а) б)
Рис.1. Виды потенциальных ям: а) асимметричная; б) симметричная
U1,2=const – высота стенок потенциальной ямы, Дж.
E=const – энергия частицы в потенциальной яме, Дж.
W – ширина потенциальной ямы, м.
h2 h – постоянная Планка, 6,63*10-34 Дж/с;
U x E 0 (1) m – масса частицы, кг;
8m 2
E – полная энергия частицы, Дж
3 x A3 exp 2 x
8m 2 8m 2
G1 U1 G2 U2 arcsin( K / Gi ) 0; / 2 (6)
h2 h 2
Уравнение (5) определяет набор разрешенных волновых векторов K, т.е. энергий частицы в
прямоугольной потенциальной яме. Величина n принимает целочисленные значения.
Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
Энергия частицы может принимать дискретные значения En:
E n h 2 K n2/ 2m (7)
K / Gi 1
0 E n G2 (8)
n WG2 arcsin U 2 / U1 / 0,5 n 1 (9)
8m 2
G2 U2
2
h
Из (9) следует, что для симметричной потенциальной ямы с U1=U2 всегда имеется по
крайней мере один разрешенный энергетический уровень. Если выполняется условие
U1(x= -∞)=U2(x=∞) и между стенками ямы U1, U2 есть минимум энергии произвольной
формы U(x), то имеется как минимум один разрешенный уровень En.
Решение уравнения (5) упрощается для потенциальной ямы с бесконечно высокими
стенками U1 и U2. В этом случае волновой вектор Kn равен:
n
Kn (10)
W
Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
nx
n x
2
cos , n - нечетное (14)
W W
nx
n x
2
sin , n - четное (15)
W W
Согласно (14), (15) волновая функция основного Ψ1 состояния с n=1 не имеет нулей внутри
квантовой ямы, функция Ψ2 имеет единственный нуль и т.д.
Для потенциальной ямы со стенками U1, U2 конечной высоты выполняются соотношения:
n W / 2 1n 1 U1 / U 2 n W / 2 (16)
2En
n W / 2 (17)
U1 Lэфф
Lэфф – эффективная область локализации частицы, означающая
Lэфф W n,11 n,12 (18)
проникновение частицы в область потенциальных барьеров.
Лекция 3
Частица в прямоугольной потенциальной яме
Условные величины K1, K2, K3 для несимметричной потенциальной ямы (рис.1, а) равны:
а) б)
Рис.2. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при прохождении
частицы над симметричной потенциальной ямой (формула 20) :
а) U0=10 эВ, W=4 нм; б) U0=10 эВ, W=8 нм.
Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры
h2
U x E 0 (1)
8m 2
8m 2
Ki Ei (3)
2
h
Ei – энергия частицы в i-ой области, Дж.
8m 2
i U i Ei 1 (5)
h2
Воспользуемся формулой вектора плотности потока вероятности, рассмотренного в
лекции 2 для случая потенциальной ступени и потенциального барьера:
2
K 5 A5
T R 1 T (6)
2
K1 A1
Используем равенство волновых функций и их первых производных на каждой
границе двухбарьерной структуры:
T
4K 5
K1
F1 cosK 3W F2 sin K 3W 2 F3 cosK 3W F4 sin K 3W 2
1
(7)
Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры
T 1
K
2
2 2
2 1
sinh L 2 K cosh L cosKW K sinh L sin KW
2 2 2
(10)
4K 4 4
8m 2
K E (11)
2
h
8m 2
2
U E (12)
h
Коэффициент пропускания T согласно (10) равен 1 при выполнении условия:
2ctghL ctgKW
K
(13)
K
а) б)
Рис.4. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при
туннелировании через ДБКС (формула 10) :
а) U=1 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм; б) U=0,85 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм.
8m 2
K 2,4
2
E2,4 1 U 2,4
h
Для энергии частицы E>U2, E>U4 и симметричной двухбарьерной структуры с E1=E3=E5=E,
U2=U4=U коэффициент пропускания T равен:
1
T 1
K 2
K 2 2
2 sin 2 K 2 L
M
M
K 2
K 22 sin K 2 L sin KW 2 KK2 cosK 2 L cosKW
2
(15)
4 K 2 K 22 2
K K 22
8m 2 8m 2
K2 E U K E (16)
h2 h2
Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры
8m 2 8m 2
K
2
E K2
2
E U (17)
h h
Коэффициент пропускания T =1 согласно (15) при выполнении условия:
K 2 K 22
ctgK 2 L ctgKW (18)
2KK 2
а) б)
Рис.5. Моделирование коэффициентов пропускания и отражения при
прохождении над ДБКС (формула 15, 16):
а) U1=U2=1 эВ, L1=L2=1 нм, W=1 нм; б) U1=U2=1 эВ, L1=L2=2 нм, W=2 нм.
Лекция 3
Прохождение частиц через многобарьерные квантовые структуры