Вы находитесь на странице: 1из 136

INTRODUCCIÓN

ELECTRÓNICA DE ALTA
FRECUENCIA

-Objetivos
-Introducción
-Conclusión

Ing. Alfonso Gunsha 1


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
PROCESAMIENTO DE SEÑAL
EN SISTEMAS RF
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de
RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.
Ing. Alfonso Gunsha 2
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Conjunto de técnicas utilizadas en el
análisis y diseño de circuitos electrónicos
que operan en alta frecuencia.
• En frecuencias altas, los componentes
electrónicos no operan de la misma manera
que en baja frecuencia, y deben utilizarse
modelos adecuados.

Ing. Alfonso Gunsha 3


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• En circuitos de alta frecuencia aparecen
fenómenos adicionales como elementos
parásitos, radiación, acoplamiento
electromagnético, entre otros

Ing. Alfonso Gunsha 4


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Aplicaciones de alta frecuencia
– Sistemas de comunicación alámbricos
– Sistemas de comunicación inalámbricos
– Sistemas de microondas
– Integridad de señales
– Compatibilidad electromagnética

Ing. Alfonso Gunsha 5


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Sistemas de comunicación alámbricos
• Es aquella forma de comunicación eléctrica en la
que se necesita un soporte físico para la
transmisión de la señal eléctrica.
• Cable de pares o de par de par trenzado
• Cable coaxial
• Cable de fibra óptica
• Cable mixto fibra-coaxial

Ing. Alfonso Gunsha 6


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 7
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Sistemas de comunicación inalámbricos
• Radiodifusión de audio (AM, FM, DAB)
• Radiodifusión de Televisión (NTSC, PAL)
• Radio de dos vías (CB,FRS, GMRS, PMR446)
• Sistemas de radio troncal (LTR, TETRA)
• Control por radio (radiocontrol)
• Servicio de radio aficionado (Ham radio)
• Comunicaciones móviles personales (GSM, DCS, PCS,
UMTS, GPRS)

Ing. Alfonso Gunsha 8


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• La modulación de amplitud o amplitud
modulada (AM) es una técnica utilizada en
la comunicación electrónica, más
comúnmente para la transmisión de
información a través de una onda
transversal de televisión.

Ing. Alfonso Gunsha 9


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• La modulación de frecuencia, frecuencia
modulada (FM), es una técnica de
modulación que permite transmitir
información a través de una onda portadora
variando su frecuencia

Ing. Alfonso Gunsha 10


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• EL DAB (Digital audio broadcasting):
permite la transmisión terrestre de señales
de audio en calidad de disco compacto
incluso para receptores en movimiento.
• La radiodifusión está entrando a la era
digital, donde los servicios son entregados,
desde el estudio hasta el receptor,
totalmente en el dominio digital.
Ing. Alfonso Gunsha 11
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Radiodifusión de Televisión NTSC
– NTSC National Television System Committee,
(en español Comisión Nacional de Sistema de
Televisión)
– Es el sistema de televisión analógico que se ha
empleado en América del Norte, América
Central, la mayor parte de América del Sur y
Japón entre otros.

Ing. Alfonso Gunsha 12


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Radiodifusión de Televisión PAL
– PAL Phase Alternating Line (en español
‘línea de fase alternada’)
– Se designa al sistema de codificación
utilizado en la transmisión de señales de
televisión analógica en color en la mayor
parte del mundo.

Ing. Alfonso Gunsha 13


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Radio de dos vías CB
– Radios de dos vías puede transmitir y recibir
señales de radio.
– Se utilizan para comunicarse con otras
personas dentro de una gama limitada
– En la mayoría de los modelos de la función
de transmisión está desactivado por defecto,
con un push-to-talk presente para abrir el
canal de transmisión.
Ing. Alfonso Gunsha 14
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Radio de dos vías GMRS, FRS
– El Family Radio Service (Servicio de Radio
Familiar o FRS)
– El General Mobile Radio Service (Servicio
General de Radio Móvil o GMRS)
Son frecuencias de radio designadas por la
Federal Communications Commission (Comisión
Federal de Comunicaciones o FCC) para
comunicación personal de dos caminos.
Ing. Alfonso Gunsha 15
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Radio de dos vías PMR446
• PMR446 (Personal Mobile Radio, 446 MHz)
• Es una frecuencia de radio que se encuentra
dentro del espectro UHF
– Está abierto para el uso personal sin
necesidad de licencia en la mayor parte de
los países miembros de la Unión Europea.

