Circuitos Eletrônicos I

(ELE 0511)

Amplificadores com
transistores bipolares
de junção - 1
Modelos para pequenos sinais do TBJ
Modelo π híbrido

IC 
gm  r 
VT gm
Modelo T

IC VT 
gm  re  
VT I E gm
Análise CC – Determinação
do ponto de polarização –
Tensões e correntes.
Análise CA – Análise para
pequenos sinais, utilização do
modelo equivalente para
determinação dos ganhos e
impedâncias de entrada e de saída.
 Parâmetros do modelo em termos das correntes de polarização:

IC VT  VT  VT  VT  VA
gm  re      r      rO 
VT IE  IC  IB  IC  IC
VT  tensão térmica (25mV à temperatura ambiente para o silício)

em termos de gm:

 
re  r 
gm gm
em termos de re:

 1 1
g m re  r  (   1)re gm  
re r re
 Montagens (circuitos típicos) com transistores TBJ

B Amplificador C Amplificador
E C
Emissor Comum Base Comum
Vin Vout
Vin Vout
E B

B Amplificador E
Coletor Comum
Vin Vout

C
Circuito utilizado para análise dos modelos de pequenos
sinais para as montagens equivalentes
Amplificador emissor comum
único a usar o modelo π
Resistência de entrada: Resistência de saída:

Rin  RB // r Rout  RC // rO
Normalmente RB  r Normalmente RC  rO
Rin  r Rout  RC
 Ganho de tensão:
Rin RB // r
vi  vsig  vsig
Rin  Rsig ( RB // r )  Rsig
r
para RB  r vi  vsig v  vi
r  Rsig
vO
vO   g m v (r0 // RC // RL ) AV    g m (r0 // RC // RL )
v
Ganho de tensão em aberto:

AVO   g m (r0 // RC )
Normalmente r0  RC
AVO   g m RC
Ganho global de tensão:
RB // r
GV   g m (r0 // RC // RL )
( RB // r )  Rsig
Se considerarmos que RB  r e r0  RC
r
GV   g m ( RC // RL )
r  Rsig
( RC // RL )
como  g m r GV   
r  Rsig
Ganho de corrente em curto circuito:
O ganho de corrente em curto circuito é obtido curto
circuitando RL e determinando a corrente de saída.

iOS   g m v
v  vi  iin Rin
iOS
AiS    gmRin   gmRB // r
ii
Equações:
Transistor NMOS:
VA
gm  K
W
VGS  VTH 
'
n
rO 
ID
L
Transistor TBJ: V BE
 
I C  I B 
1

 1
I C  I E IC  I S e VT

IC   rO 
VA
gm  rE  r  IC
VT gm gm

VT  25mV (300 K )