ESTRUCTURAS

ELECTRONICAS DE
LOS SOLIDOS. EQUIPO 1
• José María Barbosa Alvarado • Ehecatl Cano Hinojoza
• Ethel Delgado Yáñez • Hector Jesús Carrillo Reveles
• Mariana Caudillo Aguilar • Gabriela Díaz
• Carlos Arce • Irving Paul Correa Ornelas
• Araceli Marín Guillen
 Conductividad de S/m

Ω-1 m-1

solidos inorgánicos
La teoría de orbitales moleculares de moléculas
pequeñas puede explicar las propiedades de los
sólidos y para describir las características de los
metales, como su brillo característico, su buena
conductividad eléctrica y térmica y su maleabilidad.
El brillo y la conductividad eléctrica se basan en la movilidad de electrones
como respuesta al campo eléctrico oscilante de un rayo de luz incidente o
diferencia de potencial.
La alta conductividad térmica también es consecuencia de la movilidad electrónica (ya que un
electrón puede colisionar con un átomo que está vibrando, tomar su energía y transferirla a
otro átomo en cualquier parte del sólido).

La conductividad eléctrica también es característica de los semiconductores el criterio para

distinguir entre un metal y un semiconductor es la temperatura.
Un conductor metálico es una
sustancia con una conductividad
eléctrica que disminuye con el
aumento de la temperatura, mientras
que un semiconductor es una
sustancia con una conductividad
eléctrica que aumenta con el
incremento de la temperatura.
Las conductividades de los metales
a temperatura ambiente son más
altas que las de los
semiconductores.
Los superconductores constituyen una clase especial de materiales que
tienen una resistencia eléctrica por debajo de una temperatura crítica.
La magnitud que caracteriza el paso de un conductor a un super
conductor se denomina temperatura critica

Aislantes _
 BANDAS FORMADAS
MEDIANTE TRASLAPE
ORBITAL
Metales:
◦ La propiedad que mejor define un metal es la elevada conductividad eléctrica
tridimensional.
Enlace metálico
◦ La mayor parte de los elementos, a la izquierda del Carbono, son metales. Se caracterizan por poseer pocos
electrones y exceso de orbitales, lo que es su característica principal. Poseen una apariencia lustrosa y
brillante, alta conductividad eléctrica y termal y son dúctiles y maleables.
Modelo simplificado de orbitales moleculares del enlace
metálico: “El enlace en Litio sólido”
◦ La estructura electrónica de Litio es 1s22s1, es decir pose un
electrón de valencia y cuatro orbitales de valencia.
◦ Este es un ejemplo de un átomo con pocos electrones. La
estructura electrónica de la molécula Li2 es (1)2 (1*)2 (2 )2
y se puede apreciar que existe una capacidad adicional de
enlace debido a la existencia de orbitales vacíos, próximos en
energía.
Conducción en metales:
◦ En un cristal eléctricamente neutro, como
no debe haber acumulación de carga en
ninguna zona, el número de electrones que
se mueven en una dirección, a través de
una sección en cualquier parte de él, debe
ser el mismo que los que se mueven en
dirección opuesta.
◦ En las bandas, esto significa que hay
orbitales que describen electrones
moviéndose en una dirección y otros
orbitales que describen electrones
moviéndose en la dirección opuesta y hay
igual número de electrones en cada uno de
estos orbitales.
◦ El efecto global es que se observa un flujo
neto de electrones, o conducción eléctrica.
Conducción en Metales:
◦ Para que exista conducción eléctrica en el
cristal, es requisito indispensable que la
banda vacía, llamada banda de
conducción, se encuentre unida con la
banda ocupada por electrones, llamada
banda de valencia.
◦ Esta característica de conducción es
propia de los metales, debe existir una
banda continua de niveles de energía, en la
que al menos una porción de ella, aunque
sea muy pequeña, se encuentre vacía. Los
materiales que exhiben esta cualidad se
denominan Conductores.
Aislantes:
◦ Los materiales que tienen bandas completamente llena se denominan Aisladores.
◦ Estos materiales también poseen una banda de conducción, que se encuentra muy separada de la banda de
valencia. Esta separación entre las dos bandas se denomina gap o brecha de conducción.
Conductores y Aislantes:
◦ Un material conductor es aquel para el cual el gap de conducción es cero.
◦ Un material aislador es aquel para el cual el gap de conducción es grande.
Semiconductores:

