基礎半導體物理

載子傳輸現象
電場及濃度梯度影響下之帶電載子的
運動
傳輸過程包括：

載子飄移(carrier drift)
載子擴散(carrier diffusion) 最主要
產生與復合過程generation and
recombination process)
熱離子發射過程(thermionic emission process)
穿隧過程(tunneling process)
衝擊游離(impact ionization)
3.1 載子飄移（drift）
 電場ε=0:
平衡狀態下，自由電子(假設在n型半導體中）的移
動受熱能的影響
1 3 移動快速，但各方向都有，平均速
mn v th  kT
2

2 2 度為零。
平均熱速率 (室溫下約107cm/s)
電場作用下之電子運動
 ε≠0時，電子整體朝電場反方向運動，此電場所貢
獻的速度分量就稱為飄移速度。
 飄移速率為何？

 qc  mn vn 平均動量變化

vn  ( q c / mn ) 和電場成正比

c 為平均自由時間（mean free time），約為10-12s，為平

均自由徑（約10-5cm)除以vth。
電場作用下之電子運動(續）
 定義 q c / mn 為電子的遷移率n(mobility)

可得電子飄移速度 vn   n
 同理，對電洞而言：

可得電洞飄移速度 v p   p
q c / m p 為電洞的遷移率p
Mobility的討論：與c有關
 c 受電子碰撞影響，其機制有二：
晶格散射：溫度越高，晶格熱震動越劇烈，L越小。
3

L  T 2

雜質散射：雜質濃度越高， I越小
溫度越高，電子速度越快，越不受離子場的影響。
3
 I  T / NT
2
合併二種散射機制：
 考慮在dt時間內，發生散射的機率為dt/c:

dt dt dt 1 1 1
   
c  cL  cI c  cL  cI

1 1 1
與遷移率定義比較可得：  
 L I

散射機制越多，遷移率會越小。
 對輕摻雜（1014cm-3）半
導體而言，晶格散射效應較
顯著，所以溫度越高，遷移
率越小。

對重摻雜半導體而言，在
低溫時雜質散射效應較顯著，
所以溫度越高，遷移率越大。
在高溫區，則為晶格散射效
應較顯著，所以溫度越高，
遷移率越小。
室溫下的遷移率與摻雜濃度關係圖

摻雜濃度越高，
遷移率越低。

n > p
因為電子有較
小的有效質量
3.1.2 Resistivity
電場對能帶圖的影響
考慮一均勻半導體，加一固定
偏壓，能帶圖會改變。
電子所受的力為：
dEc
 q  
dx
（負的電子位能梯度）
1 dEc 1 dEi 即電場正比於能帶圖的梯度
 
q dx q dx （斜率）
Ei
d （電位） 比較可得  
又已知：   q
dx
由能帶圖的斜率可知電場
若電場為定值，可得一傾斜之能帶圖（斜率固定）。
電子的電位圖為將Ec或 EFi或Ev圖對y軸對稱（即上下相反）

由此能帶圖可看出，電子碰撞損
失動能給晶格，然後掉到能量較
低的位置。如右圖，如此之能量
變化會使電子朝右移動，這些移
動之電子所產生的電流就稱為飄
移電流（drift current）。電洞亦
然，移動方向與電子相反。
• 對電洞而言，右邊的能量較大，左邊較小
飄移電流
電荷密度

Q  Avn t  qnAvn t

體積

電子所產生 Q  qnAvn t
Jn     qnvn   qnn
的飄移電流 At At
同理，電洞所產
生的飄移電流
半導體中的總電流：

令 導電率 可得： J  E
(conductivity)
半導體的電阻率

考慮非本質半導體：
1 1
N型：n >> p  
qnn qN d n
與摻雜濃度和
遷移率有關
1 1
P型：p >> n  
qp p qN a  p
電阻率與摻雜濃度關係

摻雜濃度越高，
電阻率越小
N型的電阻率小於
P型的電阻率（因為
電子的遷移率大於
電洞的）
導電率與溫度之關係

在中溫區，幾乎完全解離，
電子濃度為定 值，所以導
Si
電率受遷移率的影響，所
以溫度越大，遷移率越小，
導電率越小。
在高溫區，ni 大增，影響
顯著，所以溫度越高，導
電率越大。
在低溫區，冷凝現象發生，
溫度越低，雜質解離率越
低，ni越低，故導電率也越
低。
半導體試片電阻率的量測
L
R 此法不適合半導體晶圓及薄膜
A

