos electres no tm a
energia suficiente para passarem
da banda de valncia banda de
Electro conduo, ficando na zona
Banda de conduo
interdita ou proibida. Como no
podem permanecer nessa zona
Luz Banda proibida voltam banda de valncia tendo
para esse efeito de perder energia,
o que fazem emitindo luz (fotes).
Banda de valncia

Eletrnica 1 47
Curva caracterstica
A curva mostra a corrente directa
em funo da tenso directa.
Observa-se nesta curva que
enquanto no se atinge um
determinado valor da tenso
directa no se inicia a circulao
de corrente, e que, ultrapassando
o cotovelo da curva a corrente
directa aumenta rapidamente de
valor ao aumentar ligeiramente a
tenso directa.
Ao aumentar a corrente directa a
intensidade luminosa do led
tambm aumenta.

Eletrnica 1 48
Polarizao de um led

O led est directamente

polarizado, e emite luz,
quando o nodo est
positivo em relao ao
ctodo.

O led est inversamente

polarizado, e no emite
luz, quando o nodo est
negativo em relao ao
ctodo.

Eletrnica 1 49
Tipos de LEDs

H leds de 3, 5, 8 e 10mm de dimetro, cilndricos, rectangulares,

triangulares, etc. No mercado existem leds:
Bicolores
Constitudos internamente por dois led
em anti-paralelo.

Tricolores
Constitudo internamente por dois led
(verde e vermelho) ligados com o ctodo comum.

Intermitentes
Tm internamente um mini circuito integrado que provoca a oscilao do led.

Eletrnica 1 50
Aplicao

Os led so utilizado como elementos indicadores em calculadoras,

aparelhos de medida, indicadores numricos de receptores de rdio, etc.

Fabricam-se individuais ou em conjunto (display de sete segmentos)

podendo neste segundo caso representar qualquer caracter.

O display de sete segmentos constitudo por dodos

emissores de luz, tantos quantos os segmentos do
display.
Na figura pode ver-se um display constitudo por sete
segmentos (cada segmento corresponde a um led) e
um ponto decimal (ou seja, constitudo por oito
led).

Eletrnica 1 51
Display de sete segmentos

O ctodo de todos estes dodos emissores de luz comum, pelo que aplicando uma
tenso directa de polarizao aos diferentes nodos se acender um ou outro dos
segmentos.

a b c d e f g

K Ctodo comum

Combinando ordenadamente as tenses directas aplicadas aos nodos pode

formar-se qualquer caracter.

Eletrnica 1 52
 Caractersticas tcnicas

A corrente directa (IF) dever estar compreendida entre 10 e 100 mA.

VF Tenso mxima de polarizao directa.
VR Tenso mxima de polarizao inversa.

Material semicondutor que o constitui: VF = 1,6 V

Led vermelho
Fosfoarsenieto de glio VR = 3 V

Led verde Material semicondutor que o constitui: VF = 2,4 V

Led amarelo Fosforeto de glio VR = 3 V

Material semicondutor que o constitui: VF = 1,35 V

Led infra vermelho
Arsenieto de glio VR = 4 V

Eletrnica 1 53
1.3.3. Diodo Schottky

O diodo Schottky ou de barreira usado para comutar em alta frequncia,

pois nele no ocorre recombinao (lacuna encontrando eletro livre). Esse
fenmeno no observado porque o dispositivo feito de um material N e
um metal.

A juno resultante se comporta como um diodo, em que o nodo o metal e

o ctodo o semicondutor, permitindo que o dispositivo seja comutado de
corte para conduo e vice-versa muito mais rpido que um diodo comum.
Outra caracterstica do diodo de barreira est relacionada a queda de tenso.

Nesse modelo, o valor e da ordem de 0,3 V, menor que em diodos

tradicionais. O diodo Schottky e utilizado em fontes chaveadas que operam
em dezenas de quilohertz e na proteo contra transientes de tenso
elevados.

Eletrnica 1 54
A figura abaixo mostra os aspectos construtivo e fsico desse diodo e seu
smbolo.

Eletrnica 1 55
1.3.4. Diodo varicap

Um diodo varicap ou varactor uma juncao PN que funciona com

polarizao reversa Sua principal caracteristica permitir que a capacitncia
associada a regio de carga espacial seja alterada de acordo com a tenso
reversa aplicada. A capacitncia associada a regio de carga espacial e
inversamente proporcional a raiz quadrada da tenso aplicada.

Esse tipo de diodo e usado em circuitos de sintonia de radio, TVs, osciladores

controlados por tensao (VCO), sintetizadores de frequncia e qualquer
aparelho em que for necessario obter uma capacitancia variavel controlada
por meio eletronico.

Eletrnica 1 56
Aspeto fisico, simbolo e idenficao dos terminais

Varicap:
(a) smbolo;
(b) curva de capacitncia
e tenso reversa;
(c) exemplos de
varicaps comerciais.

Eletrnica 1 57
1.3.5. Fotodiodo

Um fotodiodo um diodo com uma janela sobre a juno PN que

permite a entrada da luz. Essa luz produz eletres livres e lacunas
aumentando a quantidade de portadores, o que controla a
corrente reversa.

A K

Smbolo do fotodiodo

Eletrnica 1 58
Desta forma, quanto maior a incidncia de luz, maior a
corrente no fotodiodo polarizado reversamente.

Deve-se sempre liga-los em srie com um resistor limitador de

corrente, para no danific-los quando os mesmos ficarem
polarizados diretamente.

Os fotodiodos so sensveis a luz infravermelha, ultravioleta,

etc. sendo aplicados em alarmes, medidores de intensidade
luminosa e etc.

Eletrnica 1 59
Aspeto fsico

Eletrnica 1 60
1.3.6. Optoacoplador

Um optoacoplador (ou acoplador ptico) nada mais do que um

LED associado a um fotodiodo num mesmo invlucro. A sua
representao mostrada abaixo:
Rs Rs
1 2

V +
1
V
2

Representao Grfica do Optoacoplador

Eletrnica 1 61
Quando o LED polarizado diretamente ele emite uma luz que atinge o
fotodiodo, fazendo com que sua corrente reversa seja proporcional a
intensidade luminosa emitida pelo LED.

Isso significa que a corrente de sada depende da corrente de entrada mesmo

havendo uma isolao eltrica entre os dois estgios. O meio transmissor a
luz.

Este dispositivo muito utilizado em aparelhos com circuitos em

altas e baixas tenses, permitindo uma isolao segura entre eles.

Tambm so utilizados na decodificao de sinais pulsados, como

em mouses, leitura de cartes perfurados, etc.

Eletrnica 1 62
Aspeto fisico

Eletrnica 1 63
 1.4. Aplicaes dos Diodos

O diodo um dispositivo eletrnico com diversas aplicaes,

nomeadamente:
Retificador de tenso
Dobrador de tenso
Estabilizador de tenso, etc

1.4.1. Retificador de tenso

O circuito retificador de meia onda um circuito etetrnico/ eltrico
usado para converter a tenso eltrica em alternada em contnua.

Eletrnica 1 64
 Retificador de Meia Onda

(a) Circuito retificador de meia onda; (b) circuito equivalente no semiciclo positivo;
(c) circuito equivalente no semiciclo negativo;
(d) formas de onda de entrada, na cargae no diodo.
Eletrnica 1 65
Desde processo obtm-se as seguintes formulaes:

(1.4) (1.5) (1.6)

Obs.: a tensao eficaz medida por um voltimetro True RMS AC + DC.

As expressoes anteriores sao verdadeiras quando o valor de pico muito
maior 0,7 V; caso contrario, deve-se subtrair 0,7 V de Vp Nesse caso,
os valores da tenso media e da tenso eficaz so calculados,
respectivamente, por:

(1.7) (1.8)

Onde: Vcc o valor da tenso mdia, Icc a corrente mdia e Vrms o

valor da tenso efectiva.

Eletrnica 1 66
Retificador de onda completa com center tap

(a) Circuito do
retificador
de onda completa
com center tap;
(b) tenso de entrada
Vsec1;
(c) tenso no diodo D1;
(d) tenso de entrada
Vsec2; (e) tenso na
carga.

Eletrnica 1 67
No semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta

Retificador de onda
completa com center
tap conduo no
semiciclo positivo.

No semiciclo negativo, o diodo D2 conduz e o diodo D1 corta, mas o

sentido da corrente na carga no muda

Retificador de onda
completa com center
tap conduo no
semiciclo negativo.

Eletrnica 1 68
 Desde processo obtm-se as seguintes formulaes:

(1.11) (1.12)
(1.10)

(1.13)

Onde: Vcc o valor da tenso mdia, Icc a corrente

mdia, Vrms o valor da tenso efectiva e Vsec1,2 so as
tenses nos secundrios 1 e 2, respetivamente.

Eletrnica 1 69
Retificador de onda completa em ponte

(1.14)

(1.15)

Retificador de onda completa em ponte.

Eletrnica 1 70
 Retificador de onda
completa em ponte
conduo no
semiciclo positivo.

Retificador de onda
completa em ponte
conduo no
semiciclo negativo.

Eletrnica 1 71
Exerccio 8. Para o circuito da figura abaixo esboce a forma de onda de 0
e determine .

Exerccio 9. Para o circuito da figura abaixo esboce a forma de

onda e determine 0 .

