Fuentes reguladas de

voltaje
Circuitos Electrónicos
GR-4
BENALCÁZAR ROMERO LUISA PAOLA
BURGA ABAD PATRICIO ALEXANDER
ERAZO QUINALUISA DANILO JOSUE
MÁRQUES ARPI JAVIER IGNACIO
ORDÓÑEZ BENAVIDES STEFANO FELIPE
PALATE SISALEMA BRYAN PAUL
VILLAFUERTE CEDEÑO GUSTAVO ANDRES
ZAMORA RODRÍGUEZ RODDY STEEVEN
• Qué es una fuente regulada de voltaje?
Etapas

Transformación Rectificación

Filtrado
Fuente básica – Diodo Zéner

• Constitución
• Polarización y ruptura por corriente
• Factor de rizado y limitaciones
• Atenuación

• En la práctica
 REGULACIÓN CON TRANSISTORES

PRINCIPIO:
Ampliar capacidad de entrega de corriente
FUNCIONAMIENTO:

1. Seguidor emisor.
2. Voltaje salida o emisor es el voltaje del
zener menos 0.7 voltios.
3. Transistor se convierte en una fuente de
corriente.
4. Transistores de potencia
ANÁLISIS-DISEÑO

• CÁLCULO DEL TRANSISTOR

1. Potencia Transistor que soporte el doble
de la corriente máxima que pedirá la
carga
2. Transistores alta-madia potencia
3. PotenciaTransistor=Vce*Ic
T41
T31
2n3095
CÁLCULO DE ZENER, RESISTENCIA
ANALISI AC:

• Mediante Divisor de Voltaje:

• Factor de regulación
EJERCICIO
 Fuente con Transistores en
configuración Darlington
Cuando la corriente no cumple con los
requerimientos del diodo Zener utilizamos la
configuración Darlington para bajar IB.
Analizando el diagrama esquemático anterior tenemos que.

𝑄1 ⟹ 𝑃𝑑1 = 𝑉𝐶𝐸1 ∗ 𝐼𝐶1

= 𝑉𝐶𝐸1 ∗ 𝐼𝐿
𝑄2 ⟹ 𝑃𝑑2 = 𝑉𝐶𝐸2 ∗ 𝐼𝐶2
𝐼𝐶1
= (𝑉𝐶𝐸1 −𝑉𝐽𝐵𝐸1 ) ∗
𝛽1
𝐼𝐶1
≈ 𝑉𝐶𝐸1 ∗
𝛽1

𝑃𝑑1
𝑃𝑑2 ≈
𝛽1
10
= → 𝑦𝑎 𝑝𝑟𝑜𝑡𝑒𝑔𝑖𝑑𝑜
50
→ 𝛽1 = 50; 𝛽2 = 100 𝑑𝑒𝑝𝑒𝑛𝑑𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎
Con Darlington
𝑉𝑍 = 𝑉𝑂 + 𝑉𝐽𝐵𝐸𝐷
= 20 + 1.2
𝑉𝑍 = 21.2
𝐼𝐿 1𝐴
𝐼𝐵 = =
𝛽𝐷 50 ∗ 100
𝐼𝐵 = 0.2 𝑚𝐴
𝐼𝑍 ≫ 𝐼𝐵
𝐼𝑍 ≈ 𝐼𝑍𝑇
⇒ 𝐼𝑍 = 10 𝑚𝐴
Para la corriente que alimenta a Iz e IB

𝐼 = 𝐼𝑍 + 𝐼𝐵
= 10 𝑚 + 0.2 𝑚
𝐼 = 10.2 𝑚𝐴
𝑉𝐼𝑁 = 𝐼 ∗ 𝑅 + 𝑉𝑍
= (10.2𝑚)(1𝑘) + 21.2
𝑉𝐼𝑁 = 31.4 𝑉
Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas
que podemos elegir para el diseño.
1.- Considerar que 𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛

𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝐼𝑁 𝑚𝑖𝑛 = 31.4 𝑉 → 𝐼 = 10.2 𝑚𝐴

80 𝑉 → 31.4 𝑉

31.4 ∗ 130
130 𝑉 → 𝑥 = 𝑉𝑖𝑛 𝑚á𝑥 =
80
= 51.025 𝑉
La corriente va a cambiar

𝑉𝑖𝑛 𝑚á𝑥 − 𝑉𝑍 51.025 − 21.2

𝐼= = = 29.825 𝑚𝐴
𝑅 1𝑘
∴ 𝐼2 𝑚á𝑥 = 𝐼 = 29.825 𝑚𝐴
𝐼𝑍𝑀 > 𝐼𝑍 𝑚á𝑥
2
𝑃𝑑𝑍 = 𝐼𝑍 𝑉𝑍 + 𝐼𝑍 𝑟𝑍
= 29.825 𝑚 21.2 + (29.825𝑚)2 (10)
𝑃𝑑𝑍 = 641.185 𝑚𝑊
La alternativa mostrada anteriormente funcionará pero
debemos usar un Zener con una mayor potencia.
𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 −𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛
2. Considerar 𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑖𝑛𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 =
2
𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 = 𝑉𝑖𝑛𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = = 31.4𝑉 → 𝐼
2
= 10.2𝑚𝐴
130 + 80
𝑉𝑙𝑖𝑛𝑒𝑎𝑝𝑟𝑜𝑚𝑒𝑑𝑖𝑜 = = 105𝑉
2
105𝑉 → 31.4𝑉
31.4 × 80
80𝑉 → 𝑥 = 𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛 = = 23.924𝑉
105
𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛 − 𝑉𝑍
𝑉𝑖𝑛𝑚𝑖𝑛 = 23.92𝑉 → 𝐼= = 2.72𝑚𝐴
𝑅
Si sacamos de la fuente 1A (máxima corriente requerida), esto
se llama ‘a plena carga’.
∴ 𝐼𝑧 𝑚𝑖𝑛 = 𝐼 − 𝐼𝐵 = 2.72𝑚𝐴 − 0.2𝑚𝐴 = 2.52𝑚𝐴
105𝑉 → 31.4𝑉
31.4 × 130
130𝑉 → 𝑥 = 𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 =
105
∴ 𝑉𝑖𝑛𝑚𝑎𝑥 = 𝐼 = 17.68𝑚𝐴 → Se verifica que se cumpla
con la condición de 𝐼𝑧𝑚
𝑃𝑑𝑍 = 377.94𝑚𝑊
Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de
menor valor, pero podría suceder que 𝐼𝑧𝑚𝑖𝑛 < 𝐼𝑧𝐾 , con lo
cual sería descartada esta opción.
FUENTE CON REALIMENTACIÓN
 𝐼 = 𝐼𝐶3 + 𝐼𝐵
𝐼𝐶3 = 𝐼𝑍
𝐼𝐶3 ≫ 𝐼𝐵
𝐼𝐿
→ 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑠𝑒 𝑚𝑎𝑛𝑡𝑒𝑛𝑔𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒; 𝐼𝐵 =
𝛽𝐷
𝐼𝐶3 = 𝐼𝑍 ≈ 𝐼𝑍𝑇
𝐼𝐶3
𝐼𝐵3 =
𝛽3
𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵3
𝐼𝐿
𝐼1 ≪ 𝐼𝐿 ⟶ ℎ𝑎𝑦 𝑞𝑢𝑒 𝑣𝑒𝑟𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑟 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑒 𝑐𝑢𝑚𝑝𝑙𝑎 (𝐼1 ≈
100
⟶ 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑙 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢𝑒 𝐵 𝑛𝑜 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑢𝑒 𝑎𝑙 𝑏𝑙𝑜𝑞𝑢𝑒 𝐴
𝐼1 ≫ 𝐼𝐶𝑂 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑓𝑢𝑔𝑎
 𝑉𝑍 = 𝑉𝑂 + 𝑉𝐽𝐵𝐸𝐷 − 𝑉𝐶𝐸3
𝑉𝐶𝐸3 ≥ 3𝑉
→ 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑖𝑒𝑚𝑝𝑟𝑒 𝑒𝑠𝑡é 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑔𝑖ó𝑛 𝑎𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎.
𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝐶𝐸3 + 𝑉𝑅
𝑉𝐶𝐸𝐷 ≥ 3 𝑉
→ 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝐴𝐿 𝑀𝐸𝑁𝑂𝑆 3𝑉 𝑚á𝑠 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎.
En este circuito no se necesita una resistencia de descarga
para la configuración Darlington.
 Para señal (realimentación negativa)
𝐴
•𝐺 =
1+𝐴𝐵
• 𝐴 ⟹ 𝑄𝐷 ⟶ ∴𝐴=1
• 𝐵 ⟹ (𝑅1 , 𝑅2 𝑌 𝑄3 ) ⟶ 𝑄3 = 𝐴3
𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛𝑇3
• 𝑉𝑓1 = ∗ 𝑉𝑜
𝑅1 +𝑅2 ∥𝑅𝑖𝑛𝑇3
• 𝑉𝑓2 = 𝐴3 ∗ 𝑉𝑓1
𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛𝑇3
• 𝑉𝑓2 = 𝐴3 ∗ ∗ 𝑉𝑜
𝑅1 +𝑅2 ∥𝑅𝑖𝑛𝑇3
𝑉𝑓2 𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛𝑇3
• = 𝐵 = 𝐴3 ∗
𝑉𝑜 𝑅1 +𝑅2 ∥𝑅𝑖𝑛𝑇3
 𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛𝑇3
• = 𝐷𝑇
𝑅1 +𝑅2 ∥𝑅𝑖𝑛𝑇3

