Unidad 14d:

TIRISTORES

Introduccin. Descripcin y estructura de la pastilla.

Funcionamiento bsico. Estados de bloqueo y conduccin.
Descripcin de caractersticas. Hojas de fabricantes.
Mtodos de disparo. Caracterstica de puerta.
Otros dispositivos.

U14d-1
 Introduccin
El tiristor o SCR (Silicon Controlled Rectifier) ha sido el primer semiconductor
de alta potencia. Diseado en 1957, a los pocos aos ya se construyeron
diseos que alcanzaron miles de amperios y tensiones de miles de voltios.

La electrnica de potencia se consider como una tecnologa madura desde la

aparicin del tiristor.
La Electrnica de potencia se liber con estos dispositivos de la limitacin de rendimiento pobre
que la elevada cada de tensin en conduccin de sus predecesoras las vlvulas (tiratrones e
ignitrones) imponan a un buen nmero de aplicaciones.
Presenta una cada de tensin relativamente baja frente a la tensin que es capaz de bloquear.
Presenta una corriente de fugas en bloqueo tambin baja comparada con la corriente posible en
conduccin.

Es un dispositivo robusto (no se rompe fcilmente), dado que en caso de

sobretensiones directas excesivas, tiende a entrar en conduccin regenerativa
reduciendo su tensin a 1.5V y reduciendo la potencia disipada.
El inconveniente principal es que al ser un dispositivo semicontrolado, no se puede bloquear por
seal en la puerta y es necesario incorporar circuitos extras que complican bastante la topologa.

U14d-2
Familias de tiristores
NODO (A)

SCR (Silicon Controlled Rectifier)

A este dispositivo se le suele llamar Tiristor PUERTA (G)

CTODO (K)

DIAC

Otros dispositivos de la
TRIAC
familia de los tiristores

GTO

U14d-3
 SCR. Caractersticas y estructura
Es uno de los semiconductores mas antiguos. (1957)
Tiene una enorme capacidad de manejar potencia. Son muy robustos y seguir teniendo aplicaciones
debido a que es uno de los semiconductores con mayor capacidad de manejar potencia.

Est formado por una estructura de 4 capas

intercaladas tipo p y tipo n, generalmente a
partir de silicio. Las tcnicas de fabricacin
son las de difusin y crecimiento epitaxial ya
explicadas para los diodos.

NODO (A)

PUERTA (G)

CTODO (K)

Dispositivo
semicontrolado
U14d-4
 SCR. Caractersticas y estructura
Cada una de las capas recibe un nombre:
Capa catdica. Es la mas delgada y est muy dopada para facilitar la emisin de electrones hacia la capa de
control.
Capa de control. es mas estrecha que las anteriores, porque deber permitir fcilmente la llegada a la capa de
bloqueo de los electrones de la capa catdica.
Capa de bloqueo. Es la de mayor espesor y tiene baja concentracin.
Capa andica. La mas cercana al nodo de espesor relativo moderado. Fuertemente dopada en la superficie
exterior para favorecer la unin con el terminal metlico del nodo.

Cada una de estas capas forma una unin p-n, que recibe un nombre diferente:
Unin de nodo, que bloquea el paso de corriente en sentido inverso ctodo-nodo.
Unin de control, que bloquea el paso de corriente en sentido directo, o lo permite en el estado de conduccin.
Unin de ctodo, de gran corriente inversa y bajo poder de bloqueo.

NODO (A)

PUERTA (G)

CTODO (K)

U14d-5
SCR. Caractersticas y estructura

SCR para potencias muy elevadas

U14d-6
Funcionamiento bsico del SCR
Bloquea tensiones VAK positivas o negativas.
Siempre hay una unin p-n polarizada inversamente en ambos casos.

DISPARO DESEADO DEL TIRISTOR.

Corriente en la puerta, (Q1BASE), activa Q1, y a su vez se activa Q2.
Porque la base de Q2 y el colector de Q1 estn unidos.
Hay realimentacin (Ver modelo con dos BJTs) => No es necesaria la corriente en la puerta.
Disparo por rfagas.

No se puede apagar de forma controlada. (SEMICONTROLADO).

Tiene que anularse la corriente en funcin del circuito.
Extincin libre o forzada.
ANODO (A)
DISPARO NO DESEADO.
Por tensin excesiva VAK. ANODO (A)

Por luz.
Por variacin excesiva de tensin o corriente.
Se utilizan protecciones. PUERTA (G)
PUERTA (G)

CATODO (K)
CATODO (K)

U14d-7
Caracterstica v-i
Zona de BLOQUEO DIRECTO.
No hay disparo en la puerta.
VAK<VBO.

Zona de CONDUCCIN.
Disparo en la puerta.
Igual que un diodo. (pendiente=1/RON).
Resistencia y cada de tensin pequeas.