Eletrnica 1 72
1.4.2. Circuito Ceifador

O diodo ceifa qualquer tenso que no est polarizada diretamente.

Que pode ser a tenso polarizada reversamente e a tenso menor que
0.7V para um diodo de silcio.

Eletrnica 1 73
Variaes do Circuito Ceifador

Adicionando uma fonte CC no circuito, a tenso necessria para a polarizao

direta do diodo pode ser alterada.

Eletrnica 1 74
Com o diodo em paralelo com a sada

Tomando a tenso de sada sobre o diodo, a sada a tenso quando o diodo

no est conduzindo.

Uma fonte CC tambm pode mudar a tenso necessria para a polarizao

direta do diodo.
Eletrnica 1 75
Resumo dos Circuitos Ceifadores

Eletrnica 1 76
Resumo dos Circuitos Ceifadores

Eletrnica 1 77
Exerccio 9. Determine Vo de cada circuito das figuras para os sinais de
entrada mostrado a seguir, e a forma de onda.

Eletrnica 1 78
1.4.5. Grampeadores
Um diodo em conjunto com um capacitor pode ser utilizado para
grampear um sinal CA em um determinado nvel CC.

Eletrnica 1 79
 Variaes de Circuitos Grampeadores

O sinal de entrada pode ser qualquer tipo de forma de onda:

quadrada, triangular, senoidal, etc.

Eletrnica 1 80
Resumo de Circuitos Grampeadores

Eletrnica 1 81
Exercicio 10. Esboce a forma de onda de vo de cada circuito da figura abaixo
para o sinal de entrada mostrado a seguir:

Eletrnica 1 82
1.4.6. Regulador de tenso com diodo Zener

O Zener um diodo que opera na polarizao reversa em uma tenso

Zener (Vz).

Eletrnica 1 83
Clculos

Determine o estado do Zener:

se Vi Vz, ento o Zener est on ; o Zener est em Vz
se Vi < Vz, ento o diodo est off ; Vz = Vi

Para Vi Vz:
A voltagem Zener
RL Vi
Vz = VL =
R+RL
Corrente Zener IZ = IR - IL

Potncia do Zener PZ = VZ IZ

Para Vi < Vz:

O Zener age como uma chave aberta.

Eletrnica 1 84
Exerccio 11. (a) Para o regulador de tenso abaixo, determine Vi, Vr, Iz
e Pz. (b) Repita (a) para Rl=3k

Eletrnica 1 85
Regulador com carga variavel

O tamanho do resistor de carga afeta a corrente no Zener.

RL muito grande:
resulta uma corrente alta no diodo, no permitindo sua atuao
normal. A mxima corrente para o Zener dada pelo IZM nos data sheets.

VZ
ILmin IR - IZM RLmax
ILmin
RL muito baixa.
resulta em uma tenso menor que a do diodo zener, colocando-o no
estado off. A mnima resistncia dada quando VL = VZ.

VL VZ RV Z
ILmax RLMIN
RL RLMIN Vi VZ

Eletrnica 1 86
Exerccio 12. (a) Determine VL, IL, Iz e Ir para o circuito da figura se RL=180.
(b) repita o item a se RL = 470.
(c) Determine o valor de RL que estabelece as condies de mxima
potncia para o diodo Zener.
(d) Determine o valor mnimo de RL para garantir que o diodo zener est no
estado ligado.

Eletrnica 1 87
1.4.7. Multiplicadores de Tenso

Os circuitos multiplicadores de tenso utilizam uma combinao de diodos e

capacitores para multiplicar a tenso de curcuitos retificadores.
Voltage Doubler Duplicador de tenso
Voltage Tripler Triplicador de tenso
Voltage Quadrupler Quadriplicador de tenso

Duplicador de Tenso

A tenso do duplicador de
meia onda pode ser calculada
como: Vout = VC2 = 2Vm

Onde: Vm = tenso de pico

secundrio do transformador.

Eletrnica 1 88
Operao do Circuito Duplicador de Tenso

O 1 capacitor carrega at Vm durante o meio ciclo positivo,

Ento o 2 capacitor carrega at Vm na mesma polaridade do 1
capacitor,
finalmente a sada a soma da tenso que atravessa os dois
capacitores: Vout = 2Vm

Eletrnica 1 89
Triplicador e Quadruplicador

Com a adio de mais redes diodo-capacitor a tenso pode ser

aumentada.

Eletrnica 1 90
2. Transistor Bipolar de juno
2.1. Constituio do TBJ e Principio de funcionamento

2.2. Curva caracteristica

2.3. Anlise por Recta de Carga

2.4. Polarizao dc

2.5. Aplicao

Eletrnica 1 91
2.1 Constituio e princpio de funcionamento

Constituio
O termo transistor a contrao de duas palavras em ingls: transfer
resistor
(resistor de transferncia). Existem dois tipos bsicos de transistores de
acordo com o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor),
NPN e PNP.

Eletrnica 1 92
Cada uma das regies do transistor apresenta caractersticas prprias:

A base a regio mais estreita, menos dopada (com menor concentrao

de
impureza) e extremamente fina.

O emissor a regio mais dopada (com maior concentrao de impureza),

onde
so emitidos os portadores de carga (eltrons no caso de transistor NPN e
lacunas
no caso de transistor PNP).

O coletor a regio mais extensa, porque nela que a potncia se dissipa.

Eletrnica 1 93
Principio de funcionamento
Na configurao ilustrada na figura, como a juno base-emissor est
polarizada diretamente, os eletres so emitidos no emissor (que possui alta
dopagem), isto , passa a existir uma corrente indo do emissor para a base. Os
eletres atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase todos
atingem a regio de carga espacial (regio de depleo) da juno base-coletor,
onde so acelerados pelo campo eltrico e direcionados para o coletor. Dos
eletres emitidos no emissor, apenas pequena parcela (1% ou menos) consegue
se recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros
(99% ou mais) atingem a juno do coletor.

Eletrnica 1 94
Aspeto fisico

Eletrnica 1 95
Identificao dos terminais

Eletrnica 1 96
Zona de funcionamento

O transistor funciona em trs zonas distintas:

Zona de corte
Zona ativa (ou de amplificao)
Zona de Saturao

Eletrnica 1 97
2.2. Configuraes do TJB

De acordo as coneces do transistor ele pode operar em tres configuraes

possiveis:

Configurao Base comum

Configurao emissor comum (mais usada)

Configurao coletor comum (menos usada)

Eletrnica 1 98
Configurao Base Comum

Em um transistor podemos adotar a seguinte relao entre as trs

correntes: IE = IC + IB

Define-se = como o ganho de corrente na ligao base comum.

IE ( 1)IB
VBE = 0.7V

P = VCE Ic

Em um transistor podemos adotar a seguinte relao entre as

trs tenses: VCE = VBE + VCB

Eletrnica 1 99
Configurao Emissor Comum

Podemos representar o transistor como indicado na figura. Nesse caso, a

ligao
chamada de emissor comum. A polarizao das duas junes continua como
antes, juno base-emissor polarizada diretamente e juno base-coletor
reversamente. A operao e a mesma da ligao base comum.

Para essa configurao, define-se o ganho

de corrente como: =

I C I B

A relao entre os dois parmetros e

dada por:

= =
+

As relaes de teno e corrente so as

mesmas.

Eletrnica 1 100
2.3 Curvas caractersticas de coletor (Configurao emissor comum)

So grficos que relacionam a corrente de coletor com a tenso entre

coletor e emissor, considerando como parmetro a corrente de base.
No circuito representado no grfico da figura, a corrente do coletor fixada em
determinado valor.
A tenso entre coletor e emissor varivel e, para cada valor de VCE, atribuda
uma medida de corrente de coletor. Em seguida, esses valores so colocados em
um grfico (IC VCE), como mostra a figura.
A curva depende de cada transistor e configurao usada.

Eletrnica 1 101
2.4. Polarizao DC

Polarizar significa aplicar tenses CC ao transistor para que este funcione de

maneira adequada, e definer a zona de operao do transistor.
O transistor opera em trs regies, nomeadamente:

Regio Ativa ou Linear de Operao

Juno Base Emissor polarizada diretamente
Juno Base Coletor polarizada reversamente

Regio de Corte
Juno Base Emissor polarizada reversamente

Regio de Saturao
Juno Base Emissor polarizada diretamente
Juno Base Coletor polarizada diretamente

Eletrnica 1 102
Circuito de Polarizao CC

Circuito de polarizao Fixa

Circuito com estabilizao do Emissor

Circuito Divisor de Tenso

Tenso de Feedback CC

Circuitos de Polarizao Variados

Eletrnica 1 103
2.4.1. Circuito de polarizao Fixa

Eletrnica 1 104
 Malha Base-Emissor

Usando a Lei das Tenses de Kirchoff: +VCC IBRB VBE = 0

VCC VBE
IB [Formula 2.1]
Resolvendo para IB: RB

Eletrnica 1 105
Malha Coletor-Emissor

Sabendo que: I C I B [Formula 2.2]

Usando a Lei de Kirchoff das Tenses:
VCE VCC I C RC [Formula 2.3]
VCE VC VE [Formula 2.4]
Desde que VE = 0V, ento:
VCE VC [Formula 2.5]
E sabendo:
VBE VB VE [Formula 2.6]
E VE = 0V, ento:
VBE VB [Formula 2.7]

Eletrnica 1 106
Exerccio 1. Determine, para a figura o valor de:
a) Ib e Ic.
b) Vce
c) Vb e Vc
d) Vbc

Eletrnica 1 107
Nvel de Saturao do Transistor

Quando o transistor est operando na regio de saturao

Ele est realizando no fluxo de corrente mximo atravs do
transistor.
VCC
ICsat
RC

No corte Vce = Vcc pois Ic = 0

VCE 0V

Eletrnica 1 108
Anlise de linhas de carga

Eletrnica 1 109
Anlise de linhas de carga

Os pontos de extremidade da linha : ICsat e VCE(corte)

ICsat: VCC
IC
RC VCE 0V

VCE(corte) VCE VCC

IC 0mA

Nestas condies, usando as formulas anteriores podemos calcular as

outras variaveis do circuito.