使用四點探針法
V
   w  CF   cm
I
CF為修正因子，由d/s決定（例
如d/s > 20時，CF=4.54）
3.1.3霍爾效應（Hall Effect）

 可測得試片為n型或p型、載子濃度以及遷移率。

量測裝置如左圖：
試片中的電子及電洞為
運動中的帶電粒子，在z
方向磁場的作用下，會
受到如圖所示之磁力。

以p型半導體為例，在
y=0 的 面 上 會 有 正 電 荷
堆積，形成一感應電場。
電流Ix、磁場Bz、試片幾何形狀為已
知，VH為需量測值。
霍爾效應（續）
 穩定狀態時，磁力與電力應達平衡。
   
F  q( E  v  B )  0 qE y  qv x Bz

此電場會產生一電壓，即為霍爾電壓VH。
 Jp  RH 
1
VH  E yW  vx BzW    BzW  RH J p BzW 其中
qp
 qp 
稱為霍爾係數
即為電洞的飄移速度
VH
故可得 vx 
WBz Ix VH
Jx Ix 合併可得 
又 vx   ( ep )(Wd ) WBz
qp ( qp )(Wd )
利用霍爾電壓求主要載子濃度
I x BzW
整理可得 VH 
I x BzW p
qpA qAVH

即由已知值及測量所得之霍爾電壓便可求得電洞濃度

同理，n型半導體所量得的霍爾電壓為負值，其電子濃度亦可求。

I x Bz I x Bz
VH   n
qnd qdVH
利用霍爾電壓求遷移率
Jx Ix VH
又由 vdx     p Ex   p
qp ( qp )(Wd ) L

IxL
可得 p 
qpVxWd

同理，n型半導體之電子遷移率（低電場下）為

IxL
n 
qnVxWd
載子擴散
 載子會由濃度高處往濃度低處移動。

dp/dx dn/dx

 考慮單位時間單位面積通過 x = 0 平面之淨電子流

左邊流過來

右邊流過來
F
1
F2 故淨電子流為
擴散電流
 用泰勒展開式展開n(-l)與n(l)，取前二項：

其中定義擴散係數 Dn  vthl （熱速率乘以平均自由徑）

dn
所以電子的擴散電流為 J n   qF  qDn
dx
同理，電洞的擴散電流為 J p  qF   qD p
dp
dx
總電流密度方程式（低電場時）
1-D
dn
J n  qn n  qDn
dx
J  Jn  J p
dp
J p  q p p  qD p
dx

3-D

J  qn n  q p p  qDn n  qD pp

若在高電場作用下，公式中的nε及pε要修正成電子及電洞
的飽和電流。
Einstein Relation
 考慮一維情況，利用平均分配能量理論：
kT

1 1 2
mn v th  kT
2 vth
2 2 mn

 將此關係式代入擴散係數定義，可得：
kT  n mn
Dn  vthl  vth (vth c )  vt h  c  ( )(
2
)
mn q

kT
Dn  ( ) n Einstein 關係式
q
Einstein 關係式

同理，對電洞的參數也有此關係
q
3.3 產生與復合過程（非平衡狀態）
 熱平衡狀態下，np=ni2。
 非平衡狀態下， np  n 2
i

 非平衡狀態包括：照光，加偏壓等。
 非平衡狀態會朝向平衡狀態進行，所以電子電洞，
會 藉 由 產 生 （ generation ） 及 復 合
（recombination）過程恢復至平衡狀態的電子
電洞濃度。
產生與復合過程（續）

