Лекция 3

Частица в прямоугольной потенциальной яме

а) б)
Рис.1. Виды потенциальных ям: а) асимметричная; б) симметричная
U1,2=const – высота стенок потенциальной ямы, Дж.
E=const – энергия частицы в потенциальной яме, Дж.
W – ширина потенциальной ямы, м.
h2 h – постоянная Планка, 6,63*10-34 Дж/с;
    U x   E   0 (1) m – масса частицы, кг;
8m 2
E – полная энергия частицы, Дж

1 x  A1 exp 1x

2 x  A2 exp iKx   B2 exp  iKx  (2)

3 x   A3 exp   2 x 

A – амплитуда прошедшей волны; B – амплитуда отраженной волны.

Волновые функции Ψ1, Ψ3 равны 0 на х=-∞, х=+∞.
 Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
Запишем равенство волновых функций и их первых производных на границах
потенциальной ямы x=-0,5W, x=0,5W:
1 x  0,5W   2 x  0,5W 
2 x  0,5W   3 x  0,5W 
d1 d2
 (3)
dx x  0,5W dx x  0,5W
d2 d3

dx x  0,5W dx x  0,5W
Решая систему уравнений (3), придем к трансцендентному уравнению:

K 2  1 2 8m 2 8m 2 8m 2

 ctgKW  (4) K 1  U1  E  2  U 2  E 
K 1   2 
E
h2 h2 h2
Подставим в выражение (4) значения β1, β2, получим уравнение для расчета волнового
вектора K и энергии частицы E:
KW  n  arcsin K / G1   arcsin K / G2  (5)

8m 2 8m 2
G1  U1 G2  U2 arcsin( K / Gi )  0;  / 2 (6)
h2 h 2

Уравнение (5) определяет набор разрешенных волновых векторов K, т.е. энергий частицы в
прямоугольной потенциальной яме. Величина n принимает целочисленные значения.
 Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
Энергия частицы может принимать дискретные значения En:

E n  h 2 K n2/ 2m (7)

K / Gi  1

0  E n  G2 (8)

Количество разрешенных уровней в прямоугольной квантовой яме можно оценить

из соотношения:

   
n  WG2  arcsin U 2 / U1 /   0,5  n  1 (9)

8m 2
G2  U2
2
h
Из (9) следует, что для симметричной потенциальной ямы с U1=U2 всегда имеется по
крайней мере один разрешенный энергетический уровень. Если выполняется условие
U1(x= -∞)=U2(x=∞) и между стенками ямы U1, U2 есть минимум энергии произвольной
формы U(x), то имеется как минимум один разрешенный уровень En.
Решение уравнения (5) упрощается для потенциальной ямы с бесконечно высокими
стенками U1 и U2. В этом случае волновой вектор Kn равен:
n
Kn  (10)
W
 Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме

Соответственно, в бесконечной потенциальной яме укладывается целое число полуволн де-Бройля:

W K nW n
  (12)
n 2 2
При этом разрешенные уровни энергии равны:
2
h2  m  n 
En  2
n  0,3737 e   эВ  (13)
8mW 2  m   W нм  
Нормированные волновые функции частицы в потенциальной яме с бесконечными стенками:

 nx 
n x  
2
cos  , n - нечетное (14)
W  W 
 nx 
n x  
2
sin   , n - четное (15)
W W 
Согласно (14), (15) волновая функция основного Ψ1 состояния с n=1 не имеет нулей внутри
квантовой ямы, функция Ψ2 имеет единственный нуль и т.д.
Для потенциальной ямы со стенками U1, U2 конечной высоты выполняются соотношения:

n W / 2   1n 1 U1 / U 2 n  W / 2 (16)

2En
n  W / 2  (17)
U1 Lэфф
Lэфф – эффективная область локализации частицы, означающая
Lэфф  W   n,11   n,12 (18)
проникновение частицы в область потенциальных барьеров.
 Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме

Для расчета коэффициента прохождения T и отражения R частицы над потенциальной ямой

используются выражения:
4 K1 K 22 K 3
T
K 22  K12 K 22  K32 sin 2 K 2W   K1  K3 2 K 22
K 2  K12 K 22  K32 sin 2 K 2W   K1  K3 2 K 22
(19)

K 22  K12 K 22  K32 sin 2 K 2W   K1  K3 2 K 22

R 2

Условные величины K1, K2, K3 для несимметричной потенциальной ямы (рис.1, а) равны:

