DIODO

SEMICONDUCTOR
EL DIODO SEMICONDUCTOR SE CREA UNIENDO UN
MATERIAL TIPO N A UN MATERIAL TIPO P.

SIN POLARIZACIÓN APLICADA (V = 0 V).

LOS SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P, POR SÍ

MISMOS, TIENEN LA MISMA UTILIDAD QUE UNA
RESISTENCIA DE CARBÓN.
EN EL MOMENTO EN QUE LOS DOS MATERIALES SE
“UNEN”, LOS ELECTRONES Y LOS HUECOS EN LA
REGIÓN DE LA UNIÓN SE COMBINAN Y PROVOCAN
UNA CARENCIA DE PORTADORES LIBRES EN LA
REGIÓN PRÓXIMA A LA UNIÓN.
LA FRONTERA FÍSICA ENTRE UN SEMICONDUCTOR TIPO
P Y UNO TIPO N SE LLAMA UNIÓN PN, POR LO QUE ESTA
ESTRUCTURA SE LLAMA TAMBIÉN DIODO DE UNIÓN.

DEBIDO A SU REPULSIÓN MUTUA, LOS ELECTRONES

LIBRES EN EL LADO N TIENDEN A DISPERSARSE EN
CUALQUIER DIRECCIÓN. ALGUNOS ELECTRONES LIBRES
ATRAVIESAN LA UNIÓN.

CUANDO UN ELECTRÓN ABANDONA EL LADO N, DEJA UN

ÁTOMO PENTAVALENTE SIN UNA CARGA NEGATIVA; ESTE
ÁTOMO SE CONVIERTE EN ION POSITIVO. UNA VEZ QUE
EL ELECTRÓN CAE EN UN HUECO EN EL LADO P, EL
ÁTOMO TRIVALENTE QUE LO HA CAPTURADO SE
CONVIERTE EN ION NEGATIVO.
LOS IONES SE ENCUENTRAN FIJOS EN LA
ESTRUCTURA DEL CRISTAL DEBIDO A LOS
ENLACES COVALENTES Y NO PUEDEN MOVERSE
COMO LOS ELECTRONES LIBRES Y LOS HUECOS.
ESTA REGIÓN DE IONES POSITIVOS Y NEGATIVOS
FORMADOS SE LLAMA REGIÓN DE “AGOTAMIENTO”,
DEBIDO A LA DISMINUCIÓN DE PORTADORES LIBRES
EN LA REGIÓN.

CADA PAREJA DE IONES POSITIVO Y NEGATIVO EN LA

UNIÓN SE LLAMA DIPOLO.

CADA DIPOLO POSEE UN CAMPO ELÉCTRICO ENTRE

LOS IONES POSITIVO Y NEGATIVO QUE LO FORMAN.
LA INTENSIDAD DEL CAMPO ELÉCTRICO AUMENTA
CON CADA DIPOLO QUE SE FORMA Y DETENDRÁ LA
DIFUSIÓN DE ELECTRONES A TRAVÉS DE LA UNIÓN.
EL CAMPO ELÉCTRICO QUE SE FORMA ES EQUIVALENTE A UNA
DIFERENCIA DE POTENCIAL LLAMADA BARRERA DE
POTENCIAL. A 25°C ES DE 0.3 V PARA DIODOS DE GE Y 0.7 V
PARA DIODOS DE SI.
SIN NINGUNA POLARIZACIÓN APLICADA A TRAVÉS DE UN DIODO
SEMICONDUCTOR, EL FLUJO NETO DE CARGA EN UNA
DIRECCIÓN ES CERO.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN INVERSA (VD < 0
V)
EN ESTE CASO, EL TERMINAL NEGATIVO DE LA
BATERÍA SE ENCUENTRA CONECTADO AL LADO P Y
EL TERMINAL POSITIVO LO ESTÁ AL LADO N.
EL NÚMERO DE IONES POSITIVOS REVELADOS EN
LA REGIÓN DE “AGOTAMIENTO” DEL MATERIAL TIPO
N SE INCREMENTARÁ POR LA GRAN CANTIDAD DE
ELECTRONES LIBRES ATRAÍDOS POR EL POTENCIAL
POSITIVO DEL VOLTAJE APLICADO. POR LAS MISMAS
RAZONES, EL NÚMERO DE IONES NEGATIVOS
REVELADOS SE INCREMENTARÁ EN EL MATERIAL
TIPO P.
EL EFECTO NETO, POR CONSIGUIENTE, ES UNA
MAYOR APERTURA DE LA REGIÓN DE AGOTAMIENTO,
LA CUAL CREA UNA BARRERA DEMASIADO GRANDE
PARA QUE LOS PORTADORES MAYORITARIOS LA
PUEDAN SUPERAR, POR LO QUE EL FLUJO DE
PORTADORES MAYORITARIOS SE REDUCE
EFECTIVAMENTE A CERO.
LA CORRIENTE EN CONDICIONES DE POLARIZACIÓN
EN INVERSA SE LLAMA CORRIENTE DE SATURACIÓN
EN INVERSA Y ESTÁ REPRESENTADA POR IS.

