TECNOLOGÍA DE

CARBURO DE
SILICIO
 Tecnología Carburo de silicio (SiC)
Tecnología muy prometedora:

• Superior a otras tecnologías en condiciones de alta temperatura y

radiación.
• Los dispositivos son mucho más rápidos
• El campo eléctrico máximo es muy superior al que soporta el Si
• Menor resistencia en conducción
• Mayor conductividad térmica
Estado actual:

• Tecnología de fabricación inmadura:

– Relativamente alta densidad de defectos
– Dificultades para controlar el crecimiento del cristal
• Muy pocos dispositivos comerciales
 Diodos de carburo de silicio (SiC)
Ventajas comparativas en Electrónica de Potencia

• Tiempo de recuperación muy pequeño

• Corriente fugas muy pequeña
• La temperatura no afecta a la conmutación
• Pérdidas en conducción menores

Aplicación ideal en Electrónica de Potencia

• Alta frecuencia (desde 100kHz)

• Media /alta tensión (desde 400V hasta 5000V)
 Diodos de carburo de silicio (SiC)

• Las pérdidas de potencia se reducen considerablemente

Diodos de carburo de silicio (SiC)
• Otra comparación en un convertidor elevador…
IR40EPF06 HFA50PA60C
(Fast diode) (Ultra fast) SiC diode
Tiempo recuperación (ns) 25ºC 113 70 13
Tiempo recuperación (ns) 150ºC 160 96 16
Diode energy losses (J) 150ºC 704 268 26

…. además el SiC puede soportar hasta 600ºC

 Diodos de carburo de silicio (SiC)
Disponibles comercialmente (Infineon)

Tensión inversa Corriente directa

(V) (A)
600 2
600 4
600 6
600 12
300 10

www.infineon.com
DiodosComparación
de carburo de silicio
dispositivos comerciales
(SiC)
Diodo Si Diodo SiC
IXYS Infineon
DSEI8-06A SIDC02D60SIC2
600 Tensión inversa (V) 600
8 Corriente directa (A) 6
1,5 Caida tensión (V) 1,5
20 Corriente fugas (A) 20
35 Tiempo recuperación n.d.
inversa (ns)
250 Carga capacitiva (nC) 21
Otros dispositivos de carburo de silicio
MOSFET, GTO, IGBT

Estos dispositivos serán comerciales a corto/medio plazo

“Silicon carbide devices and applications: Gate turn-off devices hybrid Si/SiC inverter
power systems applications”
A. Elasse, J. Park, A.W. Clock, D. Herbs, E. Jacobson
General Electric Corporate R&D, 2000
Integrated Power Electronics Modules (IPEMs)

IPEM
Integrated Power Electronics Module

“Módulos Electrónicos Integrados

de Alta Potencia”
Integración de componentes

?
 Necesidad de integración
Objetivos

• Reducir elementos parásitos (especialmente inductancia

dispersión)
• Mejorar gestión térmica
•
Mejorar fiabilidad
•
Aumentar la densidad de potencia
•
Reducir costes de fabricación

NORMALIZACIÓN para reducir costes

 Electronics Modules (IPEMs)
¿es posible reducir costes?

Estandarización

Producción a gran escala

Reducción de costes
Integrated Power Electronics Modules
Integración(IPEMs)
componentes activos

• Driver + 2 transistores (estructura

típica)
– Rectificadores
– Inversores
– Convertidores CC/CC

Center for Power Electronics System (CPES)

Integrated Power Electronics Modules
Integración(IPEMs)
componentes pasivos

Center for Power Electronics System (CPES)

Integrated Power Electronics Modules
(IPEMs)
Integración de sistemas

Densidad integración  30W/cm3

Center for Power Electronics System (CPES)

 Conclusiones
El Carburo de Silicio (SiC) permitirá un aumento de la
densidad de potencia.
El Carburo de Silicio (SiC) facilitará el diseño de
sistemas electrónicos de potencia en condiciones
ambientales duras (ej.: automóvil).
La estandarización y la integración son el camino a
la reducción de costes en fabricación.