Zona de BLOQUEO INVERSO.

VAK<0.
Igual que un diodo.

Zona de RUPTURA.
VAK<VRWM.

U14d-8
Tensiones de bloqueo
Generalmente coinciden las tensiones de
bloqueo directo con las de bloqueo inverso.

U14d-9
Prdidas en bloqueo

Tanto en bloqueo inverso como en directo, la energa disipada es la integral del

producto de la tensin instantnea por la corriente instantnea de fugas.
El fabricante no suele proporcionar datos de los valores instantneos de la
caracterstica de bloqueo sino un valor mximo de la intensidad de fugas para una
temperatura y tensin de bloqueo.
Se aproxima el clculo suponiendo el valor mximo de esta intensidad.

T T
1 1
PBloqueo i A v AK dt I fugas,max v AK dt I fugas max V AK ,med
T0 T0

El modelo del tiristor en bloqueo suele asemejarse a un interruptor abierto, aunque

es mas correcto un circuito formado por una fuente de intensidad dependiente de
la temperatura (intensidad de fugas).

U14d-10
Prdidas en conduccin
Las prdidas en conduccin son las mas considerables en un tiristor. Aunque a
veces, en conmutacin, las perdidas por conmutacin pueden ser tan grandes o
mayores que las primeras.
El modelo empleado para el clculo es similar al empleado en diodos.
Las prdidas dependen de la cada de tensin nodo-ctodo cuando el tiristor est
conduciendo, y a su vez, la cada de tensin depende de la temperatura debido a
que se generan mas portadores y hace disminuir la tensin en las uniones
internas.
Para valores de intensidad muy por encima de los nominales, la tensin aumenta
con la temperatura, lo cual debilita la capacidad del componente para soportar
sobreintensidades con las uniones calientes.
iA
pcond (t) = vAK (t)iA (t) = (V + rd i(t)) i(t)

ideal T
1
Pcond pcond (t )dt
rd Vr T0
V VF Pcond = VIA + rd
IA : Valor medio

Ief2 Ief : Valor eficaz U14d-11

Prdidas en conduccin
Los valores medios y eficaces de corriente y de
tensin, variarn en funcin del instante en que se
produzca el cebado. La potencia entregada y la
potencia consumida por el dispositivo, por tanto,
tambin dependern de l.

Se define el ngulo de conduccin como el tiempo

que est el tiristor conduciendo.

Cuando mayor sea ste, mayor potencia tendremos a

la salida del tiristor y mayores prdidas tendr.

Los fabricantes suelen proporcionar curvas para el clculo de perdidas, en funcin

del ngulo de conduccin y de la intensidad media de nodo, para intensidad
continua y para seales senoidales e incluso para ondas rectangulares.

Otras veces dan tablas de valores de intensidades mximas segn de la forma de

onda que se est aplicando.

U14d-12
Prdidas en conduccin

U14d-13
Caractersticas principales
Caractersticas estticas: Corresponden a la regin nodo-
ctodo y son los valores mximos que colocan al elemento en
en lmite de sus posibilidades.

Caractersticas de control y de puerta: Determinan la naturaleza

del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de
disparo.

Caractersticas dinmicas: Relacionadas con la frecuencia de

conmutacin a la que trabaja el dispositivo, tiempos, capacidades
parsitas, etc

Caractersticas trmicas: Empleadas para comprobar que las

prdidas disipadas por el funcionamiento no destruyen al
componente. U14d-14
Nomenclatura utilizada
Para las caractersticas anteriormente indicadas, (generalmente tensin y corriente),
se definen unos subndices que dan informacin del punto de trabajo y que tipo de
valor se define para esa magnitud

U14d-15
Descripcin de las caractersticas

U14d-16
Descripcin de las caractersticas

U14d-17
Descripcin de las caractersticas

U14d-18
Descripcin de las caractersticas

U14d-19
Descripcin de las caractersticas

U14d-20
Descripcin de las caractersticas

U14d-21
 Hojas de caractersticas
Tensin de ruptura
Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

Tensin de ruptura de dispositivos comerciales

400 V
Soportan tensin directa (VDRM)
800 V
Alta tensin e inversa (VRRM)
1000 V
1200 V

U14d-22
Hojas de caractersticas
Corriente mxima en funcin de la forma de onda

U14d-23
Hojas de caractersticas
Alta capacidad de manejo de corriente

I2t: Producto de corriente2 por tiempo

Tpico en fusibles
Indica la capacidad de manejar mucha corriente durante un cierto tiempo antes de romperse
U14d-24
Hojas de caractersticas
Cada de tensin cuando el SCR est en conduccin

U14d-25
Hojas de caractersticas
Tiempos de encendido y apagado

Tiristores de control de fase (discretos o modulares). Tiempo de apagado > 40s.