8m 2 8m 2 8m 2

K1 
2
E  U 1  K2 
2
E K3 
2
E  U 2  (20)
h h h

Для симметричной квантовой ямы с U1=U2=U0 коэффициент прохождения T и отражения R равны:

1
 U 02 sin 2 K 2W  
T  1  

 4 E E  U 0  
(21)
1
 4 E E  U 0  
R  1 
 U 2 sin 2 K W  
 0 2 
Из (21) следует, что пропускание частицы потенциальной ямой имеет осциллирующий характер в
зависимости от энергии частицы E при постоянных U, W.
 Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
Моделирование коэффициентов пропускания T и отражения R симметричной квантовой
ямы при E >U1, U2.

а) б)
Рис.2. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при прохождении
частицы над симметричной потенциальной ямой (формула 20) :
а) U0=10 эВ, W=4 нм; б) U0=10 эВ, W=8 нм.
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

1) Двухбарьерная квантовая структура

U2,4=const – высота потенциальных барьеров, Дж.

E1,3,5=const – энергия частицы в потенциальных ямах, Дж.
L2,4 – ширина потенциальных барьеров, м.
W – ширина gпотенциальной ямы, м.

Рис.3. Двухбарьерная структура

Поскольку потенциальный рельеф постоянен, запишем стационарное уравнение Шредингера:

h2
    U x   E   0 (1)
8m 2

h – постоянная Планка, 6,63*10-34 Дж/с;

m – масса частицы, кг;
E – полная энергия частицы, Дж
Предположим, что источник частиц расположен при х=-∞ , а движение частиц происходит
слева направо. Тогда в областях пространства i=1,3,5 решение уравнения (1) примет вид:

i x   Ai exp iK i x   Bi exp  iK i x  i  1,3,5 (2)

A – амплитуда прошедшей волны; B – амплитуда отраженной волны.

 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

8m 2
Ki  Ei (3)
2
h
Ei – энергия частицы в i-ой области, Дж.

В области пространства i=2, 4 (потенциальные барьеры) общее решение имеет вид :

i x   Ai exp i i x   Bi exp  i i x  i  2,4 (4)

8m 2
i  U i  Ei 1  (5)
h2
Воспользуемся формулой вектора плотности потока вероятности, рассмотренного в
лекции 2 для случая потенциальной ступени и потенциального барьера:
2
K 5 A5
T R  1 T (6)
2
K1 A1
Используем равенство волновых функций и их первых производных на каждой
границе двухбарьерной структуры:

T
4K 5
K1
 
F1 cosK 3W   F2 sin K 3W 2  F3 cosK 3W   F4 sin K 3W 2
1
(7)
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

Для энергии частицы E<U2, E<U4 величины Fi равны:

 K   K  
F1  1  5  cosh  2 L2 cosh  4 L4    4  5 2  sinh  2 L2 sinh  4 L4 
 K1    2 K1  4 
K  K   K K 
F2   5 2  3  sinh  2 L2  cosh  4 L4    4  3 5  cosh  2 L2 sinh  4 L4 
 K1 K 3  2   K 3 K1  4 
(8)
 K   K 
F3   2  5  sinh  2 L2 cosh  4 L4    4  5  cosh  2 L2 sinh  4 L4 
 K1  2   K1  4 
  K K  K K 
F4   2 4  3 5  sinh  2 L2 sinh  4 L4    3  5  cosh  2 L2 cosh  4 L4 
 K1K 3  2  4   K1 K 3 
Для энергии частицы U2>E >U4 величины Fi равны:
 K  K K  
F1  1  5  cosh  2 L2  cosK 4 L4    4  5 2  sinh  2 L2 sin K 4 L4 
 K1    2 K1 K 4 
K  K  K K K 
F2   5 2  3  sinh  2 L2  cosK 4 L4    4  3 5  cosh  2 L2 sin K 4 L4 
 K1K 3  2   K 3 K1 K 4 
(9)
 K  K K 
F3   2  5  sinh  2 L2  cosK 4 L4    4  5  cosh  2 L2 sin K 4 L4 
 K1  2   K1 K 4 
 K K K  K K 
F4   2 4  3 5  sinh  2 L2 sin K 4 L4    3  5  cosh  2 L2 cosK 4 L4 
 K1 K 3  2 K 4   K1 K 3 
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

Для энергии частицы E<U2, E<U4 и симметричной двухбарьерной структуры с E1=E3=E5=E,