• 𝐵 = 𝐴3 ∗ 𝐷𝑇
𝑅∥ 𝑅𝑖𝑛𝐷
• 𝐴3 =
𝑟𝑒3 +𝑟𝑧

𝑅∥ 𝑅𝑖𝑛𝐷
• 𝐴3 =
𝑟𝑒3 +𝑟𝑧

• 𝑅𝑖𝑛𝐷 = 𝛽𝐷 𝑟𝑒𝐷 + 𝑅𝐿 ⟶ 𝑑𝑒𝑏𝑖𝑑𝑜 𝑞𝑢𝑒 𝐵 𝑛𝑜 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑎 𝐴

•
𝐴
•𝐺= → 𝑚𝑒𝑛𝑜𝑟 𝑞𝑢𝑒 1 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑛𝑜 𝑎𝑚𝑝𝑙𝑖𝑓𝑖𝑐𝑎𝑟 𝑠𝑒ñ𝑎𝑙𝑒𝑠
1+𝐴𝐵
1
•𝐺= → 𝐵 𝑙𝑜 𝑚á𝑠 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑏𝑙𝑒 𝐵 ≫ 1
𝐵
 𝑉𝑖𝑛 1
• = = 𝐵 = 𝑎 = 𝐹𝑅
𝑉𝑜 𝐺

𝑉𝑖𝑛 1
• = = 𝐵 = 𝑎 = 𝐹𝑅
𝑉𝑜 𝐺

𝐷𝑇 < 1 𝑠𝑖𝑒𝑚𝑝𝑟𝑒
• 𝐵 = 𝐴3 ∗ 𝐷𝑇 →
𝐴3 >>> 𝑙𝑜 𝑚á𝑠 𝑎𝑙𝑡𝑜 𝑝𝑜𝑠𝑖𝑏𝑙𝑒
Ejercicio
• 𝑉𝑜 = 20 𝑉
• 𝐼𝐿 = 1 𝐴
• 𝐹𝑅 ≥ 100
• 𝛽1 = 50 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎
• 𝛽2 = 𝛽3 = 100