- Destinados a operar en circuitos alimentados con tensin alterna de red.
- Reciben el nombre de phase-control thyristor
Tiristores rpidos (discretos o modulares). Tiempo de apagado < 40 s y altas
derivadas de tensin e intensidad.
- Reciben el nombre de fast thyristor

U14d-26
SCR. Encapsulados
MAGN A PACK
ADD A PACK

PACE PACK

TO-200

U14d-27
SCR. Encapsulados
Encapsulado discreto (1 solo tiristor)
SCR FAST
VRRM IC Turn-off time

400 V 100 A - 1000 A 10 20 s

800 V 100 A - 1000 A 10 20 s

1000 V 100 A - 600 A 20 30 s

1200 V 100 A - 600 A 20 30 s

U14d-28
SCR. Encapsulados

Mdulos (Varios Tiristores en el mismo encapsulado)

400 V
800 V
Corrientes hasta 500 A
1000 V
1200 V

U14d-29
Disparo del SCR
El disparo ( cebado) del tiristor es el paso del estado de bloqueo al de
conduccin de forma estable. Para que el disparo sea efectivo, deben darse
varias condiciones:
1. La unin nodo - ctodo debe estar polarizada en directo.
2. La seal de mando en la puerta (vase la caracterstica de puerta) debe permanecer un
tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de
corriente de nodo mayor que la corriente de enclavamiento o enganche, IL.

Una vez disparado, para que se mantenga en la zona de conduccin deber

circular una corriente mnima de mantenimiento, IH.

Los distintos mtodos por los que se puede producir un disparo son:
- por impulso en la puerta.
- por mdulo de tensin. (V)
- por gradiente de tensin (dV/dt)
- por radiacin.
- por temperatura.

El modo usado es el disparo por puerta. Los otros disparos son modos no
deseados.
U14d-30
Disparo del SCR. Caracterstica de puerta
El circuito puerta-ctodo de un tiristor equivale a un diodo (unin catdica). Pero
hay una gran dispersin en la curva v-i de este diodo, para tiristores del mismo
tipo.
Los valores de tensin e intensidad para disparar un tiristor, presentan una dispersin muy grande para
tiristores del mismo tipo. y dependen de la temperatura. A menor temperatura, mayor tensin e intensidad
necesaria para el disparo.

El fabricante da valores mnimos y mximos de intensidad y tensin, para una

temperatura dada, que delimitan la zona de disparo seguro, la zona de disparo
posible y la zona de no disparo.

U14d-31
Disparo del SCR. Caracterstica de puerta

La caracterstica de puerta tiene unos lmites impuestos por la unin puerta-ctodo:

Lmites debidos a la dispersin de la unin catdica de la puerta.
Tensin y corrientes mximas de puerta.
Potencia mxima entregada al circuito puerta-ctodo, que vara con el factor de trabajo del
impulso de disparo, .

PG(AV) Potencia media disipable en la puerta

PGM Potencia de pico disipada en la puerta

U14d-32
Disparo del SCR. Caracterstica de puerta

VGK VGK , max

I G , max

VGT

VGNT

I GNT I GT IG
U14d-33
Disparo del SCR. Caracterstica de puerta

Dentro de esta zona encontramos una

parte en la cual el disparo resulta
inseguro Esta corriente mnima
disminuye al aumentar la temperatura:

U14d-34
Disparo del SCR por impulso en puerta
Para disparar el tiristor hay que introducir corriente por la puerta

Para que el disparo sea efectivo, se deben de cumplir dos condiciones:

1. La corriente de puerta debe ser superior a un cierto valor

VGK Zona de disparo seguro

Ningn tiristor se dispara

IG

No se garantiza el disparo
U14d-35
Disparo del SCR por impulso en puerta
El circuito de disparo debe tener una recta de
carga tal que el punto de corte est en la
zona de disparo seguro

Z1

VGK V1

V1

Zona de disparo seguro

IG
V1 / Z1
U14d-36
Disparo del SCR por impulso en puerta
2. Hay que mantener el disparo hasta que la corriente nodo-ctodo
sobrepase un cierto valor que se llama Corriente de Enclavamiento

IA Sigue conduciendo

IL (Latching Current)

Se apaga

IG

Una vez disparado, el SCR sigue conduciendo aunque no

tenga corriente en puerta
U14d-37
 Disparo del SCR por impulso en puerta
Podramos disparar el SCR con un pulso
de corriente. IA
Esto funciona con carga resistiva ya que la
corriente crece rpidamente se alcanza
Z1 = R
fcilmente la corriente de enclavamiento.

