UNIDAD 1-DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES
• QUE ES UN DISP.SEMICONDUCTOR?
De una forma muy general, podemos decir
que es cualquier dispositivo que utiliza
material semiconductor.
Y por lo general se les clasifica como
dispositivos electrónicos.
Sin embargo, la familia de dispositivos
semiconductores es muy grande:
-DIODOS, que a su vez cuenta con una gran
diversidad (rectificador, zener, LED, Diodo laser,
Schottky, varicap, fotodiodo………).
-TRANSISTORES, (de pequeña señal, de
• DE AQUÍ LO
switcheo, de potencia……) IMPORTANTE de
-AMPLIF.OPERACIONALES, REGULADORES.
-DISP.DE POTENCIA OTiristores (SCR, triac,
ESTUDIAR LOS
diac……) MATERIALES
-DISPOSITIVO DIGITALES, formados por
transistores (compuertas, contadores, SEMICONDUCTORES
micros…)……………..
1.1 Materiales semiconductores
• 1.1.1.-MATERIAL • Y ESO DE

INTRINSECO. INTRINSECO
Y
EXTRINSECO

• 1.1.2.-MATERIAL QUE
…..ES…

EXTRINSECO.
•
 UNIDAD 1-Dispositivos Semiconductores
• Antes de ver el
funcionamiento de
Diodos Y
Transistores,
estudiaremos los
materiales
Semiconductores.
Estos, que no son ni
conductores ni
aislantes
CLASIFICASIÓN DE LOS MATERIALES
SEGÚN SU CONDUCTIVIDAD
CONDUCTORES:
Cualquier material que
ofrezca poca resistencia
al flujo de electricidad
AISLANTE : Es un mal
conductor de electricidad
o de calor
SEMICONDUCTOR
Material que en ciertas
condiciones conduce y
en otras no.
 ¿Qué es la conductividad?
• La conductividad
eléctrica, es la capacidad
de conducir la corriente
eléctrica cuando se
aplica una diferencia de
potencial, es una de las
propiedades físicas
más importantes. Ciertos
metales, como el cobre,
la plata y el aluminio son
excelentes conductores.
Por otro lado, ciertos
aislantes como el
diamante o el vidrio son
muy malos conductores.
 Diferencia entre conductor y
aislante
• La diferencia entre un conductor y un
aislante, es de grado más que de tipo, ya
que todas las sustancias conducen
electricidad en mayor o en menor medida.
Un buen conductor de electricidad, como
la plata o el cobre, puede tener una
conductividad mil millones de veces
superior a la de un buen aislante, como el
vidrio o la mica.
 Otra diferencia
• los conductores son
todos aquellos que poseen
menos de 4 electrones en
la capa de valencia, el
semiconductor es aquel
que posee 4 electrones en
la capa de valencia y el
aislante es el que posee
mas de 4 electrones en la
capa de valencia.y tiende a
completar 8.
• ¿y los que tienen 8
electrones que ondas?
• Un buen conductor de electricidad, como
la plata o el cobre, puede tener una
conductividad mil millones de veces
superior a la de un buen aislante, como el
vidrio o la mica.
 Analizando un conductor
• El conductor más
utilizado y el que ahora
analizaremos es el
Cobre (valencia 1), que
es un buen conductor.
Su estructura atómica la
vemos en la siguiente
figura.
 Analizando un conductor Cu

• Su número atómico es 29. Esto significa

que en el núcleo hay 29 protones (cargas
positivas) y girando alrededor de él hay 29
electrones girando en diferentes órbitas.
• Lo que interesa en electrónica es la órbita
exterior, que es la que determina las
propiedades del átomo.
• Por ello vamos a agrupar
el núcleo y las órbitas
internas, y le llamaremos
parte interna. En el átomo
de cobre la parte interna
es el núcleo
• (+ 29) y las tres primeras
órbitas (- 28), con lo que
nos queda la parte
interna con una carga
neta de +1.
• Como el electrón de valencia es atraído muy
débilmente por la parte interna, una fuerza
externa puede liberarlo fácilmente, por eso es
un buen Conductor. Nos referiremos a ese
electrón de valencia, como electrón libre.
• Lo que define a un buen conductor es el hecho
de tener un solo electrón en la órbita de valencia
(valencia 1).
• Así, tenemos que:
• A 0 ºK (-273 ºC) un metal no conduce.
• A Temperatura ambiente 300 ºK ya hay
electrones libres debidos a la energía térmica.
• - Si no tenemos un
campo eléctrico aplicado
los electrones libres se
mueven en todas
direcciones. Como el
movimiento es al azar, es
posible que muchos
electrones pasen por
unidad de área en una
determinada dirección y a
la vez en la dirección
opuesta. Por lo tanto la
corriente media es cero.
• Veamos ahora como cambia la situación, si
se aplica al metal un campo eléctrico