◦ Es posible incluir un tercer tipo de material en el cual el gap de conducción no es cero pero
suficientemente pequeño como para que bajo ciertas circunstancias el material se pueda hacer
conductor. Tales materiales se denominan semiconductores intrínsecos.
◦ Dopado
◦ Un semiconductor intrínseco, es un material que conduce muy pobremente la electricidad. La
capacidad conductora de este material puede elevarse considerablemente aumentando la
temperatura o por inclusión en la red cristalina de otro elemento de aproximadamente el mismo
tamaño y con menor o mayor número de electrones que el huésped. Esto se conoce como
dopado.
Bandas formadas mediante traslape orbital:
SEMICONDUCCIÓN
Se dice que un semiconductor
es “intrínseco” cuando se
encuentra en estado puro, es
decir, no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura.
Pero al crecer la temperatura,
algún enlace covalente se
puede romper y quedar un e-
libre para moverse dentro de la
estructura cristalina
 Semiconducción Intrínseca
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco, algunos de
los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de
conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un
átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule
con el paso de una corriente eléctrica. El modelo de bandas de energía para un material semiconductor
intrínseco se muestra en la figura
Conducción
Intrínseca

◦ la concentración de electrones y
huecos son iguales.
El cambio de energía ΔE de la separación energética entre las bandas
diferirá del de los semiconductores elementales y de los no elementales. La
separación de banda se incrementará a medida que aumente la tendencia de
los electrones a hacerse cada vez mas localizados en los átomos y, en
consecuencia, es una función de la electronegatividad del constituyente.
Relación empírica entre
la separación energética
y las
electronegatividades de
los elementos que se
presentan.
Definicion:
◦ Son los semiconductores que están dopados, esto es que tienen impurezas, esto
puede lograrse incrementando el numero de electrones transportados para esto es
necesario introducir un átomo con mas electrones que el átomo original a esto se le
llama dopa miento.
◦ Este proceso de dopar al átomo es con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
◦ Se necesitan niveles marcadamente bajos de concentración del elemento que se esta
dopando.
◦ Una muy alta pureza del elemento anfitrión.
◦ Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada
100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero.
◦ Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos)
entonces se dice que el dopaje es alto o pesado.
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la
aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos semiconductores.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el
nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".
. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones.
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de
huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse
una ligadura.
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Se les llama asi porque aceptan o toman electrones.
Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
• El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N).
En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En
el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de
electrón.
◦ El "Nivel de Fermi" es el término utilizado para describir la parte superior del
conjunto de niveles de energía de electrones a la temperatura de cero absoluto. Los
electrones son fermiones y por el principio de exclusión de Pauli no pueden existir en
estados de energías idénticas. En el cero absoluto, estos se encuentran en los niveles
mas bajos de energía disponibles de los estados de energía de electrones,
constituyendo el llamado "mar de Fermi" ó "líquido de Fermi".
◦ El nivel de Fermi es la superficie de ese mar en el cero absoluto, donde no hay
electrones que tengan suficiente energía para elevarse por encima de esa superficie. El
concepto de la energía de Fermi es de importancia crucial para la comprensión de las
propiedades eléctricas y térmicas de los sólidos.
◦ La función de Fermi f(E) da la probabilidad de que sean ocupados determinados
estados de energía de electrones disponibles, a una temperatura dada
◦ La naturaleza básica de esta función dice que a temperaturas ordinarias, están
llenos la mayoría de niveles de hasta el nivel de Fermi EF, y hay relativamente
pocos electrones con energías por encima del nivel de Fermi.
◦ Si se ponen estos números en la función de Fermi a temperatura ordinaria, se
encuentra que su valor es esencialmente 1 hasta el nivel de Fermil, y rapidamente
se aproxima a cero por encima de él.
◦ Segun la distribución de Fermi-Dirac y su representación gráfica, a un cierta
temperatura T, ¿es más o menos probable que estén ocupados los estados en los
niveles más bajos?.Razonar la respuesta.
RESPUESTA:
◦ La ecuación de Fermi-Dirac expresa la probabilidad de que un determinado estado de
energía E esté ocupado por un fermión y viene dado por la ecuacion de fermi

◦ Por tanto, para una temperatura dada, el valor de esta expresión variará en proporción
inversa al valor de la energia de nivel, lo que significa que los niveles de menos energía
tienen más probabilidad de estar ocupados.
Referencias:
◦ http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/Enlace_ionico-metalico_25348.pdf
◦ http://depa.fquim.unam.mx/amyd/archivero/condsemicondais2_27505.pdf
◦ Arthur Beiser. FÍSICA APLICADA. Segunda edición. Mc. Graw-Hill, México, 1990.
◦ http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina6.htm
◦ Química Inorganica , Peter W. Atkins, 4ta edicion , Editorial Mc Graw-Hill , pp. 102-109.
◦ http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/fermi.html