• 𝐼𝑍𝐾 = 1 𝑚𝐴
• 𝐼𝑍𝑇 = 10 𝑚𝐴
• 𝑟𝑍 = 10 Ω
 𝐼𝐿 1
• 𝐼𝐵 = = = 0.2 𝑚𝐴
𝛽𝐷 50∗100
• 𝐼𝐶3 ≫ 𝐼𝐵
𝐼𝐶3 = 𝐼𝑍 = 10 𝑚𝐴
• 𝐼 = 𝐼𝐶3 + 𝐼𝐵 = 10 + 0.21 = 10.2 𝑚𝐴
𝐼𝐶3 10 𝑚
• 𝐼𝐵3 = = = 0.1 𝑚𝐴
𝛽3 100
• 𝐼2 ≫ 𝐼𝐵3
• 𝐼2 = 1 𝑚𝐴
Comprobando que se cumplan las condiciones

• 𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵3 = 1 𝑚𝐴 + 0.1𝑚𝐴
𝐼1 = 1.1 𝑚𝐴 𝐼𝐶𝑂 → 𝑢𝐴 𝑜 𝑛𝐴
• 𝑉𝑍 = 𝑉𝑂 + 𝑉𝐽𝐵𝐸𝐷 − 𝑉𝐶𝐸3 = 20 + 1.2 − 3
• 𝑉𝑍 = 18.2 𝑉
𝑒𝑙𝑒𝑔𝑖𝑚𝑜𝑠 𝑍𝑒𝑛𝑒𝑟 𝑑𝑒 𝑀𝐸𝑁𝑂𝑅 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟 𝑒𝑠𝑡á𝑛𝑑𝑎𝑟 (𝑎𝑢𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎 𝑉𝐶𝐸3 )
• 𝑉𝑍 = 18 𝑉
𝑉𝐵3 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝑉𝐵𝐸3 = 18 + 0.6 = 18.6 𝑉
𝑉𝐵3 18.6
𝑅2 = = = 18.6 𝐾 → 𝑅2
𝐼2 1𝑚
= 18 𝐾Ω
𝑉𝑜 − 𝑉𝐵3 20 − 18.6
𝑅1 = = = 1.27 𝐾
𝐼1 1.1𝑚
→ 𝑅1 = 1.2 𝐾Ω
• 𝐹𝑅 = 𝐴3 ∗ 𝐷𝑇

𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛𝑇3
• 𝐷𝑇 =
𝑅1 +𝑅2 ∥𝑅𝑖𝑛𝑇3

25𝑚𝑉
• 𝑅𝑖𝑛 𝑇3 = 𝛽3 + 1 𝑟𝑒3 + 𝑟𝑍 = 101 + 10Ω =
10𝑚𝐴

1.263 𝐾Ω

• ⟹ 𝐷𝑇 = 0.5
 𝐹𝑅 100
• 𝐴3 = = = 200
𝐷𝑇 0.5

𝑅∥𝑅𝑖𝑛𝐷
• 𝐴3 = = 200
𝑟𝑒3 +𝑟𝑧

𝑉𝑜 20
• 𝑅𝐿 = = = 20 Ω → 𝑅𝐿 > 20 Ω
𝐼𝐿 1

50𝑚
• 𝑅𝑖𝑛𝐷 = 𝛽𝐷 𝑟𝑒𝐷 +𝑅𝐿 = 50 ∗ 100 + 20
1

• 𝑅𝑖𝑛𝐷 = 100.25 𝐾Ω
 2.7 𝐾
• 𝑅 = 2.56 𝐾
2.2 𝐾
• 𝑠𝑒 𝑒𝑙𝑖𝑔𝑒 𝑒𝑙 𝑀𝐴𝑌𝑂𝑅 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑜𝑏𝑡𝑒𝑛𝑒𝑟 𝑢𝑛𝑎 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝐴3 ⟹
𝑅 = 2.7 𝑘 Ω
• 𝑉𝐼𝑁 = 𝑉𝑍 + 𝑉𝐶𝐸3 + 𝑉𝑅 = 18 + 3.2 + 10.2𝑚 ∗ 2.7𝐾
• 𝑉𝐼𝑁 = 48.74 𝑉
• Como ya se obtuvo el valor de VIN tenemos las mismas
alternativas a considerar:
• Considerar VIN mínimo
• Considerar VIN promedio
• Cabe recalcar que este diseño exige transistores más
costosos.
Debido a que la ganancia es muy alta, el circuito puede
oscilar por lo que para evitar que el circuito oscile se
coloca un capacitor entre 0.1 uF y 0.47 uF que haga
cortocircuito a la frecuencia de oscilación.
 Protecciones con Diodos.
Para protección de cortocircuitos y sobrecarga se utilizan Diodos, los
diodos D1, D2,….Dn no conducen hasta que el voltaje a través de la
resistencia Rs sobrepase los 0,7 V (Diodos de silicio), logrando así que
en caso de cortocircuito la corriente que pase por Rs
Donde n es el número de diodos aunque generalmente es 2 el valor de
n; dicha cantidad se pone es 1 por juntura (polarización directa e
inversa) y 1 por
Rs.
 Protección con diodo Zener.
Otra alternativa es usar un diodo Zener en vez de los diodos
antes expuestos, en este caso la expresión de la corriente Is
quedaría de la siguiente manera:
 Protección con Transistor

El transistor actúa como limitador de corriente.

Se lleva a la saturación al transistor Qs.

Al detectarse una corriente mayor, los

transistores Q1 y Q2 se prenden y apagan
continuamente.

Los transistores se calientan menos.

Cálculo de parámetros:

𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 0.8 𝑉
𝑅𝑠 = =
𝐼𝐿 𝑚á𝑥 𝐼𝐿 𝑚á𝑥

Rb comprendido entre 100 Ω y 1 kΩ y será

seleccionada empíricamente hasta que el voltaje
sobre Rs sea bajo.
 Protección con SCR

El tipo de protección más recomendada

El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una
sobrecarga

Efectos:
• No funciona el Darlington
• No existe Vo
• No existe IL
Cálculo de parámetros

𝑉𝐺𝐾 𝑑𝑖𝑠𝑝𝑎𝑟𝑜 0.8 𝑉

𝑅𝑠 = ≈
𝐼𝐿 𝑚á𝑥 𝐼𝐿 𝑚á𝑥

Rg seleccionada empíricamente y comprendida

entre 100 Ω y 1 kΩ. Se coloca para que ella caiga
el exceso de voltaje.

Capacitor de 0,1 uF para proteger al SCR de los

transitorios de alta frecuencia
 Fuente con
Realimentación y
Fuente de
Corriente
Esquema para una fuente regulada de dc con
fuente de corriente
Para subir la calidad de la fuente
del diseño anterior es decir
aumentar FR la única opción es
subir el valor de R
• El voltaje de entrada Vin
aumente
• Vce aumente
• El transistor de salida Q1
aumente su potencia es decir
se vuelva mas costoso

𝑅𝑖𝑛𝐷
𝐴3 =
𝑟𝑒3 + 𝑟𝑧

𝑨𝟑 ∗ 𝑫𝑻 = 𝑭𝑹
Hacemos que a pesar que varie el Vin , I=cte
Vin=Vz1+Vce3+Vce4+VRE
VRE=I*RE
Vce3>3V
Vce4>3V
VRE=Vz2-VBE4
Vz2 conviene que sea lo mas bajo posible
RE=VRE/I=(Vz2-VBE4)/I
IB4=I/β4
Iz2≫IB4 y Iz2 ≈IzT (manual)