IA

Z1 = L
Z1 Se apaga
V1
IG

Para evitar esto, se suele disparar los SCR con varios pulsos consecutivos, llamados
trenes de pulsos, para asegurar que la corriente alcanza el valor de enclavamiento
IG

U14d-38
 Circuito tpico. Transformador de impulsos
El disparo del tiristor debe ser entre puerta y ctodo. En la mayor parte de
los circuitos con tiristores las tensiones de los ctodos son diferentes, por lo
que conviene aislar las seales de disparo. Se emplean los
transformadores de impulsos.

El transformador de impulsos es de pequeo

tamao y est preparado para trabajar con
pulsos.

La Resistencia R limita la corriente en primario.

El diodo en antiparalelo es el camino de

descarga de la inductancia de primario.

El diodo en la puerta protege al tiristor de

corrientes negativas.

Otra forma de conseguir aislamiento

galvnico es mediante optoacopladores.

U14d-39
 V1
Ejemplo de
funcionamiento
Disparo

R1 VR
VR
V1
VT

VT

U14d-40
TRIAC
Funciona como un tiristor
Al dispararlo, conduce hasta que la corriente pasa por cero

Es bidireccional. Conduce en ambos sentidos

Se puede disparar con corrientes entrantes y salientes

T1 G T2

Su uso es comn en aplicaciones de baja potencia

200, 400, 600, 800, 1000 V

Especificaciones tpicas
1- 50 A
U14d-41
TRIAC Hay 4 posibilidades de funcionamiento
No todas son igual de favorables

T2 + T2 + T2 - T2 -

IG IG IG IG
T1
- - + +
T1 T1 T1

IG > 35 mA 35 mA 70 mA 35 mA

IH < 30 mA 30 mA 30 mA 30 mA

IL < 40 mA 60 mA 60 mA 40 mA

IH Corriente de mantenimiento IL Corriente de enclavamiento

U14d-42
 Nivel de
comparacin

TRIAC. Ejemplo.

RL (Carga)
VRL
C
Comp. con
Histresis
VG

R
VComp
: ngulo de disparo

CONTROL DE FASE
Controlando el ngulo de disparo se VG
controla la potencia que se le da a RL

U14d-43
DIAC
Una vez disparado se comporta como un diodo
Cuando su corriente pasa por cero, se apaga
Para dispararlo hay que sobrepasar una tensin caracterstica VDIAC que suele ser de
30 V.
Es totalmente simtrico
IT12
No es un interruptor
T1

VT12
- 30 V 30 V
T2

Aplicaciones: se suele usar para disparar tiristores

U14d-44
DIAC. Ejemplo.

RL (Carga)
R
IG VA
A
VDIAC

IG

Cada vez se usa menos porque

el circuito tambin se puede
hacer con amplificadores
operacionales
U14d-45
GTO (Gate Turn-off Thyristor)
C
G

En muchas aplicaciones, el hecho de no poder apagar el SCR es

un grave problema
El GTO solventa ese inconveniente
Con corriente entrante por puerta, se dispara
Con corriente saliente por puerta, se apaga

Se utiliza en aplicaciones de mucha potencia

Es muy robusto

U14d-46
GTO
Soporta altas tensiones
Puede manejar corrientes elevadas
La cada de tensin en conduccin es relativamente baja

El GTO es bsicamente igual que un SCR

Se han modificado algunos parmetros constructivos para
poder apagarlo por puerta
Se pierden algunas caractersticas (solucin de compromiso)

Cada de tensin en conduccin ligeramente superior al SCR

Algo ms rpido que un SCR

U14d-47
GTO. Caractersticas tpicas.
1000, 2500, 4500 - 6000 V

Entre 1000 y 3000 A

Condensador parsito entre nodo y ctodo

CS CS puede tomar valores entre 1 y 6 F

DYNEX: www.dynexsemi.com

U14d-48
GTO. Caractersticas tpicas.

Est limitado en cuando a la rapidez de cambio en tensin y corriente

U14d-49
GTO. Caracterstica de puerta

Una vez disparado, hay que mantener un cierto valor de corriente

para evitar que se apague
El pulso de arranque debe tener un mnimo de duracin

U14d-50
 MCT (MOS Controlled Thyristor)
Funcionamiento
Tiristor controlado por MOS.
Dispositivo moderno.
Intenta aprovechas las ventajas del MOSFET para el disparo y la extincin.

U14d-51
Comparativa (SCR, GTO, MCTs)
SCR:
Tensin y corrientes elevadas.
Bajo coste.
No se puede apagar.

GTO:
Valores de tensiones y corrientes intermedia entre SCR e IGBT.
Ms lento que el IGBT y MCT.
Difcil de disparar.

MCT:
Fcil de disparar.
Mas lento que el IGBT.
Dispositivo moderno.

U14d-52
Muchas gracias por
su atencin y quedo
a su disposicin
para contestar sus
preguntas

U14d-53