DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES

EL DIODO
Materiales Semiconductores
 La denominación semiconductor advierte en sí misma sus
características con su prefijo “semi” es aplicado a niveles
entre dos limites.

 Un conductor se aplica a cualquier material que permite un

flujo generoso de carga cuando una fuente de voltaje de
magnitud limitada se aplica a través de sus terminales.

 Un aislante o dieléctrico es un material que presenta un nivel

muy inferior de conductividad cuando se encuentra bajo la
presión de una fuente de voltaje aplicada.

 Un semiconductor, por lo tanto es un material que posee un

nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de
un dieléctrico y un conductor.
 Materiales Extrínsecos tipo P y tipo N
 Material tipo N

 Los materiales tipo N como

tipo P se forman cuando
añade un numero
predeterminado de átomo de
impureza a una base de
germanio o silicio.
 El material tipo N se crea al
introducir elementos
impuros que cuentan con
cinco electrones de valencia
(pentavalente) como lo son
antimonio, arsénico, fósforo.
 Material tipo P

 El material tipo P se forma

mediante el dopado de un
cristal puro de germanio o
silicio con átomos de
impureza que cuentan con
tres electrones de valencia.
 Los elementos que se usan
con más frecuencia son: el
boro, el galio el indio.
Portadores Mayoritarios y Minoritarios
Polarización del Diodo
 Directa  Inversa
 Resumen
 Tipo N: En este caso se
contamina el material con átomos
de valencia 5, como son Fosforo
(P), Arsénico (As) o Antimonio
(Sb).
 Al material tipo N se le denomina
tambien donador de electrones.
 Tipo P: En este caso se contamina
el material semiconductor con
átomos de valencia 3, como son
Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In).
 Al material tipo P se le denomina
donador de huecos (o aceptador de
electrones).
 UNIÓN PN.
BARRERA DE POTENCIAL. DIODO
al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en
una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe
diferentes denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de
agotamiento o empobrecimiento, de deplexión,
de vaciado, etc.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que

aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n.
Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso
del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez

alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5
micras pero cuando uno de los cristales está mucho
más dopado que el otro, la zona de carga espacial es
mucho mayor.
Polarización directa de la unión P - N

 En este caso, la batería disminuye la

barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la
corriente de electrones a través de la
unión; es decir, el diodo polarizado
directamente conduce la electricidad.
 Se produce cuando se conecta el polo
positivo de la pila a la parte P de la unión
P - N y la negativa a la N. En estas
condiciones podemos observar que:
 El polo negativo de la batería repele los
electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unión
p-n.
 El polo positivo de la batería atrae a los
electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los
huecos hacia la unión p-n.
 Polarización inversa de la unión
P-N
 En este caso, el polo negativo de la
batería se conecta a la zona p y el polo
positivo a la zona n, lo que hace
aumentar la zona de carga espacial, y la
tensión en dicha zona hasta que se
alcanza el valor de la tensión de la
batería, tal y como se explica a
continuación:
 El polo positivo de la batería atrae a los
electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el
conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los
átomos pentavalentes que antes eran
neutros, al verse desprendidos de su
electrón en el orbital de conducción,
adquieren estabilida
Curva característica del Diodo
º
Grafica
 EL DIODO
 El diodo es el más sencillo de
los dispositivos electrónico, pero
con un papel importante en los
sistemas eléctrico-electrónicos ya
que su característica principal es
que se asemeja a un interruptor
sencillo
 El diodo ideal es un dispositivo de
dos terminales , tal como se
muestra en la figuras.
Polarización del diodo
Resistencia de DC o Estática
Ejemplos
Solución
Ejemplo
Circuitos Equivalentes de Diodo
 Modelo Ideal

