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ARSENURO DE GALIO

Y
FOSFURO DE INDIO

Illescas Sánchez Olga Lucero


ARSENURO DE
GALIO
INTRODUCIÓN

• La aplicación de nuevas técnicas para el desarrollo de semiconductores podría generar


impulso de la energía solar, ya que el uso de arsenuro de galio en vez de silicio en los
dispositivos desembocarían en el logro de una mayor eficiencia en las celdas
fotovoltaicas empleadas en los paneles solares. El avance fue obtenido por ingenieros y
especialistas de la Universidad de Illinois.
• Aunque el silicio es el material empleado en mayor medida en la actualidad en la
industria de semiconductores aplicados a dispositivos electrónicos, incluyendo las celdas
fotovoltaicas que los paneles solares utilizan para convertir la luz en energía no es el
material más eficiente para dicha función.
• Por ejemplo, el arsenuro de galio ofrece casi el doble de eficiencia con relación al silicio
en los dispositivos de energía solar. Sin embargo, se utiliza en un escaso porcentaje de
aplicaciones debido a su costo elevado.
• Francia, se encuentra en la vanguardia de la aplicación de alta tecnología con
arsenuro de galio. Entre las aplicaciones se encuentra la telefonía móvil, internet de
alto rendimiento. El proceso por el cual se obtiene el arsenuro de galio implica una
fundición de 1280 grados celcius de arsénico y galio, donde se obtiene lingote
cilíndrico de AsGa.
PROPIEDADES
• Para el estudio de los compuestos y dar algunos detalles de estos, es necesario
conocer algunas de sus propiedades. Por ejemplo:
• Propiedades electrónicas: Estructura de bandas/ energía de gap (directa o
indirecta)/ energía de exitón/ energía dentro de las bandas de valencia/ masas
efectivas (masas efectivas de electrones, huecos),/ factor g de electrones.
• Propiedades de la red: Estructura/ parámetros de red/ densidad.
• Propiedades de Transporte: Conductividad eléctrica/ corriente de concentración/
corriente de movilidad/ resistividad.
• Propiedades Ópticas: Constantes ópticas/ coeficiente de absorción/ reflectancia/
coeficiente de extinción/ índice de refracción/ constantes dieléctricas.
PROPIEDADES
ELECTRÓNICAS

P. Física Valor Condicion Método Ref


Numérico Experimental experimental

Gap 1.519 0K Fotoluminiscencia 84S


Directo
(eV)
Energía 0.300 120°K Fotoemision 85D
mínima BC
(eV)
Masa 0.067 0K Resonancia de 83L
efectiva e- ciclotrón 1
(m0 )
MÉTODOS EXPERIMENTALES
Fotoluminiscencia: Consiste en hacer que el material que queremos estudiar absorba energía en
forma de luz y luego pierda parte de esa energía también en forma de luz.
Con la ayuda de unos espejos dirigimos nuestro haz de luz hasta la muestra. La luz emitida por la muestra se
recoge con unas lentes y se dirigen con espejos hasta un aparato que se llama monocromador. Un
monocromador es una caja de dos agujeros: uno para que entre la luz y otra para que salga.
Dentro de la caja hay un objeto llamado red de difracción, que lo que hace es separa la luz que le entra por
un lado en los colores que la componen.
A la salida del monocromador hay un detec-
tor , dicha cantidad se registra, así tenemos

Un sistema automatizado que mide la señal


De la red de difracción.
FOTOEMISIÓN
La espectroscopía de fotoemisión (PES)
mide la distribución de energía de
electrones emitidos por átomos y moléculas
de varias cargas y estados de energía. Un
material irradiado con luz ultravioleta o con
rayos X, puede emitir electrones, llamados
fotoelectrones, desde niveles atómicos de
energía, como una energía cinética igual a
la diferencia entre la energía del fotón y la
energía de ionización, que corresponde a la
energía necesaria para desprender
complemente un electrón de un nivel
atómico de energía.
RESONANCIA DE CICLOTRON
• En esta técnica los iones son atrapados en una
celda, generalmente con estructura cúbica,
compuesta por tres placas. Un par sirve para
mantener al ion atrapado, otro sirve para excitarlo,
y el último realiza labores de detección. Los
átomos que se desean analizar se introducen en el
interior de esta celda, y un haz de electrones
provoca su ionización. Estos adquieren un
movimiento circular ciclotrónico, causado por el
poderoso campo magnético. La frecuencia de este
movimiento es característica y depende de la
masa del ion y la intensidad del campo.
• Para detectar los iones se aplica pulsos de voltaje
con variación rápida en su frecuencia a las placas
de excitación. Como en el interior de la celda
existen muchos iones distintos, la señal que se
genera es complicada, por lo que se requiere la
aplicación de transformadas de Fourier para
descomponerla y determinar la relación carga-
masa de los iones analizados.
PROPIEDADES DE
LA RED
Propiedad Valor Condición Metodo Ref
Física numérico experimental Exp.

