金屬半導體接面

金屬半導體接面
 之前所提之pn接面為相同材料，
只是摻雜種類不同的半導體相
接。

 金屬半導體接面：可分為有整
流 作 用 的 蕭 特 基 位 障
（Schottky barrier）以及非整
流 特 性 的 歐 姆 接 面 (Ohmic
contact)。
能帶關係（以n型半導體為例，假設m>s）

真空能階：參考能階。
功函數 電子親和力
m：金屬的功函數。
s：半導體的功函數。
：半導體的電子親和力

相接時費米能階要相等，而且真空能階要連續。以金屬與n型
半導體為例：
電子由半導體流向金屬，半導體區留下正的施體離子，形成空
乏區。
 能帶關係（假設m>s）
從半導體層往金屬看之位障為Vbi

由圖可看出，Vbi = Bn - Vn
從金屬層往半導體看之位障為：

Bn  m   Bn又稱為蕭特基位障
能帶關係（續）

熱平衡狀態
順向偏壓下，由金屬
至半導體之位障不變， (+) (-)
但是由半導體至金屬
的位障減少；反之，
逆向偏壓下，由金屬
至半導體之位障不變， 順向偏壓
但是由半導體至金屬
的位障增加。 (-) (+)

逆向偏壓
蕭特基接面分析
利用電荷分佈關係（對x積分），可求得電場分佈：

其中

順向為正，逆向為負
可再求得內建電位之關係：
接面電容
空乏區之空間電荷面密度為：

單位面積空乏區電容為：

整理可得
接面電容（續）

以 1/c2 對 偏 壓 作 圖 ， 為
一斜直線，由斜率可求
得摻雜濃度：

另由截距可求出Vbi
能帶關係(續)
 對金屬與p型半導體接面而言，蕭特基位障為：
qBp  E g  q(m   )

 q(Bn  Bp )  E g

實際之位障與理想公式預
測略有不同，主要因為實
際之半導體有表面態階，
會影響位障高度。一般說
來，對矽與砷化鎵而言，
 Bn 的預測比實際低； Bp
的預測比實際高。
界面態階對位障之影響
假設金屬與半導體接面中間有一層很薄的氧化層，電子仍能穿透。

：因界面氧化層產生的位能差

假設在 0 （表面電位）
donor states 以上之界面態階為施
體態階（即填有電子
時為中性，空的時候
帶有正電荷），以下
為受體態階（即空的
態階為中性，填滿電
acceptor states 子時帶有負電荷）。
界面態階對位障之影響（續）
 假設界面態階界面態階密度為定值，為Dit(states/cm2-eV)：

1 i
E g  e0  eB 0  2e s N D (B 0  n )  [m  (   B 0 )]
 考慮兩個特殊狀況： eDit eDit

情況一：Dit，可得
B 0  1e ( E g  e0 )
此時之位障只與能隙、表面電位有關，與金屬功函數、半導體的電子親
和力無關。而費米能階變成在表面電位處，好像被釘住。
情況二： Dit0，可得 B0  m   …….理想表示式

Dit無法精確預測，故蕭特基位障高需由實驗決定。
7.1.2 The Schottky Barrier
電流電壓關係
 主要由於多數載子，和pn接面不同。
 主要傳導機構為熱離子發射—半導體中之電子越過位障而
達到金屬。

熱平衡狀態下，由金屬流向半導
體的電子電流和由半導體流向金
屬的電子電流相等，故淨電流為
零。
電流電壓關係（續）
順向偏壓下，由金屬流向半導體
的電子電流不變，但是由半導體
流向金屬的電子電流因位障降低
而增加，故有淨電流。

逆向偏壓下，由金屬流向半導體
的電子電流不變，但是由半導體
流向金屬的電子電流因位障增加
而降低，只剩少許淨電流。
電流電壓關係（續）
表面之Ec與
 熱平衡狀態下，電子濃度為： EF的距離

 電子電流正比於表面電子濃度

 順向偏壓下，電子濃度為：

 故順向偏壓下的淨電流為：

此式逆向偏壓也可使用，
將VF改為-VR即可。
電流電壓關係（續）
J  C1 N c e  qBn / kT (e qV / kT  1)
A＊稱為有效Richardson 常數（A/K2-
其中 C1 N c  A T
* 2
cm2 ），與有效質量有關，因為可產
生熱離子放射的電子濃度在計算時會
用到gc(E)(傳導帶狀態密度)，故與m*
有關。
n型矽為110，p型矽為32； n型砷化鎵為8，p型砷化鎵為74。

熱離子發射下，電子淨電流可表示為
J  J s (e qV / kT  1)

2  q Bn / kT 飽和電流密度（順向偏壓
其中 J s  A T e *
時為正逆向偏壓時為負）
電流電壓關係（續）
少數載子會由金屬注入，產生的電流為：

與p+n接面的擴散電流相同

其中

主要因半導體 在正常操作下少數載子的
的有效質量不 貢獻遠 小於多數載子所貢
同所造成
獻的電流。
（這稱為單極性元件）
蕭特基接面二極體與pn二極體的比較
 電流產生機制不同：
蕭特基接面二極體為多數載子熱離
子放射
pn接面二極體為少數載子擴散
結果：蕭特基接面二極體的飽和電
流Js要大得多，起使電壓也較大。

 頻率響應不同：
蕭特基接面二極體為多數載子元
件，在順向偏壓下沒有擴散電容，
在逆向偏壓下，也沒有少數載子
儲存電荷需要移除，所以切換速
度快，適用於高頻元件。
7.1.3 The Ohmic Contact歐姆接面
 此種金屬半導體接面雙向皆可
導通，且其接觸電阻遠小於半
小 大
導體的串聯電阻，當電流通過
時，其壓降可忽略。

 有兩種方式可形成：
半導體為低濃度摻雜時………
以n型半導體為例，使用m < EF更靠近Ec，電子濃
s的金屬材料；以p型半導體 度更增加。
為例，使用m > s的金屬材料，
降低位障。
半導體為高濃度摻雜時………
減少位障寬度，產生穿透效應。
歐姆接面的能帶圖（ m<s ）
＋
＋ 金屬接正：電子像溜滑
梯由半導體流向金屬。
半導體接正：電子由金
屬越過一小小的位障，
流向半導體。

金屬與p型半導體相接（ m > s ）
EF更靠近Ev，電洞濃
度更增加。
歐姆接觸電阻（speccific contact resistance）
熱離子
穿透

定義：

 m>s時，電流為熱離子發射，
故接觸電阻為：

 高濃度摻雜時，電流為穿透
電流：