Diodos de Junção

OBJECTIVO DO MODULO
1. Saber interpretar os processos físicos decorrentes do
funcionamento dos vários tipos de díodos semicondutor:
– Díodo Varicap
– díodo Zener
– Díodo emissor de luz (LED)
– fotodíodo
– Díodo de Schottky
– Díodo TUNER
– Díodo de recuperação em degrau (step recory diodes)
– Díodos de retaguarda (bach diodes
– Varistores
 OBJECTIVO DO MODULO
2. Dominar o desenho e interpretação da
característica Volt_Ampere do díodo
semicondutor
3. Determinar, na pratica, a característica V-A
do díodo semicondutor
4. Interpretar os Modelos equivalentes
estáticos e dinâmicos
 Díodo de junção
• Se uma junção é formada
pela união de uma barra
de material
semicondutor do tipo p
com uma do tipo n, esta
junção é chamada díodo
de junção e terá as
propriedades de um
rectificador.
• A junção é onde as
regiões tipo-p e tipo-n se
encontram.
 Díodo de junção
p-n junction with no external No-bias conditions for a
bias. semiconductor diode.
Região De Carga Espacial
 Região De Carga Espacial
• Inicialmente, existem apenas
portadores do tipo p à
esquerda da junção e apenas
portadores do tipo n à
esquerda.
• Havendo um gradiente de
densidade de portadores
através da junção, lacunas se
difundirão para a direita,
passando pela junção, e
electrons farão o mesmo
passando para a esquerda;
• Assim, vemos que as lacunas
positivas que neutralizam os
Região De Carga
ions aceitadores próximos da Espacial
junção, no silício do tipo p,
desaparecem como resultado
da combinação com electrons
que se difundiram através da
junção;
• De maneira análoga, os
electrons que são
neutralizados no silício do
tipo n, combinam-se com
lacunas que cruzaram a
junção, saindo do material do
tipo p para tipo n.
 Região De Carga Espacial
• Os ions não neutralizados nas
vizinhanças da junção são
conhecidos como cargas fixas
ou não neutralizadas.
• Como a região da junção é
depletada de cargas moveis, é
conhecida como região de
repleção, região de carga
espacial ou região de
transição, e sua espessura é
da ordem do comprimento de
onda da luz visível (0,5 m).
• No interior desta camada de
depleção muito estreita, não
há portadores moveis;
• A junção p-n é formada
colocando-se em contacto
Região De Carga
intimo, em escala atómica, Espacial
materiais tipo p e tipo n. Sob
estas condições, o nível de
Fermi deve ser constante ao
longo da amostra em
equilíbrio.
– Se não fosse assim, electrons
de um lado da junção teriam
energia media maior que no
outro lado e haveria uma
transferencia de electrons e
energia ate que os níveis de
Fermi nos dois lados se
alinhassem.
 A junção pn na ID=IS
(Junction Built-in Voltage)
condição de circuito
aberto

(a) A junção pn sem

tensão aplicada
(circuito com
terminais abertos).
(b) a distribuição
0.6V~0.8V
do potencial ao
longo do eixo
perpendicular à
junção.
 A corrente de difusão ID
• Pelo facto de a concentração
de lacunas ser alta na região p
e baixa na região n, as lacunas
se difundem através da junção
do lado p para o lado n; de
modo similar, electrons se
difundem atraves da junção do
lado n para o lado p.
• Essas duas componentes de
corrente são somadas para
formar a corrente de difusão
ID, cujo sentido é do lado p
para o n, conforme inicado na
figura.
A corrente de difusão ID
 Região de depleção
• Como a recombinação
• As lacunas que se difundem acontece proxima da junção,
através da junção para dentro haverá uma região proxima
da região n rapidamente se da junção que estará
recombinam com alguns depletada de electrons livres
electrons maioritarios ali e conterá cargas fixas
presentes e , portanto, positivas descobertas.
desaparecem da cena. Esse
processo de recombinação
resulta no desaparecimento
de alguns electrons livres do
material tipo n.
• Deste modo, algumas cargas
de ligações positivas não
serão mais neutralizadas
pelos electrons livres, e essa
carga é dita estar descoberta
 Região de depleção
• Os electrons que se difundem
através da junção para dentro da
região p facilmente se
recombinam com algumas
lacunas ali presentes e, portanto,
desaparecem da cena.
• Isso resulta no desaparecimento
de algumas lacunas maioritarias,
fazendo com que algumas cargas
fixas negativas estejam
descobertas (isto é, não são mais
neutralizados pelas lacunas).
• Portanto, no material tipo p
proximo da junção haverá uma
região depletada de lacunas
contendo cargas fixas negativas
descobertas.
 Região de depleção
• Pelo que foi visto, isso
implica que haverá uma
região de depleção de
portadores em ambos os
lados da junção, com o lado
n dessa região carregado
positivamente e o laddo p
carregado negativamente.
• Esssa região de depleção
de portadores é também
chamada de região de
carga espacial.
• A carga nos dois lados da
região de depleção dará
origem a um campo electrico
que se estabelecerá através
dessa região; portanto,
resulta em uma diferenção
de potencial na região de
depleção.
• O campo electrico resultante
se opoe à difusão das lacunas
na região n e dos electrons
na região p.
• A queda de tensão na região de
depleção age como uma Região de depleção
barreira que tem de ser
superada para que as lacunas
se difundam pela região n e os
electrons se difundam pela
região p.
• Quanto maior for o valor da
tnsão da barreira, menor o
numero de portadores que
serão capazes de vencê-la e,
portanto, menor o valor da
corrente de difusão. Logo, a
corrente de difusão ID é muito
dependente da queda de tensão
Vo na região de depleção.
 A corrente de deriva IS e o Equilibrio
• Alem da componente da • De modo similar, alguns
corrente ID devido à difusão dos electrons minoritarios gerados
portadores maioritarios, há termicamente no material tipo p
também uma componente se difundem pela borda da
devido à deriva dos portadores região de depleção e são
acelerados pelo campo electrico
minoritários através da junção.
nessa região para o lado n.
• Especificamente, algumas • Essas duas componentes de
lacunas geradas termicamente correntes – electrons que se
no material n se difundem movimentam por deriva do lado
através deste pela borda da p para o lado n e lacunas que se
região de depleção. movimentam por deriva do lado
• Nessa região, as lacunas n para o lado p da junção –
experimentam o efeito do somam-se para formar a
corrente de deriva IS cujo
campo electrico, o qual faz com
sentido é do lado n para o lado p
que elas passem para o lado p da junção.
rapidamente.
 A corrente de deriva IS e o Equilibrio
• Como a corrente IS é • Nas condições de circuito
formada por por aberto não há corrente
portadores minoritários externa; logo, as duas
gerados termicamente, o correntes opostas na
seu valor depende muito junção devem ser de
da temperatura; porém, valores iguais:
ela é independente do
valor de tensão Vo na
ID = IS
camada de depleção. • Essa condição de
equilibrio é mantida pela
tensão de barreira Vo.
 A TENSÃO INTERNA
• Sem a aplicação de uma tensão externa, a tensão
Vo atraves da junção pn pode ser deduzida como
sendo dada por
VO = VT ln NA ND/ni2
• Em que
– NA e ND são as concentrações de dopantes dos lados p e n da junção,
respectivamente.
• Então, a tensão Vo depende de ambos, da concentração de
dopantes e da temperatura;
• Tipicamente para o silicio à temperatura ambiente, Vo está
na faixa de 0,6 a 0,8 V.
 REVIEW
• PN junctions are fabricated from a monocrystalline
piece of semiconductor with both a P-type and N-
type region in proximity at a junction.
• The transfer of electrons from the N side of the
junction to holes annihilated on the P side of the
junction produces a barrier voltage. This is 0.6 to
0.7 V in silicon, and varies with other
semiconductors.
• A forward biased PN junction conducts a current
once the barrier voltage is overcome. The external
applied potential forces majority carriers toward
the junction where recombinetion takes place,
allowing current flow.
 REVIEW
• A reverse biased PN junction conducts almost no current. The
applied reverse bias attracts majority carriers away from the
junction. This increases the thickness of the nonconducting
depletion region.
• Reverse biased PN junctions show a temperature dependent
reverse leakage current. This is less than a μA in small silicon
diodes.
• Junction diodes range in size from small signal diodes to
power rectifiers capable of 1000’s of amperes.
• The level of doping near the junction determines the reverse
breakdown voltage. Light doping produces a high voltage
diode. Heavy doping produces a lower breakdown voltage,
and increases reverse leakage current. Zener diodes have a
lower breakdown voltage because of heavy doping.
A junção pn na Condição de
Polarização Reversa

Intervalo
 Díodo de junção

(a) Forward battery bias repells carriers toward junction, where

recombination results in battery current. (b) Reverse battery bias
attracts carriers toward battery terminals, away from junction.
Depletion region thickness increases. No sustained battery
current flows.
A junção pn na Condição de
Polarização Reversa
• A junção pn excitada por
uma fonte de corrente
constante no sentido
reverso.
– Para evitar a ruptura, I é
mantida menor que IS.
– Note que a camada de
depleção aumenta e a
tensão da barreira
aumenta de VR volts, a
qual aparece entre os
terminais como uma
tensão reversa.
A junção pn na Condição de
Polarização Reversa
• A corrente I será constituida
por electrons circulando pelo
circuito externo do material n
para o material p.
– Isso fará com que electrons
deixem o material n e lacunas
deixem o material p.
• Os electrons livres saindo do
material n fazem com que as
cargas fixas positivas
descobertas aumentem.
– De modo similar, as lacunas
saindo do material p resultam
em um aumento das cargas fixas
negativas descobertas.
 A junção pn na Condição de
Polarização Reversa
• Logo, a corrente reversa I • A corrente de deriva IS,
resultará em um sendo independente da
aumento na largura de tensão da barreira,
depleção e na permanecerá constante.
quantidade de cargas • Finalmente o equilibrio
nela armazenadas. Isso (estado estavel) será
resultará em uma tensão atingido quando
maior na região de
depleção - isto é, uma IS – ID = I
tensão de barreira maior
- que faz com quea
corrente de difusão ID
diminua.
 A junção pn na Condição de
Polarização Reversa
• Em equilibrio, o aumento
da tensão na camada de
depleção, acima da
tensão interna Vo,
aparecerá como uma
tensão externa que pode
ser medida entre os
terminais do diodo, com
n sendo positivo em
relação a p. Esta tensão é
designada VR.
 A capacitancia de depleção
• À medida que a
tensão na junção pn
varia, a carga
armazenada na
camada de depleção
varia na mesma
razão.
Depletion capacitance
 A junção pn na região de Ruptura