Eletrnica 1 110
O efeito dos valores do ponto Q no Circuito

Eletrnica 1 111
Eletrnica 1 112
Eletrnica 1 113
Exerccio 2. Dada a recta de carga da fig abaixo e o ponto Q definido,
determine os valores exigidos de Vcc, Rc e Rb para uma configurao fixa.

Eletrnica 1 114
2.4.2. Circuito com estabilizao do Emissor

A adio de uma resistncia ao emissor se estabiliza o circuito.

Eletrnica 1 115
Malha Base-Emissor

Usando a LKT : VCC I B RB VBE I E RE 0 [Formula 2.8]

Sabendo que: I E ( 1) I B [Formula 2.9]

Combinando essas duas frmulas: VCC I B RB VBE ( 1) I B RE 0

VCC VBE
Agrupando os termos e resolvendo para IB: IB [Formula 2.10]
RB ( 1)RE

Eletrnica 1 116
Malha Coletor-Emissor

Aplicando a LKT : I E RE VCE I C RC VCC 0

Sabendo que IE IC e resolvendo para VCE: VCE VCC I C ( RC RE ) [Formula 2.11]

Encontrando VE: VE I E RE [Formula 2.12]

Encontrando VC: VC VCC I C RC [Formula 2.13]

VC VCE VE [Formula 2.14]

Encontrando VB: VB VCC I R RB

VB VBE VE [Formula 2.15]

Eletrnica 1 117
Exercicio 3. Determine, para a figura o valor de:
a) Ib
b) Ic
c) Vce
d) Vc
e) Ve
f) Vb
g) Vbc

Eletrnica 1 118
Nvel de Saturao

VCC
ICSAT [Formula 2.16]
RC RE

Eletrnica 1 119
Analise da Linha de Carga

A linha de carga e seus pontos podem ser calculados:

VCEcorte: VCE VCC

IC 0mA
ICsat: VCC
IC
RC RE VCE 0V

Eletrnica 1 120
2.4.3. Polarizao por Diviso de Tenso

Trata-se de um circuito de polarizao muito estvel.

As correntes e tenses so quase independentes das
variaes de .

Eletrnica 1 121
Rth = R1.R2/R1+R2 Eth = R2.Vcc/R1+R2

Eletrnica 1 122
 Eth VBE
IB VCE VCC I C ( RC RE )
Rth ( 1)RE

Eletrnica 1 123
Exerccio 4. Determine a tenso Vce e a corrente Ic de polarizao cc para a
configurao do divisor de tenso abaixo:

Eletrnica 1 124
Nvel de Saturao

VCC
ICSAT
RC RE

Eletrnica 1 125
Analise da Linha de Carga

A linha de carga e seus pontos podem ser calculados:

VCEcorte : VCE VCC

IC 0mA

VCC
IC
ICsat: RC RE VCE 0V

Eletrnica 1 126
2.4.4. Polarizao DC com Feedback de tenso

Outra forma de melhorar a estabilidade de um circuito adicionar um

caminho de feedback de coletor e base. Neste circuito de polarizao o
ponto Q s ligeiramente dependente do beta do transistor.

Eletrnica 1 127
Malha Base Emissor

Aplicando a LKT: VCC ICRC IBRB VBE IERE = 0

Note que: IC = IC + IB mas usualmente IB << IC -- ento IC IC

Sabendo que IC = IB e IE IC ento: VCC IB RC IBRB VBE IBRE = 0

VCC VBE
Simplificando e resolvendo para IB: IB
RB (RC RE)

Eletrnica 1 128
 Malha Collector Emissor

Aplicando a LKT : IE Re + VCE + ICRC VCC = 0

Desde que IC IC e IC = IB: IC(RC + RE) + VCE VCC =0

Resolvendo para VCE: VCE VCC I C ( RC RE )

Eletrnica 1 129
Exercicio 5. Para a configurao com realimentao de coletor da figura,
determine:
(a)Ib
(b)Ic
(c)Vc

Eletrnica 1 130
Exerccio 6. Para a configurao com divisor de tenso na realimentao de
coletor da figura, determine.
(a)Ic
(b)Vc
(c)Ve
(d)Vce

Eletrnica 1 131
 Nvel de Saturao do Transistor
VCC
ICsat ICmax
RC RE

Anlise de linhas de carga

a mesma anlise como para a polarizao de divisor de tenso e os circuitos

de polarizao do emissor.

Eletrnica 1 132
 2.5. Aplicao do transistor
2.5.1. Transistor como Chave

Transistores com apenas a fonte CC aplicada podem ser usados

como switches eletrnicos.

Eletrnica 1 133
Clculos de Circuitos de Chaveamento

O transistor ir alternar entre regies de fechamento e saturao.

Voc deve garantir que:

VCC ICsat
ICsat IB
RC cc

Eletrnica 1 134
Clculos de Circuitos de Chaveamento

O transistor ir alternar entre regies de fechamento e saturao.

VCC
ICsat
5V
ICsat 6,1mA
RC 0,82K
Voc deve garantir que:
ICsat
IB
cc

5 0,7
IB 63A
68k

6,1mA
63A 48,8A
125

Eletrnica 1 135
Clculos de Circuitos de Chaveamento

Eletrnica 1 136
Exercicio 7. Determine Rb e Rc para o transistor inversor da figura se Icsat=10mA:

Rc = 1K
Ib = 10m/250 = 40uA
escolhendo 60uA para garantir a saturao

Rb= 10-0,7/60uA = 155

Escolhendo-se 150 (valor comercial)
Ib= 62uA 40uA (OK)

Eletrnica 1 137
Exercicio 8. Projete o circuito inversor da figura 4.108 para operar com uma
corrente de saturao de 8mA utilizando um transistor com um beta de 100.
Utilize um nvel de Ib igual a 120% de Ibmx e resistores com valores
comerciais.

Eletrnica 1 138
2.5.2. Transistor como amplificador

Existem dois tipos de amplificadores: os de pequenos sinais e os de

potencia.

A funo dos amplificadores de pequenos sinais, chamados de pre-

amplificadores, aumentar a amplitude do sinal da ordem de mV fornecido
por uma fonte, como um microfone, toca-CD etc.

Esses amplificadores operam na regio linear das curvas caracteristicas e,

portanto, a distoro (deformao) do sinal minimizada. Outra
caracteristica desses modelos permitir a analise usando parametros com
valores praticamente constantes, pelo fato de o transistor estar operando
na regiao linear. Esses sinais, mesmo depois de amplificados,
nao possuem potencia suficiente para fazer um alto-falante funcionar.
Os amplificadores de potencia tem como finalidade ampliar o sinal
fornecido pelos pre-amplificadores o suficiente para fazer um alto-falante
funcionar.

Eletrnica 1 139
 Influncia da localizao do ponto Q:
(a) meio da reta,
(b) prximo da saturao e
(c) prximo do corte.

Eletrnica 1 140
 Analise de amplificadores de pequenos sinais
A analise pode ser feita por parametros CC (polarizao DC), ou
por parametros CA, que considera a determinao do ganho,a fig. mostra
um estagio de um amplificador emissor comum (EC) completo com os
capacitores de acoplamento (C1 e C2) e de desacoplamento ou. O simbolo
Vg representa a fonte do sinal a ser amplificado e RS, sua resistencia de
saida. Os resistores R1, R2, RC e RE so de polarizao e RL a resistncia de
carga ou a impedncia de entrada do estagio seguinte.

Estgio de um amplificador EC completo.

Eletrnica 1 141
Capacitores de acoplamento
Um capacitor de acoplamento faz a passagem de um sinal CA de um ponto a
outro, sem perda significativa do sinal.

Para um bom acoplamento:

a) Circuito com capacitor de acoplamento bem dimensionado e

b) formas de onda de entrada e sada.

Eletrnica 1 142
Pssimo acoplamento

a) Circuito com capacitor de acoplamento maldimensionado e

b) formas de ondade entrada e sada.

Eletrnica 1 143
Capacitores de desacoplamento

Outro tipo de acoplamento existente em um amplificador o de um ponto

no ligado ao terra. O capacitor que executa esse acoplamento chamado
de capacitor de desacoplamento.
Capacitor de desacoplamento desligado:

a) medida da tenso CC e
b) medida da tenso CA .
Eletrnica 1 144
Capacitor de desacoplamento ligado:

a) medida da tenso CC e
b) medida da tenso CA .

