Detalles experimentales

Deposicion de delgada capa de CuS

El bao de deposicin es constituido por la mezcla de:
5ml, 1M de CuCl2.5H2O
9 ml, 1M de Na2S2O3
10 ml, 0.5 M de Dimetil-urea
Se realiza un bao de sulfuro de zinc para mejorar la adhesin del
qumico depositado en el sustrato de vidrio sin tener influencia en sus
propiedades pticas y elctricas.

Para la deposicin, el sustrato de vidrio es colocado a 60C por 5h y es

all donde se depositara una delgada capa de CuS (300 nm). para 3h y y
30m se crea una capa mas delgada de 180nm.
El sustrato recubierto fue enjuagado en agua des-ionizada y secada a
temperatura ambiente.
Deposicin de delgada capa de Bismuto
El sustrato recubierto de CuS fue colocado a una distancia vertical por
encima del crisol de tungsteno en una evaporacin trmica de la
cmara.
La evaporacin de 40 mg causaban una pelcula delgada de
aproximadamente 100 nm sobre la pelcula fina de CuS de 300 nm.
Para la pelcula fina de 180 nm se evaporaron 20 mg de Bismuto.
Calentamiento del Bismuto en CuS para
producir Cu3BiS3

La temperatura de calentamiento para la pelcula fina de CuS-Bi fe de

300C a un vacio de 25x10^-3 mbar por un tiempo de una hora
 Conclusiones
Se ha presentado la el mtodo para la produccin de Cu3BiS3 a partir
del deposito qumico de CuS y la evaporacin trmica del bismuto.
Como material absorbente fotovoltaico para estructuras de
heterounin de pelcula delgada, Cu3BiS3 cumple con los requisitos
de conductividad elctrica (~10-4 -10-2 ohm-1 cm-1), coeficiente de
absorcin ptica (~105 cm-1 a 650 nm, o 1.9 eV ) y una banda de
separacin ptica (1-1.6 eV). El producto de la vida til de la
movilidad de 10-6 cm2 V-1 es inferior a los materiales exitosos de
celdas solares como el silicio cristalino y el CuSe2 policristalino. Esta
situacin se puede mejorar mediante la optimizacin del proceso de
tratamiento trmico.