Na analise da operação do diodo na região de polarização reversa foi

suposto que a corrente reversa I é menor quer do que IS e que, de modo
equivalente, a tensão reversa VR é menor do que a tensão de ruptura VZR
A junção pn na região de Ruptura
• Os dois mecanismos – Para as junções cujas
possiveis de ruputra rupturas estão entre
são o efeito zener e 5 e 7 V, o mecanismo
pode ser por efeito
o efeito de zener ou por efeito
avalanche. avalanche ou
– Se a ruptura na mesmo uma
junção pn ocorre combinação dos
com VZ < 5V, o dois.
mecanismo é
normalmente pelo
efeito zener
• A ruptura zener ocorre A ruptura zener
quando o campo electrico
na camada de depleção
aumenta até a um ponto
capaz de quebrar uma
ligação covalente e gerar
um par electron-lacuna.
– Os electrons gerados dessa
forma serão acelerados pelo
campo electrico para o lado
n e as lacunas para dentro do
lado p.
– Logo, esses electrons e
lacunas constituem uma
corrente reversa atraves da
junção que ajuda a sustentar
a corrente externa I.
• Uma vez iniciado o efeito
zener, um grande numero A ruptura zener
de portadores serão
gerados com um
desprezível aumento na
tensão de junção.
• Logo, a corrente reversa na
região de ruptura será
determinada pelo circuito
externo, enquanto a tensão
reversa que aparece entre
os terminais do diodo
permacerá proxima ao
valor nominal da tensão de
ruptura VZ.
• Ruptura de avalanche ocorre
quando os portadores
minoritarios que cruzam a
região de depleção sob
influencia do campo electrico
ganham energia cinetica
suficiente para serem capazes
de quebrar as ligações
covalentes nos atomos com os
quais colidem.
– Os portadores liberados por esse
processo devem ter energia
suficientemente alta para serem
capazes de provocar a libertação
de outros portadores em outras
colisões ionizantes.
Ruptura de avalanche
– Esse processo ocorre como
uma avalanche, e como
resultado, muitos portadores
são gerados e sustentam
qualquer valor de corrente,
conforme determinado pelo
circuito externo, com uma
variação desprezivel na
queda da tensão na junção.
– A ruptura da junção não é
um processo destruitivo,
enquanto a potencia de
dissipação maxima não seja
excedida.
A junção pn na condição
de polarização directa

26/8/9
 A junção pn na condição de
polarização directa
•A junção pn excitada
por uma fonte de
corrente constante
fornecendo uma
corrente I no sentido
directo.
•A camada de depleção
estreita-se e a barreira
de potencial diminui
em V volts, que
aparece como uma
tensão externa no
sentido direito.
• A explicação se torna mais
facil se excitarmos a junção
A junção pn na condição
por uma fonte de corrente de polarização directa
constante, fornecendo uma
corrente I no sentido directo.
Resulta no fornecimento de
portadores maioritarios em
ambos os lados da junção pelo
circuito externo:
– lacunas do material p e electrons do
material n.
– Esses portadores maioritarios,
neutralizarão algumas cargas fixas
descobertas, fazendo com que um
numero menor de cargas seja
armazenada na camada de
depleção.
– Logo, a camada de depleção
estreita-se e a barreira potencial
diminui.
 A junção pn na condição de polarização directa

