ELECTRÓNICA DE POTENCIA

ALEXANDER QUINTERO
JEFFERSON E. COMBITA
E9B
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT
DESCRIPCIÓN :
 Insulated
Gate Bipolar Transistor (Transistor Bipolar
de Puerta Aislada).
 Es
un transistor híbrido que combina un MOSFET y
un BJT.
 Su
estructura consiste en 4 capas (PNPN) de
puerta semiconductora de óxido metálico (MOS)
 Launión adicional PN se denomina “Modulación
de la resistividad” y la unión adicional P introduce
un transistor parasito
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT
Hay dos versiones de IGBT:
 IGBTPT (Punch Through, "estructura de
perforación")

 IGBT
NPT (Non Punch Through, "estructura de
no perforación"),
 TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT
FUNCIONAMIENTO:

Tomado de
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C
3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3
%A1metros_caracter%C3%ADsticos_d
e_funcionamiento

Tomado de http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT
CARACTERISTICAS :
 Bajo ciclo de trabajo
 Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
 Alta potencia (>5kW)
 Es adecuado para altas frecuencias de conmutación
 Soporta temperaturas de 150ºC
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT
CARACTERISTICAS COMPARTIDAS :
 Alta impedancia de entrada (MOSFET)
 Alta capacidad de manejar corriente (BJT)
 Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET)
 Sin problemas de segunda ruptura (BJT)
 Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT)
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

Tomado de
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/I
GBT/Par%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionami
ento
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

Tomado de
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3%A1metros
_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
 TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

Tomado de
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT/Par%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

DESVENTAJAS:
 Relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz)
 No siempre traen el diodo de protección (Dámper)
 No puede conducir en la dirección inversa.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA
IGBT

APLICACIÓN:

Tomado de Google Imágenes.

 WEBGRAFIA
 https://www.neoteo.com/igbt-mosfet-electronica-de-
potencia/
 https://www.youtube.com/watch?v=3jfzggtD17I
 https://www.youtube.com/watch?v=KBkU3gQaE1g
 https://www.youtube.com/watch?v=sOT-jsJz8k8
 http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf
 https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potenci
a/IGBT/Par%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_fun
cionamiento
GRACIAS