Ing. Alfonso Gunsha 16


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Sistemas de radio troncal TETRA
• Sistema TETRA de “Terrestrial Trunked Radio”,
es la evolución natural de trunking analógico,
surge la red trunking digital, donde deja de lado la
modulación analógica y se introduce al mundo de
la modulación digital, tanto para voz como para
datos

Ing. Alfonso Gunsha 17


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Sistemas de radio troncal TETRA
• Con este sistema aprovechamos el recurso
limitando de frecuencia disponible, puesto que en
un solo canal de RF (frecuencia ascendente y
descendente)
• Pueden obtenerse hasta cuatro comunicaciones de
voz, esto se da gracias a la técnica TDMA (Time
Division Multiple Access).

Ing. Alfonso Gunsha 18


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Los Sistemas Radio Trunking son sistemas de
radiocomunicaciones móviles para aplicaciones
privadas, formando grupos y subgrupos de
usuarios, características:
– Estructura de red celular (independientes de las redes
públicas de telefonía móvil)
– Los usuarios comparten los recursos del sistema de
forma automática y organizada.
– El tipo de servicio
Ing. Alfonso Gunsha 19
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Sistemas de radio troncal LTR
– Los sistemas de radio de LTR utilizan un
concepto del control llamado trunking.
– Se aplica a la radio, el trunking es el
compartidor automático de canales en un
sistema múltiple de repetición.
– Las ventajas del trunking incluyen menos
esperas para tener acceso al sistema y a la
capacidad de canal creciente para una calidad
dada del servicio.
Ing. Alfonso Gunsha 20
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Control por radio (radiocontrol)

– Radiocontrol (RC) es la técnica que permite el


gobierno de un objeto a distancia y de manera
inalámbrica mediante una emisora de control
remoto.

Ing. Alfonso Gunsha 21


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
En el radiocontrol entran en juego tres
técnicas fundamentales:
• La electrónica
• La electricidad
• La mecánica

Ing. Alfonso Gunsha 22


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 23
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Servicio de radio aficionado (Ham radio)
– La radioafición es un servicio de la Unión
Internacional de Telecomunicacion
– Principal función la auto-instrucción, la
intercomunicación y las investigaciones
técnicas efectuados por aficionados
– Realizado por personas debidamente
autorizadas que se interesan en la radiotécnica,

Ing. Alfonso Gunsha 24


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Comunicaciones móviles personales GSM:
– El sistema global para las comunicaciones móviles.
– Las comunicaciones móviles se dan cuando tanto el
emisor como el receptor están, o pueden estar, en
movimiento
– La movilidad de estos dos elementos que se encuentran
en los extremos de la comunicación hace que no sea
factible la utilización de hilos (cables) para realizar la
comunicación en dichos extremos.

Ing. Alfonso Gunsha 25


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Comunicaciones móviles personales DCS
• DCS Servicio Digital de Celulares también
conocido como GSM-1800
• Usa la banda de 1710 a 1785 MHz para enviar
información desde la estación móvil al transceptor
de la estación base y la de 1805 a 1880 MHz para
la otra dirección,
– 374 canales numerados

Ing. Alfonso Gunsha 26


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Comunicaciones móviles personales PCS
– PCS es el nombre de la frecuencia de 1900
MHz de banda de radio digital utilizada para
servicios de telefonía móvil
– Acceso múltiple por división de código
(CDMA), GSM, y D-AMPS sistemas se pueden
utilizar en las frecuencias PCS

Ing. Alfonso Gunsha 27


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Comunicaciones móviles personales UMTS
– UMTS es un sistema de acceso múltiple por
división de código de banda ancha (WCDMA),
» Multi-servicio
» Multi-velocidad
» Flexibilidad
» Conexiones de distintos servicios
simultáneamente.
Ing. Alfonso Gunsha 28
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
• Comunicaciones móviles personales GPRS
• GPRS que viene de “Global Packet Radio
System”.
• Es la evolución del sistema GSM
– Mayor velocidad
– Ancho de banda sobre el GSM.

