Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Encapsulado Encapsulado
Encapsulado
TO-126 (SOT-32) TO-220
TO-92
BC548 (NPN)
BC558 (PNP)
2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74
Estructura de JFET (canal N)
P+
N- Canal
Fuente Drenador
(S) (D)
P+
Puerta (G)
D
D G
G
JFET (canal P) S
JFET (canal N) S Símbolo
Símbolo
ATE-UO Trans 82
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (I)
P+
N-
Fuente Drenador
(S) (D)
P+
Puerta (G)
Zona de transición en zona muy dopada estrecha
Zona de transición en zona poco dopada ancha
ATE-UO Trans 83
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (II)
P+
(D)
N-
(S)
P+
VV12
(G) V1 < V2
ID Evolución si la resistencia
D no cambiara con la tensión.
G +
VDS
- ID
S
VDS
Evolución real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensión aplicada).
ATE-UO Trans 85
Principio de funcionamiento de los JFET (IV)
P+
(D)
- VPO +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS=VPO > V2
P+
LZTC (D)
N- LC
(S)
VDS
P+
(G) VDS=V3 > VPO
P+
- VPO + L’
LZTC
ZTC (D)
(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=V4 > V3
VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
fuente de corriente
VDS=V1
VDS=V2
VDS=VPO VDS
V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3
VDS=V4
ATE-UO Trans 89
¿Qué pasa si VGS 0?
P+
•Con VGS=0, la
(D)
VPO + contracción ocurre
(S) cuando VDS = VDSPO =VPO.
-
N-
P+ VDS=VPO
ATE-UO Trans 91
La tensión VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
N- drenador y la fuente y
(S) aplicamos tensión
entre puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
- Cuando la tensión VGS
alcanza un valor
P+
negativo
suficientemente
(D)
N- grande, la zona de
(S) transición invade
totalmente el canal.
P+
Este valor es el de
(G) + contracción del canal,
UB1< UB2 VGS = -VPO
- VPO.
ATE-UO Trans 92
Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 0V
2,5KW 4
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
- VGS = -2V
VGS S
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo
R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG 0 G (P)
N V
+ V + 2
2
V1
VBE E (N) VGS S
V1 - -
(S) (D)
+
P+
UA
VD
(G) + Muy
UB VGS S
importante
- -
N+ P+ N+ Contactos metálicos
N-
P+ Canal N
G
Uso de un JFET de canal P
R -ID
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I 0 D
G G (N) V
en los mismas zonas de trabajo. 2
P
V1 +
VGS S
ATE-UO Trans 97
-
Los transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido
N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo
D G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
Principios de operación de los MOSFET (I)
G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - - N+
+ + + +
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una
G capa de electrones
S +++
++ +++
++ D (minoritarios del substrato)
N+ -- -- -- -- N+
- -
V2 > V1
P- - -
+
Substrato ATE-UO Trans 100
Principios de operación de los MOSFET (II)
N+ -- -- - - -- N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transición (no tiene casi
portadores de carga)
N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato
G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.
¿Cómo es la corriente de
Substrato
drenador?
ATE-UO Trans 102
VDS 0 ID 0 Principios de operación de
los MOSFET (IV)
G •Existe un canal entre drenador
S +++++ +++++ D y fuente constituido por la capa
VGS de inversión que se ha formado.
N+ -- - -- -- - -- N+ •Con tensiones VDS pequeñas
P- (<<VGS), el canal es uniforme.
G
S +++++ +++++ D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET
se comporta como una fuente - - - VGS
N+ ------- N+
de corriente (como en el caso de
los JFET).
P-
Substrato
ATE-UO Trans 104
Principios de operación de los MOSFET (VI)
VDS2 > VDS1
VDS1
ID0 ID0
G G
S D S D
N+ N+ N+ N+
P- P-
Substrato Substrato
Muy importante
+ •Modo ACUMULACIÓN:
G Al colocar tensión positiva
S +++ +++ D en la puerta con relación al
VGS=V1 canal, se refuerza el canal
- - - - - - con más electrones
N+ N- N+
P- V1
procedentes del substrato.
El canal podrá conducir
Substrato + - más.
ATE-UO Trans 109
Los MOSFET de deplexión (II)
G +
S --- --- D
VGS=-V1
+ + + + + + V1
N+ N- N+
P-
Substrato + -
G G
S +++ +++ D S --- --- D
- - - - + + + + + +
N+ N-
N+ N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +
0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V ATE-UO Trans 112
Comparación entre los símbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexión con ambos
tipos de canal
D D Canal N
G G
Tipo S Tipo S
enriquecimiento deplexión
D D Canal P
G G
S Tipo S
Tipo
enriquecimiento deplexión
ID -ID
R R
D D
+ +
G VDS G VDS
V2 + S - V2
+ S -
VGS V1 VGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
Comparación entre transistores JFET y MOSFET
ID ID
R R
D
IG 0 D
IG = 0
G V G
+ + S V2
2
V1 VGS VGS
S V1
- -
JFET, canal N MOSFET, canal N
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es más pequeña
aún que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unión puerta-canal).
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
Precauciones en el uso de transistores MOSFET
S G D D
N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
•El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
•El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad
estática de los dedos. A veces se integran diodos zener
de protección.
•Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116