Introducción a las

Energías Renovables

SEMANA 05: ENERGÍA SOLAR

Propósito:
Define los fundamentos de la energía
solar y los semiconductores.

Dr. Oscar Paul Huari Vila

Dirección de Calidad Educativa

 CONTENIDO
1. Situación Energética Actual.

2. Radiación Solar Como Fuente de Energía.

3. Potencial energético.

4. Tipos de Radiación Solar.

5. Potencial de la Energía Solar Térmica.

6. Instrumentos de Medición, Coordenadas Solares.

7. Fundamentos físicos de la célula solar, el efecto fotovoltaico.

8. Mecanismos de Generación y Recombinación.

 Situación Energética Actual
El consumo de energía de una población está totalmente ligado a su desarrollo económico.

Se estima que una tercera parte de los 6.000 millones de habitantes del planeta no tiene acceso a
fuentes de energía comerciales y, aproximadamente, una cuarta parte de la población mundial
(EUA, Japón y UE) consume tres cuartas partes del total de la energía que se comercializa en el
mundo.

En el año 2020 se espera que la población mundial haya aumentado en más de 2.000 millones de
personas y se espera que el consumo mundial de energía se incremente un 50%.

3
Consumo de energía a nivel mundial

4
 Radiación Solar Como Fuente de Energía
Sin embargo, su medición
La irradiación solar es una es escasa debido a los
de las variables más altos costos del
importantes, por ser la instrumental de precisión
fuente de energía utilizada requerido así como de su
en la gran mayoría de los mantenimiento, por lo que
procesos en nuestro la red de medición en el
planeta. Perú, como en muchos
otros países, es limitada.
De otro lado, la gran
variabilidad topográfica y
climática del territorio
peruano obligan a tener
que considerar redes más
densas y bien distribuidas
a nivel nacional para una
evaluación más precisa y
detallada de este recurso.
5
 Potencial Energético
Es variable, en función de la hora del día, época del año y situación
atmosférica: díanoche, estación del año (altura del sol sobre el
horizonte), nubes, nieblas, smog, calimas, etc.

En teoría, la radiación media incidente por m2 fuera de la

atmósfera es de 1,4 kW/m2.
• En una zona como Canarias, la energía solar anual, por m2, es aproximadamente
de 2.000 kWh/m2 (con un promedio de 3.000 h. de insolación, equivalente a
4.200.000 kJ/m2año o 1.711.488 kcal/m2año o 478,5 kcal/m2día).
• En el Valle del Mantaro la radiación la energía solar diaria, por m2, es
aproximadamente de 4.7 kWh/m2

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 Tipos de Radiación Solar

Radiación Difusa

Radiación Reflejada

7
Radiación solar directa, difusa e indirecta

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 Potencial de la Energía Solar Térmica
Puede estimarse que la emisión solar total al espacio, asumiendo una temperatura del Sol de 5.760 K, es de 3,84 .
1026 W. No obstante, solo una diminuta fracción de ella es interceptada por la Tierra, debido a que la energía
recibida es inversamente proporcional al cuadrado de la distancia al Sol (150 millones de kilómetros).

La potencia recibida en la parte superior de la atmósfera sobre una superficie perpendicular al rayo de sol, en el
caso de una distancia al Sol promedio, se denomina constante solar, cuyo valor aproximado es de 1.367 kW/m2.
Esta cantidad se reduce hasta aproximadamente 900 W/m2 cuando atraviesa la atmósfera y llega al suelo.

La distribución de la energía solar que llega a la Tierra no es uniforme.

En la caracterización de la radiación solar incidente en la Tierra, con el objeto de estimar el potencial solar,
intervienen diversos factores. Entre estos factores pueden señalarse:
• Las condiciones climatológicas, que influyen en el grado de nubosidad, la turbidez atmosférica, viento
predominante, etc.
• Época del año.
• La latitud del lugar.
• Orientación de la superficie receptora.
9
 Movimientos de Rotación, Traslación y
el efecto de la Declinación (d)
La tierra describe movimientos de rotación sobre su propio eje, traslación alrededor del sol.

El eje polar, sobre el que gira la Tierra, está inclinado respecto del plano de la eclíptica un
ángulo de 23,45o.

Debido a esta inclinación y a la traslación de la Tierra, el ángulo formado por el plano

ecuatorial de la Tierra con la recta imaginaria que une los centros del Sol y la Tierra,
denominado declinación solar (d), varía entre 23,45o (solsticio de verano) y -23,45o(solsticio
de invierno).

10
 Instrumentos de Medición
• Piranómetros: Miden la radiación global ( directa +
difusa)

11
 Instrumentos de Medición

Piroheliómetros:

• Miden la radiación directa.

• El piroheliómetro debe contar
con un sistema de movimiento
de relojería para seguir al sol
con gran precisión.

12
 Coordenadas Solares
Es el ángulo formado por la
En el hemisferio norte se mide
proyección sobre la superficie
hacia el Sur y es positivo hacia
horizontal del lugar, de la recta
el Oeste, siendo todo lo
sol-Tierra, con respecto a la
contrario para el hemisferio sur.
recta Norte-Sur terrestre.
Ángulo acimutal o
acimut (ψ, A):

El ángulo ψ es positivo por la

En el hemisferio sur se mide
mañana y negativo por la
hacia el Norte y es negativo
tarde, siendo a medio día igual
hacia el Oeste.
a cero.
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 Coordenadas Solares
Ángulo cenital o
Altura solar (a, h):
distancia cenital (qz, q):
• Es el ángulo que • Es el ángulo formado por la recta
forma la línea Sol- Sol-Tierra respecto al plano que
Tierra con la vertical contiene a la superficie del lugar.
del lugar, su La altura se establece por tanto si
complementario es la se traza un cuarto de círculo entre
altura solar (a, h). el cénit y el punto de salida del
Sol, y pasando por éste. 90o a
medio día y 0o en el ocaso.

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 Coordenadas Solares
Ángulo de inclinación de
la superficie captadora
(b)

Es el ángulo que forma el plano

que contiene a la superficie
captadora con el plano
horizontal.

Acimut del panel (g): ángulo de desviación
del plano que contiene a la superficie
captador con respecto a la recta Norte-Sur
terrestre. Sigue las mismas reglas que para
al ángulo acimutal.
Cénit: punto del hemisferio
celeste superior al horizonte,
corresponde al punto de la
vertical del observador en la
superficie.
Nadir: punto opuesto de la
esfera celeste al cénit. Si se une
el punto sur del lugar de
observación con el cénit se
obtiene el meridiano celeste.
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 Coordenadas Solares
• Coordenadas solares en el Hemisferio Norte

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Estimación de Sombras
• Uno de los problemas que se presenta a la hora de instalar un sistema
de captación solar térmico o fotovoltáico es el de ubicar en la medida
de lo posible dicho sistema en un lugar carente de sombra alguna.
Para ello se debe tener en cuenta cualquier obstáculo que se
interponga entre la radiación incidente, en cualquier día del año, y
la superficie captadora solar.
• Por ello, se hace necesario saber con exactitud la longitud de los
objetos que puedan producirlas, se pueden estimar si se hacen los
cálculos para el día del solsticio de invierno en el hemisferio norte que
es cuando la trayectoria del sol es más baja y las longitudes de las
sombras son más largas.

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Cálculo de Sombras
• Como ejemplo, si tenemos
un objeto de altura (h) en
un lugar de latitud (L),
estando el sol en unas
coordenadas geométricas
dadas por su altura solar
(a) y por su acimut (t) la
longitud de la sombra (d)
proyectada sobre la línea
Norte-Sur , vendrá dada
por la fórmula: Representación de la sombras producidas
por un objeto ante su exposición al sol en el
Hemisferio Norte

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 Definiciones
Duración
Balance de Balance de Coeficiente de astronómica del
Albedo día o Fotoperíodo
energía radiación extinción
(N)
• Cociente entre el • Ecuación que • Distribución de • Medición de la • Es el período de
valor de la expresa la los diferentes cantidad de iluminación solar
irradiación relación componentes de energía radiante comprendido
reflejada por una conservadora la radiación incidente desde la salida
superficie y la entre las atmosférica que absorbida por hasta la puesta
irradiación distintas formas son absorbidos, unidad de del sol. (García, 1
incidente sobre de energía en un reflejados, longitud o por 994). También se
ella (OMM, 1 determinado transmitidos o unidad de masa le conoce como
992). emplazamiento emitidos por la de un medio duración del día
o en un sistema atmósfera absorbente solar o duración
atmosférico en (OMM, 1 992). (OMM, 1 992). máxima del día.
estado
estacionario
(OMM, 1 992).

