Componentes Electrónicos

( El Transistor )

 El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor utilizado para entregar
una señal de salida en respuesta a una señal de
entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El
término «transistor» es la contracción
en inglés de transfer resistor («resistor de
transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente
en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y
video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, aunque
casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.
 BREVE HISTORIA DEL TRANSISTOR

 El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor

de unión, fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone

Company por John Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección

de William Shockley, cuya primera patente solicitaron los dos primeros

nombrados, el 17 de junio de 1948,1a la cual siguieron otras patentes

acerca de aplicaciones de este dispositivo.234 El transistor bipolar de unión,

inventado por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo

favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso

de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño

de circuitos digitales integrados.

Transistor Bipolar de Contacto

Primer Transistor de contacto 1948

 Estructura

 Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones

semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la
región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y
tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada
región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado
emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de Corte transversal simplificado de un transistor de unión
bipolar NPN en el cual se aprecia como la unión base-colector es mucho
más amplia que la base-emisor. extensión mucho mayor

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está

compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta
resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible
para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser
colectados,
 Componentes Electrónicos
(El Transistor bipolar)

Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN en

el cual se aprecia como la unión base-colector es mucho más amplia
que la base-emisor.
 Componentes Electrónicos
(El Transistor bipolar)

Estructura de un transistor de unión bipolar del tipo PNP.

 Componentes Electrónicos
(El Transistor bipolar)

Transistor bipolar tipo NPN y su simbología en los

esquema Electrónicos
 Componentes Electrónicos
(El Transistor bipolar)

Transistor bipolar tipo PNP y su simbología en los esquemas

Electrónicos
 Transistores PNP Transistores NPN
 Como funcionan Los transistores “ PNP Y NPN “

 La forma en que funciona un transistor se puede describir

con referencia a la Fig. 3.3.1 que muestra el dopaje básico
de un transistor de unión y la Fig. 3.3.2 que muestra cómo
funciona el BJT.
 El funcionamiento del transistor depende en gran medida del grado de dopaje
de las diversas partes del cristal semiconductor. El emisor tipo N está
fuertemente dopado para proporcionar muchos electrones libres como
portadores de carga mayoritarios. La región base del tipo P ligeramente
dopada es extremadamente delgada, y el colector del tipo N está muy
dopado para darle una baja resistividad, aparte de una capa de material
menos dopado cerca de la región base. Este cambio en la resistividad del
colector, asegura que existe un gran potencial dentro del material colector
cerca de la base. La importancia de esto se hará evidente a partir de la
siguiente descripción.
 Durante el funcionamiento normal, se aplica un potencial a través de la unión
base / emisor, de modo que la base es aproximadamente 0,6v más positiva que
el emisor, lo que hace que la unión base / emisor esté polarizada directamente
(semiconductor P con el positivo de la fuente de voltaje y SC N con el
negativo de la fuente)
 Se aplica un potencial mucho más alto a través de la unión base / colector
con un voltaje positivo relativamente alto aplicado al colector, de modo que
la unión base / colector está fuertemente polarizada hacia atrás. Esto hace
que la capa de agotamiento entre la base y el colector sea bastante amplia
una vez que se aplica la potencia.
 Como se mencionó anteriormente, el colector está compuesto principalmente
de material de baja resistividad y fuertemente dopado con una capa delgada
de material de alta resistividad y dopado ligeramente al lado de la unión base
/ colector. Esto significa que la mayor parte del voltaje entre el colector y la
base se desarrolla a través de esta capa delgada de alta resistividad, creando
un gradiente de alto voltaje cerca de la unión de la base del colector.
 Cuando la unión del emisor de base está polarizada directamente, una
pequeña corriente fluirá hacia la base. Por lo tanto, los huecos se inyectan en
el material de tipo P. Estos huecos atraen electrones a través de la unión de
base / emisor polarizada directamente para combinarlos con los huecos. Sin
embargo, debido a que la región del emisor está muy dopada, muchos más
electrones se cruzan en la región base tipo P de lo que son capaces de
combinar con los huecos disponibles. Esto significa que hay una gran
concentración de electrones en la región base y la mayoría de estos
electrones se barren directamente a través de la base muy delgada y en la
capa de agotamiento de la base / colector. Una vez aquí, están bajo la
influencia del fuerte campo eléctrico a través de la unión base / colector. Este
campo es tan fuerte debido al gran gradiente de potencial en el material del
colector mencionado anteriormente,
La variación de la corriente que fluye hacia la base, afecta la cantidad de
electrones atraídos por el emisor. De este modo, los cambios muy pequeños
en la corriente de base causan cambios muy grandes en la corriente que
fluye del emisor al colector, por lo que se está produciendo una
amplificación de la corriente.