I3=Iz2+IB4

R3=(Vin-Vz2)/I3
Tomando en cuenta el ejemplo anterior:
𝑉𝑜 = 20 𝑉
𝐼𝐿 = 1 𝐴
𝛽1 = 50 𝑑𝑒 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎
𝛽2 = 𝛽3 = 100
𝐼𝑍𝐾 = 1 𝑚𝐴
𝐼𝑍𝑇 = 10 𝑚𝐴
𝑟𝑍 = 10 Ω
• Los cálculos son exactamente igual hasta el momento de
calcular DT

𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛 𝑇3
𝐷𝑇 =
𝑅1 + 𝑅2 ∥ 𝑅𝑖𝑛 𝑇3
 𝑹𝒊𝒏𝑫
𝑨𝟑 =
𝒓𝒆𝟑 + 𝒓𝒛
𝟓𝟐𝒎
𝑹𝒊𝒏𝑫 = 𝜷𝑫 𝒓𝒆𝑫 +𝑹𝑳 = 𝟓𝟎 ∗ 𝟏𝟎𝟎 + 𝟐𝟎
𝟏
𝑹𝒊𝒏𝑫 = 𝟏𝟎𝟎. 𝟐𝟓 𝑲𝛀

𝑹𝒊𝒏𝑫 𝟏𝟎𝟎. 𝟐𝟓𝑲

𝑨𝟑 = =
𝒓𝒆𝟑 + 𝒓𝒛 𝟐. 𝟓 + 𝟏𝟎
𝑨𝟑 = 𝟖𝟎𝟐𝟎 𝒑𝒐𝒓 𝒍𝒐 𝒕𝒂𝒏𝒕𝒐 𝑭𝑹 = 𝟒𝟎𝟏𝟎
 𝑽𝒐 𝟐𝟎
𝑹𝑳 = = = 𝟐𝟎 𝛀 → 𝑹𝑳
𝑰𝑳 𝟏
> 𝟐𝟎 𝛀
𝑽𝒊𝒏 = 𝑽𝒛𝟏 + 𝑽𝒄𝒆𝟑 + 𝑽𝒄𝒆𝟒 + 𝑽𝑹𝑬
𝑽𝒄𝒆𝟑 > 𝟑𝑽 𝒚 𝑽𝒄𝒆𝟒 > 𝟑𝑽
𝑽𝑹𝑬 = 𝑰 ∗ 𝑹𝑬
𝑽𝑹𝑬 = 𝑽𝒛𝟐 − 𝑽𝑩𝑬𝟒 = 𝟐. 𝟐 − 𝟎. 𝟕 = 𝟏. 𝟓𝑽
𝑽𝒊𝒏 = 𝟏𝟖 + 𝟑 + 𝟑. 𝟐 + 𝟏. 𝟔 = 𝟐𝟓. 𝟖𝑽
 𝑽𝑹𝑬 𝑽𝒛𝟐 − 𝑽𝑩𝑬𝟒 𝟐. 𝟐 − 𝟎. 𝟕
𝑹𝑬 = = = = 𝟏𝟒𝟕. 𝟎𝟓Ω
𝑰 𝑰 𝟏𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰 𝟏𝟎. 𝟐𝒎𝑨
𝑰𝑩𝟒 = = = 𝟏𝟎𝟐𝒖𝑨
𝜷𝟒 𝟏𝟎𝟎
𝑰𝒛𝟐 = 𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟑 = 𝑰𝒛𝟐 + 𝑰𝑩𝟒 = 𝟏𝟎𝟐𝒖𝑨 + 𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨
𝑰𝟑 = 𝟏. 𝟔𝟑𝒎𝑨
𝐕𝐢𝐧 − 𝐕𝐳𝟐 𝟐𝟓. 𝟖𝑽 − 𝟐. 𝟐𝑽
𝐑𝟑 = = = 𝟏𝟒. 𝟒𝟕𝟖𝒌Ω
𝐈𝟑 𝟏. 𝟔𝟑𝒎𝑨
 FUENTE
REGULADA DE
VOLTAJE CON
SALIDA VARIABLE
Esquema para una fuente regulada variable
de dc usando transistores
 Primero partimos del diseño de una fuente
mas simple (con realimentación)
Datos:
Vo=8V
IL=1.5 A
FR ≥ 100
Se debe tener en cuenta que para Q1, B=40 (transistor
de potencia, el 2n5303), mientras que para los
transistores restantes B=100
Vz1=Vo+Vbed-Vce3 ; Vce3 ≥ 3V para trabajar en la
región activa
Vz1= 6.4V

