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CVD possibilita:
– Usar estrutura de contato vertical
– Preenchimento de contatos
decréscimo da topologia da superfície
– Não é necessário contato tipo caps, pois
o problema da cobertura de degrau é
minimizado.
• CVD de Metal - Plug
Características do W:
– Excelente contato com Si;
– Suporta altas temperaturas;
– Pode ser depositado por CVD
(conforme);
– Deposição seletiva em via-plugs;
– Excelente metal contato/barreira.
• Contato Ohmico de W
500 a 600 ºC
2F6 + 7SiH2Cl2 2WSi2 + 3SiF4 + 7HCl
2F6 + 7SiH2Cl2 2WSi2 + 3SiCl4 + 12HF+ 2HCl
Melhor cobertura de degrau
Menos incorporação de fluoreto.
• WSix Baseado em Silana
WF6 + 2 SiH4 WSi2 (s) + 6 HF + H2
Degaseificação
Limpeza da superfície do wafer
PVD de Ti
PVD de TiN
CVD de TiN
Tratamento de plasma N2 – H2
CVD de W
• Processo de Interconexão de
Alumínio
Degaseificação
Limpeza da superfície do wafer
PVD de Ti
PVD de Al-Cu
PVD de TiN
• Processo de Interconexão de
Cobre
Degaseificação
Limpeza da superfície do wafer
PVD de Ta
PVD da semente de Cu
• Degaseificação
Cu(hfac)2 + H2 Cu + 2 H(hfac)
2 Cu(hfac)(tmvs) Cu +
Cu(hfac)2 + 2 tmvs