CAPITULO V

DEFECTOS O IMPERFECCIONES
CRISTALINAS
1. GENERALIDADES.

No hay cristales perfectos debido a que hay

imperfecciones cristalinas, que afectan a muchas
de las propiedades físicas y mecánicas
importantes de los metales y sus aleaciones;
entre ellas, desde el punto de vista de ingeniería
tenemos: capacidad de deformación en frío,
conductividad eléctrica, resistencia mecánica,
corrosión, velocidad de difusión, etc.
2. CLASES DE DEFECTOS O IMPERFECCIONES
ESTRUCTURALES.

Están clasificados de acuerdo a su geometría y

forma, estos son:

a)Defectos puntuales, de dimensión cero.

b)Defectos de línea o de una dimensión
(dislocación).
c) Defectos de dos dimensiones, que incluyen
superficies externas y bordes de grano interno.
 2.1. DEFECTOS PUNTUALES O CERO
DIMENSIONALES

Entre las cuales tenemos :

• VACANTES.

• INTERSTICIALES.

• IMPUREZAS O INCLUSIONES.
 A. VACANTES.

Son agujeros dejados por la pérdida de

átomos que se encontraban en una posición,
estas se pueden producir durante el proceso de
solidificación, por perturbaciones locales en la
red durante el crecimiento del cristal, o por
reordenamiento atómico en el cristal, debido a la
movilidad de los átomos. En los metales la
concentración de huecos en equilibrio,
raramente excede de 1 entre 10000.
B. INTERSTICIALES.
Este defecto se produce, cuando un átomo
de la red ocupa un lugar intersticial, entre los
átomos que lo rodean, en sitios atómicos
normales. Estos se pueden producir en la
estructura cristalina por irradiación con partículas
energéticas.

C. IMPUREZAS.
Constituidas por átomos extraños a la red
cristalina, los que pueden tener un diámetro mayor
o menor que los de la red. Estos están presentes,
desde el inicio del proceso de los materiales y se
pueden ubicar en posiciones reticulares o
intersticiales.
D. DEFECTO SCHOTTKY.
En cristales iónicos, los defectos puntuales son
más complejos, debido a la necesidad de mantener
la neutralidad eléctrica de los mismos, cuando dos
iones de cargas opuestas se pierden en un cristal
iónico, se producen huecos anión - catión;
produciendo defectos Schottky.

E. DEFECTO FRENKEL.
Cuando un catión se mueve a una posición
intersticial, en un cristal iónico, se produce una
vacante en la posición del ion, a esta dualidad de
vacante - defecto intersticial, se le llama defecto
Frenkel. La presencia de estos defectos, en un
material iónico incrementa su conductividad
eléctrica.
 Las vacantes adicionales, en un material
también puede producirse por:
a)Por enfriamiento rápido desde altas temperaturas
a bajas temperaturas.
b)Por deformación plástica del metal.
c) Por bombardeo con partículas energéticas.
d)En los compuestos químicos, como una respuesta
a las impurezas químicas y a las composiciones
no estequiométricas.
Las vacantes no equilibradas, tienen tendencia
a unirse formando clusters, las cuales pueden
cambiar de posición con sus vecinas; este proceso
es importante en la difusión de átomos en estado
sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la
movilidad de átomos es mayor.
 2.2. DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES O
DE UNA DIMENSION
Son defectos en los sólidos cristalinos que
distorsionan la red alrededor de una línea, estos se
crean por:
– Por una deformación plástica permanente.
– Por condensación de vacantes.
– Por desajustes atómicos en disoluciones
sólidas.
– Durante la solidificación.
Estos pueden ser :
• De tornillo o alabeo.
• De borde o Taylor.
A. DISLOCACION DE BORDE.

Se generan en un cristal por la inserción o

ausencia de un semiplano de átomos, en la red
cristalina; producido por esfuerzos de
compresión o tracción, provocando una
distorsión local en la red, a este tipo de
dislocación también se le llama dislocación de
Taylor y su representación es una "" invertida
para dislocación positiva y "T" en posición
normal para una negativa, dependiendo del
plano de referencia considerado.
DISLOCACION DE BORDE O DE TAYLOR
 La distancia de desplazamiento de los
átomos alrededor de una dislocación se
denomina deslizamiento o vector "b" de
Burgers y para una dislocación de borde este
vector de cierre es perpendicular a la
dislocación y su magnitud estará dada por la
diferencia de segmentos entre átomos para el
área considerada o circuito de Burgers.
CIRCUITO DE BURGERS
 B. DISLOCACION DE TORNILLO O ALABEO.

