TIRISTORES

INTRODUCCIÓN

Los tiristores ( a veces llamados SCR, semiconductor-controlled

rectifiers, o rectificadores controlados de silicio) pertenecen a uno
de los tipos mas antiguos de dispositivos de potencia de estado
sólido y todavía tienen la capacidad más alta de manejo de potencia
(1957, en los laboratorios de investigación de General Electric).

Tienen una construcción única de cuatro capas y son interruptores

de bloqueo que se encienden por la terminal (compuerta) de control,
pero no se apagan por la compuerta.

Ing. Marcelo Silva Montersos.

 TIRISTORES

• Tiristor de Control de Fase; SCR.

• Fast – Switching Thyristor; High Speed.
• GTO; Gate Turn Off Thyristor.
• TRIAC; Bidirectional Triode Thyristor.
• Reverse – Conducting Thyristor; RCT´s.
• Static Induction Thyristor; SITH´s.
• Light Activated Silicon Controlled rectifiers; LASCR´s.
• FET – Controlled Thyristor.

Ing. Marcelo Silva Montersos.

 SCR: ESTRUCTURA Y SÍMBOLO
CATODO
PUERTA

K
Metalizado Aislante

19
10 /cm
3
N+
19
10 /cm
3
N+
10 u
G
17 3 30 - 100 u
P 10 /cm

14 3

N- 10 /cm 50 - 100 u

P 17
10 /cm
3
30 - 50 u

P+ A
19 3
10 /cm

Met alizado

ANODO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ESTRUCTURA Y SÍMBOLO

G
P

G
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ESTRUCTURA

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: POLARIZACIÓN DIRECTA

P
J1
N
J2
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: POLARIZACIÓN DIRECTA

P
J1
N
J2
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: POLARIZACIÓN DIRECTA

A A

P
J1 J1
N
J2 J2
P
J3 J3
N

K K

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA
A

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA
A

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ACTIVADO POR COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: PROTECCIÓN CONTRA di/dt

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ESTRUCTURA DE LA COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: ESTRUCTURA DE LA COMPUERTA

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES

A A

P
J1
N
J2
G
P G

J3
N

K K

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES EN ACTIVADO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES EN ACTIVADO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES EN ACTIVADO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES EN ACTIVADO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: MODELO CON DOS TRANSISTORES EN ACTIVADO

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: POLARIZACIÓN INVERSA

P
J1
N
J2
G
P
J3
N

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: POLARIZACIÓN INVERSA

P
J1
J1
N
J2 J2
G
P
J3
N J3

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: CURVA CARACTERÍSTA EN ESTADO ESTABLE

IAK

Ig=0

IL

Ifr
VBR IH

VD VBD VAK
Ifd

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: CURVA CARACTERÍSTA EN ESTADO ESTABLE

IAK

Ig1

Ifr
VBR

VD VBD VAK
Ifd

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: CURVA CARACTERÍSTA EN ESTADO ESTABLE

IAK

Ig2

Ifr
VBR

VD VBD VAK
Ifd

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: CURVA CARACTERÍSTA EN ESTADO ESTABLE

IAK

VBR

VBD VAK

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR: CURVA CARACTERÍSTA EN ESTADO TRANSITORIO

VAK

IAK

Qrr t

Irr

trr

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Efecto transistor:
VA > VK y Ig
A

G
ig

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Temperatura:
A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Ondas Electromagnéticas:
A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Sobrevoltaje:
A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Sobrevoltaje:
A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO
A

Cj

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Variaciones de voltaje en el tiempo:

A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 MÉTODOS DE DISPARO

Ruido en la gate:
A

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR EN AC

Conmutación natural:

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR EN AC

Conmutación natural:
Vo

wt

SC
1

wt

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR EN DC

Conmutación forzada:

SW 1

Rg

E1
SW2

E2

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 SCR EN DC

Conmutación forzada:

Vo
E1

Sw1
1

S w2
1

t
Ing. Marcelo Silva Monteros.
 SCR: CURVA VOLTAJE CORRIENTE DE GATE

Vfg

Ciclo de trabajo = 0.1

Vfg mx

Pg mx

Area de disparo seguro

Ifg mx

Ifg

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC: ESTRUCTURA Y SÍMBOLO
PUERTA T1

Metalizado Aislante
T1
N4 N2 G

P2

N1

P1

N3
T2
Met alizado

T2

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC

La conducción bidireccional del TRIAC se debe a su estructura de

capas, que funcionalmente equivale a dos tiristores en antiparalelo
P1N1P2N2 y P2N1P1N3.

VT2T1  0 : P1 N1 P2 N 2

VT2T1  0 : P2 N1 P1 N 3

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC: CURVA CARACTERÍSTICA EN ESTADO ESTABLE

IT2T1

IL

Ifr IH
-V B R -V R

VD VBD VT2T1
Ifd

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC: MÉTODOS DE DISPARO

Disparo en el primer cuadrante: VT2T1  0 : I G  0

P1 N1P2 N2

Disparo en el segundo cuadrante: VT2T1  0 : I G  0

P1 N1P2 N2

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC: MÉTODOS DE DISPARO

Disparo en el tercer cuadrante: VT2T1  0 : I G  0

P2 N1 P1 N 3

Disparo en el segundo cuadrante: VT2T1  0 : I G  0

P2 N1 P1 N 3

Ing. Marcelo Silva Monteros.

 TRIAC: MÉTODOS DE DISPARO

Polarización IG Sensibilidad Modo Cuadrante

Directa IG + Muy Alta I+ I

T2 +
T1 - IG - Buena I- II

Inversa IG + Mala III + IV

T2 -
T1 + IG - Buena III - III

Ing. Marcelo Silva Monteros.