 同時發生的兩個過程。平衡狀態下兩者的生成率
相同，故np可維持等於ni2；非平衡狀態下兩者的
生成率不同，故np不等於ni2 。
 產生（generation）過程是產生新的電子電洞對。
 復合過程是產生過程的相反，電子電洞對會同時
消失。
 過多載子注入時，復合率大於產生率，使恢復平
衡；反之，產生率大於復合率，使恢復平衡。
過多載子注入（carrier injection）
 半導體材料照光或pn接面接順向偏壓時，就會使得電子
電洞濃度比平衡態時大，這些多出來的載子稱為過多載子
（excess carriers）
當過多載子遠小於熱平衡
主要載子時，稱為低階注入
（low injection），即主要
載子濃度仍不變。
若非以上所述，過多載子
已使主要載子濃度增加，稱
為高階注入。
產生與復合過程的分類

直接復合(direct recombination)：較易發生
在直接能帶隙之半導體，例如砷化鎵。
間接復合(in direct recombination)：較易發
生在間接能帶隙之半導體，例如矽。
表面復合(Surface recombination)
歐傑復合(Auger recombination)
3.3.1直接產生與復合-較易發生在直接能帶之
半導體

 直接產生：電子吸收熱能或光能，直接由價電帶躍升至導
電帶，使得電子電洞對產生。
 直接復合：電子直接由導電帶落至價電帶，消滅了電子電
洞對。

熱平衡，Gth=Rth 照光時，產生率大於復合率

Gth：平衡時每秒產生的電子電洞對濃度 Rth：平衡時每秒消失的電子電洞對濃度
直接能帶隙與間接能帶隙

導電帶能量最低點和價電帶 導電帶能量最低點和價電帶
能量最高點之p不同 能量最高點之p相同
Direct Bandgap & Indirect Bandgap

直接能帶隙:如GaAs，電子在價電帶與導電
帶中躍遷，不需要改變動量。所以光電子
產生的效率高，適合作為半導體雷射或其
他發光元件的材料
間接能帶隙：如Si，電子在價電帶與導電
帶中躍遷，需要遵守動量守恆。所以躍遷
發生除了所需能量外，還包括與晶格的交
互作用。
直接產生與復合率
 復合率R和電子電洞濃度成正比：

R  np 為比例常數

平衡時： Gth  Rth  nn 0 pn 0

光所造成之產生率

非平衡時：R  nn pn   (nn 0  n )( p p 0  p ) G  GL  Gth

過多載子濃度 n  p

電洞濃度改變率： dpn
 G  R  GL  Gth  R
dt
 dpn
 G  R  GL  Gth  R
dt
dpn
 考慮穩態， dt  0 可得： GL  R  Gth  U
U表示淨復合率

U   (nn 0  n)( pn 0  p)  nno pn 0   (nn 0  pn 0  p)p

若為低階注入，p、pn0<<nn0，故上式可簡化為

1
pn  pn 0   少數載子的
U  nn 0p  令 n
n0
p
生命期
1
pn  pn 0
nn 0 U
p
 少數載子生命期的測量

利用一照光之半導體，照光
後少數載子會增加，在t=0
時將光源移去，少數載子會
因復合過程而減少，直至恢
復平衡狀態。

Rs
vL
假設為低階注入情形，/dar<<1，
選擇適當阻值使RSd=RL，則可得近
似
 3.3.2 間接產生與復合
 間接能帶隙之半導體材料
電子由價電帶躍遷至導電
帶的機率較小，所以主要
的產生與復合過程為間接
的，即需借助能帶隙中之
局部性的能態（好像踏腳
石），稱為產生復合中心
(recombination centers)
或陷阱(trap)。
 局部性的能態由雜質或缺
陷造成，位置約在能隙的
中央。
 共有四種過程。
間接產生與復合過程—Shockley-Read-
Hall復合理論
 電子捕捉：傳導帶中之電子被一原為中性的空陷
阱捕獲
 電子發射：電子捕獲的逆過程。
 電洞捕捉：陷阱中的電子落至價電帶中，好似價
電帶的電洞被移至陷阱
 電洞發射：電洞捕捉的逆過程。
 間接產生與復合率(見附錄I)
 電子捕捉速率 Ra與電子濃度陷阱濃度及1-F(E)成正比。
陷阱為空的機率
 所以設 Ra  vth n nN t (1  F )
捕獲截面積，表示陷阱捕獲電子的效率