U2=U4=U коэффициент пропускания T равен:


T  1 
K 
2
2 2
    
2  1
sinh L  2 K cosh L  cosKW   K   sinh L sin KW  
2 2 2
(10)
 4K 4  4 
 

8m 2
K E (11)
2
h

8m 2

2
U  E  (12)
h
Коэффициент пропускания T согласно (10) равен 1 при выполнении условия:


 2ctghL ctgKW 
K
 (13)
 K

Эффект резонансного пропускания связывают с интерференцией волн де-Бройля, отражающихся на

границах потенциального рельефа. Для уменьшения отражения до 0 необходимо выполнение
фазовых и амплитудных соотношений для отраженных и прошедших волн. Фазовые соотношения
определяются энергией частицы Е и шириной потенциальных барьеров L и ям W. Амплитудные
соотношения зависят от величины E/U.
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры
Моделирование коэффициентов пропускания T и отражения R симметричной
двухбарьерной структуры при условии U2>E, U4>E.

а) б)
Рис.4. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при
туннелировании через ДБКС (формула 10) :
а) U=1 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм; б) U=0,85 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм.

При энергиях электрона, меньших высоты потенциальных барьеров происходит резонансное

туннелирование через двухбарьерную структуру. Ширина полосы энергий прошедших частиц
уменьшается с ростом U/E. Это связано с увеличением коэффициента отражения и повышением
добротности резонатора.
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

Для энергии частицы E>U2, E>U4 величины Fi равны:

 K  K K K 
F1  1  5  cosK 2 L2  cosK 4 L4    4  5 2  sin  2 L2 sin K 4 L4 
 K1   K 2 K1 K 4 
K K K  K K K 
 F2   5 2  3  sin K 2 L2  cosK 4 L4    4  3 5  cosK 2 L2 sin K 4 L4 
 K1K 3 K 2   K 3 K1 K 4 
(14)
K K  K K 
 F3   2  5  sin K 2 L2  cosK 4 L4    4  5  cosK 2 L2 sin K 4 L4 
 K1 K 2   K1 K 4 
K K K K  K K 
F4   2 4  3 5  sin K 2 L2 sin K 4 L4    3  5  cosK 2 L2  cosK 4 L4 
 K1 K 3 K 2 K 4   K1 K 3 

8m 2
K 2,4 
2
E2,4 1  U 2,4 
h
Для энергии частицы E>U2, E>U4 и симметричной двухбарьерной структуры с E1=E3=E5=E,
U2=U4=U коэффициент пропускания T равен:

 
1


T  1
K 2
 K 2 2
2 sin 2 K 2 L  
M

M
K 2
 
 K 22 sin K 2 L sin KW   2 KK2 cosK 2 L  cosKW 
2
(15)
 4 K 2 K 22  2
K K 22
 

8m 2 8m 2
K2  E  U  K E (16)
h2 h2
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

8m 2 8m 2
K
2
E K2 
2
E  U  (17)
h h
Коэффициент пропускания T =1 согласно (15) при выполнении условия:

K 2  K 22
 ctgK 2 L ctgKW  (18)
2KK 2

а) б)
Рис.5. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при
прохождении над ДБКС (формула 15, 16):
а) U1=U2=1 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм; б) U1=U2=1 эВ, L1=L2=2 нм, W=2 нм.
 Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры

Практическая значимость физического эффекта:

1) Возможность создания высокоэффективных (T=1, R=0) сепараторов заряженных частиц по

энергиям для дальнейшего использования в элементах памяти с энергетическим уплотнением.

2) Возможность создания твердотельных малогабаритных масс-спектрометров заряженных

частиц для проведения фундаментального анализа свойств вещества, изучения механизмов
взаимодействий частиц с веществом.

3) Возможность создания узкополосных излучателей, накачиваемых моноэнергетическим

электронным потоком.

Недостатки математической модели:

1) Отсутствует учет энергетического взаимодействия потока частиц с веществом, включая

процессы возбуждения, ионизации, релаксации энергии.

2) Отсутствует учет разброса геометрических и энергетических характеристик реальных

наноструктур, в том числе двух- и трехмерных.

3) Отсутствует учет параметров источника заряженных частиц и влияния отраженных частиц

на его временные и энергетические характеристики.

4) Используется идеальное представление потенциальных барьеров и ям вертикальными

(прямоугольными) стенками.
Спасибо за внимание