En base a Vz1 elegimos un zener de igual o menor

voltaje pues esto incrementara Vce3:
Se elige 1n4735 de donde se observa que:
Vzt=6.2V Izt=41mA rz=2Ω
 𝐼𝑐
𝐼𝑏 = = 0.375𝑚𝐴
𝐵𝑑
𝐼𝑐3 = 𝐼𝑧𝑡 = 41𝑚𝐴 esta cumple que Ic3>>Ib
I=Ic3+Ib=41.375mA
𝐼𝑐3
𝐼𝑏3 = 𝐵 = 410𝑢𝐴
I2>>I3  I2=4100uA
I1=I2+Ib3=4510uA

Vb3=Vz+Vbe3=6.9V
𝑉𝑏3
𝑅2 = = 1.68𝑘Ω −→ R2 = 1.6kΩ
𝐼2
𝑉𝑜 − 𝑉𝑏3
𝑅1 = = 244Ω −→ R1 = 240Ω
𝐼1
26
Rint3=(B+1)(re3+rz)= 101 41 + 2 = 266Ω
FR=α*A3 (Factor de Regulación, mientras más alto sea el valor mejor)
𝑅2||𝑅𝑖𝑛𝑡3
α= = 0.487
𝑅1 + 𝑅2||𝑅𝑖𝑛𝑡3
𝐹𝑅
𝐴3 = = 205
α
𝑅||𝑅𝑖𝑛𝑑
𝐴3 =
𝑟𝑒3+𝑟𝑧
 2 ∗ 26
donde: Rd = Bd red + RL = 100 ∗ 40 + 8.2k
37.875
= 32.8MΩ
Con estas dos últimas expresiones obtenemos el valor de R:
R=540Ω  R=510Ω (incrementa A3)
Ahora se procede a colocar una fuente de
corriente:
• Puesto que RIN∞ por ende se maximiza A3 y asi se incrementa FR
 𝑅𝑖𝑛𝑑
• 𝐴3 = = 12.45𝑥106 −→ 𝐹𝑅 = 6𝑥106
𝑟𝑒3+𝑟𝑧
• Vce3 ≥ 3V
• Vre = Vz2-Vbe4 =2.6V
• Para este último calculo, se sugiere optar por un zener con el menor
Vzt posible, para este caso se elige 1n4728 que tiene las siguientes
características:
• Vzt=3.3V Izt=76mA rz=10Ω
•
• Vin=Vz1+Vce3+Vce4+Vre=14.8V
𝑉𝑟𝑒
• 𝑅𝑒 = = 62.8Ω −→ Re = 62Ω
𝐼𝑒
𝐼
• 𝐼𝑏4 = = 413.75𝑢𝐴
𝐵
• 𝐼𝑧2 > 𝑍𝐼𝑏4 −→ 𝐼𝑧2 = 𝐼𝑧𝑡
• I3=Iz2+Ib4=76.4mA
𝑉𝑖𝑛−𝑉𝑧2
• 𝑅3 = = 150Ω
𝐼3
Finalmente se genera la salida variable con el
uso de un potenciómetro:
• La característica principal es que el potenciómetro no varia Vb: