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DIODOS

SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION
En esta clase comenzaremos el estudio de los circuitos no lineales, haremos referencia a las
propiedades químicas de los materiales semiconductores, posteriormente definiremos las
características del diodo, las formas de polarización de los mismos, tipos de diodos y
finalmente aplicaciones electrónicas de los diodos.
OBJETIVO
- Identificar las características de los diodos semiconductores.
Esta clase aporta al logro del siguiente Resultado de la Carrera:
“Los estudiantes aplican matemáticas, ciencia y tecnología en el diseño, instalación, operación
y mantenimiento de sistemas eléctricos”.
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. MATERIALES SEMICONDUCTORES
_Los mejores conductores tienen un electrón de valencia, mientras que los mejores
aislantes tienen 8 electrones de valencia.
_Un semiconductor es un elemento con propiedades eléctricas entre las de un conductor
y un aislante por tanto los mejores semiconductores tienen 4 electrones de valencia.
_Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se desligan de
sus átomos quedando un electrón libre. La salida del electrón deja un vacío en el orbital
de valencia que se denomina hueco (átomo sin electrón) estos huecos se constituyen en
portadores de carga positiva.
_recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco.

Semiconductores intrínsecos
_Un semiconductor intrínseco es un semiconductor puro, tienen el mismo número
de electrones libres y el mismo número de huecos. A menudo a los electrones libres y
huecos se denominan portadores.
_Una forma de incrementar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopaje
(adulteración). El dopaje consiste en añadir átomos de impurezas a un cristal intrínseco
Para incrementar el número de electrones libres se añaden átomos pentavalentes al cristal
puro.
_Para incrementar el número de huecos se añaden átomos que tengan sólo tres
electrones de valencia.
_Semiconductores extrínsecos
Un semiconductor se puede dopar para tener exceso de electrones libres o exceso
de huecos, por tanto existen dos tipos de semiconductores dopados.

Semiconductor tipo N
El silicio que ha sido dopado con impurezas pentavalentes (antimonio, arsénico y fósforo)
se denomina semiconductor tipo n, donde n hace referencia a negativo. Los
electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios.

Semiconductor tipo P
El silicio que ha sido dopado con impurezas trivalentes (Boro, galio e indio) se denomina
semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positivo.
Los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones libres los
portadores minoritarios.

2. EL DIODO
Un diodo es la unión de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de
tipo P, entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mínima o
nula la presencia de portadores de carga.

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ANODO P N CATODO

El diodo ideal
Símbolo del diodo ideal
El “diodo ideal” es un dispositivo de dos terminales:
ESTADOS
a) Diodo en directo: Se comporta como un interruptor cerrado.

b) Diodo en inverso: Se comporta como un interruptor abierto.

POLARIZACION DE UN DIODO

POLARIZACIÓN DIRECTA
Cuando el voltaje es pequeño y va aumentando, la zona de agotamiento se va
estrechando hasta llegar a un valor llamado tensión de umbral donde
desaparece (diodo ideal) para dar origen a una corriente eléctrica a través del
diodo, entonces decimos que el diodo está en conducción (el diodo se comporta
como un interruptor cerrado).

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POLARIZACION DE UN DIODO
POLARIZACIÓN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al ánodo atrae los huecos y el voltaje positivo aplicado
al cátodo atrae los electrones por lo que la zona de agotamiento se ensancha. Se
dice entonces que el diodo se comporta como un interruptor abierto.

La “polarización directa” se obtiene cuando se aplica un voltaje más positivo al


“ánodo” que al “cátodo”, mientras que la “polarización inversa” es cuando se
aplica un voltaje más negativo al “ánodo” que al “cátodo”:
En un diodo real, la gráfica de la curva que
resulta entre el valor del voltaje aplicado y la
corriente que circula ante dicho voltaje (IF vs
VF), resulta una curva conocida como
“curva característica del diodo”.

Vγ: Tensión de umbral, de codo o


de partida
Is: Corriente inversa de saturación
Vr: Tensión de ruptura

Un diodo se puede aproximar por una fuente


de tensión continua VD (VD» 0,7V para diodos
de Si y VD » 0,3V para diodos de Ge) cuando
está polarizado directamente, y por un
circuitito abierto cuando está polarizado
inversamente

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.Resolución gráfica de circuitos con diodos
Es un método de análisis gráfico, empleado cuando existen dispositivos no lineales.
La recta de carga y la ecuación no lineal del diodo deben satisfacerse
mutuamente. (Gráficamente será el punto de intersección de la recta con la curva
característica del diodo).

Resolución gráfica de circuitos con diodos


Intersección: punto de operación del diodo

La recta de carga no depende de la característica del dispositivo. Sólo depende de la


tensión de alimentación y del valor de la resistencia serie.

PRUEBA DE UN DIODO
Con un multimetro analógico un diodo se prueba en la escala de resistencia El
funcionamiento de tal aparato de medida se basa en inyectar una corriente continua al
elemento bajo prueba. Es muy importante conocer la polaridad de la batería interna de los
multímetros analógicos en los cuales la punta negra del multímetro corresponde al
terminal positivo de la batería interna y la punta roja corresponde al terminal negativo de la
batería. 8
Las medidas se efectuarán colocando el instrumento en las escalas de resistencia y preferiblemente en las escalas
ohm x 1, ohm x 10 ó también ohm x 100. Así cuando se intenta medir la resistencia de un diodo, se encontrarán dos valores
totalmente distintos, según el sentido de las puntas. Si la punta roja (negativo) se conecta a la zona N (cátodo del diodo) y la
punta negra a la P (ánodo), la unión se polariza en directo y se hace conductora. El valor indicado por el instrumento debe
marcar un valor pequeño de resistencia (menor que 200_).

