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BJT( BIPOLAR JUNCTION

TRANSISTOR)
INTRODUCCIÓN:

• En el presente trabajo se analizará a los transistores BJT específicamente en su


función como conmutador o switch, veremos las características que se cumplen para
que el transistor se comporte como switch, así como la zonas o regiones en la cuales
se desempeña el transistor.
SIMBOLO
TRANSISTORES BJT COMO INTERRUPTOR
(CONMUTADOR)


• Cuando el transistor está en corte se puede comparar con un interruptor abierto y
cuando está en saturación es equivalente a un interruptor cerrado.
• Con las condiciones de corte y saturación normalmente las determina el circuito
asociado a la base, se puede establecer una relación entre el transistor y un
interruptor.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL BJT
COMO CONMUTADOR
• Un circuito básico a transistor como el ilustrado en la (Figura 1 a), conforma un circuito
inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la señal de entrada es alta y
viceversa.
• El mismo está calculado de manera que el transistor esté en la zona de corte (punto B) o
saturación (punto A), (Figura 1 d), dependiendo si el valor de la función de entrada
vale 0 ó +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se comporta
como un interruptor controlado, realizando transiciones entre la saturación y el corte.
• Se observa que el interruptor está controlado por la corriente de base: Cuando el
transistor está al corte no fluye corriente y el interruptor está abierto (Figura 1c),
cuando el transistor está saturado fluye la máxima corriente de colector y el interruptor
está cerrado (Figura 1b).
CURVA DE COMPORTAMIENTO

• Para que el transistor BJT se encuentre trabajando como un interruptor se debe


encontrar trabajando en las regiones de corte y saturación pasando de una región a
la otra.
BJT EN CORTE

• En vista a que el funcionamiento del transistor depende de la cantidad de corriente


que pasa por su base, cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar
tampoco por sus otros terminales; se dice entonces que el transistor está en
corte, es como si se tratara de un interruptor abierto.
ESTADO IDEAL
ESTADO REAL
BJT EN SATURACIÓN

• El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese


caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor, por lo que el
transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado.
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN DEL
TRANSISTOR
• Tiempo de retardo
• Intervalo de tiempo entre el punto correspondiente al instante de aplicación de la
señal de entrada y el punto en que la señal de salida toma el 10% de su valor final.
• Este tiempo de retraso se debe, principalmente a dos factores:
TIEMPO DE SUBIDA O CRECIMIENTO
• Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 10 y 90% de la forma de
onda ascendente de la corriente de colector.

• El tiempo de crecimiento es una función de la frecuencia de corte alfa, fa; y también


depende inversamente de la cantidad de corriente de apertura; mientras mayor sea la
corriente de apertura, menor será el tiempo de crecimiento.
TIEMPO DE ALMACENAMIENTO

• Intervalo de tiempo entre el instante en que la tensión de entrada comienza el
descenso y el punto correspondiente al 90% de la forma de onda descendente de la
corriente de colector. El tiempo de almacenamiento es una función de hfe, y de las
corrientes de apertura y cierre.
• La no respuesta del transistor durante el tiempo ts a la anulación de la excitación, se
debe a que el transistor en saturación tiene una carga en exceso de portadores
minoritarios almacenados en la base. El transistor no puede responder hasta que ese
exceso de carga de saturación se haya eliminado. En el caso extremo este tiempo ts
puede ser de dos a tres veces el tiempo de subida o de bajada a través de la región
activa. Al emplear transistores de conmutación donde la velocidad resulta de
verdadero interés, la mayor ventaja se obtiene cuando se reduce el tiempo de
almacenamiento
• Tiempo de caída
• Intervalo de tiempo entre los puntos correspondientes al 90 y 10% de la forma de onda
descendente de la corriente de colector.

• Tiempo de conexión o encendido TON = td + tr


• Resulta de la suma de los tiempos de retardo td y de subida tr. Es el tiempo total para pasar
del corte a la saturación.

• Tiempo de desconexión o apagado TOFF = ts + tf


• Es la suma de los tiempos de almacenamiento tS más el de caída tf. Es el tiempo total para
pasar de la saturación al corte.

• Tiempo total de conmutación TT = (td + tr) + (ts + tf) = TON + TOFF


• Los tiempos de encendido (TON) y apagado (TOFF) limitan la frecuencia máxima a la cual
puede conmutar el transistor.
LIMITACION DE FRECUENCIA DE LOS
TRANSISTORES
• Ciertos transistores presentan una ganancia aprovechable en frecuencias de cientos
de MHz, mientras que otros no funcionarán con frecuencias superiores a los 50 kHz.
• Las características dadas por los fabricantes o los manuales de transistores indican,
por lo general, uno o más parámetros que describen el comportamiento de los
transistores en función de la frecuencia. Los tres parámetros de frecuencia más
comúnmente indicados son:
• Frecuencia de corte beta o de emisor común
• fb, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente hfe, del transistor en configuración
emisor común cae 1/ 2=0,707, por lo tanto fb, es la frecuencia de corte en la que la
ganancia en corto circuito en configuración emisor común cae 3 dB .
• Frecuencia de transición o de corte
• fT, Se define como la frecuencia para la cual la ganancia de corriente, hfe, del transistor en
configuración emisor común, se hace igual a la unidad, con lo cual se considera que es la
máxima frecuencia de operación del transistor.

• Frecuencia de corte alfa o de base común


• fa, es la frecuencia para la cual la ganancia de corriente hfb (a), en configuración
base común cae 0,707; por lo tanto, fa es la frecuencia de corte en la que la ganancia
de corto circuito en configuración base común, cae 3 dB.
CONCLUSIONES

• El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consiste


de 2 uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y
disminuir el voltaje, además de controlar el paso de corriente a través de sus
terminales .la denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamientos de portadores de los polaridades.
BIBLIOGRAFÍA

• MANDADO Enrique; Sistemas Electrónicos Digitales.


• SCHILLING Donald, BELOVE Charles; Circuitos Electrónicos
• BOYLESTAD Robert, NASHELSKY, Louis; Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos.
• MUHAMMAD H. RASHID, Electrónica de Potencia (Capitulo 4- Transistores de
potencia).
• https://unicrom.com/transistor-como-interruptor-switch/