El transistor Bipolar de Puerta Aislada

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Este dispositivo aparece en los años 80

Mezcla características de un transistor bipolar y de un MOSFET
La característica de salida es la de un bipolar pero se controla por
tensión y no por corriente

MOSFET Bipolar
EL IGBT DE POTENCIA

G
E

Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar)

Facilidad de manejo (MOSFET)

Menor capacidad de conmutación (Bipolar)

No tiene diodo parásito
 Principio de operación y estructura

• El IGBT se basa en una estructura que permite:

 Modulación de la conductividad (lo que implica bajas pérdidas en
conducción)
 Antisaturación del transistor bipolar interno (no tan lento como si se
saturara completamente)
 Control desde una puerta MOS (como un MOSFET).

R R

P P
N N
D
P P
V2
S1 V2
EL IGBT

G
S
 Principio de operación y estructura

Colector
(Collector) Colector (C)
P E
N
D B Puerta (G)
P
C
G Emisor (E)
S
Puerta
(Gate) Símbolo de un IGBT de canal N
Emisor
(Emitter)
Circuito equivalente
simplificado de un IGBT
EL IGBT

Otro símbolo usado

 Principio de operación y estructura

• Modelo completo de la estructura interna de un IGBT

Emisor Emisor
Puerta
Puerta
N+
Rbody
Rbody
P
Rdrift
N-
Rdrift
N+

P+
EL IGBT

Colector
Colector
 Curvas características de salida de los IGBTs

C
vEB_BJT +
iD [A] - iC [A]
6 vGS = 10V 6 vGE = 10V
vGS = 8V G vGE = 8V
vGS = 6V E vGE = 6V
4 4
vGS = 5V vGE = 5V
2 2
vGS = 4V vGE = 4V
vGS < VGS(TO) = 3V vGE < VGE(th) = 3V
0 vDS [V] 0
2 4 2 4 vCE [V]
vEB_BJT
• Caso de un MOSFET.
• También es así en la parte • Caso de un IGBT.
EL IGBT

“MOSFET” del IGBT • Se obtienen sumando vEB_BJT a las

curvas características de un MOSFET