• Los electrones libres se mueven ahora en

una dirección concreta. Y por lo tanto ya hay
carga (en culombios) que cruza la sección del
metal en un segundo, o sea ya existe una
corriente..
• Aislantes eléctricos:
• El aislante perfecto para las aplicaciones
eléctricas sería un material absolutamente
no conductor, pero ese material no existe.
• Los materiales empleados como aislantes
siempre conducen algo la electricidad,
pero presentan una resistencia al paso de
corriente eléctrica hasta 2,5 × 1024 veces
mayor que la de los buenos conductores
eléctricos como la plata o el cobre.
• Semiconductor:
• Material sólido o líquido capaz de conducir
la electricidad mejor que un aislante, pero
peor que un metal. A temperaturas muy
bajas, los semiconductores puros se
comportan como aislantes. Sometidos a
altas temperaturas, mezclados con
impurezas o en presencia de luz, la
conductividad de los semiconductores
puede aumentar de forma espectacular y
llegar a alcanzar niveles cercanos a los de
los metales.
Los 2 semiconductores que veremos serán
el Silicio y el Germanio: (átomo de Bohor)
• Al combinarse los átomos de Silicio
se comparten en una forma de estructura
llamada cristal Esto se debe a los
"Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre átomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal
forma que se crea un equilibrio de fuerzas
que mantiene unidos los átomos de Silicio.
 Vamos a representar un cristal de
silicio de la siguiente forma: Enlace
• Covalente
 Analizando el enlace covalente
• Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones
de valencia con los átomos vecinos, de tal
manera que tiene 8 electrones en la órbita de
valencia, como se ve en la figura.
• La fuerza del enlace covalente es tan grande
porque son 8 los electrones que quedan
• ( aunque sean compartidos ) con cada átomo,
gracias a esta característica los enlaces
covalentes son de una gran solidez.
• Los 8 electrones de valencia se llaman
electrones ligados por estar fuertemente
unidos en los átomos.
 Algo mas que debemos saber
sobre el enlace covalente:
• A la unión de un electrón libre y un
hueco se llama
"recombinación",
• y el tiempo entre la creación y
desaparición de un electrón libre
se denomina "tiempo de vida".
Enlace covalente roto: Es
cuando tenemos un hueco, esto es
una generación de pares electrón
libre-hueco.
 ¿Y esto del enlace
covalente roto
• cuando ocurre?
 Empecemos hablando de los
Semiconductores intrínsecos
• un semiconductor puro o intrínseco a
temperatura ambiente se comporta como un
aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.
• En un semiconductor intrínseco también hay
flujos de electrones y huecos, aunque la
corriente total resultante sea cero. Esto se debe
a que por acción de la energía térmica se
producen los electrones libres y los huecos por
pares, por lo tanto hay tantos electrones libres
como huecos con lo que la corriente total es
cero.
¿Y que podemos hacer para que
un electrón se desprenda?
• El aumento de la temperatura hace que
los átomos en un cristal de silicio vibren
dentro de él, a mayor temperatura mayor
será la vibración. Con lo que un electrón
se puede liberar de su órbita, lo que deja
un hueco, que a su vez atraerá otro
electrón, etc... Observa la sig. figura
 Esto ocurre:
A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300
ºK o más, aparecen electrones libres.
•

• Pero para lograr esto con un potencial eléctrico, se requeriría una

gran cantidad de energía. Es por esto que un mat semicond. Puro
(intrinseco) no es factible como conductor. (mala conductividad)
 Dopado de un semiconductor
• Para aumentar la conductividad (que sea
más conductor) de un Semiconductor, se
le suele dopar o añadir átomos de
impurezas al Semiconductor intrínseco,
un Semiconductor dopado es llamado
Semiconductor extrínseco.
 ¿Y como se dopa un
semiconductor?
• Existen dos maneras muy populares de
hacerlo:
• Una de ellas es agregando al material
semicon. puro elementos con Impurezas
de valencia 5 (Arsénico, Antimonio,
Fósforo).
 Tenemos un cristal de Silicio
dopado con átomos de valencia 5.
•
 ¿y entonces que pasa?
• Los átomo de valencia 5 tienen un
electrón de más, así con una temperatura
no muy elevada (a temperatura ambiente
por ejemplo), el 5º electrón se hace
electrón libre. Esto es, como solo se
pueden tener 8 electrones en la órbita
de valencia, el átomo pentavalente suelta
un electrón que será libre.
 Por lo tanto:
• Si metemos 1000 átomos de impurezas
tendremos 1000 electrones, más los que
se hagan libres por generación térmica
(que son pocos).
 Algo mas que debemos saber
• A estas impurezas se
les llama "Impurezas
Donadoras“.
• Y a este material
semiconductor
contaminado con
impurezas
pentavalentes se le
llama :
• MATERIAL
semiconductor TIPO N
 Y continuando con ¿Cómo se
dopan?
• Otra de las maneras es agregando al
semicond. Puro, Impurezas de valencia 3
como por ejemplo: Aluminio, Boro, Galio.
A continuación Tenemos un cristal
de Silicio dopado con átomos de
valencia 3.
•
 ¿y que pasa en este caso?
• Los átomo de valencia 3
tienen un electrón de
menos, entonces como
nos falta un electrón
tenemos un hueco. Esto
es, ese átomo trivalente
tiene 7 electrones en la
orbita de valencia. Al
átomo de valencia 3 se le
llama "átomo trivalente" o
"Aceptor".A este material
se le conoce como
• material semiconductor
TIPO P
• A CONTINUACIÓN PASAREMOS A
ANALIZAR A QUE SE LE LLAMAN
NIVELES O BANDAS DE
ENERGÍA
 BANDAS DE ENERGÍA
ejemplo en un solo atomo

