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TRANSISTORES

JUAN CAMILO ESPINOSA


INGENIERIA ELECTRONICA
CONTENIDO

• HISTORIA
• TRANSISTOR
• FUNCIONAMIENTO
• TIPOS DE TRANSISTORES
• CARACTERITICAS COMUNES
• TRANSISTOR BIPOLAR
HISTORIA

El transistor bipolar de contacto de punto, fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone
Company por John Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera
patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948,1a la cual siguieron otras patentes acerca
de aplicaciones de este.
Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1​ El término
«transistor» es la contracción en inglésde transfer resistor («resistor de
transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en todos
los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
FUNCIONMIENTO

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con


materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera,
que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los
transistores se les considera un elemento activo,33​a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
Tipos de transistores
PNP
BJT NPN

Canal P
JFET Canal N
MESFET
FET Canal N
Acumulación
Canal P
MOSFET Canal N

Deplexión Canal P
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.

ATE-UO Trans 01
Características comunes a todos los transistores
(I)
•Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales.

•Dos de los tres terminales actúan como terminales de entrada (control).

•Dos de los tres terminales actúan como terminales de salida. Un terminal es común a
entrada y salida.

ie is
+ +
Ve Vs
- -
Entrada Cuadripolo
Salida
ATE-UO Trans 02
Características comunes a todos los transistores
(II)
ie is
•La potencia consumida en la entrada es
+ +
menor que la controlada en la salida.
Ve Vs
- -
Entrada Salida
Cuadripolo
•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento eléctrico de la
salida.
•La salida se comporta como:
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación).
•Circuito abierto (corte).

ATE-UO Trans 03
Características comunes a todos los transistores
(III)
is +

Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -

is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0

is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
- ATE-UO Trans 04
Transistores bipoladres
El transistor de unión bipolar es un semiconductor electrónico de tres capaz (zona de dopado), una de las
zonas es el emisor, la zona central es la base, y la tercera es el colector, el transistor consiste de 2 capas de
material tipo n y una tipo p(transistor npn)… si tiene dos capas de material tipo p y una tipo n(transistor
pnp). La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos)