Unidad 6:

“TRANSISTORES Y
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES”
Introducción a los
transistores bipolares
Construcción de transistores
Los diodos se construyen uniendo dos tipos distintos de
semiconductores: uno llamado “tipo N”N y el otro “tipo P”.
P El
primero constituye el cátodo,
cátodo mientras que el segundo el
ánodo.
ánodo Así, el diodo está polarizado directamente cuando el
material tipo P tiene un potencial más positivo que el
material tipo N:
VD
+A C
P N
+
ID + R
Símbolo del diodo
Construcción de transistores

Se utilizan tres capas semiconductoras, con dos de tipo P y

una de tipo N (transistor PNP),
PNP o dos tipo N y una tipo P
(transistor NPN),
NPN conformando lo que se conoce como
“transistor bipolar”.
bipolar Transistor NPN
Transistor PNP
E C
E C N P N
P N P EMISOR COLECTOR

EMISOR COLECTOR

B BASE

C B BASE
C
B B
Símbolo del transistor
E E
Polarización de los transistores
Un transistor puede pensarse como compuesto por dos diodos:
el diodo Emisor-Base y el diodo Base-Colector.
Base-Colector
La forma normal de alimentar un transistor es aplicando una
polarización directa a la unión o juntura Emisor-Base y una
polarización inversa a la juntura Base-Colector:

E P N P C E N P N C
Polarización Polarización
Directa B Inversa B
+ + + +
Transistor PNP Transistor NPN
Polarización de los transistores

Aunque podría pensarse que ambos terminales pueden operar

indistintamente uno de otro, no es así, ya que la capa
semiconductora utilizada en el Colector está especialmente
preparada para manejar una gran corriente, a pesar de estar
polarizada inversamente.
Llamando VEE al voltaje aplicado a la unión Emisor-Base, y
VCC al aplicado a la unión Base-Colector, la circulación de
corriente para un transistor PNP será:

E C
P N P
IE IC
VEE B VCC I E  I B  IC
IB
+ +
Polarización del transistor
Esta es la configuración más típica de un transistor, y se
muestra en el siguiente circuito esquemático para un Tr. NPN:

B C
IC
IB E I
E

Para analizar el efecto que tiene la polarización sobre este

circuito, pueden determinarse las características de entrada-
salida.
Curvas características

IB IC [mA]
VCE =1V
[A] IB =90A I =70A
VCE =10V

REGIÓN DE SATURACIÓN
B
IB =50A
80
VCE =20V
8
ZONA DE I =30A B

60 6
OPERACIÓN
COMO AMPLIF. I =10A B

40 Características 4 LINEAL
de base Características
20 2
de colector IB =0A
0 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8
VBE [V]
0 5 10
REGIÓN DE CORTE
15 20
VCE [V]
Ganancia estática

Se cumplen las siguientes relaciones:

I E  I B  IC ; IC   I E
El factor “ ” se conoce como “ganancia de corriente
continua en base común”.
común
De las expresiones anteriores se deduce que (despreciando la
corriente de inversa de polarización):

IC   I E   (I B  IC )  IC  IB   IB   IC I
1 B

El factor “ ” se conoce como “ganancia de corriente

continua en emisor común”,
común y en las especificaciones
técnicas se lo suele denominar “hFE”.
Configuración emisor común
Amplificador de polarización universal
El esquema del circuito es el que se muestra a continuación:

El circuito está conformado

RC por un divisor resistivo,
R1

compuesto por R1 y R2
EC (conectado a la base del
transistor) y una resistencia
RE (conectado al emisor).
R2

RE

En este caso, se define la

recta de carga por:

EC  VCE  I C ( RC  RE )
El transistor como conmutador
Límites de operación
Para cada transistor, IC [mA] Transistor como
existe una zona de conmutador
operación, dentro de IB =90A
IB =70A
la cual debe trabajar, ICmáx
IB =50A

REGIÓN DE SATURACIÓN
para que exhiba una 8 IB =30A
distorsión mínima.
ZONA DE
En la siguiente 6
RECHAZO
característica se IB =10A
PCmáx
muestra un aspecto de 4 ZONA DE
lo indicado: TRABAJO
2 COMO AMPLIFICADOR VCEmáx
ICEO IB =0A

0
0 5 10 15 20 VCE [V]
VCEsat REGIÓN DE CORTE
Límites de operación

Todos los límites de operación para un transistor vienen

definidos en sus hojas de especificaciones técnicas. Entre las
más relevantes pueden citarse:
• corriente máxima de colector:
colector Normalmente figura en las
especificaciones como “corriente continua de colector.
• voltaje máximo entre colector y emisor, VCEO: Indica el voltaje
máximo permitido entre el colector y el emisor, cuando la base
está desconectada o polarizada inversamente.
• VCE mínimo: Indica el voltaje VCEsat o voltaje mínimo que se puede
aplicar para no caer en la zona de saturación.
• PC máx: Representa la máxima potencia de disipasión del colector
(y define la curva azul de la gráfica anterior).
Características de operación
Un transistor no sólo puede trabajar como amplificador, sino
también como “conmutador”,
conmutador haciéndolo trabajar entre las
regiones de corte y saturación.
saturación
Se dice que un transistor está en corte (para el caso del
circuito anterior) cuando :

I B  0; I C  0; VCE  EC y VBE  0,7V

Como se comporta como un circuito abierto, se dice que el

transistor está en “estado de bloqueo”.
bloqueo
Características de operación

Por otra parte, se dice que un transistor está en saturación

(para el mismo circuito) cuando :
VCEsat  0,2V ; VBE  0,7V e I C  hFE I B

El comportamiento de un transistor en saturación es

equivalente al de un circuito cerrado. En este estado de
operación, aunque aumente la corriente de base, la corriente
por el colector se mantiene constante.
Hay que tener en cuenta que los valores de VBE=0,7V y
VCEsat=0,2V son valores típicos empleados en los cálculos de
circuitos. De todos modos, es conveniente revisar las
especificaciones de cada transistor en particular.
Fototransistores y
optoaisladores
Configuración típica
Existen configuraciones comerciales que tienen –en el mismo
ensamble- un fotodiodo (emisor) y un fototransistor
(receptor). A pesar que pueden operar en forma lineal, la
forma más usada de esta configuración es como conmutador,
permitiendo que el transistor pase del corte a la saturación,
cuando se aplican pulsos de corriente al fotodiodo.
Configuración típica

La forma de utilizar estos dispositivos es:

Vcc

R
Pulsos de E Pulsos de
Entrada + + D Salida
R
 Fin

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