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Resistencia de salida M1 M2
relativamente alta ~ r02
S
Análisis de pequeña señal
Asuma fuentes de voltaje son cortos
Fuentes de corriente son desconectadas
Para hacer un análisis de pequeña señal utilice
el modelo de pequeña señal del transistor
Ponga un voltaje de prueba en el nodo a ser
analizado
Resuelva por la corriente de prueba y obtenga
la resistencia RT = VT/IT
Modelo de pequeña senal
Resolveremos para la
resistencia de entrada G
A la derecha
observamos el
modelo para la etapa
de entrada.
Modelo de pequeña senal
Imponemos un voltaje
de prueba en el nodo
de entrada
Resolvemos por la G
corriente gm1Vgs1
r01
VT
I T g m1vgs1
ro1
VT
I T g m1VT
ro1
1
I T VT g m1
ro1
…Continuando el análisis
Resolvemos la
ecuación anterior
para obtener
VT 1
Rin = VT/IT Rin RT
Asuma gm1>>1/ro1 IT g 1
m1
ro1
Entonces obtenemos
una solución que es 1
Rin
compatible con el g m1
teorema de absorción
de fuentes.
Modelo para etapa de salida
Aquí observamos que el
transistor de salida no
esta conectada en forma
de diodo.
Por tanto no podemos +
G
usar el teorema de VT
-
gm2Vgs2 r02
absorción de fuentes
Utilizamos el mismo
proceso de poner una
fuente de prueba en el
nodo que queremos
analizar
Modelo para etapa de salida
Apreciamos que
Vgs2 = 0
por lo tanto
gm2 Vgs2 = 0 y nuestro +
+ VT
G
G
modelo se convierte VT -
-
r
r02 02
gm2Vgs2
en una resistencia
Rout=ro2
Tarea de práctica
Obtenga la resistencia de
entrada, utilizando el
análisis de pequeña señal,
del circuito a la derecha
M1C M2C
Estudiar el archivo de
espejos de corriente en
PDF de Franco Maloberti M2
M1