– A redução no potencial da
barreira permite que mais
lacunas cruzem a barreira
do material p para o
material n e mais elctrons
do material n cruzem para
o lado p.
– Portanto, a corrente de
difusão ID aumenta até
que o equilibrio seja
atingido com ID – IS = I, a
corrente directa fornecida
externamente.
Distribuição de excesso de
portadores minoritários numa
junção pn directamente
polarizada.
Assume-se que a região p é mais
fortemente dopada que a região
n: NA >> ND
A junção pn na condição de polarização directa
 A junção pn na condição de polarização directa
(análise mais rigorosa )
• Vamos examinar mais
rigorosamente o fluxo de
corrente através da
junção pn directamente
polarizada no estado
estável.
• A barreira de potencial é
agora menor do que VO
por um valor V que
aparece entre terminais
do diodo como uma
queda de tensão directa
(anodo do diodo será mais positivo
do que o catodo de V volts)
 A junção pn na condição de polarização directa
(análise mais rigorosa )
• Por causa da diminuição
na tensão da barreira,
ou, devido à queda de
tensão directa V, lacunas
são injectadas atraves da
junção dentro da região
n e electrons para dentro
da região p.
– As lacunas injectadas na
região n provocarão ali
uma concentração de
portadores minoritários,
pn, que excede o valor
termico de equilibrio, pno.
 A junção pn na condição de polarização directa
(análise mais rigorosa )
• O excesso de concentração
pn – pno será maior proximo
à borda da camada de
depleção e diminuirá
(exponencialmente) à
medida que se afasta da
junção.
– Isso acontece pelo facto de a
distribuição levar as lacunas
minoritarias injectadas a se
difundirem da junção para
dentro da região n e
desaparecendo pela
recombinação.
– Para manter o equilibrio, um
numero igual de electrons
deverá ser fornecido pelo
circuito externo, repondo o
fornecimento de electrons
no material n.
A junção pn na condição de polarização directa
(análise mais rigorosa )
• A corrente de difusão ID, é a soma das
componentes das correntes de electrons e
das colunas.
Características eléctricas dos
díodos de junção
Características eléctricas dos díodos
de junção

(a) PN junction, (b) Corresponding diode schematic symbol

(c)Silicon Diode I vs V characteristic curve.
 IV Characteristics of an Ideal Diode

If the voltage across anode and cathode is greater than zero,

the resistance of an ideal diode is zero and current becomes
infinite. However, if the voltage is less than zero, the resistance
becomes infinite and current is zero.
The IV characteristic of this diode-resistor combination is zero
for negative voltages and Ohm’s law for positive voltages.
 Caracteristica i-v de um diodo de
junção de silicio

A curva caracteristica consiste em tres regiões distintas:

1. A região de polarização directa, determinada por v > 0
2. A região de polarização reversa, determinada por v < 0
3. A região de ruptura, determinada por v < -VZK
General diode V-I characteristic.
 Região de polarização directa
A polarização
directa, ou
região directa
– é uma região
de operação
estabelecida
quando a
tensão v for
positiva.
Is: saturation current
n=1: normal;
n=2:two-terminal components
VT : thermal voltage

K:Boltzmann’s constant=1.38x10-23 joules/kelvin

T: in kelvin= 273 + temperature in oC
q=1.6x10-19 coulomb
i-v Curve with Semilog Plot
 Temperature Dependence
• IS and VT are functions of
temperature • Illustrating the
temperature
dependence of the
diode forward
characteristic. At a
constant current, the
voltage drop decreases
by approximately 2 mV
for every 1C increase in
temperature.
Analise de circuitos com diodos
 Analysis of Diode Circuits
A simple circuit used to illustrate the
analysis of circuits in which the
diode is forward conducting.
Graphical analysis of the
circuit using the exponential
diode model.
• O circuito mostrado na Analysis of Diode
figura, que consiste em uma
fonte cc, VDD, um resistor e Circuits
um diodo.
• Queremos analisar o circuito
para determinar a corrente
no diodo ID e a tensão VD.
• O diodo está polarizado
directamente. Supondo que
VDD seja maior ou proximo de
0,5 V, a corrente no diodo
será muito maior do que IS .
• A equação que rege a
operação do circuito é obtida
usando-se a equação de
malha de Kichhoff: ID = (VDD – VD)/R
 Análise gráfica do circuito
ID = (VDD – VD)/R
• A analise grafica é feita
plotando as equações
do diodo no plano i-v.
– A solução grafica é
obtida pelas
coordenadas do ponto
de interseção dos dois
graficos.
– A curva representa a
equação exponencial do
dia e a linha recta
representa equação da
malha de Kirchhoff.
 Análise gráfica do circuito
• Essa linha recta é
chamada de recta de
carga; a linha de carga
intercepta a curva do
diodo no ponto Q, o
qual representa o
ponto de operação do
circuito.
– As suas coordenadas
fornecem os valores de
ID e de VD.
Modelos Simplificados Do
Diodos
Approximating the diode Piecewise-linear model of the
forward characteristic with two diode forward characteristic
straight lines: the piecewise- and its equivalent circuit
linear model. representation.
Analysis of Diode Circuits
Constant-Voltage-Drop
Model
O MODELO PARA PEQUENOS
SINAIS E SUAS APLICAÇÕES
O MODELO PARA PEQUENOS SINAIS E
SUAS APLICAÇÕES
• Há aplicações em que o
diodo é polarizado para
operar em ponto sobre a
caracteristica i-v e um
pequeno sinal ca é
sobreposto aos valores
cc.
– Para essa situação, o
diodo é modelado por
uma resistencia de valor
igual ao inverso da
inclinação da tangente à
curva da caracterisca i-v
no ponto de polarização.
 O MODELO PARA PEQUENOS SINAIS E
SUAS APLICAÇÕES
• Uma tensão cc, VD,
representada por umabateria
é aplicada ao diodo;
• e um sinal variavel no tempo
vd(t), arbitrariamente
tringular, é sobreposto à
tensão cc, VD.
• Na ausencia do sinal vd(t), a
tensão no diodo é igual a VD
e ele conduzirá uma corrente
cc, ID, correspondentemente
dada por
 Small Sinusoidal Analysis

