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𝑑𝑞
𝐼,𝑒 , , =
𝑑𝐴1 ∗ 𝑐𝑜𝑠 ∗ 𝑑𝑤 ∗ 𝑑 Ilustración 5 Ángulo sólido subtendido por 𝑑𝐴𝑛 en un punto
sobre 𝑑𝐴1 en el sistema de coordenadas esféricas.
Relación con la emisión
• De aquí la radiosidad total (J) [W/𝑚2 ∗ m] asociada con todo el espectro es
• Si la superficie es tanto un
reflector difuso como un emisor
difuso, 𝐼,𝑒+𝑟 , es independiente
de y , se sigue que:
2h𝑐𝑜 2
𝐼λ,b λ, T =
h𝑐𝑜
λ5 exp −1
𝜆𝑘𝑇
−34 −23 𝐽
Donde ℎ = 6.6256 ∗ 10 (𝐽 ∗ 𝑠) y 𝑘 = 1.3805 ∗ 10 , son las
𝐾
constantes universales de Planck y de Boltzmann, respectivamente,
8 𝑚
𝑐𝑜 = 2.998 ∗ 10 es la velocidad de la luz en el vacío, y T es la
𝑠
temperatura absoluta de cuerpo negro (K).
Potencia emisiva espectral o distribución de
Planck:
C1
𝐸λ,b λ, T = 𝜋𝐼λ,b λ, T =
𝐶2
λ5 exp −1
𝜆𝑇
𝜆𝑚𝑎𝑥 𝑇 = 𝐶3
𝑊
𝐸𝑏 (𝑇) = 𝜎𝑇 4= 5.670 ∗10−8 2 4
∗ 2000 ∗ 𝐾 4
𝑚 ∗𝐾
5
𝑊
𝐸 = 𝐸𝑏 𝑇 = 9.07 ∗ 10
𝑚2
La longitud de onda 𝜆1 corresponde al límite inferior de la banda espectral (0 → 𝜆1 ) que
contiene el 10% de la radiación emitida. Con 𝐹 0→𝜆1 = 0.1 , se puede ver en la tabla 12.1
que 𝜆1 𝑇 = 2200 (𝜇𝑚 ∗ 𝐾), entonces tenemos que:
2200 𝜇𝑚 ∗ 𝐾 2200 𝜇𝑚 ∗ 𝐾
𝜆1 = = = 1.1 𝜇𝑚
𝑇 2000 ∗ 𝐾
𝐹 𝜆2 →∞ = 1 − 𝐹 0→𝜆2 = 0.1
𝐹 0→𝜆2 = 0.9
Buscando en la tabla 12.1 tenemos que 𝜆2 𝑇 = 9382 (𝜇𝑚 ∗ 𝐾), entonces tenemos que:
9382 𝜇𝑚 ∗ 𝐾 9382 𝜇𝑚 ∗ 𝐾
𝜆2 = = = 4.691 𝜇𝑚
𝑇 2000 ∗ 𝐾
𝜆𝑚𝑎𝑥 𝑇 = 𝐶3 = 2897.8 𝜇𝑚 ∗ 𝐾
2897.8 𝜇𝑚 ∗ 𝐾
𝜆𝑚𝑎𝑥 = = 1.45 𝜇𝑚
2000 ∗ 𝐾
La potencia emisiva espectral asociada con esta longitud de onda se puede calcular a partir
de la distribución espectral:
C1
𝐼λ,b λ, T =
𝐶
λ5 exp 2 − 1 ∗ 𝜋
𝜆𝑇
8 𝜇𝑚4
3.742 ∗ 10 𝑊 ∗ 2
𝑚
𝐼λ,b 1.45 𝜇𝑚, 2000 K = 𝜇𝑚
1.439 ∗ 104
(1.45 𝜇𝑚)5 exp 𝐾 −1 ∗𝜋
1.45 𝜇𝑚 ∗ 2000 ∗ 𝐾
𝑊
𝐸λ,b = 𝜋𝐼λ,b = 𝜋 ∗ 1.31 ∗ 105
𝑚2 ∗ 𝑠𝑟 ∗ 𝜇𝑚
5
𝑊
= 4.12 ∗ 10
𝑚2 ∗ 𝜇𝑚
5
𝑊
𝐺 = 𝐸𝑏 𝑇 = 9.07 ∗ 10
𝑚2
ABSORTIVIDAD
Es una propiedad que determina la fracción de la irradiación absorbida
por una superficie.
𝐺𝜆,𝑎𝑏𝑠 (𝜆)
𝛼𝜆 𝜆 =
𝐺𝜆 (𝜆)
𝛼𝜆 depende de la distribución direccional de la radiación incidente, así
como también de la longitud de onda de la radiación y de la naturaleza
de la superficie absorbente.
𝜋/2
𝛼𝜆 𝜆 = 2 න 𝛼𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃 cos 𝜃 𝑠𝑒𝑛 𝜃 𝑑𝜃
0
𝐺𝑎𝑏𝑠
𝛼=
𝐺
REFLECTIVIDAD
Es una propiedad que determina
la fracción de la radiación
incidente reflejada por una
superficie. Su definición
especifica puede tomar varias
formas diferentes, ya que la
propiedad es bidireccional; es
decir que además de depender
de la dirección de la radiación
incidente, también depende de
la dirección que presente la
radiación reflejada.
La reflectividad hemisférica espectral, se define entonces como la
fracción de la irradiación espectral que es reflejada por la superficie:
𝐺𝜆,𝑟𝑒𝑓 (𝜆)
𝜌𝜆,𝜃 𝜆 =
𝐺𝜆 (𝜆)
𝐺𝑟𝑒𝑓
𝜌=
𝐺
La reflexión difusa
Si toda la reflexión es en
la dirección θ2, que será
igual a θ1 se dice que
ocurre la reflexión
especular. Aunque
ninguna reflexión es 100%
precisa; esta última
aproximación se acerca a
superficies de espejos
pulidas
Emisión superficial
Se considera al cuerpo negro como un emisor ideal en el La emisividad direccional espectral
sentido de que ninguna superficie puede emitir mas radiación 𝜀𝜆,𝜃 (𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇) de una superficie la
que un cuerpo negro a la misma temperatura. temperatura T como la razón de la
intensidad de la radiación emitida en la
longitud de la onda 𝜆 y en dirección 𝜃
y 𝜙 a la intensidad de radiación
emitida por un cuerpo negro a los
valores de T y 𝜆.
𝐼𝜆,𝑒 (𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇൯
𝜀𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇 =
𝐼𝜆,𝑏 (𝜆, 𝑇൯
Se puede relacionar con la emisividad direccional 𝜀𝜆,𝜃 al sustituir la expresión para la potencia emisiva espectral.
𝜋
2𝜋 2
0 0 𝐼𝜆,𝑒 𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
𝜀𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇 = 𝜋
2𝜋 2
0 0 𝐼𝜆,𝑏 𝜆, 𝑇 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
La emisividad total hemisférica que representa un promedio
sobre todas las dimensiones y longitudes de ondas posibles se
define como.
𝐸(𝑇)
𝜀 𝑇 ≡
𝐸𝑏 (𝑇)
∞
0 𝜀𝜆 𝜆, 𝑇 𝐸𝜆𝑏 𝜆, 𝑇 𝑑𝜆
𝜀 𝑇 =
𝐸𝑏 𝑇
Como 𝐼𝜆,𝑏 𝜆, 𝑇 es independiente de 𝜃 y 𝜙 y 𝜀𝜆,𝜃 es independiente de 𝜙 se obtiene que
𝜋
2
𝜀𝜆, 𝜆, 𝑇 = 2 න 𝜀𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝑇 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃
0
Todas las superficies muestran variaciones representativas en el 𝜀𝜃 para valores de 𝜃 para materiales conductores
y no conductores (Conductores 𝜃 ≤ 40° y para no conductores 𝜃 ≤ 70°
𝐼𝜆,𝑖,𝑎𝑏𝑠 (𝜆, 𝜃, 𝜙)
𝛼𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝑇 =
𝐼𝜆,𝑡 (𝜆, 𝜃, 𝜙)
Se puede relacionar con la emisividad direccional 𝜀𝜆,𝜃 al sustituir la expresión para la
potencia emisiva espectral.
𝜋
2𝜋 2
0 0 𝛼𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙 𝐼𝜆,𝑖 𝜆, 𝜃, 𝜙 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
𝜀𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙, 𝑇 = 𝜋
2𝜋
0 02 𝐼𝜆,𝑖 𝜆, 𝜃, 𝜙 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
𝜋
2
𝛼𝜆 𝜆 = 2 න 𝛼𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃
0
La absortividad hemisférica total representa un promedio integrado sobre la
dirección y longitud de onda.
𝐺𝑎𝑏𝑠
𝛼≡
𝐺
∞
0 𝛼𝜆 𝜆 𝐺𝜆 𝜆 𝑑𝜆
𝛼= ∞
0 𝐺𝜆 𝜆 𝑑𝜆
𝐼𝜆,𝑖,𝑟𝑒𝑓 (𝜆, 𝜃, 𝜙)
𝜌𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙 =
𝐼𝜆,𝑖 (𝜆, 𝜃, 𝜙)
La reflectividad hemisférica espectral se define como
𝐺𝜆,𝑟𝑒𝑓 (𝜆)
𝜌𝜆,𝜃 𝜆 =
𝐺𝜆 (𝜆)
Que es equivalente a
𝜋
2𝜋
0 02 𝜌𝜆,𝜃 𝜆, 𝜃, 𝜙 𝐼𝜆,𝑖 𝜆, 𝜃, 𝜙 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
𝜌𝜆 𝜆 = 𝜋
2𝜋 2
0 0 𝐼𝜆,𝑖 𝜆, 𝜃, 𝜙 cos 𝜃 sin 𝜃 𝑑𝜃𝑑𝜙
Ilustracion 4. Reflexión difusa y especular