I.E.S.

MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

crsitalina
de enlace y estructura
Silicio: Átomo, Modelo
 Semiconductor: representación bidimensional de la estructura cristalina
Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor sería aislante porque todos los e- están formando enlaces.
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para
moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura cristalina.
De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo
tipo de portador: el hueco (h+)
 Semiconductor: Acción de un campo eléctrico.
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

La corriente en un semiconductor es debida a dos tipos de portadores de carga:

HUECOS y ELECTRONES

La temperatura afecta fuertemente a las propiedades eléctricas de los semiconductores:

mayor temperatura  más portadores de carga  menor resistencia
 Semiconductor Intrínseco– Extrínseco.
Semiconductor intrínseco indica un material semiconductor
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

extremadamente puro que contiene una cantidad

insignificante de átomos de impurezas.

Semiconductor extrínseco, se le han añadido cantidades

controladas de átomos impuros (Dopado) para favorecer la
aparición de electrones (tipo n –átomosde valencia 5: As, P
o Sb ) o de huecos (tipo p - átomos de valencia 3: Al, B,
Ga o In).
 Semiconductor Intrínseco– Extrínseco.
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Semiconductor extrínseco: TIPO N

Sb: antimonio
Impurezas del grupo V de
la tabla periódica

Es necesaria muy poca

energía para ionizar el
átomo de Sb

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Electrones libres

Semiconductor extrínseco: TIPO P

Al: aluminio
Impurezas del grupo III de
la tabla periódica

Es necesaria muy poca

energía para ionizar el
átomo de Al

A temperatura ambiente Los portadores mayoritarios de carga en un

todos los átomos de
impurezas se encuentran semiconductor tipo P son
ionizados Huecos. Actúan como portadores de carga
positiva.
 Semiconductores. La unión PN: el DIODO.
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada ‘zona de transición’, que actúa como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
 Semiconductores. La unión PN: el DIODO.
I.E.S.MIGUEL HERNÁNDEZ – DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

La unión P-N polarizada inversamente

La zona de transición se
hace más grande.
Con polarización inversa
no hay circulación de
corriente.

La unión P-N polarizada en directa

La zona de transición se N
hace más pequeña.
La corriente comienza a
circular a partir de un cierto
umbral de tensión directa.

Conclusiones:
Aplicando tensión inversa no hay conducción de corriente.
Al aplicar tensión directa en la unión es posible la circulación de
corriente eléctrica