 Modelo simplificado

 Modelo de segmentos lineales

Aproximaciones del Diodo
 Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan
en la actualidad tres aproximaciones:
 La primera aproximación es la del diodo ideal, en la que se
considera que el diodo no tiene caída de tensión cuando
conduce en sentido positivo, por lo que esta primera
aproximación consideraría que el diodo es un cortocircuito
en sentido positivo. En cambio, el diodo ideal se comporta
como un circuito abierto cuando su polarización es inversa.
 En la segunda aproximación, consideramos que el diodo tiene
una caída de tensión cuando conduce en polarización directa.
Esta caída de tensión se ha fijado en 0.7 V para el diodo de
silicio, lo que hace que la segunda aproximación pueda
representarse como un interruptor en serie con una fuente
de 0.7 V.
 La tercera aproximación aproxima más la curva del diodo a
la real, que es una curva, no una recta, y en ella colocaríamos
una resistencia en serie con la fuente de 0.7 V.
Grafica del Diodo

Zona de baja polarización

OA
directa, pequeña corriente
AB Zona de conducción
OC Corriente inversa de saturación
A partir de C, zona de avalancha
Prueba del Diodo
 El estado de un diodo semiconductor
puede determínese de forma rápida
mediante:
1. Un multímetro digital
2. La función de un óhmetro
3. Trazador de curva
Análisis por medio de la Recta de Carga
Ejemplo
Configuración de diodo en serie con entrada DC
Ejemplos
Configuración de diodo en paralelo con entrada DC
Ejemplo
 Circuitos Recortadores.
 Se emplean cuando se quiere seleccionar
parte de una onda, distinguiéndola por quedar
encima o por debajo, de un determinado nivel
de tensión que se toma como referencia. A los
circuitos recortadores también se les
denomina limitadores o selectores de
amplitud.
 Se pueden distinguir dos tipos de circuitos
recortadores:
 - Recortadores a un nivel.
 - Recortadores a dos niveles.
 Recortadores a un nivel.
 Diodo serie (recortador a nivel  Diodo paralelo
cero)
Serie y Paralelo
 Diodo serie  Diodo paralelo
polarizado polarizado:
Serie
Paralelo
Recortador a dos niveles
Diodo como rectificador de media onda con entrada senoidal
Diodo como rectificador de media onda con entrada senoidal

 Proceso de
eliminación de un
medio de la señal
de entrada para
establecer un nivel
de DC.
 Conocido como
rectificador de
media onda
Ejemplo
Señal Periódica (sinodal)
Valor Medio
Valor Eficaz
Señal Senoidal
Voltaje Pico Inverso
Rectificador de Onda Completa
Recorrido de la corriente
Recorrido en otro sentido
Transformador con derivación central
Otros Diodos
 Diodo avalancha  Diodo Schottky
 Diodo rectificador  Diodo Shockley
 Fotodiodo  Diodo túnel
 Diodo Gunn  Diodo Varicap o diodo
 Diodo láser varactor
 Diodo emisor de luz  Diodo Zener
(LED e IRED)  Diodo p-i-n
Diodo avalancha
 Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor
diseñado especialmente para trabajar en tensión
inversa.
 La aplicación típica de estos diodos es la protección
de circuitos electrónicos contra sobretensiones.
 El diodo se conecta en inversa a tierra, de modo que
mientras la tensión se mantenga por debajo de la
tensión de ruptura sólo será atravesado por la
corriente inversa de saturación, muy pequeña, por lo
que la interferencia con el resto del circuito será
mínima
 Los diodos avalancha generan ruido de radio
frecuencia; son comúnmente utilizados como fuentes
de ruido en equipos de radio frecuencia
Diodo rectificador
 Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente
eléctrica en una única dirección. En la dirección de conducción y de
forma simplificada, la curva característica de un diodo consta de
dos regiones, por debajo de cierto voltaje, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de él, como un circuito
cerrado con muy pequeña resistencia eléctrica.