 電子發射速率Rb與陷阱濃度及F(E)成正比。
 所以設
Rb  en N t F 比例常數en為放射機率

熱平衡時 Ra = Rb，故 vth n nN t (1  F ) = en N t F

代入n與費米機率的公式
en  vth n ni e ( Et  Ei ) / kT
間接產生與復合率（續）
en  vth n ni e ( Et  Ei ) / kT
表示若陷阱靠近Ec，en越大

同理，

電洞捕捉速率 Rc  vth p pN t F
陷阱要填滿

電洞發射速率 Rd  e p N t (1  F )
陷阱要空
 均勻照光下
 設產生率為GL，穩態時
dnn dpn
 GL  Ra  Rb  0  GL  Rc  Rd  0
dt dt
可得 GL  Ra  Rb  Rc  Rd

消去F，可
解得
復合速率為：

Ra-Rb=
(48)
假設電子電洞的捕獲截面相同為，可得

(49)

再考慮低階注入，復合速率可為

(50)
和直接復合的
公式一樣
為復合生命期

可看出少數載子的生命期與Nt成正比，也與陷阱能階的位置有
關，可適當調整來獲得所需的生命期。
3.3.3 表面復合
在晶體表面，理想單晶的週期性結構被終止，會在能隙中
形成局部的能態或是產生-復合中心，稱為表面態階
懸鍵：可形成復合中心
在表面過多載子的生命期較
小，所以在表面的復合速率
會較大，故表面的過量少數
載子濃度會比較低。
表面復合率

 考慮低階注入：單位時間單位面積復合的總數
目為

U s  vth p N st ( ps  pn 0 ) Nst為單位面積的復合中心密度
ps為表面電洞濃度

單位正好為速度的單位

故令 Slr  vth p N st 稱為低階表面復合速率

3.3.4 歐傑復合（Auger recombination）

 電子電洞對復合所釋放的能量
轉移至第三個電子或電洞。
 常發生於高濃度摻雜半導體或
是高階注入的情形下。
 歐傑復合率和載子濃度成正比：

RAug  Bn 2 p ……能量轉移給第三個電子

或 RAug  Bnp 2 ……能量轉移給第三個電洞

3.4 連續方程式
 連續方程式：將電場效應、擴散效應及復合與產
生過程等三種傳輸現象整合在一起的方程式。代
入適當邊界條件即可解得少數載子的函數。
考慮如右圖之半導體，在
dx 的 範 圍 內 電 子 的 變 化
率 和 流 進 的 電 流 Jn(x) 、
流出的電流Jn(x+dx)以及
其中的產生與復合率有關。

故電子數的變化率為
連續方程式（續）
J n
J n  x  dx   J n ( x )  dx  
x

 將上式之Jn(x+dx)用泰勒展開式表示，並消去Adx：

dn
可得 其中 J n  qn n  qDn
dx

P型半導體中的電子

……稱為連續方程式
連續方程式（續）

同理，在n型
半導體中的電
洞的行為為

 此外仍須滿足Poisson’s 方程式：
電場 半導體的空間電荷濃度

半導體的介電係數
常見之連續方程式的簡化
3.4.1 單邊穩態注入
A： pn 0 ，電場為零，無限長
t
 此情形下之連續方程式可
簡化為：
N型半導體

 邊界條件為pn(x=0)=pn(0) （常數）
pn(x́́∞)=pn0
解此偏為分方程式之邊界條件問題可得

其中令 D p p  Lp 稱為擴散長度
 pn
B： t
0 ，電場為零，長為W）

若改成邊界條件為
pn(x=0)=pn(0)
pn(x́ =w)=pn0
解此偏為分方程式之邊界條件問題可得

求在x=w處之電流為
3.4.2表面的少數載子
假設表面照光，則由內部往表面流動之電洞電流密度為qUs。又已知表面
因表面復合，表面處的電洞濃度會減少，故此處的濃度梯度應等於前述之
電洞電流密度，即可得邊界條件如下：

pn ( x  )  pn 0   pGL
穩態時之連續方程式為

帶入邊界條件解之可得
當Slr0時 pn ( x )  pn 0   pGL
x

Slr∞時， pn ( x )  pn 0   pGL (1  e
Lp
)
3.4.3 海尼斯-蕭克利實驗
 一個可以測量及D的著名實驗。
 裝置如右圖，V1提供半導體穩定
的電場，接點1的脈波提供過多
載子，經電場作用飄移至接點2
可測得此過量載子所產生的輸出
電壓V2。