Eletrnica 1 145
Amplificadores de potencia

Os amplificadores de potencia so usados no ultimo estagio de um

amplificador; por isso, normalmente tem como carga um alto-falante. Os
amplificadores de potencia se dividem em classes.
As mais conhecidas so:
Classe A
Classe B
Classe AB
Classe C
Classe D

Eletrnica 1 146
3. Transistor de Efeito de Campo (FET)
3.1. Constituio e funcionamento. Curvas caractersticas.

3.2. Polarizao DC

3.3. Polarizao mista

Eletrnica 1 147
 3.1. Constituio e funcionamento. Curvas caractersticas.

FET (transstores de efeito decampo ) muito parecido com o do BJT

(transstores de juno bipolar).
Semelhanas:
Amplificadores
Dispositivos de comutao.
Circuitos de alta impedncia
Diferenas:
No FET a tenso que controla o dispositivo enquanto que nos
BJT quem controla a corrente.
O FET tem alta impedncia de entrada enquanto que o BJT tem
altos ganhos.
O FET menos sensvel as variaes de temperatura e devido a isso
mais facilmente empregado na construo de circuitos integrados
ICs.
O FET geralmente mais sensvel a eletricidade esttica que o BJT.

Eletrnica 1 148
 Tipos de FET

JFET (Transistor de Juno por Efeito de Campo)

MOSFET (Transitor Efeito de Campo Metal-Oxido-Semicondutor)

- MOSFET tipo D (MOSFET tipo Depleo)

- MOSFET tipo E (MOSFET tipo Intensificao)

Eletrnica 1 149
3.3.1. Construo de JFET

Existem dois tipos do JFET: canal n e o canal p. O canal n mais

amplamente usado.

Fig. 3.1. Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Existem trs terminais: dreno (D) e fonte (S) so conectados ao canal n

O Gate (G) conectado ao material tipo-p
Eletrnica 1 150
 3.1.2. Funcionamento bsico do JFET
Operao de JFET pode ser comparada a uma torneira de gua:

Fig. 3.2. Analogia do fluxo de gua para o mecanismo do JFET

A fonte de gua eletr acumulados no polo negativo da tenso aplicada do

dreno para a fonte.
O dreno de gua lacunas do polo positivo aplicados pela tenso do dreno
para a fonte.
O controle do fluxo da gua O Gate de tenso que controla a largura do
canal n, o qual estrangula o fluxo de eletrons da fonte para o dreno.
Eletrnica 1 151
3.1.3. Simbologia e carateristica do JFET

Fig. 3.3. simbologia do JFET: (a) Canal n, (b) canal p

Eletrnica 1 152
Caractersticas de operao do JFET

Existem trs condies bsicas de funcionamento de um JFET:

A. VGS = 0, VDS aumentando a algum valor positivo

B. VGS < 0, VDS em algum valor positivo

C. Controle de Tenso por Resistncia

Eletrnica 1 153
A. VGS = 0, VDS aumentando a algum valor positivo

Trs coisas acontecem quando VGS = 0 e VDS aumentado de 0 a uma tenso

mais positiva:
a regio de depleo entre o gate p e o canal n aumenta, os eltrons
de canal n combinam com lacunas do gate p.
aumentando a regio de depleo, diminui o tamanho do n-canal
que aumenta a resistncia do canal n.
Mas, apesar da resistncia de canal n aumentar, a corrente (ID) de
origem do dreno atravs do canal n aumenta. Isso ocorre porque o VDS
est aumentando.
Eletrnica 1 154
 Pinch-off

Se VGS = 0 e VDS incrementada para uma tenso mais positiva, a zona

de depleo fica to grande que ele pinches off o canal n. Isto sugere
que a corrente do canal n (ID) seja 0A, mas faz precisamente o oposto:
como VDS, a ID aumenta.

Eletrnica 1 155
Saturao

No ponto de pinch-off:
qualquer novo aumento VDS no produz qualquer
aumento na ID. VGS no pinch-off denotado como Vp.
ID a saturao ou no mximo. Ele conhecido como IDSS.
O valor ohmico do canal o mximo.

Eletrnica 1 156
B. VGS < 0, VDS em algum valor positivo

Como VGS torna-se mais negativa a regio de depleo aumenta.

Eletrnica 1 157
 ID < IDSS

Como VGS torna-se mais negativa:

o JFET ser pinch-off com uma tenso baixa (Vp VDS=0).
ID decresce (ID < IDSS) Embora o VDS estar aumentando.
Eventualmente ID alcanar 0A. VGS neste momento chamado Vp ouVGS(off).
Observe tambm que a nveis elevados de VDS o JFET chega a uma situao de
no funcionamento.
ID ser aumenta incontrolavelmente seVDS > VDSmax.

Eletrnica 1 158
 C. Controle de Tenso por Resistncia

A regio esquerda do ponto pinch-off chamada a regio ohmica.

O JFET pode ser usado como um resistor varivel, onde VGS controla a
resistncia de Fonte-Dreno (rd). Como VGS torna-se mais negativa, aumenta-se
a resistncia (rd).
ro
rd
(1 VGS ) 2
VP
Eletrnica 1 159
JFETS Canal p

JFET Canal p age da mesma forma que o canal n, com excesso de que
as polaridades e correntes so invertidas.

Eletrnica 1 160
Caracteristicas do JFET Canal p

Como VGS aumenta mais positivamente:

a zona de depleo aumenta
ID diminui (ID < IDSS)
eventualmente ID = 0A
Observe tambm que nveis elevados de VDS o JFET chega a uma situao de
no funcionamento. ID aumenta incontrolavelmente seVDS > VDSmax.
Eletrnica 1 161
 Caractersticas de transferncia

A caracterstica de transferncia de entrada-sada no como em um

JFET como era em um BJT.

Em um BJT, indicou a relao entre IB (entrada) e IC (sada).

Em um JFET, a relao de VGS (entrada) e ID (sada) um pouco mais
complicada:

VGS 2
ID IDSS(1 )
VP
Equao de Shockley

IDSS a ID de saturao ou no mximo

Eletrnica 1 162
3.1.4. Curva carateristica do JFET.

Neste grfico fcil determinar o valor do ID para um determinado

valor de VGS.

Eletrnica 1 163
Usando IDSS e Vp (VGS(off)) valores encontrados em uma folha de
especificao, a curva de transferncia podem ser plotada usando estes 3
passos:

Passo 1: VGS 2
ID IDSS(1 )
VP

ParaVGS = 0V: ID IDSS

VGS 0V

Passo 2:
ID 0 A
Para VGS = Vp (VGS(off)): VGS VP

Passo 3:
VGS 2
Para VGS = 0V at Vp: ID IDSS(1 )
VP

Eletrnica 1 164
 3.1.5. Aspeto fsico e Identificao do Terminal

Esta informao tambm est disponvel na folha de especificao.

Eletrnica 1 165
Resumo

Eletrnica 1 166
Resumo

Eletrnica 1 167
Resumo

Eletrnica 1 168
 3.2. Polarizao DC

Circuito de polarizao Fixa

Circuito com autopolarizao

Circuito Divisor de Tenso

Eletrnica 1 169
 3.2.1. Circuito de polarizao Fixa

Aplicando lkt na malha G-S, teremos: Aplicando lkt na malha D-S, teremos:

VGS= VGG VDS= VDD ID . R D

VGS 2
ID IDSS(1 )
VP VS = 0

VG = VGS VD = VDS

Eletrnica 1 170
Exercicio 1. Determine para o circuito abaixo, as seguintes variaveis:
a) VGS
b) ID

Eletrnica 1 171
3.2.2. Circuito de autopolarizao

Aplicando lkt na malha G-S, teremos: Aplocando lkt na malha D-S, teremos:

VDS= VDD ID . (R D +R D )
VGS = ID . R S
VGS 2 VS = ID . R S
ID IDSS(1 )
VP
VD = VDS + VS = VD VRd
VG = 0

Eletrnica 1 172
Exercicio 2. Determine para o circuito abaixo, as seguintes variaveis:
a) VGS
b) ID
c) VD
d) V
e) V
f) V

Eletrnica 1 173
 3.2.3. Circuito de polarizao por divisor de tenso

Aplicando lkt na malha G-S, teremos: Aplocando lkt na malha D-S, teremos:
R 2 . VDD VDS= VDD ID . (R D +R D )
VG =
R1 +R 2 VS = ID . R S
VGS = VG ID . R S VD = VD ID . R D
VGS 2 VDD
ID IDSS(1 ) IR1 = IR2 =
R1 +R 2
VP
Eletrnica 1 174
Exercicio 3. Determine para o circuito abaixo, as seguintes variaveis:
a) VGS
b) ID
c) VD
d) V
e) V
f) V

Eletrnica 1 175
Exercicio 4. Determine para o circuito abaixo (mosfet tipo depleo), as
seguintes variaveis:
a) VGS
b) ID
c) VDS

Eletrnica 1 176
Exercicio 5. Determine para o circuito abaixo (mosfet tipo intensidade), as
seguintes variaveis:
a) VGS
b) ID
c) VDS

Eletrnica 1 177
 Modelagem do transistor

Um modelo um circuito que representa as caractersticas CA do transistor. Ele

usa elementos de circuito que representam o comportamento do transistor.
Existem 2 modelos comumente usados na anlise CA de pequeno sinal de um
transistor:

modelo re
modelo equivalente hbrido

Eletrnica 1 178
Amplificador de pequenos sinais

Eletrnica 1 179
Anlise CA

Eletrnica 1 180
Anlise CA (redesenhando)

Eletrnica 1 181
 Parmetros importantes
Zi, Zo, Av, Ai so parmetros importantes para a anlise das caractersticas
CA de um transistor.

