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POR:
GUTIERREZ ROSSEL RUDIER
GUTIERREZ ROSSEL RUDIER
¿Qué es un transistor?
VOLTAJE COLECTOR-BASE V C B = 60 V
VOLTAJE COLECTOR-EMISOR V C E = 30 V
VOLTAJE BASE-EMISOR V B E = 5 V
DISIPACIÓN DE POTENCIA I C V C E = 500 MW
TEMPERATURA 125°C
Calculo de intensidad del transistor
• A la hora de calcular la variación de una tensión o corriente primero
tenemos que definir con respecto a qué queremos conocer la variación.
un caso típico es calcular la variación de la corriente de colector de un
transistor con respecto a la temperatura. esto implica ser capaces de
calcular el incremento o decremento en la ic cuando la temperatura
pasa de un valor t1 a otro t2. en general no se dispone de ningún dato
que nos indique directamente cuánto varía ic con t, por lo que el cálculo
hay que hacerlo empleando otros tipos de relaciones que sí se
conocen. concretamente el problema queda planteado de la siguiente
forma:
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR
BIPOLAR
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones
semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones (uniones
pn). en la figura 4 observamos el aspecto útil para análisis de un
transistor bipolar. siempre se ha de cumplir que el dopaje de las
regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo p, entonces la
base será tipo n y el colector tipo p. esta estructura da lugar a un
transistor bipolar tipo pnp. si el emisor es tipo n, entonces la base
será p y el colector n, dando lugar a un transistor bipolar tipo npn
ESQUEMA PNP
Están formados por tres capas alternas de
semiconductores de tipo n y p, lo que da dos
posibilidades que diferencia dos grandes
familias de transistores, los pnp
ESQUEMA NPN
L as tr e s r eg i on e s d e m at e r i al s e mi c o nd u c to r r e c ib e n el
n om b r e d e b a s e, e m is o r, y c o le c to r, y s o n a cc es i bl e s
e lé c tr i c a m e nte g r a c i as a tr e s p a ti ll as qu e p e r m it en qu e
c o ne c te s e l tr an s i st o r a l c ir c u i to d e a pl ic a c ió n .
PRECAUCION DE TEMPERATURA DEL
TRANSISTOR
• A medida que aumenta la temperatura de un transistor, la corriente de colector
aumentará porque
• La corriente de semiconductor intrínseca entre el colector y la base aumenta
con la temperatura. Su flujo a través de las resistencias de polarización, hace la
base más positiva, aumentando la polarización directa en el diodo base-emisor.
Para un diodo de silicio Simpson, se cita un aumento de 2 nA para un aumento
de 10°C de temperatura.
• El voltaje base-emisor que se requiere para una corriente de colector
determinada, disminuirá. Esta disminución es de aproximadamente -2,5 mV/°C.
EJERCICIOS DE APLICACIÓN