Las dislocaciones de tornillo se pueden formar

en un cristal mediante la aplicación de esfuerzos
cortantes o de cizallamiento, hacia arriba y hacia
abajo; estos esfuerzos introducen una zona de
distorsión en la red cristalina en forma de rampa
espiral o de tornillo; en este tipo de dislocación el
vector de Burgers o vector de cierre es paralelo a la
línea de acción de la fuerza.
NOTA: Las dislocaciones son defectos en
desequilibrio y almacenan energía en la región
distorsionada de la red cristalina, alrededor de la
dislocación.
DISLOCACION DE TORNILLO O ALABEO Y DE BORDE
DISLOCACION DE TORNILLO
 2.3 DEFECTOS PLANARES.

Son imperfecciones de materiales

policristalinos, que ocurren en la superficie que
separan los granos de diferentes orientaciones; estos
se crean durante la solidificación, cuando estos se
forman a partir de diferentes núcleos y crecen
simultáneamente, encontrándose unos a otros. El
borde de grano es una región estrecha, de un ancho
aproximado de 2 a 5 diámetros atómicos, pudiendo
definirse como una región de átomos mal
emparejados entre los granos adyacentes. La
deformación plástica en los granos ocasiona un
aumento significativo de las dislocaciones, una
orientación predominante o preferente en los granos,
la cual se denomina TEXTURA.
C. DEFECTOS PLANARES DE BORDE GRANO
 3. SOLIDIFICACION
La solidificación es proceso muy importante,
en la obtención de materiales (metales) en estado
sólido para aplicaciones en ingeniería, en la cual
es importante controlar, sus propiedades
derivadas de la fusión y enfriamiento, que influyen
en la formación y crecimiento de sus cristales, y
de estas sus propiedades de aplicación.
Esta se produce a partir de los embriones,
luego los núcleos, finalmente formación y
crecimiento de grano.
• EMBRION. Conglomerado de átomos enlazados
entre si, cuyo radio menor que el tamaño critico,
estos se están formando y redisolviendo
constantemente en el metal fundido debido a la
agitación atómica.
• NUCLEO. Cuando el embrión supera el radio
crítico, cuando el subenfriamiento es lo
suficientemente grande, como para causar
la formación de un núcleo.
• MECANISMOS DE NUCLEACION. Son dos.
a) Nucleación homogénea.
b) Nucleación heterogénea
 3.1 NUCLEACION HOMOGENEA
• Durante la formación de los primeros cristales de
nano tamaño en el material fundido, mediante la
transformación de fase líquido – sólido, El material se
solidifica cuando el líquido se enfría justo debajo de
su temperatura de solidificación, porque la energía
asociada con la estructura cristalina del sólido es
menor que la energía del líquido. Esta diferencia de
energía líquido y sólido es la energía libre por unidad
de volumen ΔGv es la fuerza motriz para la
solidificación; sin embargo en el proceso de
solidificación se forma un interfaz sólido-líquido a la
cual se asocia una energía libre superficial γsl, por lo
que el cambio total de energía de solidificación será:
 G 4
  R 3 GV  4  R 2
T 3
 sl
Donde :
ΔGv : Cambio de energía libre por unidad de volumen.
γsl : Energía libre superficial de la interfaz sólido y líquido
R : Radio atómico.
4.2 RADIO CRITICO DEL N UCLEO (r*).
A mayor grado de subenfriamiento ΔT, por debajo
de la temperatura de fusión del metal, mayor es el
cambio de energía volumétrica ΔGv ,Pero el cambio de
energía superficial no cambia mucho con la
temperatura, por lo que el tamaño crítico del núcleo es
determinado principalmente por ΔGv
• Por lo que el tamaño crítico del radio del núcleo se
expresa por :
2  2 T
r*
GV
sl r
* sl m
H s T

γsl = Energía libre superficial (joule/ cm2),

Tm = Temperatura de solidificación de equilibrio (º K)
ΔHs = Calor latente de solidificación ( Joule/cm3 )
ΔT = Cantidad de subenfriamiento a la que se forma el
núcleo,
NOTA: En la nucleación homogénea el metal proporciona
por si mismo los átomos para formar los núcleos por lo que
habitualmente requiere de elevados subenfriamientos
3.1 NUCLEACION HETEROGENEA
• La nucleación heterogénea, tiene lugar en un
líquido sobre la superficie del recipiente que lo
contiene , o en impure4zas insolubles u otros
materiales que están en contacto con el líquido,
que disminuyen la energía libre disponible
requerida para formar un núcleo estable y no
requiere de grandes subenfriamientos , estos
varían entre 0.1 a 10 ºC.
a) METAL MONOCRISTALINO. Son aquellos
metales o materiales cuya estructura
micrográfica (grano), está compuesta por un
sólo grano donde sus cristales (celdas unidad)
tienen una sola orientación, en estos no
existen los bordes de grano.