Ing. Alfonso Gunsha 29


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Sistemas de microondas

– La radiocomunicación por microondas se


refiere a la transmisión de datos o voz a través
de radiofrecuencias con longitudes de onda en
la región de frecuencias de microondas.

– Se describe como microondas a aquellas ondas


electromagnéticas
Ing. Alfonso Gunsha 30
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 31
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
– Integridad de señales
– Ha sido identificado, hace mucho tiempo, como
un área clave para el desarrollo científico, pues
la velocidad de los nuevos diseños digitales
cada vez se incrementa más, llegando a los
rangos de gigabits por segundo.

Ing. Alfonso Gunsha 32


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Ruido en las redes industriales:
– Las desviaciones en la integridad de la señal
pueden ocasionar que el dispositivo receptor
genere un código de error de estructura
– Los fallos de señales eléctricas provocan
errores de comunicación en el protocolo digital.

Ing. Alfonso Gunsha 33


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Ruido en las redes industriales:
– Estos errores pueden producir una
retransmisión excesiva, lo que crea retrasos y
demasiado tráfico de red.
– Los errores pueden ser permanentes o
temporales.

Ing. Alfonso Gunsha 34


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
1.1 Introducción
Compatibilidad electromagnética
– También conocida por sus siglas CEM o EMC
es la rama de la tecnología electrónica y de
telecomunicaciones
– Estudia los mecanismos para eliminar,
disminuir y prevenir los efectos de
acoplamiento entre un equipo eléctrico o
electrónico y su entorno electromagnético.

Ing. Alfonso Gunsha 35


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Unidad 1
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

Ing. Alfonso Gunsha 36


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Aspectos tecnológicos de los
subsistemas de RF
Sistema de Radiodifusión Estaciones de base C. Móvil

Ing. Alfonso Gunsha 37


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Aspectos tecnológicos de los
subsistemas de RF
Radio enlace de
Comunicaciones Comunicaciones por Satelite

Ing. Alfonso Gunsha 38


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Aspectos tecnológicos de los
subsistemas de RF
• Estos sistemas tienen en común que constan
de un subsistema hardware de microondas-
milimétricas.
• Los dispositivos/circuitos del subsistema de
microondas-milimétricas son
– Pasivos
– Activos

Ing. Alfonso Gunsha 39


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Aspectos tecnológicos de los
subsistemas de RF

• Dispositivos • Dispositivos pasivos:


activos: – Típicamente los
elementos radiantes (las
– Amplificadores de
antenas)
potencia
– Su sistema de
– Osciladores
alimentación formado
– Conversores de por:
frecuencia,… • Filtros
• Multiplexores
• Divisores/Combinadores
Ing. Alfonso Gunsha
• Acopladores
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
40
Bandas de frecuencias en comunicaciones

Ing. Alfonso Gunsha 41


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Disciplinas involucradas

Ing. Alfonso Gunsha 42


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Unidad 1
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

Ing. Alfonso Gunsha 43


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos electrónicos en sistemas RF
• Identificar los circuitos electrónicos más
utilizados en sistemas de
radiocomunicación.

• Conocer la función y configuración general


a bloques de estos circuitos.

Ing. Alfonso Gunsha 44


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Diagrama a Bloques de un
sistema de comunicación

Ing. Alfonso Gunsha 45


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Sistema de radiocomunicación
básico

Ing. Alfonso Gunsha 46


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Diagrama a Bloques de una
interfaz de RF

Ing. Alfonso Gunsha 47


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Amplificador
• Es un circuito electrónico capaz de
incrementar el nivel de magnitud o potencia
de una señal eléctrica sin distorsión
apreciable de la forma de onda.
• Se pueden diseñar
– Alta potencia (PA)
– Bajo ruido (LNA)
– Banda ancha.
Ing. Alfonso Gunsha 48
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Amplificador

Ing. Alfonso Gunsha 49


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Oscilador
• Es un circuito que produce una señal
eléctrica periódica a partir de una fuente de
corriente continua.
• Debe producir una señal suficientemente
estable según lo requiera la aplicación.