Estructura Zincblenda Estable a 82B2


GaAs presión
normal

NaCl Alta 82B


presiones 2

Presión de 172 kbar Comienzo 82B


Transición de la 2
trans.
Parámetro 5.65325 Å 300 K X-Ray 75M
Red a 2
DIFRACCION DE RAYOS X (DRX)
• El método de difracción de rayos X en general y en particular de polvo cristalino es
el único método analítico capaz de sumistrar información cualitativa y cuantitativa
sobre los compuestos cristalino presentes en un sólido.
• La técnica consiste en hacer incidir un haz de rayos X sobre el sólido sujeto a estudio.
La interacción entre la radiación X y los electrones de la materia que atraviesan dan
lugar a una dispersión. Al producirse la dispersión tiene lugar interferencias
(constructivas como destructivas) entre los rayos dispersados. El resultado es la
difracción, que da lugar a un patrón de intensidades que puede interpretarse según
la ubicación de los átomos en el cristal, por medio de la ley de Bragg.
PROPIEDADES DE
LA RED

Propiedad Valor Condiciones Metodo exp. Re


Física Nmérico experimentales f.
Densidad 5.3176 298.15 K Archimedeam 65
gcm-3 S2
PROPIEDADES DE
TRANSPORTE Propiedad
Física
Valor
numérico
Condición Método
exp. experimental
Ref

observaciones

Concentracion 2.1x1o^6 300 K 82B


intrínseca de 3
Portadores ni
(cm-3)

Conductividad 2.38x10-9 83
Ω^(-1)cm^(-1) W
PROPIEDAD
ÓPTICA

Prop Fisica Valor Condicion Met Ref


Numérico exp Exp
Indice de 3.6 82B1
refracción
COSNTANTES ÓPTICAS
ELIPSOMETRÍA

• La elipsometría es una técnica experimental que mide los cambios en los


estados de polarización de la luz cuando esta es reflejada o transmitida a través
de un sistema de tipo laminar. Estos cambios son tomados en cuenta mediante
los ángulos elipsométricos los cuales a su vez se relacionan mediante
ecuaciones trascendentes con los índice de refracción y las espesuras de las
películas que integran la muestra.
REFERENCIAS
• 84S Skromme,B.J, Stillman, G.E: Phys. Rev (1984)1982.
• 85D Drouhin, H.J Hermann, C, Lampel, G: Phys. Rev (1985).
• 83L1 Lindemann, G, Lasssning, R., Seidenbusch, W., Gornik,E., Phys, Rev (1983).
• 76S2 Skolnick, M.S Jain, A,K Stradling, R.A Phys (1976) 2809.
• 82B2 Buablitz, M., Ruoff,A.L Appl. Phys. 53 (1982).
• 75M2 Mullin, J.B Straughan, B.W Phys, Conf,Ser.24 (1975) 275.
FOSFURO DE INDIO

(InP)
PROPIEDADES ELECTRÓNICAS
Propiedad Valor Observaciones Método Ref
física numérico experimental
Gap 1.4236 1.6 K fotoluminiscen 85B
Directo cia
(eV)
PROPIEDADES DE RED

Propiedad Valor Condiciones exp Método Ref


Física Numerico Exp

Estructura ZincBlenda Presion 63J


InP normal
Presión de 133kbar 63J
Transición
Parámetro a= 5.8687 291.15 K X-Ray 58G
De red (Å)
a=5.8871 912 K 72K

Densidad 4.81 77M


gcm-1
PROPIEDADES ÓPTICAS
CONSTANTES ÓPTICAS
REFERENCIAS

• 85M Mathieu H, Che.Y., Casassel. J,. Alle , D.S Phys. Rev (1985)
• 75R Rochon P. Fortin. E- Phys, Rev (1975)
• 63J Jamieson, J. C. Science (1983)
• 58G Giesecke, G.Pfister, H. Acta Crystallogr, 11, (1958).
• 77M Merril, L: J. Chem, Ref. Data 6 (1977)
• 56W Weiss,H.Z Naturforch 10a (1955).
• 83 A Aspness T. Studna Phys (1983)

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