TRANSITORES DE EFECTO DE

CAMPO
(Field effect transistor, FET)
 Generalidades
 Clasificación
 Principio de Funcionamiento y Simbología
 Característica V-I de Salida
 Característica de Transferencia
 Circuitos de Polarización
 MOSFET. Descripción. Simbología . Característica V-I
 Características Generales
 Son dispositivos de estado sólido
Tienen tres terminales denominados:
Drenador
Puerta
Fuente ó surtidor
 Es el campo eléctrico el que controla el flujo de
Cargas, por ello son dispositivos gobernados
por tensión
 La corriente de puerta es prácticamente nula
en func. Normal
Según en que región de polarización se
encuentren, funcionan como:
Resistencias controladas por tensión
Amplificadores de corriente ó tensión
Fuentes de corriente
Interruptores lógicos y de potencia

Utilizan un solo tipo de portadores de carga,

(Por eso se llaman también unipolares):
Electrones si son de canal N
Huecos si son de canal P
 Clasificaciones de los
Transistores FET
Canal N
JFET
Canal P
FET

MOSFET Decremental Canal N

Incremental Canal P
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MOSFET: Trans. de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor
 Analogía entre Transistores Bipolar y
transistores FET

Colector Drenador
Emisor Surtidor
Base Compuerta
JFET de canal N

Analogía en el sistema
hidráulico
Fuente: Surtido (S)
Drenaje: Drenador (D)
Compuerta: Compuerta (G)
Simbología de los transistores JFET
D D

G G

S S
JFET (canal N) JFET (canal P)
Símbolo Símbolo

Otros símbolos

D G D
G

canal N canal P S
S
Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET

Con Tensión Compuerta Surtidor en corto

circuito (VGS= 0V) y VDS > 0v
 Principio de funcionamiento de los transistores de
efecto de campo de unión, JFET

P+
(D)
N-
(S)

P+ V1

(G)

Según aumenta la tensión drenador-fuente, la corriente ID=

IS sigue la ley de Ohm, quedando limitada por la resistencia
del canal. El canal se comporta como una resistencia fija.
 Principio de funcionamiento de los JFET

P+
- IDSS +
(D)

(S)
N- VDS

P+
(G) VDS ≥ VPO

Si se continúa aumentando más la tensión drenador-fuente, la zona

de deplexión llega a dejar una parte del canal con muy pocos
portadores. La corriente de drenador llega a su máximo valor IDSS y el
canal se satura. La tensión VDS a la que se produce la saturación del
canal recibe el nombre de tensión de contracción (“pinch-off ”), VPO.
 Caraterística V-I de los JFET cuando
VGS = 0
Comportamiento resistivo
ID
Comportamiento como fuente de
corriente
IDSS

VPO VDS
 P+
•Con VGS=0, la saturación
(D)
VPO ocurre cuando VDS = VPO y la
(S) ID= IDSS
N- VDS =VPO
P+
¿Qué pasa si VGS  0?
(G) •El canal es siempre más
estrecho, al estar
polarizado más
N-
P+ inversamente  mayor
(D) resistencia
(S) VP +
UA •La saturación se
produce cuando:
P+ VDS •VDS =VP e Isat< IDSS
(G) siendo
UB V-GS - Vp= |VPO |- |VGS|

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la saturación se produce a una VDS
menor.
 Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+
G
4 VGS = 0V
VDS
-
VGS
S
VGS = -0,5V
2
VGS = -1V
VGS = -1,5V
•Curvas de entrada:
VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés (unión
polarizada inversamente) 0 6
2 4

Saturación del canal

Saturación producida cuando:

VP=|VPO |- |VGS |
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID
4 VGS = 0V
2,5K

VGS = -0,5V
D
+ 2
G VGS = -1V
VDS 10V
+ VGS = -1,5V
-
VGS VGS = -2V
S
- 0
4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V

Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

 Comparación entre transistores bipolares y JFET
IC ID

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG  0 G (P)
N V2
+ V2 -
V1
VBE VGS
E (N) S
V1 - +

•En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan las
corrientes de salida (IC e ID).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil relacionar
corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o corriente de salida con
tensión de entrada (JFET).
•La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más pequeña
en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar polarizada inversamente
la unión puerta-canal).
Zonas de Funcionamiento
Característica V-I de salida en configuración
Surtidor Común
 Resistor controlado por voltaje
• La región a la izquierda es conocida como la región óhmica o de
resistencia controlada por voltaje. En esta región el JFET puede
ser utilizado en realidad como un resistor variable, controlado por
el voltaje de la VGS.
• A medida que VGS se hace más y más negativo, la pendiente de
cada curva se hace cada vez menor , correspondiendo con un nivel
creciente de resistencia.
• La siguiente ecuación ofrecerá una buena primera aproximación
al nivel de resistencia en términos del voltaje aplicado VGS.
 RÍSTICAS
DertvaHAn
CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA

Característica de Transferencia obtenida a través de

la ecuación Shockley
DETERMINACION DE gm
El voltaje de dc compuerta-fuente controlaba el nivel de
la corriente de drenaje de dc (ecuación de Shockley)
ID = IDSS (1 – VGS / VP)2.
El cambio en la ID que se ocasionará por el cambio en el
VGS puede determinarse mediante el uso del factor de
transconductancia gm de la forma siguiente:

 El prefijo trans- de la terminología aplicada a gm indica

que éste establece una relación entre salida y entrada.
La raíz conductancia se debe a que es una relación
voltaje a corriente (conductancia de un resistor G = 1/R
= I/V)
Determinación gráfica de gm
En la característica de transferencia, gm es en realidad la
pendiente de la curva en el punto de operación
Definición matemática de gm
Definición matemática de gm
 Polarización del FET
 POLARIZACIÓN FIJA

a) Amplificador en conf. SC b)Análisis en CC

con polarización fija
La solución gráfica, resulta de la
intercepción de la característica de
Transferencia con la recta de
polarización (Recta vertical VGSQ = - VGG
Calcule lo siguiente para la re‹J de la figura
(a)
Jb) fp . '
Slélodo mabmálico:

b mA l-
—8Y

—f y = 10 mA

- 7

e» ‹ g —
———6”;—— ª ' ³ 6mA

--8 —7 --6 —5 —4 —3 —2 —l fl
 Cálculo de Av, configuración SC

Comportamiento en CA

Δvo + ΔId. Rd =0 y siendo ΔID= gm. ΔVGS

Resulta Δvo= - gm. ΔVGS. Rd
∆𝑉�
→ 𝐴� = -gm. Rd
∆𝑉𝑔
 AUTOPOLARIZADO

Análisis en CC
 Determinación Gráfica
La solución gráfica, resulta de la intercepción
de la característica de Transferencia con la
recta de polarización, cuya pendiente es -1/Rs
 Cálculo de Av, configuración SC

Comportamiento en CA

Δvo + ΔId. Rd =0 y siendo ΔID= gm. ΔVGS

 𝑽𝑮� 𝑽𝒈� �
� 𝑽𝑮
𝑰�= 𝑰𝑫��. (� + 𝑽𝑮� + � =
𝑽𝑮� 2 𝑽� = - � →�− � +
𝑽�� 𝑰𝑫��.
) � � 𝑽� �� �
��
Resolviendo la ecuación cuadrática resulta 2 valores para VGS . Uno -2,6 V y otro
de -14V. Este último se desprecia por ser > Vpo
El punto de operación
resultante indica el voltaje
compuerta-surtidor de VGSQ =
ID. RS =2.6 V
 Polarización por Divisor de Voltaje
 𝑉�𝑉𝐺�
𝐷��������� 𝐼�= − �� ������� 𝑙�
�� ��
������ó� �� 𝑙� ����𝒂�� ��𝒍𝒂�𝒊𝒛𝒂�𝒊ó�

La solución se obtiene, reemplazando en la ecuación de la Característica de

Transferencia ( Ec. de Shockley).

Solución Gráfica
 Cálculo de Av, configuración SC

Comportamiento en CA

Δvo + ΔId. Rd =0 y siendo ΔID= gm. ΔVGS

Resulta Δvo= - gm. ΔVGS. Rd
∆𝑉
→ 𝐴� � = -gm. Rd
∆𝑉𝑔
MOSFET (transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor)
MOSFET del Tipo Incremental o de Enriquecimiento (Canal N)
Estructura Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-

D
Substrato Símbolo
Símbolo
D G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N
 Principios de operación de los MOSFET
VDS

G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
N - - - - N
V1
P

Substrato
VDS
Se empieza a formar una
G capa de electrones
S ++++ +++ D (minoritarios del substrato)

N -- -- -- -- N
V2 > V1
P

Substrato
 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas ID •Curvas de salida
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V VDS [V]
0 2 4 6
VGS=VT
Característica de Salida y Curva de Transferencia
de un MOSFET de enriquecimiento de canal N
MOSFET del Tipo Decremental o de
Empobrecimiento (Canal N)
MOSFET del Tipo Decremental o de
Empobrecimiento. Simbología