ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

UNIDADES DE ESTADO SOLIDO

UNIDADES DE ESTADO SOLIDO

Dispositivos de almacenamiento con capacidad de tener memoria

voltil(DRAM) como no voltil(NAND).
No contiene partes mviles asegurando mayor tiempo de vida.
Sin alimentacin constante para retencin de datos almacenados.
Se basan en chips de memoria flash en ciertos casos por memoria
DRAM.
Velocidad optima.
Inmune a las vibraciones externas.
 ESTRUCTURA DISEO Y FUNCIONAMIENTO:

En principio se los construa con memoria voltil DRAM luego se

los empez a fabricar con memoria no voltil NAND flash.
El diseo de la mayora de los fabricantes se basa en Nand flash
debido a que otorgan una mayor en comparacin a discos duros
magnticos velocidad y capacidad adems de otorgar un menor
tamao til para el consumo profesional como el mercado.
Al ser una memoria no voltil no se requiere de ningn tipo de
alimentacin constante ni pilas para no perder datos
almacenados incluso en apagones repentinos se mantiene la
informacin.
SSD BASADOS EN DRAM

Otorgan una velocidad de acceso a datos en torno a 10us,

es utilizado para acelerar ciertas aplicaciones.
Incorporan una batera o un adaptador de corriente
continua y un sistema de copia de seguridad de
almacenamiento til en desconexiones abruptas.
Presentan una mayor velocidad en comparacin a SSD
flash.
Su costo es elevado.
MEMORIA FLASH NAND
 La memoria flash nand almacena los datos en una matriz de
celdas de memoria mediante transistores de puerta flotante.
Hay dos puertas la perta de control y la puerta flotante
aisladas por una capa de oxido.
Los electrones fluyen libremente entre la puerta de control y
el canal, cuando se aplica un voltaje a cualquier celda los
electrones son atrados en el sentido en que se aplica la
tensin por lo que para programar una celda, se aplica un
voltaje en la puerta de control que atrae los electrones hacia
arriba.
La puerta flotante, que est elctricamente aislada por una
capa aislante, atrapa electrones a medida que pasan a travs
de camino a la puerta de control. Pueden permanecer all
aos en condiciones normales de funcionamiento.
 Para borrar la celda se aplica un voltaje en el sentido
contrario (el canal) mientras la puerta de control est
conectada a tierra, repeliendo los electrones de la puerta
flotante hasta el canal.

Para comprobar el estado de una celda se aplica un elevado

voltaje a la puerta de control (GC). Si la puerta flotante
mantiene una determinada carga, (los electrones estn
atrapados all), la tensin umbral de la celda se altera,
afectando a la seal que emana la puerta de control a
medida que se desplaza por el canal. La cantidad de
corriente requerida para completar el circuito determina el
estado de la celda.
COMPOSICIN
Controladora: procesador electrnico se encarga de gestionar y
administrar y unir modulos de memoria NAND con ls colectores de
entrada y salida.
Ejecuta software a nivel de firmware sin duda en factor mas
determinante para la velocidad del dispositivo.
Correccin de errores (ECC)
Use nivelacin
Bad bloque de asignacin
Leer lavado y Leer perturbar la gestin
Leer y escribir el almacenamiento en cach
Recoleccin de basura
Cifrado
 CACH: un dispositivo SSD utiliza un pequeo
dispositivo de memoria DRAM similar al cach de los
discos duros. El directorio de la colocacin de
bloques y el desgaste de nivelacin de datos tambin
se mantiene en la memoria cach mientras la unidad
est operativa.
Condensador:
Es necesario para mantener la integridad de los datos de la
memoria cach, si la alimentacin elctrica se ha detenido
inesperadamente, el tiempo suficiente para que se puedan
enviar los datos retenidos hacia la memoria no voltil. El
resultado es que los datos grabados previamente y se presume
que seguro puede resultar daada si la memoria no es apoyado
por un condensador de alto rendimiento en el caso de una
prdida repentina de la energa.
Mdulos de memoria
Consisten en chips NAND Flash conectados en paralelo los
cuales se encargan de almacenar los datos.
 Tipos de tecnologas:

Celda de nivel individual (SLC)

Este proceso monoltico tiene la ventaja de que los chips
son considerablemente ms rpidos que los de la
tecnologa opuesta (MLC), mayor longevidad, menor
consumo, un menor tiempo de acceso a los datos.
Densidad de capacidad por chips es menor, mayor precio
en los dispositivos fabricados con este mtodo.
A nivel tcnico, pueden almacenar solamente un bit de
datos por celda.
Celda de nivel mltiple (MLC)
Este proceso consiste en apilar varios moldes de la oblea
para formar un slo chip. Las principales ventajas de este
sistema de fabricacin es tener una mayor capacidad por
chip que con el sistema SLC y por tanto, un menor precio
final en el dispositivo. A nivel tcnico es menos fiable,
durable, rpido y avanzado que las SLC. Estos tipos de celdas
almacenan dos bits por cada una, es decir cuatro estados,
por esa razn las tasas de lectura y escritura de datos se ven
mermadas. Toshiba ha conseguido desarrollar celdas de tres
bits
Triple bit por celda (TLC)

Nuevo proceso en el que se mantienen tres bits por cada

celda. Su mayor ventaja es la considerable reduccin de
precio. Su mayor desventaja es que solo permite 1000
escrituras.