 Dependiendo de las características de la alimentación en corriente

alterna que emplean, se les clasifica en monofásicos, cuando están
alimentados por una fase de la red eléctrica, o trifásicos cuando se
alimentan por tres fases.
 Diodo Fotodiodo
 Un fotodiodo es un semiconductor construido con
una unión PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja.
 Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producirá una cierta
circulación de corriente cuando sea excitado por la luz.
Diodo Gunn
 Es una forma de diodo usado en la
electrónica de alta frecuencia.
 A diferencia de los diodos ordinarios
construidos con regiones de dopaje P o
N, solamente tiene regiones del tipo N,
razón por lo que impropiamente se le
conoce como diodo
Diodo Laser

 El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos

LED pero que bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces
se los denomina diodos láser de inyección, o por sus siglas
inglesas LD o ILD.

 Algunas aplicaciones
 Comunicaciones de datos por fibra óptica.
 Lectores de CDs, DVDs, Blu-rays, HD-DVDs, entre otros.
 Interconexiones ópticas entre circuitos integrados.
 Impresoras láser.
 Escáneres o digitalizadores.
 Sensores.
 Armas láser.
Diodo Emisor de Luz (LED)
 El LED es un tipo especial de diodo,
que trabaja como un diodo común, pero
que al ser atravesado por la corriente
eléctrica, emite luz.
 Eléctricamente el diodo LED se
comporta igual que un diodo de silicio o
germanio.
 Dependiendo de la magnitud de la
corriente, hay recombinación de los
portadores de carga (electrones y
huecos). Hay un tipo de
recombinaciones que se llaman
recombinaciones radiantes (aquí la
emisión de luz).
 Dependiendo del material de que está
hecho el LED, será la emisión de la
longitud de onda y por ende el color.
 Debe de escogerse bien la corriente
que atraviesa el LED para obtener una
buena intensidad luminosa y evitar que
este se pueda daña
Diodo Schottky

 El diodo Schottky ,, es un
dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rápidas entre los estados de
conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dispositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y
muy bajas tensiones umbral

 A diferencia de los diodos convencionales de silicio,

que tienen una tensión umbral —valor de la
tensión en directa a partir de la cual el diodo
conduce— de 0,7 V, los diodos Schottky tienen una
tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
Diodo Shockley

 Un diodo Shockley es un dispositivo de dos

terminales que tiene dos estados estables: OFF o
de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se
debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
 Está formado por cuatro capas
de semiconductor tipo n y p, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
 Diodo Túnel
 El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.
 La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo (amplificador/oscilador). También se conocen como diodos
Esaki, en honor del hombre que descubrió que una fuerte contaminación con
impurezas podía causar un efecto de tunelización de los portadores de carga a lo
largo de la zona de agotamiento en la unión. Características, principio de
funcionamiento y aplicaciones.
 Una característica importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un
determinado intervalo de voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia
es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el
diodo túnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable.
Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones
que involucran microondas y que están relativamente libres de los efectos de la
radiación.
 Diodo Varactor
 El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de
diodo que basa su funcionamiento en el fenómeno que hace que
la anchura de la barrera de potencial en una unión PN varie en
función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se
obtiene un condensador variable controlado por tensión. Los
valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión
inversa mínima tiene que ser de 1 V.
 La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la
sintonía de TV, modulación de frecuencia en transmisiones de FM
y radio y en los osciladores controlados por voltaje (Oscilador
controlado por tensión).
 En tecnología de microondas se pueden utilizar como limitadores:
al aumentar la tensión en el diodo, su capacidad varía,
modificando la impedancia que presenta y desadaptando el
circuito, de modo que refleja la potencia incidente.
Diodo Zener
Análisis para una fuente de Alimentación fija
y una Resistencia de carga fija
Ejemplo
Solución
Análisis para una fuente de Alimentación fija y
una Resistencia de carga variable
Ejemplo
Análisis para una fuente de Alimentación variable y
una Resistencia de carga fija
II PARTE

DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
Diodo Zener
Análisis para una fuente de Alimentación fija
y una Resistencia de carga fija
Ejemplo
Solución
Análisis para una fuente de Alimentación fija y
una Resistencia de carga variable
Ejemplo
Análisis para una fuente de Alimentación variable y
una Resistencia de carga fija
TRANSISTORES
BIPOLAR
 El transistor es un dispositivo de tres que
consta ya sea de dos tipo p y una tipo n u
dos tipo n y una tipo p.
 Tipo npn y pnp
 Funcionamiento
Notación y Símbolos de los transistores para
la configuración base común
 PNP  NPN
Características de Base Comun
 Entrada  Salida
Polarización Base Común
Ejemplo
Ejemplo
Configuración Emisor Común
Configuración Colector Común
Grafica de salida de la configuración
colector común
Polarización DC de los transisitores
 Las siguientes relaciones son básica pa el análisis del
transistor

 Para los amplificadores a transistores el voltaje y la corriente

de DC resultante establecen un punto de operación sobre la
característica que define una región que se utilizara para la
amplificación de la señal aplicada
Polarización DC
 TRANSISTOR BJT
 Circuitos de Polarización:

◦ Polarización Fija.
 Sin resistencia de emisor.
 Con resistencia de emisor.

◦ Polarización con cuatro resistencias.

◦ Polarización por retroalimentación.

Circuito de Polarización Fija
 TRANSISTOR BJT
 Polarización Fija:
◦ Se escriben dos ecuaciones:
 Malla de entrada.
 Malla de salida.
Ec. de la Malla de entrada:
VCC  RBIB  VBE
VCC  VBE
IB 
RB
IC   IB
IE  IC  IB

Ec. de la Malla de salida:

VCC  RCIC  VCE
VCC  RC   IB   VCE
VCE  VCC  RC   IB 
Ejemplo
Saturación del Transistor
Análisis de la recta de carga
Analisis del punto Q
Ejemplo
Circuito de polarización DC con estabilizado
en el emisor

 Colocando una resistencia en el emisor se mejora el

nivel de estabilidad el punto de operación “Q” con
respecto a la polarización fija
Circuito de polarización DC con estabilizado
en el emisor
 Malla Emisor-Base
Circuito de polarización DC con estabilizado
en el emisor
 Malla Colector-Emisor
Ejemplo
Nivel de Saturación
Ejemplo
 Determine la
corriente de
saturación
Análisis de la Recta de Carga
Polarización por División de Voltaje
Análisis exacto
Ejemplo
Análisis aproximado
Divisor de voltaje
 Saturación del  Análisis por la recta
transistor de carga
Polarización DC por retroalimentación de voltaje

 Malla base-emisor
 Polarización DC por retroalimentación de voltaje

 Malla colector-emisor
Ejemplo
 TRANSISTOR BJT
 Diseño.
◦ En el diseño se pretende determinar los valores de resistencia del
circuito para operar en un punto Q específico.
◦ Se conocen:
 El tipo de polarización a utilizar.
 Los valores del punto de operación (IC, VCE).
 El BJT,VCC.
◦ Reglas de diseño:
 Ve debe estar entre 1/5 y 1/10 de VCC, normalmente se usa 1/10 de
VCC.
 Cuando no se conoce VCE se usa ½ de VCC.
 Para un circuito con cuatro resistencias se deben agregar las
relaciones:
RB 2  VCC
VB 
RB1  RB 2
1
RB 2    RE 
10
 TRANSISTOR BJT
 Ejemplo 1: Dados ICQ=2 mA y VCEQ=10 V, determine R1 y RC en el
siguiente circuito.

VRC VCC  VC
RC  
IC IC
VC  VCE  VE  10  2.4  12.4V
18  12.4
RC   2.8 K 
2mA
 TRANSISTOR BJT
 Ejemplo 2: La configuración de la siguiente figura posee las siguientes
especificaciones: ICQ=1/2 ICSAT, ICSAT=8 mA. Determine RC, RE y RB.
 TRANSISTOR BJT
 Ejemplo 3: Determine los valores de resistencias para operar en el punto
Q de ICQ=2 mA y VCEQ=10 V con VCC=20 V.
TRANSISTOR BJT
 Ejemplo 4: Determine los valores de resistencia del siguiente circuito para
operar con ICQ=10 mA y VCEQ=8 V.