GaN (NITRURO DE GALIO)

Carlos Daniel Ocaña García

Roberto Lazcano Gallegos
 INTRODUCCIÓN
El nitruro de galio pertenece a los semiconductores utilizados
para sin fin de tecnologías electrónicas, tiene la posibilidad de
la sintonización de la energía en bandas desde el infrarrojo
hasta el ultra violeta .
 CARACTERÍSTICAS
• Punto de fusión: Temperatura 2500°C.
• Presión: 45000 atmosferas.
• Tiene alta resistencia a la radiación ionizante.
• Alta densidad del empaquetamiento.
• Disponibilidad de trabajar en entornos agresivos o
aplicaciones espaciales.
• Tiene alta velocidad de saturación y movilidad
,especialmente cuando se forma un gas bidimensional
(para alta potencia).
• Permite soportar alto voltaje por el alto valor para
el campo eléctrico de ruptura lo que permite
utilizarlo en alta potencia.
• Posee propiedades piezoeléctricas que puede ser
aprovechada para la fabricación de filtros de ondas
acústicas.
• Tiene compatibilidad con sistemas biológicos.
• A diferencia de otras tecnologías basadas en
carbono los semiconductores GaN (NITRURO DE
GALIO) tiene un mercado muy claro en
aplicaciones que requieren alta potencia o que
operan al alta temperatura.
Dopaje
El dopaje en GaN se realiza fundamentalmente con Si (energía de
donor de 30 meV) para obtener una conductividad tipo n
(electrones) y con Mg (energía de aceptor de 230 meV) para
obtener una conductividad tipo p (huecos).
 La Tabla 2.2 presenta las características de algunos de los sustratos
usados típicamente para crecimiento de los nitruros. Se puede
observar cómo los parámetros de red y, por tanto, el desajuste para el
crecimiento epitaxia del GaN difieren en valores muy significativos
(nótese que el aluminato de litio presenta una estructura tetragonal).
FABRICACIÓN
 DISPOSITIVO
Diodos emisores de luz
Los diodos emisores de luz fueron los
primeros dispositivos fabricados usando
nitruros y los más buscados desde los
orígenes de esta tecnología.
La energía de los fotones emitidos está ligada
directamente con la energía de la banda
prohibida en procesos interbanda. Por tanto,
es posible fabricar emisores de luz basados
en nitruros cubriendo un ancho rango
espectral desde el infrarrojo (0,7 eV o 2,5 µm
para InN) hasta el ultravioleta (6,2 eV o 200
nm para AlN)
La forma más convencional de conseguirlo consiste en inyectar
electrones y huecos en una zona localizada desde regiones tipo n
y p de un material semiconductor, respectivamente, creando una
población significativa de ambos tipos de portadores.
Si bien esta es la idea general, existen muchos factores relativos
principalmente a los procesos electrónicos y ópticos que suceden
dentro del material que afectan a la eficiencia final de emisión.
Para optimizar la emisión final, se han ideado estructuras que
mejoran las propiedades de confinamiento eléctrico y óptico. Estas
estructuras están formadas por multicapas con dimensiones
nanométricas crecidas en condiciones pseudomórficas, típicamente
pozos cuánticos.

Diodos
 APLICACIONES
Proyecto KORRIGAN
El proyecto de la Agencia de Defensa Europea (EDA)
KORRIGAN, acrónimo de Key Organization for Research in
Integrated Circuits in GaN Technology.

En 2005 con el objetivo último de acelerar el desarrollo de la

tecnología de GaN en Europa y asegurar la independencia de
suministro a las industrias de defensa europeas de circuitos MMIC
y dispositivos discretos de GaN para futuras aplicaciones militares
en el campo de la electrónica de potencia y de las altas
frecuencias.
El desarrollo tecnológico del GaN desde sus fundamentos
cubriendo un amplio espectro de áreas tecnológicas tales como el
procesado del semiconductor.
Se realizó un modelo de costes de las tecnologías HEMT y MMIC
de GaN y se las comparó con otras alternativas (GaAs y Si). Los
resultados del modelo mostraron que el GaN sería ventajoso en
un corto espacio de tiempo.
La participación nacional en KORRIGAN contó con la industria de
defensa a través de INDRA Sistemas, con la Universidad a través
del Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnologías
(ISOM) de la Universidad Politécnica de Madrid y con los
laboratorios de defensa.