Ing. Alfonso Gunsha 50


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Oscilador

Ing. Alfonso Gunsha 51


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Mezclador
• Es un circuito que tiene dos puertos de
entrada y uno de salida, su función es
desplazar una señal en la frecuencia
• El contenido de frecuencia o espectro de la
señal es recorrido hacia frecuencias
superiores o inferiores respecto a la señal
original.

Ing. Alfonso Gunsha 52


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Mezclador

Ing. Alfonso Gunsha 53


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Detector

• Es un circuito que realiza la demodulación o


detección de señales moduladas en amplitud

• Recupera la señal que originalmente


moduló a una portadora de radiofrecuencia.

Ing. Alfonso Gunsha 54


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Detector

Ing. Alfonso Gunsha 55


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Duplexor
• Circuito basado en filtrado o en circulador
que permite utilizar la misma antena para
transmitir y recibir al mismo tiempo.

Ing. Alfonso Gunsha 56


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Resonancia serie y paralelo
• Una variedad importante de circuitos
pasivos en radiofrecuencia pueden ser
modelados mediante un monopuerto LCR

Ing. Alfonso Gunsha 57


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Resonancia serie y paralelo

• Estos circuitos se pueden utilizar para:


– Filtrar señales
– Transformar impedancias
– Establecer la frecuencia de Oscilación

Ing. Alfonso Gunsha 58


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Resonancia serie y paralelo
• La resonancia se define en un monopuerto
expuesto a excitación senoidal, como la
condición para la cual el voltaje y la
corriente en las terminales del monopuerto
se ponen en fase.
• Dicho de otra forma, es cuando la
impedancia que presenta el monopuerto se
comporta totalmente resistivo.
Ing. Alfonso Gunsha 59
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 60
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Filtros pasa-banda LCR

Ing. Alfonso Gunsha 61


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Filtros pasa-banda LCR

Ing. Alfonso Gunsha 62


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Filtros pasa-banda LCR

• fo=ωo/2π - Frecuencia de resonancia

• El circuito LC serie se comporta como corto


circuito en resonancia
• El circuito LC paralelo se comporta como
circuito abierto en resonancia
Ing. Alfonso Gunsha 63
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Respuesta de frecuencia

Ing. Alfonso Gunsha 64


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Pérdidas por inserción
• Es la relación de potencia de la señal de
entrada respecto al de la salida en
resonancia (usualmente expresada en dB
multiplicada por resonancia por – 1).

Ing. Alfonso Gunsha 65


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Puntos Importantes

Ing. Alfonso Gunsha 66


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Unidad 1
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

Ing. Alfonso Gunsha 67


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ventajas
• Movilidad: Proveen a los usuarios de una
comunicación RF acceso a la información
en tiempo real en cualquier lugar dentro de
la organización.
• Simplicidad: Es rápida y fácil de instalar y
además elimina o minimiza la necesidad de
tirar cables.

Ing. Alfonso Gunsha 68


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ventajas
• Flexibilidad en la instalación: Permite a la
red ir donde la alámbrica no puede ir.
– Reubicación de equipos sin modificar cableado
de red
– Crear una nueva red
– Agregar mas nodos a una red existente

Ing. Alfonso Gunsha 69


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ventajas
• Inversión rentable: Tiene un costo de
inversión inicial alto
– Los beneficios y costos a largo plazo son
superiores en ambientes dinámicos que
requieren acciones y movimientos frecuentes.