• Si se le da
energía a un
electrón para
que pase de E1
a E2, este
electrón puede
pasar de una
orbita a otra.
 ¿Y cuanta energía requieren
los electrones para moverse?
Y
¿Es la misma energía en
cualquier orbita que se
encuentren?
 Niveles o bandas de energía.
• EL Modelo de bandas de energía:
 Ayuda a entender el comportamiento eléctrico de los materiales
 Los electrones dentro de un material se desplazan únicamente a través de niveles
permitidos
 BANDAS DE ENERGIA :energía necesaria para que un electrón pase de la banda
de valencia a la banda de conducción generalmente expresada en eV.

 Silicio intrínseco Silicio tipo N Silicio tipo P



 Como es difícil
sacar un electrón
de las bandas
inferiores, no nos
interesan las 2
bandas inferiores,
no las tendremos
en cuenta, así
tendríamos:
La energía requerida por un electrón para
iniciar la conducción depende del tipo de
clasificación según su conductividad
 Para que la conducción de la electricidad sea posible
es necesario que haya electrones en la capa de
conducción, así podemos considerar tres situaciones:
• Los conductores en los que ambas bandas de energía
se superponen.
• Los aislantes, en los que la diferencia existente entre
las bandas de energía, del orden de 6 eV impide, en
condiciones normales el salto de los electrones.
• Los semiconductores, en los que el salto de energía es
pequeño, del orden de 1 eV, por lo que suministrando
energía pueden conducir la electricidad; pero además,
su conductividad puede regularse, puesto que bastará
disminuir la energía aportada para que sea menor el
número de electrones que salte a la banda de
conducción; cosa que no puede hacerse con los
metales, cuya conductividad es constante, o más
propiamente, poco variable con la temperatura.
 Bandas de Energía en un
Semiconductor tipo n
• Recordemos que se
impurifica con atomos
de 5 e- .Esa energía que
tienen se llama "Energía
del átomo Donador"
(ED).
• En cuanto se le de una
pequeña energía los
electrones suben a la
BC y se convierten en
libres
 Bandas de Energía en un
Semiconductor tipo p
• En este caso las
impurezas son
átomos de +3, Esa
energía es la
"Energía del átomo
Aceptor" (EA).
 Otra observación importante
• la conductividad del material aumenta
enormemente, así, por ejemplo,
introduciendo sólo un átomo donador por
cada 1000 átomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que
la del silicio puro.
 ¿Y que pasa con el
nivel de energía del
semiconductor? Si, ya
se que se reduce pero a
cuanto.
Veamos la siguiente tabla, con la energía
requerida por dif. Elementos puros
 ¿DIODO?
Un diodo es la unión de dos materiaes
semiconductores (extrínsecos o dopados), uno de
tipo N y el otro de tipo P, entre los dos se forma
una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es
mínima o nula la presencia de portadores de
carga. Tanto en el mat. P como en el mat. N
existen portadores de carga minoritarios del signo
contrario al que representa el material.
 SIMBOLO Y PRESENTACIÓN
FISICA REAL
•
CURVA CARACTERISTICA O DE
OPERACIÓN
•
Polarización directa
 Pol.directa
El polo negativo de la batería repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unión p-
n.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia
del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los
huecos hacia la unión p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería
es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga
espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p
atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los
múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo
positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta
llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la
zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece
a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.
Pol. inversa
 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y
se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de la zona p.
Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han
formado los enlaces covalentes con los átomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia,
siendo el electrón que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos
por la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes
adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica neta de -1,
convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo
potencial eléctrico que la batería.