LOS DIODOS ADMITEN UN LÍMITE EN EL VOLTAJE DE

POLARIZACIÓN INVERSA SIN QUE SE DAÑE EL MISMO
Y ES CONOCIDO COMO LA TENSIÓN DE RUPTURA.

LA TENSIÓN DE RUPTURA DE UN DIODO DEPENDE DEL

NIVEL DE DOPAJE DEL MISMO. CON DIODOS
RECTIFICADORES (EL MAS COMÚN), LA TENSIÓN DE
RUPTURA SUELE SER MAYOR DE 50 V.
CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA (VD > 0 V)

LA CONDICIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA O

“ENCENDIDO” SE ESTABLECE APLICANDO EL POTENCIAL
POSITIVO DE LA BATERÍA AL MATERIAL TIPO P Y EL
POTENCIAL NEGATIVO AL TIPO N.

LA BATERÍA EMPUJA HUECOS Y ELECTRONES LIBRES HACIA

LA UNIÓN. SI LA TENSIÓN DE LA BATERÍA ES MENOR QUE LA
BARRERA DE POTENCIAL, LOS ELECTRONES LIBRES NO
TIENEN SUFICIENTE ENERGÍA PARA ATRAVESAR LA REGIÓN
DE AGOTAMIENTO. CUANDO ENTRAN EN ESTA ZONA LOS
IONES SON EMPUJADOS DE NUEVO A LA ZONA N. A CAUSA
DE ESTO NO CIRCULA CORRIENTE POR EL DIODO.
SI LA TENSIÓN DE LA BATERÍA ES MAYOR QUE LA
BARRERA DE POTENCIAL, LA BATERÍA EMPUJA DE
NUEVO HUECOS Y ELECTRONES LIBRES HACIA LA
UNIÓN, POR LO QUE LOS ELECTRONES LIBRES
TIENEN SUFICIENTE ENERGÍA PARA PASAR A TRAVÉS
DE LA ZONA DE AGOTAMIENTO Y RECOMBINARSE CON
LOS HUECOS DE LA REGIÓN P.
MIENTRAS SE INCREMENTA LA MAGNITUD DE LA
POLARIZACIÓN APLICADA, EL ANCHO DE LA REGIÓN DE
AGOTAMIENTO CONTINUARÁ REDUCIÉNDOSE HASTA QUE
UN FLUJO DE ELECTRONES PUEDA ATRAVESAR LA UNIÓN,
LO QUE PRODUCE UN CRECIMIENTO EXPONENCIAL DE LA
CORRIENTE.