• Resistencia a interferencia externa

Ing. Alfonso Gunsha 70


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ventajas
• Escalabilidad: Pueden ser configurados en
una amplia variedad de topologías.
– Las configuraciones son fáciles de cambiar y
además es sencilla
– La incorporación de nuevos usuarios a la red.
– Transparente para el usuario

Ing. Alfonso Gunsha 71


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Desventajas
• Áreas de cobertura limitadas
• Velocidad de comunicación limitada
• Tecnología relativamente nueva y que
soporta únicamente datos

Ing. Alfonso Gunsha 72


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Unidad 1
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

Ing. Alfonso Gunsha 73


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos más utilizados.
• Modelos de dispositivos en RF con parámetros
concentrados
– Modelos de dispositivos pasivos en RF
– Modelos de dispositivos activos en RF
• Modelos de dispositivos en RF con parámetros
distribuidos
– Líneas de transmisión

Ing. Alfonso Gunsha 74


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF
• En el proceso de diseño de circuitos de RF,
los modelos idealizados
– Alambre, R, C y L
• Son usados en baja frecuencia, deben ser
completados para considerar una serie de
efectos que se presentan al utilizar
componentes reales en bandas de alta
frecuencia.
Ing. Alfonso Gunsha 75
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF

• Se describen modelos generales serie y


paralelo para estos elementos
– El alambre; se usan como terminales de
componentes, para construir
• L
• Para conectar circuitos,

Ing. Alfonso Gunsha 76


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF
• Efecto piel en RF
– La corriente tiende a concentrarse en las orillas,
debido a la penetración de los campos en un
conductor no perfecto.

Ing. Alfonso Gunsha 77


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo en DC y AC de un alambre

Ing. Alfonso Gunsha 78


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF

– El resistor
• Es un elemento especializado en la
propiedad de la resistencia de un material.
• Son usados en casi todos los circuitos con
diferentes propósitos
– Redes de polarización de transistores
– Atenuadores
– Redes combinadoras de señal

Ing. Alfonso Gunsha 79


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF

• Construcción de diversos materiales


• Resistencias con composición de carbón
– Tienen altas capacitancias parásitas.
• Resistencias de alambre
– Presentan efectos inductivos.
• Resistencias de película metálica,
– Son hechas de películas con resistencia altas
• Resistencias en chip
– Son producidas sobre substratos de alumina o Berila

Ing. Alfonso Gunsha 80


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del resistor en RF

• En DC y en AC de baja frecuencia el
comportamiento es básicamente como lo
predice la ley de Ohm
• En alta frecuencia los efectos parásitos,
hacen que se comporte como una
combinación de varios elementos.

Ing. Alfonso Gunsha 81


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del resistor en RF

Ing. Alfonso Gunsha 82


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF

• El capacitor
– Consiste de dos conductores separados por un
material aislante o dieléctrico.
• El dieléctrico puede ser
– Cerámica
– Aire
– Papel
– Mica
– Plástico. Ing. Alfonso Gunsha
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
83
Modelos de dispositivos pasivos en RF
• La capacitancia es la propiedad que permite
almacenar una cierta cantidad de carga
cuando existe una diferencia de potencial
eléctrico entre los conductores.
– Se mide en Faradios (F)
• Los capacitores son usados principalmente
para formar
– Circuitos resonantes, redes de adaptación de
impedancia
Ing. Alfonso Gunsha 84
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del capacitor en RF

• Depende primeramente de las


características del dieléctrico.
• El dieléctrico determina el rango de voltaje
y temperatura en el que el capacitor puede
operar.
• El capacitor tiene algunos elementos
parásitos que son importantes en altas
frecuencias
Ing. Alfonso Gunsha 85
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del capacitor en RF

Ing. Alfonso Gunsha 86


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos pasivos en RF

• El inductor
– Un alambre que es enrollado, de tal
manera que permita un aumento de flujo
magnético.
– Se usan en circuitos resonantes,
• Redes de adaptación de impedancia
• Para bloquear señales de AC (choque de RF)
impedancia
Ing. Alfonso Gunsha 87
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del inductor en RF
• El resistor del
alambre con el que
se construye
• Las capacitancias
entre las vueltas
influyen en gran
medida su
comportamiento en
RF Ing. Alfonso Gunsha 88
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Comportamiento del inductor en RF

Ing. Alfonso Gunsha 89


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes: Elementos simples

Ing. Alfonso Gunsha 90


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes: Efecto reactivo dominante

Ing. Alfonso Gunsha 91


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Admitancias

Ing. Alfonso Gunsha 92


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ejemplos de efecto dominante
• Z=10+j50 Ohms Inductivo dominante
• Z=100-j30 Ohms capacitivo dominante
• Y=2+j5 Siemmens capacitivo dominante
• Y=5-j10 Siemmens In ductivo dominan t e
• Z=10 Ohms resistivo

Ing. Alfonso Gunsha 93


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes

– Cualquier monopuerto lineal pasivo con efecto


inductivo dominante (como un inductor en
frecuencias menores a la de autoresonancia)
• Se puede representar por el circuito
equivalente serie o paralelo inductivo.