If a sinusoidal voltage with small amplitude is applied, the

resulting current is also a small sinusoid around a DC value.
Small-Signal Model (SSM)
Application of SSM
Díodos Especiais
Model of Zener Diode
Faculty of Electrical & Electronic Engineering, KUKTEM
Zener diode symbol.
 Model of Zener Diode
• Os rectificadores e de pequeno sinal nunca devem operar na
região de ruptura porque isto pode danificá-los.
• Um díodo Zéner é diferente e é um díodo de silício optimizado
para trabalhar na região de ruptura; é a chave da regulação de
tensão nos circuitos que mantém a tensão da carga praticamente
constante, apesar das grandes variações na tensão da linha e da
resistência de carga.
• A característica de um doido semicondutor sob tensão reversa,
incluindo a região de ruptura, encontra-se na Fig. 3.17a. Díodos
projectados com capacidades adequadas de dissipação de
potência para operar na região de ruptura podem ser empregues
como dispositivos de tensão constante, tensão de referencia ou
reguladores de tensão. Tais díodos são conhecidos como Díodos
ZENER, ruptura ou de avalancha.
Reverse characteristic of a zener diode. VZ is usually specified at
the zener test current, IZT, and is designated VZT.
Model of Zener Diode
Zener diode equivalent circuit models and the
characteristic curve illustrating ZZ.
Example 3.8
 Capacitância E Resistência Dinâmica
• Um ponto importante do zener é a inclinação da
curva Volt-ampere na faixa de operação
• Seja r = VZ /  IZ o inverso da inclinação, onde r
é a resistência dinâmica ; se houver uma
mudança  IZ na corrente de operação do doido,
haverá uma mudança  VZ = r  IZ na tensão de
operação.
• A capacitância de um doido na região de ruptura
(CT) é a capacitância de transição e varia
inversamente com a tensão elevada a um
determinado expoente.
Zener Shunt Regulator
 Zener Shunt Regulator
• Esse díodo pode funcionar em qualquer uma das regiões,
nomeadamente, directa, de fuga ou de ruptura.
• Na região activa o díodo começa a conduzir aos 0,7 V como um
díodo de silício comum; na região de fuga (entre 0 e ruptura),
ele apresenta apenas uma pequena fuga ou corrente reversa. A
ruptura tem um joelho muito pronunciado, seguido de um
aumento de corrente quase vertical. A VZ é quase constante ao
longo da região de ruptura.
– Especificações:
– IZT = corrente de teste
– IZM = máxima corrente Zéner especificada
– PZM = potência especificada
– VZ = tensão Zéner
 Zener Shunt Regulator
• A fonte V e o resistor R são seleccionados de maneira que,
inicialmente, o díodo esteja operando na região de ruptura. Aqui a
tensão do doido, que é também a tensão na carga RL é VZ e a
corrente do doido é Z. O doido irá regular agora a tensão na carga
contra variações na tensão (do doido) e também contra variações
de tensão na fonte de alimentação, pois na região de ruptura
grandes variações na corrente do doido produzem apenas
pequenas variações na tensão (do doido); alem disso, como existe
mudanças na corrente de carga ou na tensão de alimentação, a
corrente do doido ”se acomodará” a estas mudanças para não
manter a tensão na carga aproximadamente constantes. O doido
continuará regulando ate que a operação do circuito necessita que
a corrente do doido caia ate ZK, nas proximidades do joelho da
curva volt-ampere do doido o limite superior da corrente do doido
é determinado pela dissipação nominal de potência do doido.
FIGURE 3-11 Equivalent of circuit in Figure 3-10.
FIGURE 3-12 Zener regulation with a variable load.
Zener regulation of a varying input voltage.
 Multiplicação por Avalancha
• Examinaremos dois mecanismos de ruptura de um doido para
tensões reversas crescentes. Consideremos a situação em que um
portador gerado termicamente (parte de corrente reversa de
saturação) se desloca no sentido descendente da barreira de
potencial, adquirindo energia a partir do potencial aplicado.
• Este portador colide com o íon do cristal e fornece energia
suficiente para “quebrar” a ligação covalente. Alem do portador
original, um novo par electron-lacuna é gerado. Estes portadores
podem também retirar energia suficiente do campo eléctrico
aplicado, colidir com outros íons do cristal, criando outros pares
electron-lacuna; assim, cada novo portador, por sua vez, produzirá
portadores adicionais através de colisões e “quebras de ligações”.
• Este processo cumulativo é conhecido como multiplicação por
avalancha. O resultado deste processo é uma corrente reversa, e
dizemos que o doido está na região de ruptura por avalancha.
 Ruptura por Efeito Zener
• Mesmo que os portadores disponíveis inicialmente não adquiram energia
para “quebrar” as ligações, é possível iniciar a ruptura através de uma
“quebra” directa dessas ligações. Devido á existência do campo eléctrico na
junção, uma forca suficientemente intensa pode ser exercida sobre um
eléctron fracamente “ligado”, de modo arrancá-lo de sua ligação covalente.
O novo par electron-lacuna criado aumente acorrente reversa. Notamos