EN LA CURVA DEL DIODO LA ESCALA VERTICAL ESTÁ EN

MILIAMPERIOS Y LA ESCALA HORIZONTAL EN LA REGIÓN
DE POLARIZACIÓN DIRECTA TIENE UN MÁXIMO DE 1 V. POR
CONSIGUIENTE, EN GENERAL EL VOLTAJE A TRAVÉS DE UN
DIODO POLARIZADO EN DIRECTA SERÁ MENOR DE 1 V.
OBSERVE TAMBIÉN CUAN RÁPIDO SE ELEVA LA CORRIENTE
DESPUÉS DE LA RODILLA DE LA CURVA.
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR DE SILICIO
COMO EJEMPLO SIGAMOS EL FLUJO DE UN ELECTRÓN A
LO LARGO DEL CIRCUITO COMPLETO.

DESPUÉS QUE EL ELECTRÓN LIBRE ABANDONA EL

TERMINAL NEGATIVO DE LA BATERÍA ENTRA EN EL
EXTREMO DERECHO DEL DIODO. VIAJA A TRAVÉS DE LA
REGIÓN N HASTA QUE ALCANZA LA UNIÓN.

CUANDO LA TENSIÓN DE LA BATERÍA ES MAYOR QUE LA

BARRERA DE POTENCIAL EL ELECTRÓN LIBRE TIENE LA
ENERGÍA SUFICIENTE PARA ATRAVESAR LA ZONA DE
AGOTAMIENTO.

POCO DESPUÉS DE ATRAVESAR A LA REGIÓN P SE

RECOMBINA CON UN HUECO, ES DECIR SE CONVIERTE EN
UN ELECTRÓN DE VALENCIA.
CONTINUA SU VIAJE HACIA LA IZQUIERDA PASANDO DE
UN HUECO AL SIGUIENTE HASTA QUE ALCANZA EL
EXTREMO IZQUIERDO DEL DIODO APARECIENDO UN
NUEVO HUECO Y EL PROCESO COMIENZA OTRA VEZ.

COMO HAY MILES DE MILLONES DE ELECTRONES

HACIENDO EL MISMO VIAJE, SE TIENE UNA CORRIENTE
CONTINUA A TRAVÉS DEL DIODO.

RECORDAR: QUE LA CORRIENTE CIRCULA FÁCILMENTE

EN UN DIODO POLARIZADO DIRECTAMENTE. CUANDO
LA TENSIÓN APLICADA SEA MAYOR QUE LA BARRERA
DE POTENCIAL HABRÁ UNA GRAN CORRIENTE
CONTINUA EN EL CIRCUITO.
LAS CARACTERÍSTICAS GENERALES DE UN DIODO
SEMICONDUCTOR SE PUEDEN DEFINIR MEDIANTE LA ECUACIÓN DE
SHOCKLEY, PARA LAS REGIONES DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA Y
EN INVERSA:

DONDE IS ES LA CORRIENTE DE SATURACIÓN EN INVERSA.

VD ES EL VOLTAJE DE POLARIZACIÓN EN DIRECTA APLICADO A
TRAVÉS DEL DIODO.
N ES UN FACTOR DE IDEALIDAD, EL CUAL ES UNA FUNCIÓN DE LAS
CONDICIONES DE OPERACIÓN Y CONSTRUCCIÓN FÍSICA; VARÍA
ENTRE 1 Y 2 (SE SUPONDRÁ N = 1).
K ES LA CONSTANTE DE BOLTZMANN =1.38 X10-23 J/K
T ES LA TEMPERATURA ABSOLUTA EN KELVIN = 273 + LA
TEMPERATURA EN °C.
Q ES LA MAGNITUD DE LA CARGA DEL ELECTRÓN = 1.6 X 10-19 C.
REGIÓN ZENER

EXISTE UN PUNTO DONDE LA APLICACIÓN DE UN VOLTAJE

DEMASIADO NEGATIVO PRODUCIRÁ UN CAMBIO ABRUPTO
DE LAS CARACTERÍSTICAS DE UN DIODO SEMICONDUCTOR.