Ing. Alfonso Gunsha 94


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes

Ing. Alfonso Gunsha 95


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes

– Cualquier monopuerto lineal pasivo con efecto


capacitivo dominante (como un capacitor a
frecuencias menores que la de autoresonancia)
• Se puede representar por el circuito
equivalente serie o paralelo capacitivo.

Ing. Alfonso Gunsha 96


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes

Ing. Alfonso Gunsha 97


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos activos en RF
• Los diodos y transistores en RF se
comportan de manera diferente a baja
frecuencia.
– Modelo del diodo en señal pequeña, en baja y
alta frecuencia
– El diodo P/N
– El transistor bipolar de silicio en alta frecuencia
(modelo híbrido-pi)
– El transistor bipolar de heterounión (HBT)
Ing. Alfonso Gunsha 98
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de dispositivos activos en RF

– El transistor de efecto de campo de silicio en


alta frecuencia
– El transistor de efecto de campo de metal-
semiconductor (MESFET)
– El transistor de efecto de campo de
heteroestructura (HFET) o transistor de alta
movilidad electrónica (HEMT)

Ing. Alfonso Gunsha 99


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo del diodo
• Señal pequeña, en baja y alta frecuencia

Ing. Alfonso Gunsha 100


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Capacitancia de unión

Ing. Alfonso Gunsha 101


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Variación de la capacitancia
como función del voltaje inverso

Ing. Alfonso Gunsha 102


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Capacitancia de difusión

Ing. Alfonso Gunsha 103


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Capacitancia de difusión
• Además, considerando que una carga
requiere un tiempo para desplazarse a lo
largo del dispositivo
• Llamando a éste tiempo de vida medio “τ“
el cual es una constante para un diodo

Ing. Alfonso Gunsha 104


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Capacitancia de difusión

Ing. Alfonso Gunsha 105


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Capacitancia de difusión

Ing. Alfonso Gunsha 106


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Diodo P/N
• Es un diodo diseñado para operar en alta
frecuencia.
• Posee una sección intrínseca entre dos
secciones dopadas P y N

Ing. Alfonso Gunsha 107


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Diodo P/N
• En polarización directa el tiempo de vida de
los portadores es mucho mayor que en
diodos PN
– Provoca que disminuya la capacitancia de
difusión capacitancia de difusión
• En polarización inversa, las regiones de
agotamiento se encuentran muy separadas
de forma que la capacitancia de unión es
pequeña Ing. Alfonso Gunsha 108
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos del diodo P/N

Ing. Alfonso Gunsha 109


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos del diodo P/N

Ing. Alfonso Gunsha 110


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El modelo Híbrido-pi
• Modela el comportamiento del transistor en
la banda de altas frecuencias.
• Se obtiene al agregar al modelo con
parámetros híbridos simplificado del
transistor, una capacitancia de difusión, una
capacitancia de unión y un resistor.

Ing. Alfonso Gunsha 111


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El modelo Híbrido-pi
• El modelo se puede completar para
considerar efectos parásitos adicionales, por
ejemplo, las inductancias en las terminales.
– B’ representa la base “efectiva”
– B representa la base en la “terminal”.

Ing. Alfonso Gunsha 112


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El modelo Híbrido-pi

Ing. Alfonso Gunsha 113


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 114
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 115
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo con elementos parásitos
• Es un modelo del transistor intrínseco, es
decir, del dispositivo en sí mismo.
– Se debe considerar efectos parásitos debidos a
los conductores necesarios para su conexión.
– Esto se realiza agregando elementos como
inductores y capacitores para modelar tales
conexiones y efectos de la estructura.