Eletrnica 1 182
 Impedncia de entrada, Zi

Para determinar Ii: Insira um resistor de "sensoriamento"

Vi
Zi
Ii

em seguida, calcule Ii:

Vs Vi
Ii
RsenseEletrnica 1 183
 Impedncia de sada, Zo

Para determinar a Io: inserir uma outra "resistncia de sensoriamento"

Vo
Zo
Io

em seguida, calcule Io:

V Vo
Io
Rsense
Eletrnica 1 184
 Ganho de tenso, Av

Para um amplificador sem carga:

Vo
Av [Formula 4.3]
Vi
Vo
AVNL [Formula 4.4]
Vi RL (opencircu it)

Note: o ganho de tenso sem carga(AVNL) sempre maior que o ganho de tenso
carregado(AV).
Eletrnica 1 185
 Ganho de Corrente, AI
Io
Ai [Formula 4.5]
Ii

O ganho de corrente (Ai) tambm calculado, usando o ganho de tenso (Av):

Vo

Io RL Zi
Ai Av
Ii Vi RL
Eletrnica 1 186
Zi
 Modelo re do Transistor

BJTs so dispositivos controlados basicamente por corrente, portanto o

modelo re usa um diodo e uma fonte de corrente para modelar o
comportamento do transistor.

Uma desvantagem para este modelo sua sensibilidade ao nvel CC. Este
modelo projetado para circuitos especficos.

Eletrnica 1 187
 Configurao Emissor Comum

A corrente de base a entrada e o coletor a sada.

Este modelo indica:
Ic ca Ib
Ie Ic Ib ca Ib Ib ( ca 1) Ib
Ie ca Ib
Eletrnica 1 188
 Impedncia na configurao do emissor comum

Modelo aproximado re

Eletrnica 1 189
 Impedncia na configurao do emissor comum
A impedncia de entrada(Zi):

Vi Vbe
Zi
Ii Ib
Vi Vbe Ie.re ca Ib.re

Vbe ca Ib.re
Zi
Ib Ib
Zi ca .re

A impedncia de sada(Zo):
Zo ro
Zo

Eletrnica 1 190
 Clculo do Ganho usando o modelo re

Vo -Io.R L Ic.RL . Ib.RL

Vi Ii.Zi Ib. .re
Vo . Ib.RL
Av
Ganho de tenso(Av): Vi Ib. .re
RL
Av
re

Io . Ib
Ai
Ganho de corrente(Ai): Ii Ib
Ai 1
Eletrnica 191
ro
 Modelo re

O modelo re para a configurao emissor comum

Eletrnica 1 192
 Clculo de re

A resistncia CA de um diodo

26mV
rd
ID
ID a corrente CC atravs do diodo no ponto quiescente

26mV
re
IE

IE - na anlise CC

Eletrnica 1 193
 Resistncia Dinmica ou CA

Regio de Polarizao direta:

26mV 26mV
r d rB rd
ID ID
rd` a resistncia dinmica
rB a resistncia do material semicondutor e a resistncia de contato
A resistncia depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
A tenso no diodo razoavelmente contante (26mV para 25C).
rB varia de um typico 0.1 para dispositivos de altas potncias at 2 para baixas
potncias, para diodos comuns. Em alguns casos rB pode ser ignorada.

Eletrnica 1 194
 Modelo equivalente hbrido

Os parmetros de hbridos: hie, hre, hfe, hoe so desenvolvidos e utilizados para o

modelo do transistor. Esses parmetros podem ser encontrados em uma folha de
especificao de um transistor.

Eletrnica 1 195
Parmetros H gerais para qualquer configurao de transistor

hi = resistncia de entrada
hr = relao de tenso de transferncia reversa(Vi/Vo)
hf = relao de transferncia de corrente direta(Io/Ii)
ho = condutncia de sada
Eletrnica 1 196
 Modelo de parmetros h Geral Simplificado

O modelo acima pode ser simplificado com base nestas aproximaes:

hr 0 por conseguinte hrVo = 0 e ho

Eletrnica 1 197
Emissor Comum re versus Modelo de Parmetros H

hie = re
hfe =
hoe = 1/ro
Eletrnica 1 198
Efeito da Impedncia de Carga (RL) sobre o Ganho de Corrente

Vo
Io RC Zi
Ai Av 26mV
Ii Vi RC re
Zi IE
Zi
Ai Av
R C //R L

Eletrnica 1 199
 Linha de Carga CA

A Linha de Carga CC desenhada independentemente

da carga (RL) pois a carga isolada do circuito de
polarizao do circuito pelo capacitor de acoplamento.
A linha de Carga CA inclue a carga. Os capacitores de
acoplamento so substitudos por curto-circuitos.
A carga CA chamada de RL: RL = RC || RL
Note que a linha de carga CC e CA tem o mesmo ponto Q,
na interseco das retas. Eletrnica 1 200
 Circuitos BJT Emissor Comum

O efeito das resistncias de carga e da fonte sero examinadas para os

seguintes circuitos de polarizao:

Polarizao Fixa
Polarizao por Diviso de Tenso

Eletrnica 1 201
 Configurao Emissor Comum com Polarizao Fixa

A entrada (Vi) aplicada base e a sada (Vo) retirada do coletor.

A configurao Emissor Comum caracterizada por possuir alta impedncia de entrada e

baixa impedncia de sada com tenses altas e ganho de corrente.
Eletrnica 1 202
 Impedncias

Impedncia de Entrada: Zi re

Impedncia de Sada: Zo RC
Eletrnica 1 203
 Ganho
Vi
Vo .I b .RL se I b
re
Vi
Vo . RL
re
Vo RL Rc // RL
Av
Vi re re
Efeito da Resistncia de Carga:
Rb.Ii Rb .re
Ib Ii .I b
Rb .re Rb
Rc. .I b
Io
Rc RL
Io
Ai
Ii
Zi
Efeito da Resistncia de Carga e Avs Av
Zi Rs
Fonte:
Eletrnica 1 204
 Exerccios
Na figura abaixo, foi aplicada uma carga ao amplificador a transistor com polarizao
fixa. Determine o ganho de tenso e de corrente utilizando o modelo re. Com
re=10,71.
Vi
Vo .I b .RL se I b
re
Vi
Vo . RL
re
Vo R Rc // RL
Av L 118,5
Vi re re

(470 K ) Ii
Ib Ii
470 K 1,071K
3K . .I b
Io 0,5769 .I b
3K 2,2 K
Io
Ai 57,69
Ii Eletrnica 1 205
 Exerccios
Na figura abaixo, uma fonte com resistncia interna foi aplicada ao amplificador a
transistor com polarizao fixa. Determine o ganho de tenso Avs utilizando o
modelo re. Com re=10,71.

Vo .I b .Rc (100.I b ).3K

Vs
como : Zi .re e I b Ii
Rs re
Vs Vs
Vo .( ).Rc 100( ).3K
Rs re 1,571K
Vo
Avs 190,96
Vs

Eletrnica 1 206
 Exerccios
Para o amplificador a transistor com polarizao fixa. Determine o ganho de tenso
Avs, Av=Vo/Vi e Ai. Com re=10,71.

Vo .I b .RL
Vs
como : Zi .re e I b Ii
Rs re
Vs
Vo .( ).RL
Rs re
Vo
Avs
Vs
RB .Ii Vs
Vi I b . .re e I b Ii
RB .re Rs .re
Vo
Av
Vi
Rc. .re Io
Io Ai
Rc RL Ii Eletrnica 1 207
Configurao de Polarizao por Diviso de Tenso

Eletrnica 1 208
 Impedncias

Impedncia de Entrada: Zi R || re
onde R = R1 || R2

Impedncia de Sada: Zo RC

Eletrnica 1 209
 Ganho

RC || RL
Efeito da Resistncia de Carga:
Av
re

Zi
Efeito da Resistncia de Carga e Fonte Avs Av
Zi RS

Eletrnica 1 210
 Exerccios
Para o amplificador a transistor com polarizao fixa. Determine o ganho de tenso
Avs, Av=Vo/Vi e Ai.

Eletrnica 1 211
 Exerccios
5 - Para o circuito da figura 10.50:
a) Determine Avnl, Zi e Zo.
c) Determine Av e Avs
d) Calcule Ai
e) Mude RL para 5,6K e calcule Avs. Qual o comportamento do ganho de tenso
quando o valor de RL aumenta?
f) Mude Rs para 0,5K com RL em 2,7K e comente o efeito da reduo de Rs sobre Avs.
g) Mude RL para 5,6K e Rs para 0,5K e determine os novos valores de Zi e Zo. Como
so afetados os parmetros de impedncia pelas variaes nos nveis de RL e Rs?

Eletrnica 1 212
 Exerccios
6 - Para o circuito da figura 10.51:
a) Determine Avnl, Zi e Zo.
d) Calcule Ai
e) Determine Av, Zi e Zo utilizando o modelo re

Eletrnica 1 213
 Anlise de pequeno sinal em BJT
O modelos re e hbrido sero usados para analisar os circuitos de pequeno sinal CA.
Configurao Emissor Comum com Polarizao Fixa

A entrada (Vi) aplicada base e a sada (Vo) retirada do coletor.