b) METAL POLICRISTALINO. Son aquellos

metales o materiales cuya estructura
micrográfica (grano), está compuesta por un
conjunto de granos donde sus cristales (celdas
unidad) en todos son iguales, estos tienen
diferentes orientaciones, los cuales están
separados por los bordes de grano.
• Puesto que de un grano a otro cambia la
orientación de la red cristalina, los bordes de
grano son zonas de alto desorden

LIMITES DE GRANO
• MONOCRISTAL

• POLICRISTAL
 Cristales

Limite de grano Grano

FORMACION DE UN POLICRISTAL
IPEN : Trabajando en
las fronteras de la
IPEN : Trabajando en
las fronteras de la
IPEN : Trabajando en
las fronteras de la
 4. TAMAÑO DE GRANO.
El tamaño de grano en metales policristalinos es
importante debido a que la cantidad de superficie del
límite de grano, tiene efecto significativo en muchas
propiedades de los metales especialmente en la
resistencia mecánica, que a bajas temperaturas los límites
de grano se refuerzan y a elevadas temperaturas pueden
convertirse en regiones débiles.
Un método para determinar el tamaño de grano, es
el de ASTM, en el cual el índice de tamaño de grano se
define por:
N = 2 (n – 1) (a/100)2 N = 2 (n – 1)
Donde :
N = Número de granos por pulgada cuadrada,
con un aumento x 100.
n = Índice ASTM de tamaño de grano (número entero).
a = aumento diferente de x 100.
 5. VELOCIDAD DE PROCESOS EN
SÓLIDOS
Relacionado con la velocidad a la cual los
átomos se mueven en el estado sólido, lo que implica
espontáneos reagrupamientos en nuevas y más
estables ordenaciones atómicas; para lo cual los
átomos que se reagrupan deben tener suficiente
energía de activación para superar la barrera de la
energía de enlace.
•ENERGIA DE ACTIVACION. Energía adicional
requerida por los átomos reaccionantes, la cual es
superior a la energía media de los átomos enlazados,
esta se expresa en Joule/mol, Cal/mol.
 ENERGIA

EP
ER
Reactivos

ENERGIA DE ACTIVACION
Productos

?E
Energía
Energia liberada de
por la reaccioón Activación
5.1 RELACION ENTRE EL NUMERO DE VACANTES
Y EL NUMERO DE SITIOS ATOMICOS
• Donde :
nv = Número de vacantes por
metro cúbico de metal.
 Ev  N = Número total de sítios para
 
nv átomos, por metro cúbico de

Ce  kT  metal.
Ev = Energía de activación para
N formar un hueco.
T = Temperatura absoluta en
ºK.
k = 8.62 x 10-5 ev/ºK (Constante
de Boltzman).
C = Constante (C = 1).
5.2. DETERMINAR EL NUMERO DE SITIOS
ATÓMICOS DEL METAL

• Donde :
N0  No = 6.023 x 1023
N (átomos/mol)
M.A.  = Densidad del metal.
(gr/cm3)
M.A. = Masa Atómica del
metal (gr/mol)
 6. DIFUSION ATOMICA EN LOS SÓLIDOS
• La difusión es el mecanismo mediante el cual la
materia es transportada a través de la materia. La
difusión en los sólidos es restringida, debido a los
enlaces atómicos que mantienen a los átomos en
posiciones de equilibrio; sin embargo las
vibraciones térmicas permiten que algunos átomos
se muevan.
6.1 MECANISMOS DE DIFUSION.
a) Mecanismo de difusión sustitucional o por
vacantes.
b) Mecanismo de difusión intersticial
A. MECANISMO DE DIFUSION POR VACANTES
O SUSTITUCIONAL
Este tipo de difusión, se caracteriza porque
los átomos pueden moverse en la red
cristalina desde una posición a otra si hay
presente suficiente energía de activación
proporcionada por la vibración térmica y si hay
vacantes u otros defectos cristalinos, para que
ellos los ocupen.
 (1) (2)