Con un multímetro digital en la escala que corresponde al diodo (identificada por su símbolo) debe marcar el voltaje de
umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso debe marcar circuito abierto indicado en la mayoría de multímetros con una "1" a la
izquierda del display.

Por el contrario, cuando la punta roja se conecta a la zona P (ánodo), y la negra a la zona N (cátodo), se esta aplicando
una tensión inversa. La unión no conducirá, y esto será interpretado por el instrumento como una resistencia muy elevada
(mayor a 1M_).

Con un multímetro digital en la escala que corresponde al diodo (identificada por su símbolo) debe marcar el voltaje
de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en inverso debe marcar circuito abierto indicado en la mayoría de multímetros con
una "1" a la izquierda del display.
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DISIPACION DE POTENCIA DE UN DIODO

PD = VD*ID
En conducción se tiene un valor máximo de corriente:

Ejemplo: Un diodo tiene una potencia máxima de 2W, si la tensión del diodo es de 1.5V y su corriente es de 0.75 A ¿Cuál es la
disipación de potencia? ¿Se destruirá el diodo?
PD= (1.5V) (0.75A)= 1.125W es menor que la potencia máx. Por tanto no se destruirá.

ELECCIÓN DE UN DIODO

Para seleccionar un diodo se deben conocer como mínimo los siguientes datos:
a) Corriente que va a conducir (pico o promedio)
b) Voltaje inverso a que va a estar sometido.
c) Frecuencia de las señales.

En altas frecuencias se deben escoger diodos Fast SW y en casos donde se requiere que un diodo pase muy rápido de
corte a conducción se deben usar diodos Fast Recovery (restablecimiento rápido).

SÍMBOLOS DE LOS TIPOS DE DIODOS

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Principales características comerciales
1. Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima
que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. Tres límites:
•Corriente máxima continua (IFM).
•Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica también el
tiempo que dura el pico.
• Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se especifica la frecuencia
máxima del pico.
2.Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV):
Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
3.Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el
fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura.
4.Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de
la tensión inversa
5.Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltaje): A veces no es 0.7 Volts.
CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS

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Valores nominales de temperatura
Tstg = Indica los valores máximos y mínimos de la temperatura de almacenamiento.
Tj = Valor máximo de la temperatura que soporta la unión de los semiconductores.
TIPOS DE DIODOS
•DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR.- Los más antiguos son los de germanio con punta de
tungsteno o de oro. Su aplicación más importante se encuentra en
HF, VHF y UHF. También se utilizan como detectores en los receptores de modulación de
frecuencia. Produce una tensión máxima de 0,2 a 0,3v
El diodo Schottky tiene una respuesta notable a altas frecuencias, produce una tensión máxima
de 0,2 a 0,3v

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DIODOS RECTIFICADORES.- Su construcción está basada en la unión PN
siendo su principal aplicación como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente
de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200ºC en la unión), siendo su
resistencia muy baja y la corriente en tensión inversa muy pequeña.
Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentación
como en television, aparatos de Rayos X y microscopios electrónicos, donde deben
rectificar tensiones altísimas.
Rectificación de media onda
Sea un circuito con un diodo ideal y una resistencia, excitado con una señal sinusoidal (de
magnitud Vm varias veces superior a VD):

Si el voltaje de entrada es sinusoidal, el voltaje de salida (tensión sobre la resistencia) tendrá


la forma de una “media onda”:

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Rectificación de onda completa
Aunque la onda resultante de un rectificador de media onda es continua (no cambia de signo),
dista mucho de ser un valor constante, como interesa tener en un circuito eléctrico de CC.
Una forma de mejorar la “calidad” de la onda continua resultante es a través del “rectificador de
onda completa”:

Rectificación de onda completa : Una alternativa al circuito anterior sería:

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIÓN.- La desactivación de un relé provoca


una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrónico
utilizado para su activación. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el
problema.
El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es más lenta, así que la frecuencia a la
que puede ser activado el relé es más baja. Se le llama comúnmente diodo volante.
• DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCION DE UN DIODO LED EN ALTERNA.- El
diodo LED cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensión cae sobre la resistencia
limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensión se encuentra en los
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del diodo, lo que puede destruirlo.
DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e independiente de la
corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Su principal aplicación es como regulador de tensión

•DIODOS LED (Light Emitting Diode).- Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo
rectificador sin embargo, su tensión de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo.
Se utilizan como señal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia.

•FOTODIODO.- Son dispositivos semiconductores construidos con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible o
infrarroja.
Debido a su construcción se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensión exterior, generan una tensión
muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo.

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•DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP).- Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la
anchura de la barrera de potencial en una unión PN varia en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al
aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensador variable controlado por tensión.

La aplicación de estos diodos se encuentra en la sintonía de TV, modulación de frecuencia en transmisiones de


FM y radio.

TIPOS DE ENCAPSULADOS DE SEMICONDUCTORES

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LUZ DE EMERGENCIA

Ejercicios
_ Calcular, la corriente a través de la resistencia. (VT=0.7 v), usar modelo simplificado.

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