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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERIA QUIMICA Y TEXTIL

CONTROLES ELECTRICOS Y AUTOMATIZACION


EE - 621

RECTIFICADORES
MONOFASICOS NO
CONTROLADOS
TEMAS
Diodos semiconductores, Rectificadores monofásicos de
media onda, Rectificadores monofásicos de onda completa,
Rectificadores trifásicos de media onda, Rectificadores
trifásicos de onda completa
Representación de componentes eléctricos en diagrama V-I

I I I I I I
+ + +
V V
V
- V - V - V
Abierto Corto Resistencia
(R = ∞) (R = 0) (R)

I I I I
+ +
V V

- V - V

Batería Fuente
Corriente
TIPOS DE CONVERSORES DE ENERGIA
ELECTRONICOS

CA / CC CC / CC

Rectificador Regulador
de continua

CA / CA CC / CA

•Cicloconvertidor Inversor
•Reg. alterna
DIODOS SEMICONDUCTORES
MOMENTO DE REFLEXIÓN:
A la vista de lo anterior y sin mas consideración

¿Como debería ser la característica de un diodo?

I I
+

V
FALSO
-

Dos trozos de material, relativamente buen conductor, podríamos


pensar que debe comportarse como una resistencia bastante
pequeña (idealmente un corto).
DIODOS SEMICONDUCTORES
Zona libre de cargas.
Solo quedan los iones fijos.
ZONA
TRANSICIÓN
P N
- +
ÁNODO CÁTODO
- +

- +

- +

ÁNODO CÁTODO

SÍMBOLO

Fue descubierto accidentalmente el


los laboratorios Bell por Russel Ohl en
1940
DIODOS SEMICONDUCTORES
POLARIZACIÓN DIRECTA:
LA CONSIDERACIÓN INTUITIVA ES BASTANTE CIERTA

I Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se


ven empujados a "invadir" la zona de transición.
P
La zona de transición se ve reducida drásticamente.

La corriente se debe a mayoritarios y la corriente directa


N puede llegar a ser importante.

La aproximación de una resistencia pequeña (idealmente


un cable es razonable)

P
+
N

-
DIODOS SEMICONDUCTORES
POLARIZACIÓN INVERSA:
FALLA LA INTUICIÓN.
Huecos (zona P) y electrones (zona N) mayoritarios se
I ven empujados a "escapar" de la zona de transición.

P La zona de transición aumenta drásticamente.

La corriente se debe a minoritarios y la corriente directa


será muy pequeña (idealmente nula).
N
La mejor aproximación es un cable roto (falla la intuición)

P
-
N
-

-
-

-
+

+
+

+ +
- - + +

- - + +
DIODOS SEMICONDUCTORES
CARACTERÍSTICA DEL DIODO (CONCLUSIONES)

Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y


bloquea o no permite la corriente inversa (se comporta como un cable
roto)

I I
¡¡ PRESENTA UN
+ COMPORTAMIENT
P O NO LINEAL !!
V

N V
-

ANÉCDOTA
Un símil hidráulico podría ser una válvula anti-retorno, permite pasar el
agua (corriente) en un único sentido.
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODO REAL
i [mA]
ánodo cátodo 1

p n Ge Si

A K
V [Volt.]
Símbolo -0.25
0
0.25 0.5

Silicio
Germanio
IS = Corriente Saturación Inversa
K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
 VKDTq  q = carga del electrón
I D  I S   e  1 T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODO REAL (Distintas escalas)
i [mA]
Ge: mejor en conducción
i [mA] Si: mejor en bloqueo 30
Ge
1 Si
Ge Si

V [Volt.] V [Volt.]

-0.25 0 -4 0 1
0.25 0.5

i [A] i [pA]
V [Volt.] V [Volt.]
-0.5 0 0
-0.5

Si
Ge -0.8 -10
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I I I
Solo tensión
Ideal de codo Tensión de codo y
Ge = 0.3 Resistencia directa
Si = 0.6
V V V

I I
Curva real
Corriente de fugas con (simuladore
Tensión de codo y s, análisis
Resistencia directa gráfico)

V V
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODO: CARACTERISTICAS Y/O LIMITACIONES

I Corriente máxima
Tensión inversa
máxima Límite térmico,
sección del
Ruptura de la Unión conductor
por avalancha

600 V/6000 A
1000 V /1 A
200 V /60 A
DIODOS SEMICONDUCTORES
DIODO: Parámetros facilitados por fabricantes id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima VR


IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima
VF = 1V Caída de Tensión directa iS Vd
IR = 50 nA Corriente inversa

NOTA:
Se sugiere con un buscador
obtener las hojas de características
VR = 100V Tensión inversa máxima de un diodo (p.e. 1N4007).
IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima Normalmente aparecerán varios
VF = 1V Caída de Tensión directa fabricantes para el mismo
IR = 25 nA Corriente inversa componente.
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se
Tensión I comporta como una fuente
Zener de tensión (Tensión Zener).
(VZ)
Necesitamos, un límite de
corriente inversa.