經過一個脈波後，連續方程式中的Gp= 0及 ∂ε/∂x = 0（電場為定

值），故連續方程式為：

pn pn  2 pn pn  pn 0
   p  Dp 
t x x 2
p
 海尼斯-蕭克利實驗（續）
單位時間產生的電子電洞數

在無電場情形下 N x2 t
pn ( x, t )  exp(   )  pn 0
連續方程式的解為： 4D pt 4 Dpt  p

無外加電場(V1=0)時，隨時間增加 V1不等於零時，除了載子擴散，
可看到載子擴散。 還會飄移。

在有外加電場情形下，連續方程式的解為：將無電場解中的 x 以 x - pε 取代
3.5 熱離子發射過程
(Thermionic emission process)

電子親和力 功函數

半導體表面的載子若有足夠大的能
量，可以直接躍升到真空能階，稱
為熱離子發射。
3.7高電場效應
 低電場時，vd和電場成正比（因假設平均自由時間與電
場無關）
 何謂低電場？當vd < vth (107cm/s for Si) 時。
 當vd 接近 vth，vd和電場就不成比例。

當電場很大時，飄移速
度會達飽和

vs為飽和速度(107cm/s for Si)

ε0 為 常 數 (7×103V/cm for
electrons; 2×104V/cm for holes)
高電場效應（續）
 以矽而言，電場越大，電子和電洞的飄移速度都
會達飽和。

以砷化鎵而言，
電場越大，電洞的
飄移速度會達飽和，
但是電子的飄移速
度為先上升後下降。
 砷化鎵的電子飄移速度
 因為砷化鎵的能帶圖中，導電帶的部分有兩個極小值。較
低能谷電子的有效質量為0.067m0而較高能谷為0.55mo。

電場小時（ε<εa)，
電子存在較低能谷，
有效質量較小，故遷
移率較大。
電 場 大 時 （ ε<εa) ，
電子能量增加，部分
可散射進入較高能谷，
但有較小的遷移率。
電場越大，散射至高能谷的電子數越多
ε >εb
兩種不同電子質量對整體遷移率的影響

 設在低能谷的電子數為n1，在高能谷的電子數為n2：

其中平均遷移率為

故飄移速度為
 討論：
兩種不同電子質量對整體遷移率的影響
（續）
 討論：

設1εa>2εb

所繪之圖如左

會有一段遷移率為負之區域
衝擊游離（Impact ionization）
 在高電場作用下，電子具有
很大的動能，在與晶格碰撞
時，大量的動能會損失給晶
格，晶格所獲得之大能量足
以破壞鍵結，也就是說可以
使價電帶的電子游離至導電
帶產生新的電子電洞對。此
電子電洞對受電場加速也會
具有高動能，再繼續與晶格
碰撞。如此連鎖循環下去，
會有大量的電子電洞對被游
離出來就稱為衝擊游離（又
稱雪崩效應）。
衝擊游離（Impact ionization）（續）
 考慮電子1撞擊晶格所釋放能量產生電子電洞對2與2’，
此過程要遵守動量守恆以及動能守恆，假設電子1與電
子電洞對2及2’的有效質量相同，且作用後三載子的動
能與動量相同：
1 1 原電子1的動能提供價電帶電子2躍升至導電帶，
m1vs  E g  3  m1v 2f
2

2 2 並提供所產生的的電子電洞對動能。

m1vs  3m1v f vs為飽和速度，vf為末速度。

1
E0  m1vs2  1.5E g
2
表示電子動能必須相當大於能隙才能夠產生雪崩效應。實際
上對矽而言，電子需3.6eV (3.2Eg)，電洞需5.0eV (4.4Eg)
游離率
 電子游離率n是指電子走過單位
程度的距離所產生的電子電洞對
數；電洞游離率p是指電洞走過
單位程度的距離所產生的電子電
洞對數。
 n與p受到電場強烈的影響。以
要達 到 104cm-1 這 樣大的游 離率
來說，矽所受的電場要加到大於
3×105V/cm；砷化稼所受的電場
要加到大於4×105V/cm。
 電子電洞對產生率GA為：