Ing. Alfonso Gunsha 116


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo con elementos parásitos

Ing. Alfonso Gunsha 117


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo con fuentes de ruido
• Existen varias causas que originan que un
transistor produzca ruido.
• Es posible utilizar un modelo que incluya
fuentes que representan el ruido producido
dentro del transistor.

Ing. Alfonso Gunsha 118


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelo con fuentes de ruido

Ing. Alfonso Gunsha 119


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El transistor bipolar heteroestructura(HBT)

Ing. Alfonso Gunsha 120


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de silicio en altas frecuencias

Ing. Alfonso Gunsha 121


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de silicio en altas frecuencias

• El modelo en altas frecuencias se obtiene al


agregar dos capacitores al modelo de baja
frecuencia.
• Cgs y Cgd son capacitancias de unión ya
que el canal y la compuerta constituyen una
unión inversamente polarizada.

Ing. Alfonso Gunsha 122


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de silicio en altas frecuencias

• Su valor depende del voltaje inverso


aplicado entre las terminales
– Compuerta-fuente
– Compuerta-drenaje respectivamente.
• Valores típicos para estos capacitores está
en los picofaradios.

Ing. Alfonso Gunsha 123


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El MESFET de (GaAs) arsenurio de galio

Ing. Alfonso Gunsha 124


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El MESFET de (GaAs) arsenurio de galio

• MESFET (Metal Semiconductor FET).


– Es un tipo de FET de unión pero la unión es
tipo Schottky (metal Es un tipo de FET de
unión pero la unión es tipo Schottky (metal-
semiconductor)
– El metal actúa como el ánodo, mientras que el
semiconductor N funciona como el cátodo.

Ing. Alfonso Gunsha 125


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El MESFET de (GaAs) arsenurio de galio

– Debido a la alta movilidad del arsenurio


de galio y a la disminución de las
capacitancia de unión, el dispositivo
puede operar bien a frecuencias altas que
el de silicio.
– Se caracteriza por tener muy bajo ruido

Ing. Alfonso Gunsha 126


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de heteroestructura (HFET)

Ing. Alfonso Gunsha 127


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de heteroestructura (HFET)

• También es conocido como HEMT por


High electron movility transistor.
• El canal se forma por una capa muy delgada
de GaAs (intrínseco) anexo al cual se
encuentra una capa de AlGaAs (tipo N)
altamente dopado.

Ing. Alfonso Gunsha 128


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
El FET de heteroestructura (HFET)

• Este empalme crea una capa muy delgada


con alta concentración de electrones y con
muy alta movilidad en el material
intrínseco, haciendo que el dispositivo
funcione a frecuencias altas.

• Produce muy bajo ruido.

Ing. Alfonso Gunsha 129


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Unidad 1
1.1 Introducción
1.2 Aspectos tecnológicos de los subsistemas de RF
1.3 Modelos circuitales de estructuras de RF.
1.4 Ventajas y limitaciones asociadas al uso de los
modelos circuitales.
1.5 Modelos más utilizados.
1.6 Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

Ing. Alfonso Gunsha 130


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Circuitos equivalentes de las discontinuidades.

• Líneas de Transmisión
– Las LT se usan para llevar señales de
radiofrecuencia de un punto a otro.
– Consisten de dos o mas conductores con
sección transversal uniforme.
– Permiten la propagación de ondas
electromagnéticas en modo transversal
electromagnético (TEM).

Ing. Alfonso Gunsha 131


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Modelos de discontinuidad en LT

Ing. Alfonso Gunsha 132


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
La línea de transmisión terminada

Ing. Alfonso Gunsha 133


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
La LT terminada en corto circuito

Ing. Alfonso Gunsha 134


Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
La microcinta (microstrip),
• La microcinta (microstrip), es una cinta de
cobre colocada sobre un dieléctrico y está
referenciada a un plano de tierra.
• La estructura es plana, tanto el ancho y el
largo de la cinta son ajustadosm en función
de la impedancia.
– Guía de onda Guía de onda coplanar coplanar
– Slotline
– Coplanar strip. Ing. Alfonso Gunsha 135
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.
Ing. Alfonso Gunsha 136
Electrónica de alta Frecuencia y Lab.

Вам также может понравиться