LA CORRIENTE SE INCREMENTA MUY RÁPIDO EN UNA

DIRECCIÓN OPUESTA A LA DE LA REGIÓN DE VOLTAJE
POSITIVO.

EL POTENCIAL DE POLARIZACIÓN EN INVERSA QUE

PRODUCE ESTE CAMBIO DRAMÁTICO DE LAS
CARACTERÍSTICAS SE LLAMA POTENCIAL ZENER Y SE
REPRESENTA POR VZ.
REGIÓN ZENER
EL MÁXIMO POTENCIAL DE POLARIZACIÓN EN INVERSA QUE
SE PUEDE APLICAR ANTES DE ENTRAR A LA REGIÓN ZENER
SE LLAMA VOLTAJE INVERSO PICO (CONOCIDO COMO
VALOR PIV) O VOLTAJE DE REVERSA PICO (DENOTADO
COMO VALOR PRV).

SI UNA APLICACIÓN REQUIERE UN VALOR PIV MAYOR QUE

EL DE UNA SOLA UNIDAD, SE PUEDEN CONECTAR EN SERIE
VARIOS DIODOS DE LAS MISMAS CARACTERÍSTICAS. LOS
DIODOS TAMBIÉN SE CONECTAN EN PARALELO PARA
INCREMENTAR LA CAPACIDAD DE LLEVAR CORRIENTE.

A UNA TEMPERATURA FIJA, LA CORRIENTE DE SATURACIÓN

EN INVERSA DE UN DIODO SE INCREMENTA CON UN
INCREMENTO DE LA POLARIZACIÓN EN INVERSA APLICADA.
NIVELES DE RESISTENCIA

A MEDIDA QUE EL PUNTO DE OPERACIÓN DE UN DIODO SE

MUEVE DE UNA REGIÓN A OTRA, SU RESISTENCIA TAMBIÉN
CAMBIA DEBIDO A LA FORMA NO LINEAL DE LA CURVA DE
CARACTERÍSTICAS.
LA RESISTENCIA DEL DIODO EN EL PUNTO DE OPERACIÓN
SE HALLA DETERMINANDO LOS NIVELES
CORRESPONDIENTES DE VD E ID DE LA CURVA
CARACTERÍSTICA Y APLICANDO LA ECUACIÓN:
EJEMPLOS: DETERMINE LOS NIVELES DE
RESISTENCIA DE CD DEL DIODO DE LA FIGURA CON:
A. ID = 2 MA (BAJO NIVEL)
B. ID = 20 MA (ALTO NIVEL)
C. VD = -10 V (POLARIZADO EN INVERSA)
SOLUCION:

A. CON ID = 2 MA, VD = 0.5 V (EN LA CURVA)

ENTONCES: RD = 0.5 V/2 MA = 250 Ω

B. CON ID = 20 MA, VD = 0.8 V (EN LA CURVA)

ENTONCES: RD = 0.8 V/20 MA = 40 Ω

C. CON VD = -10 V, ID = -IS = -1 ΜA (EN LA CURVA)

ENTONCES: RD = 10 V/1 ΜA = 10 MΩ
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
LA TEMPERATURA PUEDE TENER UN MARCADO EFECTO EN
LAS CARACTERÍSTICAS DE UN DIODO SEMICONDUCTOR COMO
LO DEMUESTRAN LAS CARACTERÍSTICAS DE UN DIODO DE
SILICIO MOSTRADAS EN LA FIGURA:
En la región de polarización en directa las
características de un diodo de silicio se desplazan a la
izquierda a razón de 2.5 mV por grado centígrado de
incremento de temperatura.

En la región de polarización en inversa la corriente de

saturación en inversa de un diodo de silicio se duplica
por cada 10°C de aumento de la temperatura.