A configurao Emissor Comum caracterizada por possuir alta impedncia de entrada e

baixa impedncia de sada com tenses altas e ganho de corrente.
Eletrnica 1 214
Removendo o efeito CC de VCC e Capacitores

Eletrnica 1 215
 Modelo re

Determine , re, e ro:

e ro: procure na folha de especificaes do transistor ou encontre-o utilizando o traador
de curvas
re: calculado a partir da anlise CC 25mV
re
Eletrnica 1
IE 216
 Clculo das Impedncias

Impedncia de entrada: Zi RB || re
Zi re
RB 10re
Impedncia de sada: Zo R C || rO

Zo Rc Eletrnica 1 217
ro 10Rc
 Clculo do Ganho
Vo Ib(RC || ro) (RC || ro)
Av
Vi Ib.re re
Ganho de Voltage (Av): RC
Av
re ro 10RC
ro . .Ib Io r .
Io o
ro Rc Ib ro Rc
Rb.Ii Ib Rb
Ganho de Corrente (Ai): Ib
Rb .re Ii Rb .re
Io RBro
Ai
Ii (ro RC)(RB re)

Ai
ro 10RC, RB 10re
Vo
Ganho de Corrente a partir do de Tenso: Io R Zi
Ai C Av
Ii Vi RC
Eletrnica 1 218
Zi
 Exerccios
Para o circuito da figura abaixo:
(a) Determine re
(b) Determine Zi (com ro=)
(c) Calcule Zo (com ro=)
(d) Determine Av (com ro=)
(e) Determine Ai (com ro=)
(f) Repita os itens (c) at (e)
incluindo ro=50K em todos os
clculos e compare os resultados

(a)re=10,71
(b)Zi=1,069K
(c)Zo=3K
(d)Av = -280,11
(e)Ai=94,16 ou aprox. Ai=100
(f) Zo=2,83K
Av = -264,24
Ai=94,13 Eletrnica 1 219
Polarizao por Divisor de Tenso

Eletrnica 1 220
 Modelo re

Ainda necessrio buscar , re, e ro.

Eletrnica 1 221
 Clculo das Impedncias

R1R2
Impedncia de entrada: R R1 || R2
R1 R2
Zi R || re

Impedncia de sada: Zo RC || ro

Zo RC Eletrnica 1
ro 10RC 222
 Clculo do Ganho
Vo Ib(RC || ro) (RC || ro)
Av
Vi Ib.re re
Ganho de Voltage (Av):
Vo RC || ro Av
Vo

RC
Av
Vi re Vi re ro 10RC
ro . .Ib Io ro .
Io
ro Rc Ib ro Rc
Ganho de Corrente (Ai): R.Ii Ib R
Ib
R .re Ii R .re
Io Rro
Ai
Ii (ro RC)(R re)
Ai
ro 10RC, RB 10re
Vo
Ganho de Corrente a partir do de Tenso:
Io R Zi
Ai C Av
EletrnicaIi1 Vi RC 223
Zi
 Exerccios
Para o circuito da figura abaixo:
(a) Determine re
(b) Determine Zi (com ro=)
(c) Calcule Zo (com ro=)
(d) Determine Av (com ro=)
(e) Determine Ai (com ro=)
(f) Repita os itens (c) at (e)
incluindo ro=50k em todos os
clculos e compare os resultados

(a) Re 10R2 re=18,44
(b)Zi=1,35k
(c)Zo=6,8k
(d)Av = -368,76
(e)Ai=73,4
(f)Zi=1,35K
Zo=5,98K
Av = -324,3 Eletrnica 1 224
Ai=64,3
 Circuito Hbrido Equivalente

Os parmetros-h podem ser derivados do modelo re:

hie = re hib = re
hfe = hfb = -
hoe = 1/ro

Os parmetros-h tambm so encontrados na folha de especificao do transistor.

Eletrnica 1 225
Configurao Emissor Comum com Polarizao Fixa

Eletrnica 1 226
 Circuito Hbrido Equivalente

Impedncias: Zi RB || hie
1
Zo RC ||
hoe
Vo hfe (RC || 1 )
Ganho: Av hoe
Vi hie
Io
Ai hfeEletrnica 1 227
Ii
Polarizao por Divisor de Tenso

Eletrnica 1 228
 Circuito Hbrido Equivalente

Impedncias:

Zi R || hie
Zo RC

hfe (RC || 1 )
Av hoe
Ganho:
hie
hfe R
Ai
R hie
Eletrnica 1 229
 Aplicaes Prticas

Audio Mixer

Preamplificador

Gerador de Rudos Aleatrios

Fonte de Luz modulada por som

Eletrnica 1 230
 Exerccios
1 - Para o circuito da figura 8.75:
(a) Determine Zi e Zo
(b) Determine Av e Ai
(c) Repita o itens (a) com ro=20K
(d) Repita o itens (b) com ro=20K

Eletrnica 1 231
 Exerccios
2 - Para o circuito da figura 8.76,
determine VCC para um ganho
de tenso Av=-200:

Eletrnica 1 232
 Exerccios
3 - Para o circuito da figura 8.77:
(a) Determine Ib, Ic e re
(b) Determine Zi e Zo
(c) Determine Av e Ai
(d) Determine o efeito de ro=30K
sobre Av e Ai

Eletrnica 1 233
 Exerccios
4 - Para o circuito da figura 8.78:
(a) Determine re
(b) Calcule Zi e Zo
(c) Encontre Av e Ai
(d) Repita os itens (b) e (c) com
ro=25K

Eletrnica 1 234
 Exerccios
5 - Para o circuito da figura 8.79,
determine VCC para um
ganho de tenso Av=-160 e
ro = 100K.

Eletrnica 1 235
 Exerccios
6 - Para o circuito da figura 8.80:
(a) Determine re
(b) Calcule Vb e Vc
(c) Determine Zi e Av=Vo/Vi

Eletrnica 1 236
5. Amplificadores operacionais (Ampop)
5.1. Introduo

5.2. Ampop bsico

5.3. Circuitos Ampops prticos

5.4. Especificaes dos ampops

5.5. Aplicaes

Eletrnica 1 237
 5.1. Introduo

Amplificador operacional ou amp-op, um amplificador

diferencial de ganho muito elevado, com uma alta impedncia de
entrada (normalmente alguns mega ohms) e impedncia de sada baixa
(menos de 100 ohms).

Normalmente se utiliza o ampop para que se obtenham variaes na

tenso (ampliyude e polaridade), para a construo de osciladores,
filtros e alguns circuitos de instrumentao

Fig. 5.1. Ampop bsico

Eletrnica 1 238
Eletrnica 1 239
Cada entrada do ampop resulta numa saida de mesma polaridade (ou fase)
ou numa saida com polaridade (ou fase) oposta, dependendo de se o sinal
est aplicado entrada (+) ou (-)

5.1.1. Entrada com Terminao-nica

Fig. 5.2. Operao com terminao-nica

Eletrnica 1 240
5.1.2. Entrada (diferencial) com Terminao-Dupla

Fig. 5.3. Operao com terminao-dupla

Eletrnica 1 241
5.1.3. Sada com Terminao-Dupla

Fig. 5.4. Saida com terminao-dupla Fig. 5.5. Saida com terminao-dupla

Fig. 5.6. Saida com terminao-dupla e entrada com terminao nica

Eletrnica 1 242
5.1.4. Aspetos fisico de um Ampop

Os ampops so componentes que vm encapsulados em circuitos

integrados, podendo existir mais de um (1) ampop em uma capsula de CI.
As figuras a seguir ilustram um CI LM 393 N, que possui no seu interior dois
ampops, para saber os terminais s dar uma breve olhada no datasheet e
seguir as correspondncias.

Comercialmente, existem vrios CIs, nomeadamente: LM10, LM101, LM201,

L301, LM118, LM218, LM318, LM321, LM124, LM224, LM324, LM2902, ETC.

Eletrnica 1 243
 5.2. Ampop bsico

Fig. 5.7. Ampop bsico

Fig. 5.8. Conexo ampop bsica

Eletrnica 1 244
Ganho unitrio

V0 Rf
ganho de tenso = = = 1
V1 R1

Ganho de Amplitude constante

Se Rf multiplo de R1, o ganho global do amplificador uma
constante. Por exemplo, se Rf=10R1, ento:

Rf
ganho de tenso = = 10
R1

Eletrnica 1 245
 5.3. Circuitos Ampops prticos

Circuitos onde Amp-Op so comumente usados :

Amplificador Inversor
Amplificador no Inversor
Seguidor
Amplificador Somador
Amplificador Integrator
Amplificador Diferencial

Eletrnica 1 246
5.3.1. Ampop Inversor

Fig. 5.9. Ampop inversor

Rf
Vo V1
R1
Eletrnica 1 247
 5.3.2. Amp No Inversor

Rf
Vo (1 )V1
R1

Fig. 5.10. Ampop no inversor

Observe que a frmula de sada semelhante ao amplificador inversor,

mas eles no so os mesmos.
Eletrnica 1 248
5.3.3. Seguidor de Tenso

Fig. 5.11. Ampop seguidor de tenso

Vo V1 , Pois Rf = R1

Eletrnica 1 249
 5.3.4. Amplificador Somador

Fig. 5.12. Ampop somador

Porque o ampop tem uma alta impedncia de entrada as entradas so

tratadas como entradas separadas.
Rf Rf Rf
Vo V1 V2 V3
R1 R2 R3

Eletrnica 1 250
 5.3.5 Integrator

Fig. 5.13. Ampop integrador

A sada a integral da entrada. A integrao a operao de soma a rea
sob a forma de onda ou curva durante um perodo de tempo. Este
circuito til em circuitos de filtros passa-baixo e circuitos de
condicionamento de sinal.
1
vo(t)
RC v1(t)dt

Eletrnica 1 251
 5.3.6 Diferenciador

Fig. 5.14. Ampop diferenciador

A diferenciao a derivada da entrada. Este circuito til em circuitos

de filtros passa-alta.
dv1(t)
vo(t) RC
dt
Eletrnica 1 252
 5.4. Especificaes gerais dos Ampops

As classificaes para amp-op encontrado em folhas de especificaes

so:
Ganho
Taxa de Subida (Slew Rate)
Taxas absolutas
Caractersticas Eltricas
Performance

Eletrnica 1 253
5.4.1. Taxa de Subida (SR)

Slew rate a maxima taxa na qual a sada do amplificador

pode variar em volts por microsegundos.

Vo
SR V/s
t

Mxima frequncia do sinal

A taxa de subida determina a freqncia mais alta do amp-
op sem distoro.
SR
f onde VP a tenso de pico
2Vp

Eletrnica 1 254
5.4.2. Taxas Absolutas

QUADRO DOS VALORES ABSOLUTOS

Fonte de tenso 22V
Dissipao interna de potncia 500mW

Tenso de entrada diferencial 30V

Tenso de entrada 15V

Normalmente, estas so as especificaes mximas para a amp-op.

Eletrnica 1 255
 5.4.3. Caractersticas Eltricas

Note que essas classificaes so para as condies de um circuito

especfico, e geralmente incluem valores mnimo, mximos e tpicos.

Eletrnica 1 256
5.3.4. Performance

As folhas de especificaes incluir tambm grficos que indicam o

desempenho do amp-op sobre uma ampla gama de condies.

Eletrnica 1 257
 Exerccios de aplicao
Exerccio 1. Qual a tenso de sada no circuito da figura ?

Exerccio 2. Qual a tenso de entrada que produz uma sada de 2V no

circuito da figura?

Eletrnica 1 258
Exerccio 3. Calcule a tenso de sada no circuito da figura para Rf=68K?

Eletrnica 1 259
Exerccio 4. Calcule a tenso de sada V2 e V3 no circuito da figura.

Eletrnica 1 260
 5.5. Aplicaes
5.5.1. Circuitos de Instrumentao
O ampop muito empregado em circuitos de instrumentao, tais como
voltmetros dc ou ac, e outros. Alguns circuitos tpicos demostraram
como os ampops podem ser usados:

Fig. 5.15. Milivoltimetro dc com ampop

Eletrnica 1 261
Fig. 5.16. Milivoltimetro ac com ampop

Eletrnica 1 262
Fig. 5.17. circuitos controladores (drivers) de display (a) drive de lmpada; (b)
drive de LED

Eletrnica 1 263
5.5.2. Filtros ativos

A adio de capacitores para circuitos com amp-op fornece um controle

externo para as frequncias de corte. O filtro ativo de ampop fornece
frequncias de corte controlveis e ganho controlvel.

Filtro Passa-Baixas

Filtro Passa-Altas

Filtro Passa-Banda

Eletrnica 1 264
Filtro Passa-Baixas

Filtro passa-baixas de primeira ordem.

1
A frequncia de corte superior: fOH
2R1C1
Rf
O ganho: Av 1
R1

Eletrnica 1 265
Filtro Passa-Altas

1
A frequncia limite inferior: fOL
2R1C1

Eletrnica 1 266
Filtro Passa-Banda

Existem duas frequncias de corte: superior e inferior. Elas podem ser

calculados utilizando as frmulas de freqncia de corte passa-baixa e
passa-alta. A resposta em freqncia :

Eletrnica 1 267
Exercicio 5. Calcule a frequncia de corte do filtro passa baixas de primeira
ordem no circuito da figura.

Eletrnica 1 268
Exercicio 6. Calcule a frequncia de corte do filtro passa altas no circuito
da figura.

Eletrnica 1 269
 CIRCUITOS
INTEGRADOS

Surgiram na dcada de 1970. O seu interesse

resulta da miniaturizao dos circuitos.
 Parte funcional do componente
discreto
Os componentes discretos so maiores do que precisavam de ser. O
corpo normal do componente, que nos parece pequeno, , na
verdade um autntico exagero, se nos restringirmos, electricamente,
ao que realmente faz o trabalho no componente, ou seja, a sua
parte funcional.
Por exemplo num dodo:

(parte funcional)

Eletrnica
271 1
O que so os circuitos integrados?
Os circuitos integrados so circuitos electrnicos funcionais,
constitudos por um conjunto de transstores, dodos, resistncias e
condensadores, fabricados num mesmo processo, sobre uma
substncia comum semicondutora de silcio que se designa
vulgarmente por chip.

Fios finssimos
Circuito integrado (CI)
Chip de ligao do chip
visto por dentro e por cima. aos terminais do CI

Terminais do CI

O circuito integrado propriamente dito chama-se pastilha (chip, em ingls) e

muito pequeno. A maior parte do tamanho externo do circuito integrado deve-se
caixa e s ligaes da pastilha aos terminais externos.

Eletrnica
272 1
 Vantagens dos C.I. em relao aos
circuitos com componentes discretos

Reduo de custos, peso e tamanho.

Aumento da fiabilidade.
Maior velocidade de trabalho.
Reduo das capacidades parasitas.
Menor consumo de energia.
Melhor manuteno.
Reduo de stocks.
Reduo dos erros de montagem.
Melhoria das caractersticas tcnicas do circuito.
Simplifica ao mximo a produo industrial.

Eletrnica
273 1
 Limitaes dos C.I.

Limitao nos valores das resistncias e condensadores a integrar.

Reduzida potncia de dissipao.
Limitaes nas tenses de funcionamento.
Impossibilidade de integrar num chip bobinas ou indutncias (salvo se
forem de valores muitssimo pequenos).

Eletrnica
274 1
 Classificao dos C.I.

Classificao dos circuitos integrados quanto ao processo de fabrico:

Circuito integrado monoltico

(o seu processo de fabrico baseia-se na tcnica planar)

Circuito integrado pelicular

(pelcula delgada thin-film - ou pelcula grossa thick-film)

Circuito integrado multiplaca

Circuito integrado hbrido

(combinao das tcnicas de integrao monoltica e pelicular)

Eletrnica
275 1
Classificao dos circuitos integrados quanto ao tipo de transstores
utilizados: Bipolar e Mos-Fet.

Os circuitos integrados digitais esto agrupados em famlias lgicas.

Famlias lgicas bipolares:

RTL Resistor Transistor Logic Lgica de transstor e resistncia.

DTL Dode Transistor Logic Lgica de transstor e dodo.
TTL Transistor Transistor Logic Lgica transstor-transstor.
HTL High Threshold Logic Lgica de transstor com alto limiar.
ECL Emitter Coupled Logic Lgica de emissores ligados.
I2L Integrated-Injection Logic Lgica de injeco integrada.

Famlias lgicas MOS:

CMOS Complemantary MOS MOS de pares complementares NMOS/PMOS

NMOS Utiliza s transstores MOS-FET canal N.
PMOS - Utiliza s transstores MOS-FET canal P.

Eletrnica
276 1
Classificao dos circuitos integrados quanto sua aplicao:

Lineares ou analgicos, e Digitais

Os primeiros, so CIs que produzem sinais contnuos em funo dos sinais que lhe
so aplicados nas suas entradas. A funo principal do CI analgico a
amplificao. Podem destacar-se neste grupo de circuitos integrados os
amplificadores operacionais (AmpOp).
Os segundos so circuitos que s funcionam com um determinado nmero de
valores ou estados lgicos, que geralmente so dois (0 e 1).

Nvel lgico 1

Nvel lgico 0
t

Sinal digital: sinal que tem uma variao por

Sinal analgico: sinal que tem uma
saltos de uma forma descontnua.
variao contnua ao longo do tempo.

Eletrnica
277 1
Classificao dos circuitos integrados quanto sua gama de
integrao:

A gama de integrao refere-se ao nmero de componentes que o CI

contm.

SSI (Small Scale Integration) Integrao em pequena escala: So os CI

com menos componentes. Podem dispor de at 30 dispositivos por pastilha
(chip).

MSI (Medium Scale Integration) Integrao em mdia escala:

Corresponde aos CI com vrias centenas de componentes, podendo
possuir de 30 a 1000 dispositivos por pastilha (estes circuitos incluem
descodificadores, contadores, etc.).

Eletrnica
278 1
LSI (Large Scale Integration) Integrao em grande escala: Contm
milhares de componentes podendo possuir de 1000 at 100 000
dispositivos por pastilha (estes circuitos normalmente efectuam funes
lgicas complexas, tais como toda a parte aritmtica duma calculadora,
um relgio digital, etc.).

VLSI (Very Large Scale Integration) Integrao em muito larga escala:

o grupo de CI com um nmero de componentes compreendido entre 100
000 e 10 milhes de dispositivos por pastilha (so utilizados na
implementao de microprocessadores).

ULSI (Ultra Large Scale Integration) Integrao em escala ultra larga:

o grupo de CI com mais de 10 milhes de dispositivos por pastilha.

Eletrnica 1 279
 Tipos de cpsulas do C.I.

Os principais tipos de cpsulas utilizadas para envolver e proteger os

chips so basicamente quatro:

Cpsulas com dupla fila de pinos (DIL ou DIP Dual In Line)

Cpsulas planas (Flat-pack)
Cpsulas metlicas TO-5 (cilndricas)
Cpsulas especiais

Enquanto as cpsulas TO-5 so de material metlico, as restantes

podem utilizar materiais plsticos ou cermicos.

Eletrnica
280 1
Cpsula com dupla fila de pinos

Para os CI de baixa potncia DIL

ou DIP
As cpsulas de dupla fila de pinos
so as mais utilizadas, podendo
conter vrios chips interligados.

Nos integrados de encapsulamento

DIL a numerao dos terminais
feita a partir do terminal 1
(identificado pela marca), vai por
essa linha de terminais e volta pela
outra (em sentido anti-horrio).
Durante essa identificao dos
terminais o CI deve ser sempre
observado por cima.

Eletrnica
281 1
Cpsula com quatro filas de pinos

QIL Quad In Line

Para c.i. de mdia potncia, por
exemplo, amplificadores de udio.
A principal razo da linha qudrupla
de pinos o de permitir um maior
afastamento das respectivas ilhas
de ligao no circuito impresso, de
1
forma que pistas mais largas
(portanto para correntes maiores)
possam ser ligadas a tais ilhas.

Eletrnica
282 1
Cpsula com linha nica de pinos

SIL Single In Line

Alguns integrados pr-
amlificadores, e mesmo alguns
amplificadores de certa potncia,
para udio, apresentam esta
configurao. 1

Eletrnica
283 1
Cpsulas planas (Flat-pack)

As cpsulas planas tm reduzido volume e espessura e so formadas

por terminais dispostos horizontalmente. Pelo facto de se disporem
sobre o circuito impresso a sua instalao ocupa pouco espao.

Eletrnica
284 1
Cpsulas metlicas TO-5

Tm um corpo cilndrico metlico, com os terminais dispostos em linha

circular, na sua base.
A contagem dos terminais inicia-se pela pequena marca, em sentido
horrio, com o componente visto por baixo.

Eletrnica
285 1
Cpsulas especiais

As cpsulas especiais so as que dispem de numerosos terminais

para interligarem a enorme integrao de componentes que
determinados chips dispem (por exemplo, CI contendo
microprocessadores).

Encapsulamento
QUAD PACK
Eletrnica
286 1
 Circuitos Integrados de potncia
Aleta metlica
Alguns integrados de potncia tm uma
cpsula extremamente parecida com a dos
transstores de potncia.
Algumas observaes importantes a
Dissipador de
respeito das aletas de acoplamento aos calor
dissipadores de calor:

As aletas podem ser fixadas a dissipadores de alumnio em mtodo idntico

ao utilizado nos transstores de potncia.
Acoplar-se as aletas prpria caixa (se for metlica) que contm o circuito.
As aletas podem ser soldadas a uma das faces de cobre do circuito impresso
(no caso de uma dupla face).
As aletas, quase sempre esto ligadas electricamente por dentro do c.i., ao
pino correspondente ao negativo da alimentao (massa).

Eletrnica
287 1
 Cpsulas de C.I. em SMT

Existem trs tipos bsicos de cpsulas de circuitos

integrados em SMT (Surface Mount Technology):

SOIC Small-Outline Integrated Circuit semelhante

a um DIP em miniatura e com os pinos dobrados.

PLCC Plastic-Leaded Chip Carrier tem os terminais

dobrados para debaixo do corpo.

LCCC Leadless Ceramic Chip Carrier no tem pinos.

No seu lugar existem uns contactos metlicos moldados
na cpsula cermica.

Eletrnica 1 288
 Bases para os C.I.
A base ou soquete, em termos prticos, alm de facilitar a eventual
manuteno do circuito, evita o aquecimento do circuito integrado
quando se solda.

Eletrnica 1 289
 Alguns Tipos de CIs

LM 555
Introduo
Um circuito integrado popular o verstil 555. Introduzido em 1973 pela
Signetcs, este circuito integrado tem aplicaes que variam de
equipamentos domsticos a circuitos de sincronizao de preciso.
composto por 23 transistores, 2 diodos e 16 resistores num chip de silcio
em um encapsulamento duplo em linha (DIP) de 8 pinos. Da mesma famlia
de temporizadores temos ainda o CI 556, composto de dois temporizadores
555. A popularidade do CI 555 deve-se ao controle de sua largura de pulso
e ao reduzido nmero reduzido de componentes externos para uma
infinidade de aplicaes.

Eletrnica 1 290
 TIPOS

Monoestvel
Num circuito monoestvel, a sada produz um pulso quando se aplica um
sinal na entrada no pino 2 Trigger, assim a sada s estvel num estado.

Eletrnica 1 291
Astvel
A sada no permanecer em nenhum dos dois estados possveis, logo produz um
trem de pulsos ou clock com dois nveis de sada distintos, com uma
determinada frequncia.

Eletrnica 1 292
Biestvel
Num circuito Biestvel, a sada fica estvel num dos dois estados possveis. A
mudana de estado ocorre quando se aplica um sinal na entrada de Trigger pino
2 ou Reset pino 4 .

Eletrnica 1 293
 Encapsulamento
A verso mais comum o encapsulamento numa caixa DIL 8. O circuito integrado
556 um duplo 555 e encapsulado numa caixa DIL 14.
Tenso de alimentao de 4,5 a 16 V
Corrente de Sada 200mA

Eletrnica 1 294
 Estrutura interna
Um divisor de tenso construdo a partir de trs resistores iguais e em srie
divide uma tenso de
alimentao em trs partes iguais. Um tero da tenso de alimentao
permanece sobre cada resistor. Dois comparadores de alto ganho
controlam um flip flop que habilita-desabilita.

Eletrnica 1 295
Pino Nome Aplicao/Funo

1 GND Terra ou massa (ground).

2 TRIG Gatilho (trigger) - Um valor de tenso baixo (< 1/3Vcc) neste terminal
ativa o biestvel interno e a sada.
3 OUT Durante um intervalo de tempo, a sada (out) permanece em +VCC.
4 RESET Um intervalo de temporizao pode ser interrompido pela aplicao
de um pulso de reset.
5 CV Tenso de controle (control voltage) - Permite acesso ao divisor interno
de tenso (2/3VCC).
6 THRES Limiar (threshold) - Um valor de tenso alto (>2/3Vcc) neste terminal
desativa o biestvel interno e a sada.
7 DISCH Descarga (discharge) - A sua funo descarregar o capacitor
conectado a este terminal.
8 V+, VCC A tenso (voltage) positiva da fonte, que deve estar entre +5 e
+15V.

Eletrnica 1 296
 Funcionamento

Enquanto a entrada "Limiar" (Threshold) (pino 6) estiver num nvel inferior a

2/3 de Vcc, a sada do comparador permanecer no nvel baixo. Quando
esta tenso for superada, a sada do comparador passar para nvel alto,
impondo na sada do Flip-Flop o nvel alto.
O transistor de descarga fica diretamente polarizado, passando
conduo, e a sada do circuito passa para nvel baixo. Quando a tenso
aplicada na entrada "Disparo" (Trigger) (pino 2) cai abaixo de 1/3 de Vcc, a
sada do comparador atua sobre a entrada S (Set) do Flip Flop, fazendo
com que a sada Q passe para nvel baixo. O transistor de descarga passa
ao corte e a sada do circuito passa para nvel alto.
Independentemente dos nveis de tenso presentes nas entradas
"Threshold" (pino 6) e "Trigger" (pino 2), se a entrada "Reset" (pino 4)
estiver a nvel baixo, a sada Q do Flip Flop passa para nvel alto e a sada
do circuito (pino 3) passa para nvel baixo, assim permanecendo enquanto
estas condies se mantiverem.

Eletrnica 1 297
 APLICAES

Oscilador com CI 555 (led pisca pisca)

Este circuito usa um CI 555 como oscilador (multivibrador astvel), sendo que o
mesmo, aps ligado, desempenha a funo de um pisca-pica.

Eletrnica 1 298
Controle para motor DC (PWM)

Um motor de corrente continua pode ter sua velocidade controlada utilizando um

mtodo conhecido como modulao por largura de pulso que muito eficiente. O
ajuste vai de 5 a 95% da potncia mxima a frequncia de aproximadamente
100Hz.

Eletrnica 1 299
Timer acionando uma carga

O circuito abaixo tem a funo de acionar uma carga que exige um pouco
mais de corrente. O
potencimetro P + o resistor R e o capacitor C faro o ajuste do tempo
atravs da equao TA=1,11.R.C.
Os resistores de 10 kW impedem o curto circuito no momento do disparo e
no momento do reset. O diodo contra paralelo como a bobina do rel serve
para evitar que picos de corrente queimem o transistor quando o circuito
desligado.

Eletrnica 1 300