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 Heliofanía e Irradiancia

Heliofanía : Irradiancia:

• Es el tiempo, en horas, durante el cual el sol • Potencia solar

tiene un brillo solar efectivo en el que la incidente en una
energía solar directa alcanza o excede un superficie por
valor umbral variable entre 120 y 210 W/m2, unidad de área
que depende de su localización geográfica, (RISOL, 1 999). Sus
del equipo, del clima y del tipo de banda unidades son W/m2.
utilizada para el registro.
• También se le suele denominar “brillo solar”
ó “insolación”.

20
Heliofanía en el Perú

21
 • Es la energía electromagnética (del sol) emitida,
transferida o recibida (RISOL, 1 999).
• El término radiación se aplica al cuerpo que radia,
mientras que el término irradiación al objeto
expuesto a la radiación. Estrictamente, la superficie
Radiación terrestre es irradiada y los mapas y tablas son de
solar irradiación solar, sin embargo, aún hoy en día suele
usarse el término radiación para referirse a la
irradiación (Rodríguez y Gonzáles, 1 992).
• Las cantidades de radiación se expresan
generalmente en términos de irradiancia o irradiación
(exposición radiante).
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Irradiación en el Hemisferio Sur

23
 Irradiación solar Irradiación solar
Irradiación solar difusa
directa reflejada

• Es la radiación • Radiación que proviene de otras • Fracción de la

que llega a la direcciones (distintas a las del disco irradiación solar
superficie de la solar) debido a la reflexión y dispersión (directa y difusa)
tierra en forma que producen en la radiación solar, la que es reflejada
de rayos atmósfera y las nubes (Hernández et al., por la superficie
provenientes del 1991). terrestre (RISOL,
sol sin cambios • Radiación solar procedente de toda la 1 999).
de dirección bóveda celeste. Está originada por la
(Sánchez et al., 1 dispersión de la radiación en la
993). atmósfera (RISOL, 1 999).

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Tabla de conversión de unidades

25
Semiconductores y efecto fotovoltaico

26
 Fundamentos físicos de la célula solar

Protones
El Átomo

Neutrones
Electrones
27
Electrones de valencia
• Así, en la 1a órbita más
cercana al núcleo, llamada
órbita K, caben como máximo
dos electrones; en la 2a o L
caben 8; en la 3a o M, 18; en
la 4a, 32. De esta forma, el
átomo del cuerpo simple
llamado sodio, que contiene
en su núcleo 11 protones,
dispone de 3 órbitas,
existiendo dos electrones en la
1a, ocho en la 2a y uno solo en
la 3a; es decir, que los
electrones van llenando las
órbitas hasta su capacidad
máxima, comenzando por la
primera.
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Átomos neutros y de carga negativa
• Los átomos de los elementos simples, cuando están completos, son neutros, puesto
que contienen igual cantidad de electrones que de protones; pero dado que los
electrones de la última órbita son los más alejados del núcleo y perciben menos su
fuerza de atracción, pueden salirse de dicha órbita, denominada periférica o de
valencia. Así, en el átomo de litio, de 3 electrones y 3 protones, si escapa el
electrón que posee en la órbita 2a o L, deja al átomo cargado positivamente por
contener 2 electrones y 3 protones; si, por el contrario, en el átomo hubiese
alojado en la órbita L un electrón libre exterior, el átomo habría adquirido carga
negativa. Estos átomos, a los que se les ha desprovisto de algún electrón o lo han
capturado en su última órbita, se les denomina iones.

29
Átomos estables e inestables
• Atendiendo al número de electrones de que disponen los átomos en la
órbita periférica, éstos se clasifican en estables e inestables.
• Se llama átomo estable el que tiene completa de electrones su última
órbita o al menos dispone en ella de 8 electrones. Así, el helio, con 2
electrones y 2 protones, y el neón, con 10 protones y 10 electrones, son
átomos estables por tener completas sus órbitas de valencia.

30
 Átomos Inestables
• Los átomos inestables, que son los que no tienen llena su órbita periférica ni tampoco 8 electrones
en ella, tienen una gran propensión a convertirse en estables, bien desprendiendo los electrones
de valencia o bien absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la última órbita; en
cada caso realizarán lo que menos energía suponga.
• Por ejemplo, en el átomo de litio de 3 electrones y 3 protones, será menos costoso desprenderse
del electrón que existe en la órbita de valencia, que absorber en ella 7 electrones para completarla.
• Un caso opuesto sucede en el flúor, que con 9 electrones y 9 protones, le es más fácil completar su
órbita periférica, L, absorbiendo un electrón que no desprender los 7 que posee en ella.

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 Cuerpos conductores y aislantes
• Los cuerpos conductores son
aquellos cuyos átomos
permiten fácilmente el paso
de electrones a través suyo. El
átomo de cobre (Cu), que
posee 29 electrones y 29
protones, disponiendo de un
solo electrón en su 4.a órbita
N; será, por tanto, un átomo
inestable y tendrá una gran
tendencia a desprenderse del
electrón de la última órbita.
En la figura se presenta la
estructura atómica del cobre
y, a su izquierda, el símbolo
simplificado, en el que solo se
representa la última órbita.

32
Comportamiento de un material conductor ante una diferencia de potencial
• Al aplicar una diferencia de potencial a un cable de cobre, el terminal positivo
atrae fácilmente electrones de los átomos de Cu cercanos y que están
deseando soltarlos para hacerse estables, mientras que estos mismos átomos,
al quedar cargados positivamente, absorben electrones de los átomos que
están junto a ellos, repitiéndose el proceso hasta que los átomos conectados
al terminal negativo, habiendo perdido su electrón periférico, lo recuperan de
dicho terminal, que se los proporciona.

33
Cuerpos semiconductores intrínsecos
• La característica fundamental de los
cuerpos semiconductores es la de poseer
4 electrones en su órbita de valencia.
Con esta estructura el átomo es inestable,
pero para hacerse estable se le presenta
un dilema: le cuesta lo mismo desprender
los 4 electrones periféricos y quedarse sin
una órbita, que absorber otros 4
electrones para hacerse estable al tener
la órbita de valencia 8 electrones. En
estas especiales circunstancias, ciertos
elementos como el silicio y el germanio
agrupan sus átomos de modo muy
particular, formando una estructura
reticular en la que cada átomo queda
rodeado por otros 4
34
 El Átomo de Silicio
• Cada átomo de silicio (Si) ocupa siempre el
centro de un cubo que posee otros 4
átomos de silicio en cuatro de sus vértices.
Esta estructura cristalina obliga al átomo a
estar rodeado por otros 4 iguales,
propiciando la formación de los llamados
enlaces covalentes, que de una forma
simple consisten en la participación de
cada electrón en dos átomos contiguos,
algo así como si cada electrón periférico
de cada átomo sirviese no solo al que
pertenece, sino también al contiguo.
• En la Figura 6.20 se presenta la
configuración de la estructura cristalina
representada en un plano y en la que se
ponen de relieve solo los electrones
periféricos y los enlaces covalentes que
forman.
35
 Semiconductor extrínseco tipo N
• El átomo de antimonio (Sb) se dice que es pentavalente porque dispone de cinco órbitas y
la más externa contiene 5 electrones. Si a la estructura ya conocida del semiconductor
intrínseco —germanio o silicio puro— se añaden átomos de Sb en una ínfima proporción,
cada átomo de impureza se asienta en la estructura cristalina ocupando un puesto similar
al que ocuparía otro átomo de Ge o de Si, quedando por este motivo rodeado por 4 átomos
de semiconductor que tratan de formar con él los cuatro enlaces covalentes necesarios
para la estabilización.
• En la Figura se presenta la estructura cristalina del Si en la cual se ha introducido un átomo
de impureza Sb, hecho por el que recibe el nombre de semiconductor extrínseco.

36
Semiconductor tipo P
• El boro (número atómico 5) es un elemento trivalente, al igual que el aluminio
(número atómico 13), por disponer de 3 electrones en la órbita de valencia.
• Al añadir impurezas trivalentes al semiconductor intrínseco y entrar éstas a
formar parte de la estructura cristalina, quedan dichas impurezas rodeadas por
4 átomos de Si o Ge, con los que ha de formar cuatro enlaces covalentes, cosa
que puede realizar con 3 de ellos, dejando un enlace covalente a falta de un
electrón, o sea, con lo que se había llamado un hueco.

37
Unión del semiconductor N y P

38
Polarización del semiconductor
• La zona N era en principio
neutra y al colocarla junto a
la zona P pierde electrones
libres, cada vez va siendo
más positiva, mientras que
la zona P, al perder huecos,
se hace cada vez más
negativa.
• Así aparece una diferencia
de potencial entre las zonas
N y P, separadas por la zona
de unión que es neutra.

39
 Barrera de potencial
• La tensión que aparece entre las zonas N y P, llamada barrera de potencial, se opone a la
ley de la difusión, puesto que el potencial positivo que se va creando en la zona N repele a
los huecos que se acercan de P, y el potencial negativo de la zona P repele a los electrones
de la zona N. Cuando ambas zonas han perdido cierta cantidad de portadores mayoritarios,
que se han recombinado, la barrera de potencial creada impide la continuación de la
difusión y, por tanto, la igualación de las concentraciones de ambas zonas.

40
EL EFECTO FOTOVOLTAICO
• En estas condiciones, si incide luz y
los fotones comunican energía a los
electrones del semiconductor,
algunos de estos electrones pueden
atravesar la barrera de potencial,
siendo expulsados fuera del
semiconductor a través de un circuito
exterior: se produce una corriente
eléctrica.
• Los electrones, tras recorrer el
circuito externo vuelven a entrar en
el semiconductor por la cara opuesta.
41
 MECANISMOS DE
GENERACIÓN Y
RECOMBINACIÓN

Mecanismos que describen la

forma como los electrones
generan corrientes eléctricas

Radiativo SRH Auger Superficial

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 Radiativo
En el proceso de generación radiativo, el electrón gana su energía gracias a un fotón. En una célula solar, éste es el
proceso más importante puesto que es el principio del proceso de conversión fotovoltaica: primero es necesario
absorber fotones. Ahora entendemos por qué la conductividad de un semiconductor aumenta cuando se ilumina con
fotones de energía mayor que la energía del gap, ya que solo fotones con esa energía son capaces de aumentar la
población de partículas capaces de conducir.

Hay semiconductores en los que este proceso es más fácil. Son los semiconductores denominados de gap directo, como
el arseniuro de galio (GaAs). Son materiales muy absorbentes y dan lugar a que las capas activas que constituyen la
célula sean muy delgadas (de pocas micras) porque con poco material se puede absorber toda la luz.

Otros, como el silicio, son de gap indirecto, en los que este proceso es menos probable. Son materiales mucho menos
absorbentes y las capas activas que constituyen las células fabricadas con estos materiales son muy gruesas (más de 100
micras).

43
 SRH
En los procesos SRH (Shockey-Read-Hall) la generación-recombinación de pares de electrones huecos se ve asistida
por la existencia de uno (o varios) niveles energéticos permitidos donde no deberían estarlo (entre la banda de
conducción y de valencia).
El origen de estos estados permitidos puede estar en los defectos de la red cristalina del semiconductor e incluso
las propias impurezas introducidas. Desde el punto de vista de la célula solar deben ser evitados porque
producen una vía para la recombinación (sinónimo de pérdidas como hemos mencionado) de los pares electrón-
hueco creados mediante la luz.

Depende del material con el que se fabrican las células.

44
 Auger
• En los procesos Auger, cuando se
genera un par, la energía se toma
de un electrón (o de un hueco)
más energético que se termaliza;
cuando se recombina, la energía
se cede a un electrón que
aumenta su energía dentro de la
banda; de nuevo es un
mecanismo de pérdidas, sin
embargo, a diferencia de SRH que
depende de la calidad del
material con el que se fabrican
las células, este mecanismo de
pérdidas es de tipo básico, no
puede ser evitado, es inherente
al semiconductor.

45
Superficial
Los procesos generación-recombinación superficiales son similares a los SRH diferenciándose en que la estadística que gobierna
estos procesos viene determinada por la distribución específica de centros de recombinación en la superficie del
semiconductor.

Esta estadística es diferente de la que existe en el interior del semiconductor ya que, en estas superficies, por ejemplo, el
semiconductor simplemente «acaba».

Se trata de fenómenos a los que se atribuye carácter superficial, es decir, que ocurren en una región del espacio (superficie) que
matemáticamente puede considerarse mucho más pequeña que el resto de dimensiones involucradas en el problema (volumen)
(Figura 6.30). Los procesos de g-r superficiales se cuantifican por medio del parámetro llamado velocidad de recombinación
superficial.

46
GRACIAS

47