Área: Electrónica y sistemas de Control

Prof. Asociada: Dra. Gloria E. Alzugaray

Jefe de TP: Ing. Matías Orué
Ayudantes: Ing. Nicolás Pirog, Ing. Rodrigo Agosta
UTN - Facultad Regional Santa Fe

ELECTRÓNICA Y SISTEMAS DE
CONTROL
Carrera Ingeniería Mecánica

Introducción a la teoría
del Diodo Semiconductor
 Materiales
SEMICONDUCTORES
La mayoría de los dispositivos electrónicos son fabricados a partir de
semiconductores. Para comprender su comportamiento es necesario
familiarizarse con la física del estado sólido.
 BANDAS DE ENERGÍA
Los e- más próximos al núcleo están agrupados en una banda llamada
saturada, otra zona mas separada del núcleo es la banda de valencia
(aquí los e- son semilibres y finalmente la zona más alejada en la que los
e- tienen suficiente energía para moverse es la Banda de Conducción

ƍ=1017Ω.cm ƍ=100 a 106Ω.cm ƍ=2. 10-6Ω.cm

Las sustancias sólidas presentan sus moléculas ordenadas en
forma de figuras geométricas llamadas cristales.
Los materiales semiconductores más usados en electrónica son:
Silicio (Si), Germanio (Ge), Arseniuro de Galio (GaAs), Boro (B),
Fósforo (P), Indio (In) y Antimonio (Sb).

SILICIO
enlace de 2
electrones
(enlace
covalente)

Según la Teoría de Bohr se puede imaginar la distribución de los

electrones en diferentes capas y subniveles alrededor del núcleo
Los semiconductores presentan enlace covalente es decir que los e-
que forman parte de este enlace son los que pueden saltar a la BC
para que conduzcan

La ausencia de un e- se representa por un h +

 Donadores y Receptores
Cuando se producen e- libres debido a la energía térmica se rompen
algunos enlaces. El Si o Ge en estado de alta pureza recibe la
denominación de semiconductores intrínsecos.

En un semiconductor intrínseco pueden alterarse las

concentraciones de h+ y e- mediante el agregado de impurezas. Las
mismas pueden ser aceptoras (tipo p) por dar lugar a h+ o
donadoras (tipo n) por donar e- libres, generando un
semiconductor extrínseco.

Impurezas
Boro
Indio
Aluminio

Semiconductor tipo n Semiconductor tipo p

Resumiendo
modelo de Bohr : Enlace
covalente comparten electrones
de la capa exterior
semiconductor
puro

semiconductor
dopado , tipo n o p

El Fósforo es un material El Boro es un material aceptor,

donador, dona electrones libres acepta electrones material tipo p
material tipo n
Los e- y h + dan origen a los portadores minoritarios en los
semiconductores dopados.

Unión pn
EL DIODO DE UNIÓN
 Ánodo + –
Cátodo 

Polarización directa

Polarización inversa
+ –

–+
E
 i [mA]
1

Ge Si
ánodo cátodo
p n V [Volt.]
0
-0.25 0.3 0.6
A K

IS = Corriente Saturación Inversa

K = Cte. Boltzman
VD = Tensión diodo
q = carga del electrón
T = temperatura (ºK)
ID = Corriente diodo
 Primera aproximación

ID ID
A K
+ VD –

K
Segunda Aproximación

K
Tercera aproximación
RESUMEN CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR TRAMOS
MODELOS DEL DIODO
Recta de carga
Determinar para la configuración serie el punto de operación V DQ e IDQ
 Análisis en continua de circuitos que contienen diodos ideales

1. Redibujar el circuito sustituyendo los diodos en conducción por un

cortocircuito y los diodos cortados por un circuito abierto.

2. Mediante el análisis del circuito determinar la corriente en cada

cortocircuito que representa un diodo en conducción y la tensión en
cada circuito abierto que represente un diodo en circuito abierto.

3. Comprobar las suposiciones hechas para cada diodo. Si hay

contradicción – una corriente negativa en un diodo en conducción o
una tensión positiva en un diodo cortado – en cualquier lugar del
circuito, volver al primer paso y comenzar de nuevo con una mejor
suposición.

4. Cuando no hay contradicciones, las tensiones y corrientes

calculadas para el circuito se aproximan bastante a los valores
verdaderos.
 Análisis de circuitos con
Con fuentesdiodos
de cd. 330 +

1
10V Si Si
V0
-Determinar el estado del diodo
-

2
-Sustituir por el equivalente adecuado
ID1, ID2, IR, V0.
-Determinar los parámetros restantes de
la red (VD,, VR, ID)
Ge
2 1

2 1
Si Ge
12V 5.6k 2.2K Si 12V
E
R3

VR, IR VR.
3.3 K

Si Si
12V 5.6k Si
E
20V Si
R3

VD1 , VD2, ID, VR. 5.6 K

Si
IR1, IR2,
E=8V 4.7K
+
2.2K

R3=2.2k 10V
V0
5V
-

VD, ID, V0.