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Semiconductor
D D
EL MOSFET DE POTENCIA
G G
S S
Canal N Canal P
Conduccin debida Conduccin
a electrones debida a huecos
- Curvas de salida
ID
D ID [mA]
+
VGS = 4,5V
G VDS 4
+ S -
EL MOSFET DE POTENCIA
VGS = 4V
VGS
- 2 VGS = 3,5V
Referencias normalizadas VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS < VTH =
2V
- Curvas de entrada:
No tienen inters (puerta aislada del canal)
Ideas generales sobre los MOSFETs de acumulacin
Zonas de trabajo
ID [mA]
ID
VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
VDS 2 VGS = 3,5V
G
S - 10V VGS = 3V
EL MOSFET DE POTENCIA
+
VGS VGS = 2,5V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Comportamiento resistivo
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
Estructura de los MOSFETs de Potencia
Puerta
n+ n+ n+ p
p n-
n-
n+ S
n+ G
Drenador
Drenador Estructura en
trinchera D
Estructura planar
(D MOS) (V MOS)
Encapsulados de MOSFETs de Potencia
RDS(on)=9,4mW, ID=12A
RDS(on)=12mW, ID=57A
RDS(on)=3.4mW, ID=90A
Caractersticas fundamentales de los MOSFETs de potencia
la fuente) y el drenador.
Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qu pequea
circulacin de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA)
1 Mxima tensin drenador-fuente
100 V 500 V
30 V 150 V 600 V
Ejemplo de 45 V 200 V 800 V
clasificacin 55 V 400 V 1000 V
60 V
80 V
2 Mxima corriente de drenador
El fabricante suministra dos valores (al menos):
- Corriente continua mxima ID
- Corriente mxima pulsada IDM
EL MOSFET DE POTENCIA
A 100C, ID=230,7=16,1A
3 Resistencia en conduccin
MOSFET de 1984
EL MOSFET DE POTENCIA
D
Cdg D
Cdg
Coss
G Cds
S G Cds
Ciss Cgs S
Cgs
5 Velocidad de conmutacin
Ejemplo de informacin de los fabricantes
EL MOSFET DE POTENCIA
En la carga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
V1 R - Energa almacenada en C = 0,5CV12
EL MOSFET DE POTENCIA
C
En la descarga de C:
- Energa perdida en R = 0,5CV12
IL
Cdg
Cds V2
V1 R
Cgs
5 Velocidad de conmutacin
IRF 540
VDS VGS
90%
10%
EL MOSFET DE POTENCIA
td on tr td off tf iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG
G vDS
td off : retraso de apagado + S -
+
tf : tiempo de bajada
vGS
-
5 Velocidad de conmutacin
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
iDT
RD
td on : retraso de encendido
D
+
tr : tiempo de subida RG
G vDS
td off : retraso de apagado + S -
+
tf : tiempo de bajada
vGS
-
Prdidas en un MOSFET de potencia
vGS
iDT
Prdidas en
conduccin Woff
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia
IRF 540
EL MOSFET DE POTENCIA
G
S
El diodo parsito de los MOSFETs de potencia