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Control de potencia por

ángulo de conducción y fase


Transistores y tiristores

Exayana Lujan García


Edgar Reyes Castro
IMTM22
Profesor: Ing. Miguel Mendoza
Control de potencia por Angulo de
conducción y fase
• La regulación por ángulo de fase se basa en la posibilidad, con la tecnología
electrónica existente, de poder realizar la conexión de la tensión de red en
cualquier punto de la semionda de forma sincronizada. De esta forma se puede
«recortar» la tensión sinusoidal en sectores mas pequeños, lo que permite, al fin,
regular la potencia aplicada a la carga.
Cruce por cero
• En una gráfica de ondas, el cruce por cero es la línea recta que bisecta la onda. En electrónica, el
cruce por cero identifica donde la función de onda cambia de positivo a negativo o viceversa
• Los detectores de cruce por cero son vitales en la transmisión de señales digitales a través de los
circuitos de corriente alterna, tal como los módems u otros aparatos digitales.
• El uso más común de un detector de cruce de cero es para gobernar la aplicación de corriente
alterna a una carga, por ejemplo para disminuir la intensidad de una bombilla
Detector de cruce por cero optoaislado
Transistor
• Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de
tensión actuando como un interruptor o amplificador para señales
electrónicas.

- En activa : deja pasar mas o menos corriente


(corriente variable).

- En corte: no deja pasar la corriente (corriente


cero).

- En saturación: deja pasar toda la corriente


(corriente máxima).
Tiristor
• El Tiristor es un componente electrónico semiconductor que utiliza
realimentación interna para producir una conmutación y que se
emplea generalmente para el control de potencia. El término tiristor
deriva del griego y significa puerta, pues este tipo de dispositivo
permite la apertura o cierre del paso de la corriente.
TRIAC
• El TRIAC es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la
corriente.
• Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2) para dejar
pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña corriente a otro terminal
llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).
SCR
• Es un dispositivo semiconductor del tipo Tiristor, es decir,
se constituye por tres terminales: ánodo (A), cátodo (K) y compuerta
(G).

Símbolo del SCR y Aspecto Físico de Encapsulado


Transistor IGBT
• Componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas potencias, en su diseño
está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de campo de metal
oxido semiconductor MOSFET.
• Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero.
La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada.
Mosfet y BJT
• Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la
conmutación y amplificación de señales.

• El transistor bipolar (BJT) es un dispositivo de tres terminales -emisor,


colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, puede ser de dos
tipos: NPN y PNP.
SITH
• Es un tipo de tiristor el cual tiene la posibilidad de activarse con un voltaje positivo de compuerta
y una de sus principales característica es su baja resistencia en estado activo.
• Un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y
desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su compuerta
• La especificación de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente está limitada a 500 A