El voltaje de saturación en inversa de un diodo

semiconductor se incrementará o reducirá con la
temperatura según el potencial Zener.
CIRCUITOS EQUIVALENTES DEL DIODO

UN CIRCUITO EQUIVALENTE ES UNA COMBINACIÓN DE

ELEMENTOS APROPIADAMENTE SELECCIONADOS PARA
QUE REPRESENTEN MEJOR LAS CARACTERÍSTICAS REALES
DE UN DISPOSITIVO O SISTEMA EN UNA REGIÓN DE
OPERACIÓN PARTICULAR.

CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR SEGMENTOS

CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO

EN LA MAYORÍA DE LAS APLICACIONES, LA RESISTENCIA

RPROM ES LO SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA EN
COMPARACIÓN CON LOS DEMÁS ELEMENTOS DEL CIRCUITO
PARA SER IGNORADA.
CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL

PARA ESTO ESTABLEZCAMOS QUE EL NIVEL DE 0.7 V

CON FRECUENCIA PUEDE SER IGNORADO EN
COMPARACIÓN CON EL NIVEL DE VOLTAJE APLICADO.
NOTACIÓN PARA DIODOS SEMICONDUCTORES

EN LA MAYORÍA DE LOS DIODOS CUALQUIER MARCA, YA SEA

UN PUNTO O UNA BANDA APARECE EN EL CÁTODO.
PRUEBA DE UN DIODO
LA CONDICIÓN DE UN DIODO SEMICONDUCTOR SE DETERMINA
RÁPIDAMENTE UTILIZANDO: 1) UN MULTÍMETRO DIGITAL CON UNA
FUNCIÓN DE VERIFICACIÓN DE DIODO; 2) LA SECCIÓN ÓHMETRO DE UN
MULTÍMETRO, O 3) UN TRAZADOR DE CURVAS.
FUNCIÓN DE VERIFICACIÓN DE DIODO (MULTÍMETRO)
EN UN MULTÍMETRO DIGITAL SE OBSERVA UN PEQUEÑO SÍMBOLO DE
DIODO. CUANDO LA PERILLA GIRATORIA SE PONE EN ESTA POSICIÓN Y SE
CONECTA EN CONEXIÓN DIRECTA EL DIODO DEBERÁ ESTAR EN EL
ESTADO “ON” (ENCENDIDO) Y LA PANTALLA INDICA EL VOLTAJE DE
POLARIZACIÓN EN DIRECTA COMO 0.67 V (PARA SI). EL MULTÍMETRO
CUENTA CON UNA FUENTE DE CORRIENTE CONSTANTE INTERNA (DE MÁS
O MENOS 2 MA) QUE DEFINE EL NIVEL DE VOLTAJE. UNA INDICACIÓN OL
CON LA CONEXIÓN DIRECTA REVELA UN DIODO ABIERTO (DEFECTUOSO).
SI SE INVIERTEN LOS CABLES, APARECERÁ UNA INDICACIÓN OL DEBIDO A
LA EQUIVALENCIA DE CIRCUITO ABIERTO DEL DIODO.
EN GENERAL, POR CONSIGUIENTE, UNA INDICACIÓN OL EN AMBAS
DIRECCIONES INDICA UN DIODO ABIERTO O DEFECTUOSO.
PRUEBA CON UN ÓHMETRO
SI MEDIMOS LA RESISTENCIA DE UN DIODO CON LAS
CONEXIONES EN DIRECTA, DEBEMOS ESPERAR UN
NIVEL RELATIVAMENTE BAJO.
EN POLARIZACIÓN INVERSA LA LECTURA DEBERÁ
SER BASTANTE ALTA, POR LO QUE SE REQUIERE
UNA ESCALA DE RESISTENCIA ALTA EN EL MEDIDOR.
UNA LECTURA DE ALTA RESISTENCIA EN AMBAS
CONEXIONES INDICA UNA CONDICIÓN ABIERTA
(DISPOSITIVO DEFECTUOSO) EN TANTO QUE UNA
LECTURA DE RESISTENCIA MUY BAJA EN AMBAS
DIRECCIONES PROBABLEMENTE INDIQUE UN
DISPOSITIVO EN CORTOCIRCUITO.