Energía de

E
activación
Energía

Posición

MOVIMIENTO ATOMICO POR DIFUSION

B. MECANISMO DE DIFUSION INTERSTICIAL.
Tiene lugar en las redes cristalinas, cuando
los átomos se trasladan de un intersticio a otro
contiguo al primero, sin desplazar
permanentemente a ningún átomo de la red
cristalina matriz, para que la difusión intersticial
sea efectiva el tamaño de los átomos que se
difunden deben ser relativamente pequeños en
comparación con el tamaño de los átomos de la
matriz; los átomos pequeños como el H, C, N,
O, pueden difundirse intersticialmente en
algunas redes cristalinas metálicas.
 6.2 FACTORES QUE INFLUYEN EN LA DIFUSION.
• El tipo de mecanismo de difusión; dependiendo de
que este sea sustitucional o intersticial, en función
del tamaño de grano.
• Temperatura a la cual tiene lugar la difusión, según
aumente la temperatura, la difusión aumenta.
• Tipo de estructura de la red cristalina del disolvente,
relacionada directamente con el factor de
empaquetamiento.
• Tipo de imperfecciones cristalinas presentes, donde
la difusión es más rápida en los límites de grano
que en la estructura misma, en metales y
cerámicos.
• La concentración de las especies que se difunden,
ya que las concentraciones mayores del soluto
difundible, afectará la difusión.
6.3 TIPOS DE DIFUSION
A) DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARIO.
Para que se de difusión en estado
estacionario se deben cumplir las siguientes
condiciones
• Las concentraciones en los planos de difusión
son constantes en el tiempo.
• Los planos de difusión del soluto, deben estar
separados, paralelos y perpendiculares a la
dirección del flujo atómico en difusión.
– Para estas condiciones de difusión se cumple
la Primera Ley de Fick
ATOMOS EN DIFUSION
CONCENTRACION DE
C1

C2

X1 X2 DISTANCIA X

UNIDAD DE
AREA
ATOMOS EN
DIFUSION

J = - D dC
dx
DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARIO
J = Flujo o corriente neta de átomos.
PRINERA LEY DE FICK
D = Difusividad o Coeficiente de difusión

d C = Gradiente de la concentración
A.1. PRIMERA LEY DE FICK

• "Para condiciones de estado estacionario,

la densidad de flujo neto, de los átomos
en difusión atómica, es igual a la
difusividad D, por el gradiente de difusión".
Esta viene expresada por la siguiente
ecuación.
 dC
J D
dx
• Donde :
J = Flujo o corriente neta de átomos.
(átomos/m2 seg)
D = Coeficiente de difusión o difusividad
(m2/seg)
dC
= Gradiente de concentración.
dx
(átomos/m3)(1/m)
B) DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO.

Este tipo de difusión es la que se da en

la mayoría de los casos, en la cual, la
concentración de los átomos del soluto en
cualquier punto del material varía con el
tiempo. Para casos de difusión en estado
no estacionario, en el cual la difusividad
es independiente del tiempo, es aplicable
la Segunda Ley de Fick:
Gas A Sólido B

Mucho mas tarde para t = t2

ATOMOS EN DIFUSION

Mas tarde para t = t1

CONCENTRACION DE

Cx
Inicialmente para t = 0

Co

x DISTANCIA x

DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO

d Cx = d ( D d Cx )
dt dx dx
 B.1 SEGUNDA LEY DE FICK
" La velocidad de cambio de la composición de la
muestra, es igual a la difusividad, por la
x
velocidad de cambio del gradiente de
concentración".
La cual se expresa con la siguiente ecuación

d Cx = d ( D d Cx )
dt dx dx
B.2 SOLUCION PARTICULAR DE LA SEGUNDA
LEY DE FICK APLICADA A TRATAMIENTOS
TERMOQUIMICOS

Solución particular:

Cs - Cx = f err ( x )
Cs - C0 2 Dt
Cs : Concentración superficial del gas que se difunde.
Co : Concentracion inicial uniforme del elemento en el sólido.
Cx : Concentración del elemento a una distancia x de la superficie en un
tiempo t.
x : Distancia desde la superficie.
D : Coeficiente de difusión del elemento soluto que se difunde
t : Tiempo.
ferr: Función error
 EFECTO DE LA DIFUSION EN SÓLIDOS

Donde :
D = Difusividad m2/seg.
Do = Constante de
proporcionalidad m 2/seg.
 Q RT independiente de la
D  D0 e temperatura.
Q = Energía de activación de las
especies en difusión J/mol o
cal/mol (mov. Del defecto)
R = 8,314 J/mol ºK (constante
universal de los gases).
T = Temperatura en ºK.