que esse processo, chamado de ruptura por efeito zener não envolve
colisões dos portadores com íons do cristal (como na multiplicação por
avalancha).
• A intensidade do campo eléctrico aumenta á medida que a concentração de
impurezas aumenta, para uma tensão fixa aplicada. Sabemos que a ruptura
por efeito zener ocorre para um campo de aproximadamente 2  107 Vm;
este valor é alcançado para tensões abaixo de, aproximadamente, 6 V para
díodos fortemente dopados. Para díodos fracamente dopados, a tensão de
ruptura é maior, e o efeito predominante é o multiplicador por alavancha;
no entanto, o termo zener é normalmente usado para o doido em
avalancha ou ruptura, mesmo para tensões maiores.
 Ruptura por Efeito Zener
• A ruptura por efeito zener ocorrera numa junção que possui uma zona
de depleção estreita, porque existe uma alta intensidade de campo
eléctrico; um aumento na temperatura, aumenta a energia dos electrons
de Valencia e, deste modo, torna-se mais fácil para esses electrons
escaparem das ligações covalentes. Portanto, uma pequena tensão
aplicada é suficiente para arrancar esses electrons das suas posições na
rede cristalina e converte-los em electrons de condução.
• Numa junção com larga camada de junção, que apresenta baixa
densidade de campo eléctrico, ocorrera uma ruptura por avalanche.
Neste caso os portadores intrínsecos se chocam com os electrons de
Valencia e dão origem a multiplicação por avalancha; `a medida que a
temperatura aumenta, o deslocamento dos átomos no cristal aumenta
devido ao aumento das vibrações da estrutura cristalina. Estas vibrações
aumentam a probabilidade de colisões das partículas intrínsecas dos
átomos da rede, quando aquelas cruzam a região de depleção. Portanto,
o valor da tensão de avalancha deve aumentar com aumento de
temperatura.
FIGURE 3-16 Basic zener limiting action with a sinusoidal input voltage.
Schottky-Barrier Diode (SBD)
Schottky-Barrier Diode (SBD)
 Schottky-Barrier Diode (SBD)
• Quando um doido ºe directamente polarizado, os electrons
da banda de condução difundem-se através da junção e
passam para a região p antes de se recombinarem; da
mesma forma as lacunas cruzam a junção a junção e
encaminham-se para a região n antes de se recombinarem.
Se a vida media for igual a 1 s, os electrons livres e as
lacunas perduram por um tempo de 1 s antes da
recombinação ocorrer. Por causa da vida media dos
portadores minoritários, as cargas são armazenadas
temporariamente em diferentes bandas de energia próximas
da junção antes de ocorrer a recombinação. Quanto maior
for a corrente directa, maior será o numero de cargas
armazenadas. Esse efeito é conhecido como armazenamento
de carga e já foi discutido amplamente no capitulo anterior
(tempo de transição e armazenamento).
 O doido Schottky
• doido Schottky é a solução para reduzir o tempo de recuperação
reversa:
– Esse doido emprega um metal como ouro, prata ou platina num lado da
junção, e silício dopado doutro lado (n); quando o doido Schottky está
despolarizado, os electrons livres do lado n estão em órbitas menores do
que os electrons livres do lado do metal. Esta diferença no tamanho das
órbitas é chamada barreira de Schottky.
– Quando o doido esta directamente polarizado, os electrons livres do lado
n, ganham energia suficiente para ocupar órbitas grandes. Por causa disso,
os electrons livres podem atravessar a junção e penetrar no metal,
produzindo uma grande corrente directa. Como os metais não possuem
lacunas, não há armazenamento de carga e também não haverá o tempo
de recuperação reversa. A falta de armazenamento de carga significa que
o doido Schottky pode se desligar mais rapidamente do que um doido
comum. O díodo Schottky encontra a sua aplicação nos computadores
digitais porque a velocidade dos computadores depende da rapidez com
que os seus díodos e transístores conseguem se chavear
 Light-Emitting Diode (LED)
• Optoelectrónica é a tecnologia que combina a óptica com a
electrónica. Assim como é necessário fornecer energia para
gerar o par de electron-lacuna, da mesma forma a energia é
libertada quando um eléctron se recombina com outra lacuna;
nestas circunstancias, a energia libertada pelo eléctron ao cair
da banda de condução para a banda de valencia aparece em
forma de radiação; um díodo que funciona nestas condições é
chamado díodo emissor de luz (LED = Light Emission Diode).
– Explicado doutra forma, num díodo com polarização directa, os eléctrons
livres atravessam a junção e combinam-se com as lacunas. À media que
esses eléctrons caem dum nível mais alto de energia para um mais baixo,
eles irradiam energia dissipada em forma de calor. Mas no díodo emissor
de luz (LED), a energia é irradiada em forma de luz. Usando-se elementos
como gálio, arsénio e o fósforo pode se produzir Led´s que irradiam no
vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou infravermelho (invisível).
Electroluminescence in a forwardbiased
LED
Typical LEDs
 FOTODÍODO
• Se iluminarmos uma junção p-n reversamente
polarizada, a corrente varia quase linearmente
com o fluxo luminoso. Este efeito aplica-se ao
fotodíodo semicondutor. Este dispositivo é
formado de uma junção p-n revestida de um
plástico transparente. Com excepção de uma
janela sobre a junção, para que a radiação possa
atravessar o plástico transparente e incidir na
junção, as restantes partes são pintadas de
preto e suas dimensões são milimétricas.
Photodiodes
 Sensibilidade com a posição da luz incidente
•  a corrente num fotodíodo semicondutor reversamente
polarizado depende da difusão de portadores minoritários antes
que atravessem a junção; se a radiação estiver focalizada numa
pequena mancha luminosa, longe da junção, os portadores
minoritários podem recombinar-se antes que se difundem a
caminho da junção; assim, resultará uma corrente muito menor
do que a corrente que resultaria se os portadores fossem
injectados nas proximidades da junção.
– Por outras palavras, quando a energia luminosa incide sobre a junção p-n,
ela também pode desalojar eléctrons de valência; o fotodíodo é aquele
que é optimizado na sua sensibilidade para a luz. Nesse díodo uma janela
permite que a luz passe através do invólucro e chegue até a junção. A luz
incidente produz eléctrons livres e lacunas.
– O fotodíodo encontra aplicação na leitura de altas velocidades das
perfuradoras dos cartões e fitas de computadores, sistemas de detecção
de luz, leitura de trilha sonora de um filme, etc.
 Conversores de energia solar
 a corrente fornecida por uma célula
fotovoltaica pode ser usada para alimentar
equipamentos electrónicos ou carregar
baterias. Uma célula fotovoltaica de silício de
excelente qualidade é feita por difusão de
uma camada muito fina de impurezas do tipo
n num substracto do tipo p.
Díodo Varicap
 Díodo Varicap
• As descargas (relâmpagos), falhas de linha de alimentação,
chaveamento de carga reactiva, etc., podem poluir a tensão
da linha pela superposição de picos, vales e outros
transitórios aos 115 V ca normais. Os vales são quedas de
tensão violentas que duram cerca de s ou menos; os picos
são sobretensões rápidas de 500 ate mais de 2.000 V. Em
alguns equipamentos são usados filtros entre a linha de
alimentação e o primário do transformador para eliminar os
problemas causados pelos transitórios da linha.
• Um dos componentes usados para filtrar a linha é o varistor
(supressor de transitórios). Este dispositivo semicondutor se
parece com dois díodos zener virados de costa um do outro
com uma tensão de ruptura bem alta em qualquer sentido.
(Varactors)
 (Varactors)
• A capacitância da barreira não é constate, mas varia com a
tensão aplicada. Ao aumentarmos a tensão reversa aplicada
á junção, haverá um aumento na largura W da região da
carga especial com consequente diminuição da capacitância
C. De maneira análoga, para a polarização directa (Vd
positivo) W diminui e C aumenta.
A capacitância variável com a tensão numa junção p-n
polarizada reversamente é útil para uma serie de circuitos;
alguma das aplicações é a sintonia por tensão de um circuito
ressonante LC, circuitos pontes autobalanceados e
amplificadores especiais, chamados de amplificadores
paramétricos. Díodos feitos especialmente para as
aplicações citadas e baseados na capacitância variável com a
tensão são chamados varactores, varicaps ou voltcaps.
(Varactors)
(Varactors)
DIODOD TUNER
 DIODOD TUNER
• Um doido de junção p-n do tipo já discutido possui
uma concentração de impurezas de cerca de 1/108 .
devido a esta quantidade de dopante, a largura da
camada de depleção, correspondente á barreira de
potencial na junção, é da ordem de 1 mícron. Esta
barreira de potencial reduz o fluxo de portadores, do
lado da junção, onde são maioritários, para o outro
lado, onde são minoritários.
• Se a concentração de átomos de impurezas ºe
fortemente aumentada em 10-3, as características do
dispositivo são completamente modificadas.
•
 Fenómeno de tunelamento
• A largura da barreira de potencial, na junção, varia inversamente com a
raiz quadrada da concentração de impurezas e, por conseguinte, é
reduzida para um valor inferior a 100 Å ( 10-6 cm). Esta espessura é cerca
de 1/50 do comprimento da onda da luz visível.
•
• Classicamente, um portador deve ter uma energia, no mínimo, igual ´a
altura da barreira de potencial se está na eminência de passar de um lado
para outro da barreira (de maneira a cruzar a junção). Entretanto, a
mecânica quântica indica que há uma probabilidade não nula de que a
partícula penetre e passe através da barreira com espessura da ordem
especificada anteriormente. Este fenómeno quantum-mecanico é
chamado tunelamento e por conseguinte, estes dispositivos p-n de altas
densidades de impurezas são chamados díodos túnel ou díodos Esaki. Este
mesmo efeito de tunelamento é responsável por emissões radioactivas.
• Este dido foi anunciado pelo Esaki em 1958.
Fenómeno de tunelamento
 Característica Volt-Amprere Do Doido Túnel

IP Corrente de IP
tunelamento

Característica V-A
do tunel
Corrente de
Corrente injeção
directa

Iv
V
Tensão Tensão Tensão Vp Vv VF
reversa directa reversa
Tensão
directa
Corrente
Corrente reversa
reversa

a) b)
Características De Um Doido Túnel
• Na figura 35.a), vemos que o doido túnel, mesmo polarizado
reversamente é um excelente condutor; para pequenas
tensões directas a resistência permanece pequena.
• Para a corrente de pico Ip , correspondendo a tensão de pico
Vp , a inclinação dI/dV da característica é zero; se
aumentarmos V para um valor acima de Vp , a corrente
diminui e como consequência, a condutância dinâmica ( g =
dI/dV) é negativa. O doido túnel apresenta uma característica
de resistência negativa entre a corrente de pico Ip e o valor
mínimo IV , chamada corrente de vale. Na tensão de vale VV ,
na qual I = Iv , a condutância ºe novamente zero e alem deste
ponto a resistência assume valores positivos, permanecendo
nesta situação. Na chamada tensão directa de pico VF , a
corrente novamente atinge o valor Ip .
Características De Um Doido Túnel
• Para correntes cujos valores estão compreendidos entre IV
e IP , podemos obter o mesmo valor de corrente para três
diferentes tensões aplicadas; esta característica de valores
múltiplos faz com que o doido túnel seja aplicado nos
circuitos de pulsos e digitais.
• A resistência negativa –Rn apresenta um mínimo no ponto
de inflexão entre Ip e Iv; a resistência serie Rs é uma
resistência óhmica; a indutância serie Ls depende do
comprimento dos terminais e da geometria de
encapsulamento; a capacitância da junção C depende da
polarização e mede-se no ponto de vale.
• Uma aplicação interessante do doido túnel é como chave
operando em velocidades muito altas e como oscilador em
alta frequências.
Características De Um Doido Túnel
As vantagens do doido túnel:
– Baixo custo
– Baixo ruído
– Simplicidade de fabricação
– Alta velocidade
– Imunidade ao meio ambiente
– Baixa potência

As desvantagens
– Baixa variação na tensão de saída
– Dispositivo de dois terminais o que significa que não existe
isolamento entre a entrada e saída.
Doido De Recuperação Em Degrau (Step
Recory Diodes)
Doido De Recuperação Em Degrau (Step Recory
Diodes)
• O doido de recuperação
em degrau tem um V

perfil de dopagem que

indica que a densidade
de portadores diminui  +
v
t
-
perto da junção. Essa
distribuição comum de 0.1
s

portadores produz um
fenómeno chamado a
)
b
)

interrupção reversa.
Doido De Recuperação Em Degrau (Step Recory
Diodes)
• Durante o semiciclo positivo
o doido conduz como
qualquer como qualquer
doido de silício; durante o
semiperíodo negativo, cria-
se uma corrente reversa por
um breve intervalo de
tempo devido as cargas
armazenadas, e
rapidamente a corrente
reversa cai a zero. É como
se o doido de repente se
abrisse. ºe por isso esse
doido também é chamado
doido de interrupção.
 Díodos De Retaguarda (BACH DIODES)

• Os díodos zener
normalmente tem tensões
maiores que 2 V.
I
Aumentando o nível de
dopagem, faremos com que
o efeito zener ocorra -
0.1
próximo de zero. Apesar V

dessa dopagem, a condução 0.

7
directa ainda ocorre por
volta de +0,7 V, mas agora,
a condução reversa a) b)

(ruptura) começa em
aproximadamente -0,1 V.
 Díodos De Retaguarda (BACH DIODES)

• Esse doido é chamado doido de retaguarda

ou de trás, porque ele conduz melhor no
sentido reverso do que no sentido directo. O
símbolo zener é usado para os díodos de
retaguarda.
• Os díodos de retaguarda são usados
ocasionalmente para rectificar sinais fracos
cujas amplitudes de pico encontram-se entre
0,1 e 0,7 V.
 Trabalho em grupo
1. Considerando uma junção p-n em circuito aberto, esboçar as curvas de
carga espacial, campo eléctrico e potencial na junção em função da
distancia
2. o que acontece com a largura da região de transição e com o potencial
da junção quando o díodo é polarizado reversamente
3. explicar fisicamente porque um díodo p-n actua como rectificador
4. escrever a equação que define a lei de junção interpretando o seu
significado para a polarização directa e reversa
5. escrever a equação do díodo p-n e desenhar a característica V-A para o
díodo de silício
6. esboçar a característica linearizada de um díodo indicado as tensões
limiares para o díodo de Si e Ge
7. explicar o principio de funcionamento de um díodo varicap
8. o que significa o tempo de armazenamento dos portadores
minoritários de um díodo?