V Podemos añadir al modelo


lineal la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeñas
Límite máximo
fuentes de tensión y
referencias.
Normalmente,
límite de potencia
máxima
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode)
Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode

El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unión


PN polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta
longitud de onda. (p.e. Luz roja)

A K
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
Los diodos basados en compuestos III-V,
presentan una corriente de fugas proporcional a la
luz incidente (siendo sensibles a una determinada
longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.


i Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotómetros)
V Comunicaciones
0
COMENTARIO
iopt Los diodos normales presentan variaciones en la
corriente de fugas proporcionales a la Temperatura y
pueden ser usados como sensores térmicos

i
El modelo puede ser una fuente
de corriente dependiente de la I = f(T) V
luz o de la temperatura según el
caso
T1 0
T2>T1
DIODOS ESPECIALES
Células solares (Solar Cell) Cuando incide luz en una unión PN, la
característica del diodo se desplaza hacia el
4º cuadrante.

i En este caso, el dispositivo puede usarse


como generador.

VCA V

Zona
uso
iCC

Paneles de células
solares
DIODOS ESPECIALES

Diodo Varicap La unión PN polarizada inversamente


(Varicap , Varactor or Tuning diode) puede asimilarse a un condensador de
placas planas (zona de transición).

Esta capacidad se llama Capacidad de


P
-
N
Transición (CT).
-

-
-

-
+

+
+

+
+ Notar, que al aumentar la tensión inversa
- - + +

- - + + aumenta la zona de transición. Un efecto


parecido al de separar las placas de un
condensador (CT disminuye).
Dieléctrico
Tenemos pues una capacidad
dependiente de la tensión inversa.

Un diodo Varicap tiene calibrada y


caracterizada esta capacidad.
CT
30 pF Uso en equipos de comunicaciones (p.e.
Control automático de frecuencia en
d sintonizadores)
VI
10 V
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)

Unión Metal-semiconductor N. Produciéndose el llamado


efecto schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rápidos (capacidades asociadas muy


bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Caídas directas mas bajas (tensión de codo  0.2 V).

Aplicaciones en Electrónica Digital y en Electrónica de


Potencia
El efecto Schottky fue predicho
teóricamente en 1938 por Walter H.
Schottky
DIODOS ESPECIALES
Diodo tunel y diodo GUNN (Gunn diode and Tunnel diode)
Tienen dopadas mucho las dos zonas del diodo (105
veces mayor).

Zona de resistencia Aparece un efecto nuevo conocido como efecto


ID negativa. túnel. (Descubierto por Leo Esaki en 1958).
Efecto Túnel
Un efecto parecido (GUNN) se produce en una
cavidad tipo N de Ga As.

El diodo GUNN fue descubierto por Ian Gunn en


1962.

VD Los efectos se traducen en una zona de resistencia


negativa en la característica directa del diodo.

Diodo GUNN Esta zona se aprovecha para hacer osciladores de


microondas.

(El diodo GUNN aparece en el oscilador local del


receptor del radar. Está presente en todos los
radares marinos actuales).
CIRCUITOS CON DIODOS
ASOCIACIÓN DE DIODOS Puente rectificador
Monofásico +

Diodo de alta tensión


(Diodos en serie)
-
Trifásico
+

DISPLAY
-
APLICACIONES DE DIODOS

Detectores reflexión de
objeto

Detectores reflexión de espejo Detectores de barrera


APLICACIONES DE DIODOS

Sensores de luz: Fotómetros


Sensor de lluvia en vehículos
Detectores de humo
Turbidímetros
Sensor de Color

LED

Objetivo Fotodetector

LED azul

LED verde LED


LED rojo Fotodiodo
APLICACIONES DE DIODOS
El rectificador
•Convierte la tensión alterna en continua

Transformador Fuente de alimentación

Rectificador

Regulador
6V

Filtro
220 V 5V
50 Hz
50 Hz
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
Rectificador

c.a. + +
(positiva y vE vS Continua pulsante
negativa) – – vS  0

Entrada D Salida
+ +
vE RL
Rectificador vS  vR
– –
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA

vE T

 
t
T
2
vS

t
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
TIPO PUENTE
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
TIPO PUENTE
RECTIFICADORES MONOFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICO NO
CONTROLADOS DE MEDIA ONDA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA
RECTIFICADORES TRIFASICOS NO
CONTROLADOS DE ONDA COMPLETA