KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Kelompok 2:
Afifah (17033002)
Jeremia Vinsencius (17033020)
Revi Indriani (17033036)

Mata Kuliah Elektronika Dasar

 A. KARAKTERISTIK KELUARAN LOOP
COMMON EMITOR

Masukan dari common emitor di berikan pada rangkaian base

emitor dan keluaran diambil dari kolektor emitor membuat elemen
emitor dan keluaran di ambil dari rangkaian kolektor emitor.Pada
badian keluaran karaketistik loop common emitor ini di pasang tahana
RC seperti pada gambar.
 PERSAMAAN

Persamaan tegangan keluaran pada llop keluaran dengan

menerapkan hukum kichhoff tentang tegangan.Persamaan tegangan
pada loop keluaran untuk konfigurasi common emitor adalah
VCC =IC RC +VCE
Arus listrik pada kolektor dapat di rumuskan dalam bentuk
IC =VCC – VCE/RC
 Untuk satu nilai arus base IB pada tegangan bias VCE
rendah arus kolektor IC naik dengan cepat.Bila tegangan
bias VCE ditambah,arus kolektor naik dengan lambat
sampai menuju saturasi.Untuk nilai arus base yang lebih
besar kurva karakteristik yang dihasilkan lebih tinggi tetapi
dengan pola kemiringan yang hampir sama.
.

B. KRAKTERISTIK LOOP MASUKAN

COMMON EMITOR
Dalam common emitor digunakan secara bersama antara sinyal
masukan dan juga sinyal keluaran.konfigurasi common emitor (CE) adalah
konfigurasi yang sering di gunakan dalam rangkainpenguat praktis karena
konfigurasi ini menyediakan penguat tegangan,arus, dan daya yang baik
.Masukan dari common emitor di berikan pada rangkaian base emitor dan
keluaran diambil dari kolektor emitor membuat elemen emitor dan keluaran
di ambil dari rangkaian kolektor emitor.Suatu rangkaian elektronika dengan
konfigurasi common emitor yang sederhana terdiri dari transistor tipr
npn,dua tahanan,dan dua tegangan dari catu daya.bagian masukan di
pasang tahana RB .
RANGKAIAN KONFIGURASI COMMON
EMITOR
Dengan menerapkan hukum kirchhoff tentang
tegangan pada loop tertutup, di dapatkan persamaan
persamaan tegangan pada konfigurasi common emitor
dalam bentuk.

VBB= IB RB +VBE

Arus lisrtik pada base transistor dirumuskan seperti

IB =VBB – VBE /RB

 Pada gambar dapat di jelaskan bahwa untuk
tegangan VBE kecil tidak ada arus yang mengalir pada base
transistor.arus mulai ada pada asaat tegangan mendekati
tegangan potong .bila tegangan diperbesar di atas tegangan
potong maka arus base akan naik dengan cepat untuk satu
setting tegangan VCE .Karakteristik ini sama dengan
karakteristik dioda pada saan bias maju.Bila tegangan VCE
diperbesar ternilai kurva arus base bergeser ke kanan.
Terima Kasih